技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。由半導(dǎo)體形成的浮柵由導(dǎo)電型的極性不同的第1浮柵和第2浮柵構(gòu)成。通過(guò)所述第2浮柵的價(jià)電子帶的空穴的減少來(lái)存儲(chǔ)電子經(jīng)由隧道絕緣膜而注入到所述第1浮柵的狀態(tài)，通過(guò)所述第2浮柵的價(jià)電子帶的空穴的增加來(lái)存儲(chǔ)電子經(jīng)由所述隧道絕緣膜而從所述第1浮柵排出的狀態(tài)。

技術(shù)研發(fā)人員：理崎智光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：精工半導(dǎo)體有限公司
文檔號(hào)碼：201610298551
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.06
技術(shù)公布日：2016.11.16