本發(fā)明涉及線圈部件的制造方法以及線圈部件。

背景技術(shù)：

以往，作為線圈部件，有日本特開(kāi)2012－248630號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)所記載的線圈部件。該線圈部件具有基板、設(shè)置在基板的兩面的螺旋布線、覆蓋基板以及螺旋布線的絕緣樹(shù)脂、以及覆蓋絕緣樹(shù)脂的磁性樹(shù)脂。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2012－248630號(hào)公報(bào)

然而，若實(shí)際制造上述現(xiàn)有的線圈部件進(jìn)行使用，則發(fā)現(xiàn)以下的問(wèn)題。換句話說(shuō)，由于絕緣樹(shù)脂覆蓋基板，所以在熱沖擊、回流(reflow)負(fù)荷時(shí)，因基板與絕緣樹(shù)脂的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生熱應(yīng)力。因該熱應(yīng)力，在基板與絕緣樹(shù)脂之間產(chǎn)生層剝離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的課題在于提供防止了熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離的線圈部件的制造方法以及線圈部件。

為了解決上述課題，本發(fā)明的線圈部件的制造方法具備：

在基臺(tái)上粘合虛擬金屬層的工序；

在上述虛擬金屬層上層疊基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂的工序；

在上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂上按順序?qū)盈B第1螺旋布線與第1絕緣樹(shù)脂，將上述第1螺旋布線通過(guò)上述第1絕緣樹(shù)脂覆蓋，并且在上述第1絕緣樹(shù)脂上按順序?qū)盈B第2螺旋布線與第2絕緣樹(shù)脂，將上述第2螺旋布線通過(guò)上述第2絕緣樹(shù)脂覆蓋，從而形成線圈基板的工序；

在上述基臺(tái)與上述虛擬金屬層的粘合面將上述基臺(tái)從上述虛擬金屬層剝?nèi)サ墓ば颍?/p>

將上述虛擬金屬層從上述線圈基板除去的工序；以及

將上述線圈基板通過(guò)磁性樹(shù)脂覆蓋的工序。

根據(jù)本發(fā)明的線圈部件的制造方法，由于將基臺(tái)從線圈基板剝?nèi)?，將線圈基板通過(guò)磁性樹(shù)脂覆蓋，因此線圈基板的絕緣樹(shù)脂與基臺(tái)不接觸。因此，在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止因基臺(tái)與絕緣樹(shù)脂的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

另外，在線圈部件的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中，上述基臺(tái)具有絕緣基板、以及設(shè)置于上述絕緣基板上并且與上述虛擬金屬層粘合的基礎(chǔ)金屬層。

根據(jù)上述實(shí)施方式，由于虛擬金屬層與基臺(tái)的基礎(chǔ)金屬層粘合，所以虛擬金屬層粘合于基礎(chǔ)金屬層的圓滑面。因此，能夠減弱虛擬金屬層與基礎(chǔ)金屬層的粘合力，從而能夠?qū)⒒_(tái)從虛擬金屬層容易地剝?nèi)ァ?/p>

另外，在線圈部件的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中，

形成上述線圈基板的工序具有：

在上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂設(shè)置開(kāi)口部使上述虛擬金屬層露出的工序；

在上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂上設(shè)置上述第1螺旋布線，并且在上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂的開(kāi)口部?jī)?nèi)的上述虛擬金屬層上設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的第1犧牲導(dǎo)體的工序；

對(duì)上述第1螺旋布線直接或者間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笊鲜龅?螺旋布線，并且對(duì)上述虛擬金屬層通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笈c上述虛擬金屬層連接的上述第1犧牲導(dǎo)體的工序；

將上述第1螺旋布線以及上述第1犧牲導(dǎo)體通過(guò)上述第1絕緣樹(shù)脂覆蓋的工序；

在上述第1絕緣樹(shù)脂設(shè)置開(kāi)口部使上述第1犧牲導(dǎo)體露出的工序；

在上述第1絕緣樹(shù)脂上設(shè)置上述第2螺旋布線，并且在上述第1絕緣樹(shù)脂的開(kāi)口部?jī)?nèi)的上述第1犧牲導(dǎo)體上設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的第2犧牲導(dǎo)體的工序；

對(duì)上述第2螺旋布線直接或者間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笊鲜龅?螺旋布線，并且對(duì)上述虛擬金屬層通電從而通過(guò)電鍍經(jīng)由上述第1犧牲導(dǎo)體增大上述第2犧牲導(dǎo)體的工序；

