本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)主要應(yīng)用于控制和驅(qū)動液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器的子像素，是平板顯示領(lǐng)域中最重要的電子器件之一。

現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管設(shè)計(jì)如圖1所示，薄膜晶體管包括位于襯底基板上的柵極13、位于柵極13上的半導(dǎo)體有源層(圖中未示出)、位于半導(dǎo)體有源層上的源極14和漏極15，圖中還示出了與柵極13連接的柵極線11，以及與源極14連接的數(shù)據(jù)線12。

理想的TFT器件需要開啟時導(dǎo)通電流(Ion)較大，關(guān)閉時關(guān)閉電流(Ioff)盡可能小。而目前現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流較小，現(xiàn)有技術(shù)一般通過改變薄膜晶體管的寬長比或驅(qū)動電壓來調(diào)整薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流，但調(diào)整效果不太理想。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，用以提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，包括：襯底基板、位于所述襯底基板上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域的柵電極、位于所述柵電極上的電致變色層，所述電致變色層至少覆蓋所述鏤空區(qū)域；

所述電致變色層用于在所述柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。

由本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管，由于薄膜晶體管的柵電極上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域，在柵電極上設(shè)置有至少覆蓋鏤空區(qū)域的電致變色層，而電致變色層用于在柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例當(dāng)薄膜晶體管開啟時，由于電致變色層能夠增加光線的透光率，此時能夠增加照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層上的光照強(qiáng)度，使得半導(dǎo)體有源層中的載流子數(shù)量增加，進(jìn)而能夠提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

較佳地，還包括填充在所述鏤空區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電物，所述電致變色層設(shè)置在所述透明導(dǎo)電物上，所述電致變色層采用絕緣的電致變色材料或采用導(dǎo)電的電致變色材料。

較佳地，所述電致變色層填充在所述鏤空區(qū)域內(nèi)，所述電致變色層采用導(dǎo)電性的電致變色材料。

較佳地，所述薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，當(dāng)所述柵電極接收到的信號為高電平信號時，所述電致變色層呈透明態(tài)；當(dāng)所述柵電極接收到的信號為低電平信號時，所述電致變色層呈暗態(tài)；或，

所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管，當(dāng)所述柵電極接收到的信號為高電平信號時，所述電致變色層呈暗態(tài)；當(dāng)所述柵電極接收到的信號為低電平信號時，所述電致變色層呈透明態(tài)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述的薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作具有若干鏤空區(qū)域的柵電極；

在所述柵電極上制作電致變色層，所述電致變色層至少覆蓋所述鏤空區(qū)域，所述電致變色層用于在所述柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。

較佳地，所述在所述柵電極上制作電致變色層，包括：

在所述柵電極上沉積一層導(dǎo)電性的電致變色膜層，通過構(gòu)圖工藝形成僅填充在所述鏤空區(qū)域內(nèi)的電致變色層。

較佳地，所述在所述柵電極上制作電致變色層之前，該方法還包括：

在所述柵電極上沉積一層透明導(dǎo)電膜層，通過構(gòu)圖工藝形成僅填充在所述鏤空區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電物。

較佳地，所述在所述柵電極上制作電致變色層，包括：

在所述透明導(dǎo)電物上沉積一層電致變色膜層，通過構(gòu)圖工藝形成至少覆蓋所述鏤空區(qū)域的電致變色層；所述電致變色膜層采用絕緣的電致變色材料或采用導(dǎo)電的電致變色材料。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的I-V特性測試曲線圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，用以提供一種新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，進(jìn)而提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板、位于襯底基板上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域的柵電極、位于柵電極上的電致變色層，電致變色層至少覆蓋鏤空區(qū)域；電致變色層用于在柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。

本發(fā)明實(shí)施例的柵電極上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域，以及在柵電極上設(shè)置至少覆蓋鏤空區(qū)域的電致變色層，而電致變色層用于在柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率，與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)薄膜晶體管開啟時，由于電致變色層能夠增加光線的透過率，此時照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層的光照強(qiáng)度會增加，這樣使得半導(dǎo)體有源層中的載流子數(shù)量增加，進(jìn)而能夠提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

