1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于包含如下步驟:
將緩和由研削而薄化的元件基板內(nèi)的翹曲的緩和層設(shè)置在支撐基板;
將所述元件基板貼合在設(shè)置有所述緩和層的所述支撐基板;以及
將由所述支撐基板支撐的所述元件基板研削并薄化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:將所述緩和層設(shè)置在支撐基板的步驟包含
在所述支撐基板的正面形成CVD膜的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:形成所述CVD膜的步驟包含
在所述支撐基板的貼合有所述元件基板的正面形成膜厚比背面更厚的CVD膜的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:將所述緩和層設(shè)置在支撐基板的步驟包含
在所述支撐基板的表層摻雜雜質(zhì)的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:將所述緩和層設(shè)置在支撐基板的步驟包含
在所述支撐基板的正面形成凹凸部的步驟。