將上述第2螺旋布線以及上述第2犧牲導(dǎo)體通過(guò)上述第2絕緣樹(shù)脂覆蓋的工序；

在上述第2絕緣樹(shù)脂設(shè)置開(kāi)口部使上述第2犧牲導(dǎo)體露出的工序；以及

除去上述第1犧牲導(dǎo)體以及上述第2犧牲導(dǎo)體而形成與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的孔部的工序，

在將上述線圈基板通過(guò)上述磁性樹(shù)脂覆蓋的工序中，在上述孔部填充上述磁性樹(shù)脂從而通過(guò)上述磁性樹(shù)脂構(gòu)成上述內(nèi)磁路。

根據(jù)上述實(shí)施方式，將第1螺旋布線與第1犧牲導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)工序設(shè)置。換句話說(shuō)，因?yàn)榈?螺旋布線與第1犧牲導(dǎo)體均是導(dǎo)體，所以能夠通過(guò)一個(gè)工序形成。此外，設(shè)置第2螺旋布線以及第2犧牲導(dǎo)體的情況也相同。由此，內(nèi)磁路用的孔部(犧牲導(dǎo)體)的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂的位置的公差、與螺旋布線的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂的位置的公差的總和小。作為結(jié)果，能夠增大內(nèi)磁路的剖面積，能夠獲得更高的電感值。

另外，對(duì)第1螺旋布線直接或者間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?螺旋布線，對(duì)虛擬金屬層通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笈c虛擬金屬層連接的第1犧牲導(dǎo)體。由此，能夠消除第1螺旋布線的厚度與第1犧牲導(dǎo)體的厚度之差。因此，當(dāng)在覆蓋第1螺旋布線以及第1犧牲導(dǎo)體的第1絕緣樹(shù)脂設(shè)置開(kāi)口部使第1犧牲導(dǎo)體露出時(shí)，開(kāi)口部的深度變淺，形成開(kāi)口部變?nèi)菀住６?，在設(shè)置第2螺旋布線以及第2犧牲導(dǎo)體并且在第2絕緣樹(shù)脂設(shè)置開(kāi)口部時(shí)，開(kāi)口部的深度成為恒定。并且，即便為多層，開(kāi)口部的深度也恒定，形成開(kāi)口部變?nèi)菀?。另外，在開(kāi)口部?jī)?nèi)設(shè)置的犧牲導(dǎo)體的形狀也能夠恒定。

另外，本發(fā)明的線圈部件具備：

基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂；

第1螺旋布線，其層疊于上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂上；

第1絕緣樹(shù)脂，其層疊于上述第1螺旋布線，并且覆蓋上述第1螺旋布線；

第2螺旋布線，其層疊于上述第1絕緣樹(shù)脂上，并且經(jīng)由沿層疊方向延伸的過(guò)孔布線與上述第1螺旋布線連接；

第2絕緣樹(shù)脂，其層疊于上述第2螺旋布線，并且覆蓋上述第2螺旋布線；以及

磁性樹(shù)脂，其覆蓋上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂、上述第1絕緣樹(shù)脂以及上述第2絕緣樹(shù)脂。

根據(jù)本發(fā)明的線圈部件，由于第1螺旋布線以及第2螺旋布線分別層疊于絕緣樹(shù)脂上，所以層疊第1、第2螺旋布線的基板從一開(kāi)始就不存在，絕緣樹(shù)脂與基板不接觸。因此，在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止因基板與絕緣樹(shù)脂的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

另外，在線圈部件的一個(gè)實(shí)施方式中，上述基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂、上述第1絕緣樹(shù)脂以及上述第2絕緣樹(shù)脂由相同材料構(gòu)成。

根據(jù)上述實(shí)施方式，由于基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂、第1絕緣樹(shù)脂以及第2絕緣樹(shù)脂由相同材料構(gòu)成，所以消除各絕緣樹(shù)脂的線膨脹系數(shù)之差，在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止各絕緣樹(shù)脂的層剝離。

另外，在線圈部件的一個(gè)實(shí)施方式中，上述第1螺旋布線以及上述第2螺旋布線各自的層疊方向的剖面形狀為，向?qū)盈B方向上的相同方向突出并且具有呈曲線的側(cè)面的凸?fàn)睢?/p>

根據(jù)上述實(shí)施方式，第1螺旋布線以及第2螺旋布線各自的層疊方向的剖面形狀為，向?qū)盈B方向上的相同方向突出并且具有呈曲線的側(cè)面的凸?fàn)睢Ｓ纱?，?、第2螺旋布線相對(duì)于層疊方向的力難以彎曲，能夠抑制第1、第2螺旋布線與絕緣樹(shù)脂之間的剝離。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的線圈部件的制造方法，由于將基臺(tái)從線圈基板剝?nèi)?，所以能夠防止熱?yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

