本發(fā)明涉及晶圓領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓承載裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步，對(duì)于晶圓厚度的要求越來(lái)越薄，因此需要背面研磨的制程。

請(qǐng)參閱圖1，圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程。

于步驟s100中，對(duì)一晶圓進(jìn)行針測(cè)(waferprobe)。于步驟s102中，對(duì)該晶圓進(jìn)行植球。于步驟s104中，對(duì)該晶圓進(jìn)行背面研磨。于步驟s106中，以紫外光照射20～30秒，移除晶圓上之錫球面的保護(hù)膠帶。于步驟s108中，對(duì)該晶圓進(jìn)行固化。于步驟s110中，對(duì)該晶圓進(jìn)行研磨面(即背面)上的微粒(particle)殘膠清洗或蝕刻。于步驟s112中，對(duì)該晶圓背面之薄膜進(jìn)行雷射標(biāo)識(shí)(lasermarking)。于步驟s114中，再次進(jìn)行晶圓針測(cè)(waferprobe)。于步驟s116中，對(duì)該晶圓進(jìn)行清洗或蝕刻。于步驟s118中，貼上芯片背面保護(hù)膠帶(lctape)并上框架(thinframe)。于步驟s120中，切割該晶圓以獲得晶粒。于步驟s122 中，以紫外光照射20～30秒，移除芯片背面保護(hù)膠帶。于步驟s124中，傳送到測(cè)試分類(pickandplace)站。于步驟s126中，檢驗(yàn)各晶粒。于步驟s128中，選取并放置晶粒。于步驟s130中，將選取的晶粒傳送至吸取晶粒站(reel)。

在上述步驟s110及s116中，需要對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，然而由于晶圓厚度越來(lái)越薄，因此在清洗過(guò)程中容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，采用吸盤吸住晶圓或用頂針承載晶圓，在清洗過(guò)程中也容易造成晶圓破裂的情況發(fā)生。

此外，在對(duì)晶圓進(jìn)行研磨面上的微粒及殘膠清洗或蝕刻制程中，所噴灑的液體或清水容易流至不需要清洗或蝕刻的表面，造成不需要清洗或蝕刻的表面受到侵蝕甚至破壞線路。

因此需要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問(wèn)題提出解決方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種晶圓承載裝置，其能解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓容易破裂以及不需要清洗或蝕刻的表面受到破壞的問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種晶圓承載裝置，用于承載一晶圓，該晶圓承載裝置包括一基座以及一承載盤。該承載盤固定于該基座上并包括一底盤、一出氣盤、以及若干個(gè)限位單元。該底盤包括若干個(gè)連接部，各連接部包括若干個(gè)氣孔。該出氣盤設(shè)置于該底盤上且包括若干個(gè)多孔性薄膜。這些限位單元固定在該底盤之周圍。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該基座具有一進(jìn)氣部，該進(jìn)氣部用于提供使該晶圓漂浮至一特定位置之氣壓。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該晶圓漂浮至該特定位置時(shí)，這些限位單元夾持住該晶圓并帶動(dòng)該晶圓旋轉(zhuǎn)。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該特定位置為該出氣盤上方0.5毫米至10毫米之間。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這些多孔性薄膜的位置對(duì)應(yīng)至這些氣孔的位置。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這些多孔性薄膜的孔徑為0.1至0.5微米，這些多孔性薄膜的厚度為1至5毫米。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這些連接部被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部被分離成若干個(gè)部分。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這些多孔性薄膜被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜被分離成若干個(gè)部分。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該出氣盤進(jìn)一步包括若干個(gè)鎖固件，這些鎖固件用于鎖固在該底盤上。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，各限位單元包括一固定部以及一可移動(dòng)部。該固定部呈倒l形狀并用于固定在該出氣盤上。該可移動(dòng)部嵌入于該固定部之一垂直邊中。