如圖2、圖3(a)和圖3(b)所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板30、位于襯底基板30上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域210的柵電極21、位于柵電極21上的電致變色層31，電致變色層31至少覆蓋鏤空區(qū)域210，具體實(shí)施時，電致變色層31除了覆蓋鏤空區(qū)域210外，還覆蓋了部分柵電極21，如圖3(a)所示，當(dāng)然，電致變色層31還可以僅覆蓋鏤空區(qū)域210，如圖3(b)所示。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的電致變色層31用于在柵電極21接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)薄膜晶體管開啟時，由于電致變色層能夠增加光線的透過率，此時照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層的光照強(qiáng)度會增加，這樣使得半導(dǎo)體有源層中的載流子數(shù)量增加，進(jìn)而能夠提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管可以為底柵型薄膜晶體管，也可以為頂柵型薄膜晶體管，還可以為其它類型的薄膜晶體管，本發(fā)明具體實(shí)施例主要以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行具體介紹。

下面具體介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的兩種底柵型薄膜晶體管。

實(shí)施例一：

如圖3(a)所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括：襯底基板30、位于襯底基板30上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域的柵電極21、填充在鏤空區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電物211、位于透明導(dǎo)電物211上的電致變色層31、位于電致變色層31上的半導(dǎo)體有源層32、源極14和漏極15。本發(fā)明具體實(shí)施例中薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層32、源極14和漏極15的具體設(shè)置方式與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的襯底基板30為玻璃基板，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，襯底基板30還可以為塑料基板等其它類型的基板，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對襯底基板30的具體類型做限定。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的柵電極21的材料可以選擇現(xiàn)有技術(shù)制作柵電極時常用的材料，如：柵電極21可以選擇鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)等的單層金屬或復(fù)合金屬。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的電致變色層31可以采用絕緣的電致變色材料，也可以采用導(dǎo)電的電致變色材料，當(dāng)電致變色層31采用導(dǎo)電的電致變色材料時，需要在電致變色層31上設(shè)置一層絕緣層，絕緣層采用現(xiàn)有技術(shù)常用的絕緣材料即可。

本發(fā)明具體實(shí)施例中電致變色層31可以采用現(xiàn)有技術(shù)常用的電致變色材料，如：采用三氧化鎢(WO3)、聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物等。在實(shí)際生產(chǎn)過程中，電致變色層31采用絕緣的電致變色材料，當(dāng)需要電致變色層31導(dǎo)電時，可以通過對絕緣的電致變色材料進(jìn)行摻雜來實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明具體實(shí)施例中的透明導(dǎo)電物211優(yōu)選氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，也可以選用ITO和IZO的復(fù)合材料，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，還可以選擇其它類型的透明導(dǎo)電材料，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對透明導(dǎo)電物211的材料做限定。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為N型薄膜晶體管時，當(dāng)柵電極21接收到的信號為高電平信號時，即薄膜晶體管開啟時，電致變色層31呈透明態(tài)，此時背光或者環(huán)境光可以照射到半導(dǎo)體有源層32，使得半導(dǎo)體有源層中的載流子數(shù)量增加，提升了薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流，改善了充電效率；當(dāng)柵電極21接收到的信號為低電平信號時，即薄膜晶體管關(guān)閉時，電致變色層31呈暗態(tài)，此時半導(dǎo)體有源層32無法受到外部光照的影響，薄膜晶體管的關(guān)閉電流仍可以維持在很小的狀態(tài)。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為P型薄膜晶體管時，當(dāng)柵電極21接收到的信號為低電平信號時，即薄膜晶體管開啟時，電致變色層31呈透明態(tài)，此時背光或者環(huán)境光可以照射到半導(dǎo)體有源層32，提升了薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流，改善了充電效率；當(dāng)柵電極21接收到的信號為高電平信號時，即薄膜晶體管關(guān)閉時，電致變色層31呈暗態(tài)，此時半導(dǎo)體有源層32無法受到外部光照的影響，薄膜晶體管的關(guān)閉電流仍可以維持在很小的狀態(tài)。