根據(jù)本發(fā)明的線圈部件，由于第1、第2螺旋布線分別層疊于絕緣樹(shù)脂上，所以能夠防止熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

附圖說(shuō)明

圖1是表示包含本發(fā)明的線圈部件的第1實(shí)施方式的電子部件的分解立體圖。

圖2是線圈部件的剖視圖。

圖3A是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3B是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3C是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3D是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3E是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3F是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3G是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3H是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3I是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3J是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3K是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3L是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖3M是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4A是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4B是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4C是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4D是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4E是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4F是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4G是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4H是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4I是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4J是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4K是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4L是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4M是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4N是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4O是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4P是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4Q是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖4R是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖5是對(duì)本發(fā)明的線圈部件的制法的其他實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6A是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6B是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6C是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6D是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6E是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6F是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6G是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

圖6H是對(duì)線圈部件的制法的比較例進(jìn)行說(shuō)明的說(shuō)明圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1…電子部件；2、2A…線圈部件；5、5A…線圈基板；10…切割線；21～24…第1～第4螺旋布線；21a～24a…側(cè)面；25、26…過(guò)孔布線；30…基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂；31～34…第1～第4絕緣樹(shù)脂；30a～34a、30b～33b…開(kāi)口部；35…絕緣樹(shù)脂體；35a…孔部；40…磁性樹(shù)脂；50…基臺(tái)；51…絕緣基板；52…基礎(chǔ)金屬層；60…虛擬金屬層；71～74…第1～第4犧牲導(dǎo)體。

具體實(shí)施方式

以下，根據(jù)圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。

(第1實(shí)施方式)

圖1是表示包含本發(fā)明的線圈部件的第1實(shí)施方式的電子部件的分解立體圖。圖2是線圈部件的剖視圖。如圖1所示，電子部件1例如安裝于個(gè)人計(jì)算機(jī)、DVD影碟機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、TV、移動(dòng)電話、汽車(chē)電子設(shè)備(Car electronics)等電子設(shè)備。電子部件1具有并列配置的2個(gè)線圈部件2。

如圖1與圖2所示，線圈部件2具有4層螺旋布線21～24、分別覆蓋4層螺旋布線21～24的絕緣樹(shù)脂體35、以及覆蓋絕緣樹(shù)脂體35的磁性樹(shù)脂40。在該說(shuō)明書(shū)中，覆蓋對(duì)象物是指覆蓋對(duì)象物的至少一部分。在圖1中，省略絕緣樹(shù)脂體35的描繪。

第1至第4螺旋布線21～24從下層向上層按順序配置。第1至第4螺旋布線21～24在俯視下分別形成為螺旋狀。第1至第4螺旋布線21～24例如由Cu、Ag、Au等低電阻的金屬構(gòu)成。優(yōu)選通過(guò)使用利用半加成法形成的Cu鍍層，能夠形成低電阻且窄間距的螺旋布線。

絕緣樹(shù)脂體35具有基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30以及第1至第4絕緣樹(shù)脂31～34?；A(chǔ)絕緣樹(shù)脂30以及第1至第4絕緣樹(shù)脂31～34從下層向上層按順序配置。絕緣樹(shù)脂30～34的材料例如是由環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺、液晶聚合物、聚酰亞胺等構(gòu)成的有機(jī)絕緣材料的單獨(dú)材料、或者二氧化硅填料等的無(wú)機(jī)填充材料、由橡膠類(lèi)材料構(gòu)成的有機(jī)類(lèi)填料等的組合所構(gòu)成的絕緣材料。優(yōu)選全部的絕緣樹(shù)脂30～34由相同材料構(gòu)成。在該實(shí)施方式中，全部的絕緣樹(shù)脂30～34由含有二氧化硅填料的環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。

第1螺旋布線21層疊在基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30上。第1絕緣樹(shù)脂31層疊于第1螺旋布線21，覆蓋第1螺旋布線21。第2螺旋布線22層疊在第1絕緣樹(shù)脂31上。第2絕緣樹(shù)脂32層疊于第2螺旋布線22，覆蓋第2螺旋布線22。

第3螺旋布線23層疊在第2絕緣樹(shù)脂32上。第3絕緣樹(shù)脂33層疊于第3螺旋布線23，覆蓋第3螺旋布線23。第4螺旋布線24層疊在第3絕緣樹(shù)脂33上。第4絕緣樹(shù)脂34層疊于第4螺旋布線24，覆蓋第4螺旋布線24。