依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該可移動(dòng)部包括一扣件部，該可移動(dòng)部可朝向該固定部之一水平邊的方向傾斜，并帶動(dòng)該扣件部朝向該固定部之該水平邊的方向傾斜。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明之晶圓承載裝置采用之多孔性薄膜能提供均勻的氣壓給晶圓，使得晶圓不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。再者，本發(fā)明之晶圓承載裝置采用限位單元帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)狻⒒蚯逅粫?huì)流至該晶圓不需要清洗或蝕刻的表面，因此不會(huì)破壞不需要清洗或蝕刻的表面上的線路。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中背面研磨及背面研磨之后的制程。

圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之晶圓承載裝置之立體圖。

圖3顯示圖2之承載盤之分解圖。

圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之限位單元之立體圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。

請(qǐng)參閱圖2至圖3，圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之晶圓承載裝置2之立體圖。圖3顯示圖2之承載盤22之分解圖。

該晶圓承載裝置2包括一基座20以及承載盤22。該晶圓承載裝置2用于承載一晶圓30，更明確地說(shuō)，該晶圓承載裝置2 之該承載盤22承載該晶圓30。該基座20之內(nèi)部具有一進(jìn)氣部24，該進(jìn)氣部24用于提供使該晶圓30能漂浮至一特定位置之氣壓。該晶圓30具有一正面300以及一背面302。該正面300為具有線路的表面。該背面302為需要清洗或蝕刻的表面，因此必須曝露朝向上方。

該承載盤22固定于該基座20上，由該基座20定位該承載盤22。于本實(shí)施例中，該基座20大致呈一圓柱體的形狀，該承載盤22之下表面固定連結(jié)于該基座20上。于其他實(shí)施例中，該基座20并不限于如圖2所示之形狀，只要能固定并定位該承載盤22即可。

該晶圓30在未清洗或蝕刻時(shí)受到該承載盤22的承載，亦即該晶圓30之下表面在未清洗與該承載盤22接觸。如圖3所示，該承載盤22包括一底盤220、一出氣盤222、以及若干個(gè)限位單元224。

該底盤220固定于該基座20上。該底盤220上包括若干個(gè)連接部2200。各連接部2200包括若干個(gè)氣孔2202。該出氣盤222設(shè)置于該底盤220上且包括若干個(gè)多孔性薄膜2220以及若干個(gè)鎖固件2222。于一較佳實(shí)施例中，這些多孔性薄膜2220的孔徑為0.1至0.5微米(micrometer；μm)，這些多孔性薄膜2220的厚度為1至5毫米(millimeter；mm)。這些多孔性薄膜2220的位置對(duì)應(yīng)至這些連接部2200的位置。更明確地說(shuō)，這些多孔性薄膜2220的下方對(duì)應(yīng)至這些連接部2200，亦即對(duì)應(yīng)至這些氣 孔2202的位置。

于本實(shí)施例中，這些連接部2200被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之連接部2200被分離成若干個(gè)部分。于本實(shí)施例中，相同圈之連接部2200被分離成四個(gè)部分。相對(duì)應(yīng)地，這些多孔性薄膜2220也被設(shè)置成同心圓的形狀，且相同圈之多孔性薄膜2220被分離成若干個(gè)部分。于本實(shí)施例中，相同圈之多孔性薄膜2220被分離成四個(gè)部分。這些鎖固件2222用于鎖固在該底盤220上。

這些限位單元224固定在該底盤220之周圍，用于使該晶圓30能限定在該出氣盤222上而不會(huì)掉落。此外，要說(shuō)明的是，于本實(shí)施例中，該承載盤22包括四個(gè)限位單元224，然而限位單元224的數(shù)量并非限于四個(gè)，可為其他數(shù)量。

請(qǐng)參閱圖4，圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例之限位單元224之立體圖。

該限位單元224包括一固定部2240以及一可移動(dòng)部2242。該限位單元224大致呈一鳥嘴形狀，更明確地說(shuō)，該固定部2240大致呈倒l形狀，用于固定在該出氣盤222上。該可移動(dòng)部2242嵌入于該固定部2240之一垂直邊中且包括一扣件部2244，該可移動(dòng)部2242可朝向該固定部2240之一水平邊的方向傾斜，并帶動(dòng)該扣件部2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，藉此使圖2之該晶圓30能限定在該出氣盤222上而不會(huì)掉落。