實(shí)施例二：

如圖3(b)所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括：襯底基板30、位于襯底基板30上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域的柵電極21、填充在鏤空區(qū)域內(nèi)的電致變色層31、位于電致變色層31上的絕緣層34、位于絕緣層34上的半導(dǎo)體有源層32、源極14和漏極15，本發(fā)明具體實(shí)施例中的電致變色層31采用導(dǎo)電性的電致變色材料，絕緣層34采用現(xiàn)有技術(shù)常用的絕緣材料，如：絕緣層34采用氧化硅或氮化硅的單層膜，也可以采用氧化硅和氮化硅的復(fù)合膜，本發(fā)明具體實(shí)施例不對絕緣層34的具體材料做限定。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為N型薄膜晶體管時，當(dāng)柵電極21接收到的信號為高電平信號時，即薄膜晶體管開啟時，電致變色層31呈透明態(tài)，此時背光或者環(huán)境光可以照射到半導(dǎo)體有源層32，提升了薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流，改善了充電效率；當(dāng)柵電極21接收到的信號為低電平信號時，即薄膜晶體管關(guān)閉時，電致變色層31呈暗態(tài)，此時半導(dǎo)體有源層32無法受到外部光照的影響，薄膜晶體管的關(guān)閉電流可以維持在很小的狀態(tài)。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的薄膜晶體管為P型薄膜晶體管時，當(dāng)柵電極21接收到的信號為低電平信號時，即薄膜晶體管開啟時，電致變色層31呈透明態(tài)，此時背光或者環(huán)境光可以照射到半導(dǎo)體有源層32，提升了薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流，改善了充電效率；當(dāng)柵電極21接收到的信號為高電平信號時，即薄膜晶體管關(guān)閉時，電致變色層31呈暗態(tài)，此時半導(dǎo)體有源層32無法受到外部光照的影響，薄膜晶體管的關(guān)閉電流可以維持在很小的狀態(tài)。

為了更好的驗(yàn)證本發(fā)明具體實(shí)施例的薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流得到了提升，對本發(fā)明具體實(shí)施例一和實(shí)施例二的薄膜晶體管進(jìn)行電流(I)-電壓(V)特性測試，測試結(jié)果如圖4所示，圖中曲線41表示電致變色層31呈暗態(tài)時測試得到的I-V曲線，曲線42表示電致變色層31呈透明態(tài)時測試得到的I-V曲線，其中，電致變色層31呈暗態(tài)時的薄膜晶體管與現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管類似，從圖中可以看到，本發(fā)明具體實(shí)施例提供的薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流增加。

本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。

本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明具體實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示面板可以為液晶面板，也可以為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)面板。

如圖5所示，本發(fā)明具體實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

S501、通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作具有若干鏤空區(qū)域的柵電極；

S502、在所述柵電極上制作電致變色層，所述電致變色層至少覆蓋所述鏤空區(qū)域，所述電致變色層用于在所述柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例在襯底基板上沉積一層金屬導(dǎo)電層，對金屬導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成具有若干鏤空區(qū)域210的柵電極21，如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕、去除光刻膠的部分或全部過程。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例在柵電極上制作電致變色層，包括：在柵電極21上沉積一層導(dǎo)電性的電致變色膜層，通過構(gòu)圖工藝形成僅填充在鏤空區(qū)域210內(nèi)的電致變色層31，如圖3(b)所示。

具體地，本發(fā)明具體實(shí)施例在柵電極上制作電致變色層之前，還包括：在柵電極21上沉積一層透明導(dǎo)電膜層，通過構(gòu)圖工藝形成僅填充在鏤空區(qū)域210內(nèi)的透明導(dǎo)電物211，如圖3(a)所示，接著，在透明導(dǎo)電物211上沉積一層電致變色膜層，通過構(gòu)圖工藝形成至少覆蓋鏤空區(qū)域210的電致變色層31，其中，電致變色膜層采用絕緣的電致變色材料或?qū)щ姷碾娭伦兩牧稀?/p>

最后，在電致變色層31上制作半導(dǎo)體有源層32、源極14和漏極15，形成薄膜晶體管，本發(fā)明具體實(shí)施例中半導(dǎo)體有源層32、源極14和漏極15的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明具體實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板、位于襯底基板上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域的柵電極、位于柵電極上的電致變色層，電致變色層至少覆蓋鏤空區(qū)域；電致變色層用于在柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率。本發(fā)明具體實(shí)施例的柵電極上設(shè)置有若干鏤空區(qū)域，在柵電極上設(shè)置有至少覆蓋鏤空區(qū)域的電致變色層，而電致變色層用于在柵電極接收到的信號為開啟信號時，增加光線的透過率，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具體實(shí)施例當(dāng)薄膜晶體管開啟時，由于電致變色層能夠增加光線的透光率，此時能夠增加照射到薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源層上的光照強(qiáng)度，使得半導(dǎo)體有源層中的載流子數(shù)量增加，進(jìn)而能夠提高薄膜晶體管開啟時的導(dǎo)通電流。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。