第2螺旋布線22經(jīng)由沿層疊方向延伸的過(guò)孔布線25與第1螺旋布線21連接。過(guò)孔布線25設(shè)置于第1絕緣樹(shù)脂31。第1螺旋布線21的內(nèi)周端21a與第2螺旋布線22的內(nèi)周端22a經(jīng)由過(guò)孔布線25連接。第1螺旋布線21的外周端21b與未圖示的外部電極連接。第2螺旋布線22的外周端22b與未圖示的外部電極連接。

第4螺旋布線24經(jīng)由沿層疊方向延伸的過(guò)孔布線26與第3螺旋布線23連接。過(guò)孔布線26設(shè)置于第3絕緣樹(shù)脂33。第3螺旋布線23的內(nèi)周端23a與第4螺旋布線24的內(nèi)周端24a經(jīng)由過(guò)孔布線26連接。第3螺旋布線23的外周端23b與未圖示的外部電極連接。第4螺旋布線24的外周端24b與未圖示的外部電極連接。

第1至第4螺旋布線21～24以相同軸為中心配置。第1螺旋布線21與第2螺旋布線22從軸向(層疊方向)觀察向相同方向卷繞。第3螺旋布線23與第4螺旋布線24從軸向觀察向相同方向卷繞。第1、第2螺旋布線21、22與第3、第4螺旋布線23、24從軸向觀察相互向相反方向卷繞。

第1至第4螺旋布線21～24各自的層疊方向的剖面形狀是向?qū)盈B方向的相同方向突出的凸?fàn)?。?至第4螺旋布線21～24各自的凸?fàn)罹哂谐是€的側(cè)面21a～24a。

第1至第4螺旋布線21～24的內(nèi)表面以及外表面被絕緣樹(shù)脂體35覆蓋。絕緣樹(shù)脂體35具有以第1至第4螺旋布線21～24的相同軸為中心的孔部35a。

磁性樹(shù)脂40覆蓋絕緣樹(shù)脂體35。磁性樹(shù)脂40具有設(shè)置于絕緣樹(shù)脂體35的孔部35a的內(nèi)部分41、與設(shè)置于絕緣樹(shù)脂體35的外部(外周面以及上下端面)的外部分42。內(nèi)部分41構(gòu)成線圈部件2的內(nèi)磁路，外部分42構(gòu)成線圈部件2的外磁路。

磁性樹(shù)脂40的材料例如是含有磁性體粉的樹(shù)脂材料。磁性體粉例如是Fe、Si、Cr等金屬磁性材料，樹(shù)脂材料例如是環(huán)氧等樹(shù)脂材料。為了提高線圈部件2的特性(L值以及重疊特性)，優(yōu)選含有90wt％以上的磁性體粉，另外，為了提高磁性樹(shù)脂40的填充性，優(yōu)選混有粒度分布不同的2或3種磁性體粉。

接下來(lái)，對(duì)線圈部件2的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。

如圖3A所示，準(zhǔn)備基臺(tái)50?；_(tái)50具有絕緣基板51、與設(shè)置于絕緣基板51的兩面的基礎(chǔ)金屬層52。在該實(shí)施方式中，絕緣基板51是玻璃環(huán)氧基板，基礎(chǔ)金屬層52是Cu箔。

然后，如圖3B所示，在基臺(tái)50的一面上粘合虛擬金屬層60。在該實(shí)施方式中，虛擬金屬層60是Cu箔。虛擬金屬層60與基臺(tái)50的基礎(chǔ)金屬層52粘合，因此虛擬金屬層60與基礎(chǔ)金屬層52的圓滑面粘合。因此，能夠減弱虛擬金屬層60與基礎(chǔ)金屬層52的粘合力，在后工序中，能夠?qū)⒒_(tái)50從虛擬金屬層60容易地剝離。優(yōu)選將基臺(tái)50與虛擬金屬層60粘合的粘合劑為低粘性粘合劑。另外，為了減弱基臺(tái)50與虛擬金屬層60的粘合力，優(yōu)選使基臺(tái)50與虛擬金屬層60的粘合面為光澤面。

此后，在暫時(shí)固定于基臺(tái)50的虛擬金屬層60上層疊基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30。此時(shí)，將基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30通過(guò)真空層壓機(jī)層疊然后進(jìn)行熱固化。

然后，如圖3C所示，在基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30上層疊第1螺旋布線21。此時(shí)，并列設(shè)置2個(gè)第1螺旋布線21、21。第1螺旋布線21的制造具有通過(guò)SAP(Semi Additive Process：半加成法)形成基底布線的工序、與對(duì)基底布線實(shí)施電鍍處理的工序，由此形成具有凸?fàn)畹膱A弧剖面的第1螺旋布線21。