請(qǐng)參閱圖2至圖4，當(dāng)需要對(duì)該晶圓30進(jìn)行清洗或蝕刻時(shí)， 首先該基座20內(nèi)部之進(jìn)氣部24提供足夠使將該晶圓30能漂浮至特定位置之氣壓，該氣壓經(jīng)由這些連接部2200之這些氣孔2202及該出氣盤之這些多孔性薄膜2220而使得該晶圓30漂浮至特定位置，較佳而言，本發(fā)明之晶圓承載裝置2能承載之晶圓30的厚度為35微米(micrometer；μm)至900微米，并能控制該晶圓30漂浮至該出氣盤222上方0.5毫米(millimeter；mm)至10毫米之間(亦即該特定位置為該出氣盤222上方0.5毫米至10毫米之間)。要說(shuō)明的是，此時(shí)該晶圓30僅漂浮至該出氣盤222上方但并未旋轉(zhuǎn)。

這些多孔性薄膜2220能將該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生之氣壓均勻的提供給該晶圓30，使得晶圓30漂浮至特定位置時(shí)不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。

該晶圓30漂浮至特定位置時(shí)，各可移動(dòng)部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動(dòng)部2242的偏心力、以及各可移動(dòng)部2242的離心力三者的作用下，各可移動(dòng)部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部?jī)A斜)，進(jìn)而帶動(dòng)各扣件部2244朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜，使得各限位單元224能夾持住該晶圓30并帶動(dòng)該晶圓30旋轉(zhuǎn)，更明確地說(shuō)，各限位單元224之各扣件部2244的頂端能夾持住該晶圓30并帶動(dòng)該晶圓30旋轉(zhuǎn)。

接著，設(shè)置于該晶圓30上方之一噴灑單元(未圖標(biāo))對(duì)該晶圓30噴灑清洗或蝕刻所需之化學(xué)藥劑、氮?dú)狻⒒蚯逅?。該? 圓30能承受0.2公斤(kilogram；kg)至5公斤的壓力。由于該晶圓30在各扣件部2244的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，因此該晶圓30在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)?、或清水?huì)向外甩出，并不會(huì)流至該晶圓30之正面300(具有線路)，亦即不會(huì)破壞該晶圓30之正面300的線路。

最后，當(dāng)結(jié)束對(duì)該晶圓30的清洗或蝕刻時(shí)，噴灑單元(未圖標(biāo))停止對(duì)該晶圓30噴灑化學(xué)藥劑、氮?dú)狻⒒蚯逅?，該進(jìn)氣部24也停止提供氣壓，原本各可移動(dòng)部2242朝向該固定部2240之水平邊的方向傾斜(即朝向該出氣盤222的內(nèi)部?jī)A斜)，此時(shí)各可移動(dòng)部2242在該進(jìn)氣部24所產(chǎn)生的氣流、各可移動(dòng)部2242的偏心力、以及各可移動(dòng)部2242的離心力三者消失的情況下，各可移動(dòng)部2242會(huì)恢復(fù)至垂直的方向，進(jìn)而使得各扣件部2244的頂端也會(huì)恢復(fù)至垂直的方向而不再夾持住該晶圓30，該晶圓30將會(huì)緩慢地平放在該出氣盤222上。

綜上所述，本發(fā)明之晶圓承載裝置2采用之多孔性薄膜2220能提供均勻的氣壓給晶圓30，使得晶圓30在進(jìn)氣部24的作用而漂浮至特定位置時(shí)不會(huì)有破裂的情況發(fā)生。再者，本發(fā)明之晶圓承載裝置2采用扣件部2244帶動(dòng)晶圓30旋轉(zhuǎn)，在清洗或蝕刻時(shí)所噴灑的化學(xué)藥劑、氮?dú)?、或清水不?huì)流至晶圓30之正面300，因此不會(huì)破壞晶圓30之正面300的線路。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫 離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。