然后，如圖3D所示，在第1螺旋布線21層疊第1絕緣樹(shù)脂31，將第1螺旋布線21通過(guò)第1絕緣樹(shù)脂31覆蓋。此時(shí)，將第1絕緣樹(shù)脂31通過(guò)真空層壓機(jī)層疊然后進(jìn)行熱固化。此后，在第1絕緣樹(shù)脂31通過(guò)激光加工形成用于填充過(guò)孔布線25的通孔。

然后，如圖3E所示，在第1絕緣樹(shù)脂31上層疊第2螺旋布線22。此時(shí)，將第2螺旋布線22通過(guò)與第1螺旋布線21相同的處理設(shè)置。

然后，如圖3F所示，在第2螺旋布線22層疊第2絕緣樹(shù)脂32，將第2螺旋布線22通過(guò)第2絕緣樹(shù)脂32覆蓋。此時(shí)，將第2絕緣樹(shù)脂32通過(guò)與第1絕緣樹(shù)脂31相同的處理設(shè)置。

然后，如圖3G所示，反復(fù)進(jìn)行與圖3C～圖3F的方法相同的方法，在第2絕緣樹(shù)脂32上按順序?qū)盈B第3螺旋布線23與第3絕緣樹(shù)脂33，將第3螺旋布線23通過(guò)第3絕緣樹(shù)脂33覆蓋，并且在第3絕緣樹(shù)脂33上按順序?qū)盈B第4螺旋布線24與第4絕緣樹(shù)脂34，將第4螺旋布線24通過(guò)第4絕緣樹(shù)脂34覆蓋。在第3絕緣樹(shù)脂33通過(guò)激光加工形成用于填充過(guò)孔布線26的通孔。這樣，通過(guò)基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30以及第1至第4絕緣樹(shù)脂31～34、與第1至第4螺旋布線21～24形成線圈基板5。

然后，如圖3H所示，將線圈基板5的端部與基臺(tái)50的端部一起在切割線10切掉。切割線10位于比虛擬金屬層60的端面靠?jī)?nèi)側(cè)的位置。

然后，如圖3I所示，在基臺(tái)50(基礎(chǔ)金屬層52)的一面與虛擬金屬層60的粘合面，將基臺(tái)50從虛擬金屬層60剝?nèi)ァ?/p>

然后，如圖3J所示，將虛擬金屬層60從線圈基板5除去。此時(shí)，將虛擬金屬層60通過(guò)蝕刻除去。第1至第4螺旋布線21～24被由基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30以及第1至第4絕緣樹(shù)脂31～34構(gòu)成的絕緣樹(shù)脂體35覆蓋。

然后，如圖3K所示，在絕緣樹(shù)脂體35設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的孔部35a?？撞?5a位于第1至第4螺旋布線21～24的內(nèi)部?？撞?5a通過(guò)激光加工等將絕緣樹(shù)脂體35沿層疊方向貫通而形成。

然后，如圖3L所示，將線圈基板5通過(guò)磁性樹(shù)脂40覆蓋。此時(shí)，在線圈基板5的層疊方向的兩側(cè)配置多張成形為片狀的磁性樹(shù)脂40，通過(guò)真空層壓機(jī)或真空沖壓機(jī)進(jìn)行加熱加壓，然后進(jìn)行固化處理。于是，磁性樹(shù)脂40填充于絕緣樹(shù)脂體35的孔部35a構(gòu)成內(nèi)磁路，并且設(shè)置于絕緣樹(shù)脂體35的外部構(gòu)成外磁路。

然后，如圖3M所示，在通過(guò)切割機(jī)等將芯片切割使其單片化后，將外部端子(未圖示)連接于在切割面露出的螺旋布線21～24的端部，形成線圈部件2。

根據(jù)上述線圈部件2的制造方法，將基臺(tái)50從線圈基板5剝?nèi)?，將線圈基板5通過(guò)磁性樹(shù)脂40覆蓋，因此線圈基板5的絕緣樹(shù)脂30～34不與基臺(tái)50接觸。因此在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止因基臺(tái)50與絕緣樹(shù)脂30～34的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

另外，在基臺(tái)50上層疊絕緣樹(shù)脂30～34與螺旋布線21～24形成線圈基板5，因此能夠通過(guò)加厚基臺(tái)50減少絕緣樹(shù)脂30～34的收縮、因基臺(tái)50與絕緣樹(shù)脂30～34的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的加工形變。特別是在將線圈基板5形成為多層的情況下，能夠有效地減少加工形變實(shí)現(xiàn)高精度化。此后，將基臺(tái)50從線圈基板5剝?nèi)ィ虼四軌蚴咕€圈部件2薄型化。因此，不用加厚線圈部件2就能夠兼得多層化與高精度化。

另外，由于能夠由絕緣樹(shù)脂30～34以及螺旋布線21～24構(gòu)成線圈部件2，所以能夠提高螺旋布線21～24的密度。因此，能夠提高L值，并且能夠降低Rdc，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高性能化。

根據(jù)上述線圈部件2的制造方法，虛擬金屬層60與基臺(tái)50的基礎(chǔ)金屬層52粘合，因此虛擬金屬層60粘合于基礎(chǔ)金屬層52的圓滑面。因此，能夠減弱虛擬金屬層60與基礎(chǔ)金屬層52的粘合力，從而能夠?qū)⒒_(tái)50從虛擬金屬層60容易地剝?nèi)ァ?/p>

根據(jù)上述線圈部件2，螺旋布線21～24分別層疊于絕緣樹(shù)脂30～34上，因此層疊螺旋布線21～24的基板從一開(kāi)始就不存在，絕緣樹(shù)脂30～34與基板不接觸。因此，在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止因基板與絕緣樹(shù)脂30～34的線膨脹系數(shù)差產(chǎn)生的熱應(yīng)力所帶來(lái)的層剝離。

根據(jù)上述線圈部件2，全部的絕緣樹(shù)脂30～34由相同材料構(gòu)成，因此沒(méi)有各絕緣樹(shù)脂30～34的線膨脹系數(shù)之差，在熱沖擊、回流負(fù)荷時(shí)，能夠防止各絕緣樹(shù)脂30～34的層剝離。

根據(jù)上述線圈部件2，螺旋布線21～24各自的層疊方向的剖面形狀是向?qū)盈B方向的相同方向突出并且具有呈曲線的側(cè)面21a～24a的凸?fàn)?。由此，螺旋布線21～24相對(duì)于層疊方向的力難以彎曲，能夠抑制螺旋布線21～24與絕緣樹(shù)脂30～34之間的剝離。

(第2實(shí)施方式)

圖4A～圖4R是表示本發(fā)明的線圈部件的制造方法的第2實(shí)施方式的說(shuō)明圖。第2實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式，形成線圈基板的工序不同。此外，在第2實(shí)施方式中，與第1實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記是與第1實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說(shuō)明。

如圖4A所示，準(zhǔn)備基臺(tái)50。基臺(tái)50具有絕緣基板51與設(shè)置于絕緣基板51的兩面的基礎(chǔ)金屬層52。而且，如圖4B所示，在基臺(tái)50的一面上粘合虛擬金屬層60，在虛擬金屬層60上層疊基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30。

然后，如圖4C所示，在基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30的一部分設(shè)置開(kāi)口部30a，使虛擬金屬層60露出。開(kāi)口部30a通過(guò)激光加工形成。

然后，如圖4D所示，在基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30上設(shè)置第1螺旋布線21，在基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30的開(kāi)口部30a內(nèi)的虛擬金屬層60上設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的第1犧牲導(dǎo)體71。此時(shí)，將第1螺旋布線21以及第1犧牲導(dǎo)體71通過(guò)SAP(Semi Additive Process：半加成法)同時(shí)形成。

然后，如圖4E所示，對(duì)第1螺旋布線21間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?螺旋布線21，并且對(duì)虛擬金屬層60通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笈c虛擬金屬層60連接的第1犧牲導(dǎo)體71。由此，能夠形成低電阻并且窄間距的螺旋布線。通過(guò)將第1螺旋布線21與未圖示的布線圖案連接，經(jīng)由布線圖案對(duì)第1螺旋布線21間接地通電。此外，也可以對(duì)第1螺旋布線21直接通電。也可以同時(shí)形成第1螺旋布線21以及第1犧牲導(dǎo)體71，從而能夠縮短加工時(shí)間。

然后，如圖4F所示，將第1螺旋布線21以及第1犧牲導(dǎo)體71通過(guò)第1絕緣樹(shù)脂31覆蓋。此時(shí)，將第1絕緣樹(shù)脂31通過(guò)真空層壓機(jī)層疊然后進(jìn)行熱固化。

然后，如圖4G所示，在第1絕緣樹(shù)脂31的一部分設(shè)置開(kāi)口部31a使第1犧牲導(dǎo)體71露出。開(kāi)口部31a通過(guò)激光加工形成。

然后，如圖4H所示，在第1絕緣樹(shù)脂31上設(shè)置第2螺旋布線22，在第1絕緣樹(shù)脂31的開(kāi)口部31a內(nèi)的第1犧牲導(dǎo)體71上設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的第2犧牲導(dǎo)體72。此外，第2層以后的處理與第1層的處理相同。

然后，如圖4I所示，對(duì)第2螺旋布線22直接或者間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?螺旋布線22，并且對(duì)虛擬金屬層60通電從而經(jīng)由第1犧牲導(dǎo)體71通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?犧牲導(dǎo)體72。

然后，如圖4J所示，將第2螺旋布線22以及第2犧牲導(dǎo)體72通過(guò)第2絕緣樹(shù)脂32覆蓋。

然后，如圖4K所示，在第2絕緣樹(shù)脂32的一部分設(shè)置開(kāi)口部32a使第2犧牲導(dǎo)體72露出。

然后，如圖4L所示，進(jìn)行與第2層相同的處理，設(shè)置第3層的第3螺旋布線23、第3犧牲導(dǎo)體73以及第3絕緣樹(shù)脂33、以及第4層的第4螺旋布線24、第4犧牲導(dǎo)體74以及第4絕緣樹(shù)脂34。第3犧牲導(dǎo)體73通過(guò)對(duì)虛擬金屬層60通電并且經(jīng)由第1、第2犧牲導(dǎo)體71、72通過(guò)電鍍而增大。第4犧牲導(dǎo)體74通過(guò)對(duì)虛擬金屬層60通電并且經(jīng)由第1～第3犧牲導(dǎo)體71～73通過(guò)電鍍而增大。

然后，如圖4M所示，在第4絕緣樹(shù)脂34的一部分設(shè)置開(kāi)口部34a使第4犧牲導(dǎo)體74露出。

然后，如圖4N所示，除去第1至第4犧牲導(dǎo)體71～74，在由螺旋布線21～24以及絕緣樹(shù)脂30～34構(gòu)成的絕緣樹(shù)脂體35設(shè)置與內(nèi)磁路對(duì)應(yīng)的孔部35a。第1至第4犧牲導(dǎo)體71～74通過(guò)蝕刻被除去。犧牲導(dǎo)體71～74的材料例如與螺旋布線21～24的材料相同。這樣，通過(guò)螺旋布線21～24以及絕緣樹(shù)脂30～34形成線圈基板5A。

然后，如圖4O所示，將線圈基板5A的端部與基臺(tái)50的端部一起在切割線10切掉。切割線10位于比虛擬金屬層60的端面靠?jī)?nèi)側(cè)的位置。

然后，如圖4P所示，在基臺(tái)50(基礎(chǔ)金屬層52)的一面與虛擬金屬層60的粘合面，將基臺(tái)50從虛擬金屬層60剝?nèi)?。然后，如圖4Q所示，將虛擬金屬層60從線圈基板5A除去。

然后，如圖4R所示，將線圈基板5A通過(guò)磁性樹(shù)脂40覆蓋。磁性樹(shù)脂40填充于絕緣樹(shù)脂體35的孔部35a構(gòu)成內(nèi)磁路，設(shè)置于絕緣樹(shù)脂體35的外部構(gòu)成外磁路。然后，在螺旋布線21～24的端部連接(未圖示)外部端子形成線圈部件2A。

此外，如圖4M所示，基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30的開(kāi)口部30a、第1絕緣樹(shù)脂31的開(kāi)口部31a、第2絕緣樹(shù)脂32的開(kāi)口部32a以及第3絕緣樹(shù)脂33的開(kāi)口部33a全被開(kāi)口，但如圖5所示，基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂30的開(kāi)口部30b、第1絕緣樹(shù)脂31的開(kāi)口部31b、第2絕緣樹(shù)脂32的開(kāi)口部32b以及第3絕緣樹(shù)脂33的開(kāi)口部33b也可以被開(kāi)口成環(huán)狀。由此，能夠減小由激光加工等進(jìn)行的開(kāi)口的加工負(fù)荷。另外，由于在開(kāi)口部的中央殘留有絕緣樹(shù)脂，所以能夠減少使用的犧牲導(dǎo)體的材料。

根據(jù)上述線圈部件2A的制造方法，通過(guò)一個(gè)工序設(shè)置第1螺旋布線21與第1犧牲導(dǎo)體71。換句話說(shuō)，因?yàn)榈?螺旋布線21與第1犧牲導(dǎo)體71均是導(dǎo)體，所以能夠通過(guò)一個(gè)工序形成。此外，設(shè)置第2～第4螺旋布線22～24以及第2～第4犧牲導(dǎo)體72～74的情況也相同。由此，內(nèi)磁路用的孔部35a(犧牲導(dǎo)體71～74)的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂30～34的位置的公差、與螺旋布線21～24的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂30～34的位置的公差的總和小。作為結(jié)果，能夠增大內(nèi)磁路的剖面積，能夠獲得更高的電感值。

與此相對(duì)，在通過(guò)其它工序進(jìn)行在絕緣樹(shù)脂形成內(nèi)磁路用的孔部的工序、與在絕緣樹(shù)脂形成螺旋布線的工序的情況下，考慮孔部的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂的位置的公差、與螺旋布線的相對(duì)于絕緣樹(shù)脂的位置的公差的總和，而在螺旋布線與孔部之間需要某種程度的距離。由此，孔部的剖面積減小與孔部的位置的公差以及螺旋布線的位置的公差對(duì)應(yīng)的量。作為結(jié)果，內(nèi)磁路的剖面積變小，難以獲得高的電感值。

另外，對(duì)第1螺旋布線21直接或者間接地通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?螺旋布線21，對(duì)虛擬金屬層60通電從而通過(guò)電鍍?cè)龃笈c虛擬金屬層60連接的第1犧牲導(dǎo)體71。由此，能夠消除第1螺旋布線21的厚度與第1犧牲導(dǎo)體71的厚度之差。因此，當(dāng)在覆蓋第1螺旋布線21以及第1犧牲導(dǎo)體71的第1絕緣樹(shù)脂31的一部分設(shè)置開(kāi)口部31a使第1犧牲導(dǎo)體71露出時(shí)，開(kāi)口部31a的深度變淺，開(kāi)口部31a的形成變?nèi)菀住６?，在設(shè)置第2螺旋布線22以及第2犧牲導(dǎo)體72并且在第2絕緣樹(shù)脂32設(shè)置開(kāi)口部32a時(shí)，開(kāi)口部32a的深度成為恒定。并且，即便為多層，開(kāi)口部31a～34a的深度也恒定，開(kāi)口部31a～34a的形成變?nèi)菀?。另外，設(shè)置于開(kāi)口部31a～34a內(nèi)的犧牲導(dǎo)體71～74的形狀也能夠恒定。

與此相對(duì)，如圖6A所示，在通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?螺旋布線21但不通過(guò)電鍍?cè)龃蟮?犧牲導(dǎo)體71的情況下，產(chǎn)生第1螺旋布線21的厚度與第1犧牲導(dǎo)體71的厚度之差。因此，如圖6B所示，當(dāng)在覆蓋第1螺旋布線21以及第1犧牲導(dǎo)體71的第1絕緣樹(shù)脂31的一部分設(shè)置開(kāi)口部31a使第1犧牲導(dǎo)體71露出時(shí)，開(kāi)口部31a的深度變深。特別是，如圖6C所示，在設(shè)置第2螺旋布線22以及第2犧牲導(dǎo)體72并且如圖6D所示那樣在第2絕緣樹(shù)脂32設(shè)置開(kāi)口部32a的情況下，開(kāi)口部32a的深度進(jìn)一步加深。并且，如圖6E～圖6H所示，越為多層，開(kāi)口部33a、34a的深度越進(jìn)一步加深，形成開(kāi)口部33a、34a變困難。換句話說(shuō)，由于各層的開(kāi)口部31a～34a逐漸加深，所以在通過(guò)激光加工形成開(kāi)口部31a～34a時(shí)，需要在各層錯(cuò)開(kāi)激光的焦點(diǎn)。另外，將犧牲導(dǎo)體71～74設(shè)置于開(kāi)口部31a～34a內(nèi)也變困難。

此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍，能夠進(jìn)行設(shè)計(jì)變更。例如，也可以將第1與第2實(shí)施方式的各自的特征點(diǎn)進(jìn)行各種各樣的組合。

在上述實(shí)施方式中，雖然線圈部件具有4層的螺旋布線與5層的絕緣樹(shù)脂，但具有至少2層的螺旋布線(第1、第2螺旋布線)與至少3層的絕緣樹(shù)脂(基礎(chǔ)絕緣樹(shù)脂、第1、第2絕緣樹(shù)脂)即可。

在上述實(shí)施方式中，雖然基臺(tái)具有絕緣基板與基礎(chǔ)金屬層，但也可以省略基礎(chǔ)金屬層僅具有絕緣基板。

在上述實(shí)施方式中，雖然在基臺(tái)的兩面中的一面形成有線圈基板，但也可以在基板的兩面分別形成線圈基板。由此，能夠獲得高的生產(chǎn)率。