技術(shù)特征：

1.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方的介電層中形成金屬層；

在所述金屬層上方形成蝕刻停止層，其中，所述蝕刻停止層由含金屬材料制成；

在所述蝕刻停止層上方形成第二介電層；

通過蝕刻工藝去除部分所述第二介電層以暴露所述蝕刻停止層并且形成通孔；以及

對所述通孔和所述第二介電層實施等離子體清洗工藝，其中，通過使用包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)的等離子體實施所述等離子體清洗工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，氮氣(N₂)的流量和氫氣(H₂)的流量的比率在從約2/1至約4/1的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，還包括：

在所述等離子體清洗工藝之后，對所述第二介電層實施濕清洗工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，通過使用包括含氟氣體的蝕刻氣體實施所述蝕刻工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述蝕刻工藝和所述等離子體清洗工藝在相同的室中實施。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，還包括：

在所述金屬層下方形成阻擋層，其中，所述金屬層由所述阻擋層圍繞；以及

在所述金屬層上方形成覆蓋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，還包括：

將導(dǎo)電材料填入所述通孔以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接至所述金屬層。

8.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方形成蝕刻停止層，其中，所述蝕刻停止層由含鋁材料制成；

在所述蝕刻停止層上方形成介電層；

在所述介電層上方形成抗反射層；

在所述抗反射層上方形成硬掩模層；

在所述硬掩模層上方形成圖案化的光刻膠層；

通過使用所述圖案化的光刻膠層作為掩模并且通過實施第一蝕刻工藝蝕刻部分所述抗反射層；

通過實施第二蝕刻工藝蝕刻穿過所述抗反射層和蝕刻部分所述介電層以在所述介電層中形成開口；以及

通過實施第三蝕刻工藝蝕刻穿過所述介電層和所述蝕刻停止層以形成通孔部分；以及

對所述通孔和第二介電層實施等離子體清洗工藝，其中，通過使用包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)的等離子體實施所述等離子體清洗工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，氮氣(N₂)的流量和氫氣(H₂)的流量的比率在從約2/1至約4/1的范圍內(nèi)。

10.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在襯底上方形成金屬層；

在所述金屬層上方形成蝕刻停止層，其中，所述蝕刻停止層由含鋁材料制成；

在所述蝕刻停止層上方形成介電層；

去除部分所述介電層以暴露所述蝕刻停止層并且形成通孔，其中，在所述蝕刻停止層上和所述通孔的側(cè)壁上形成金屬氧化物層；以及

實施等離子體清洗工藝以去除所述金屬氧化物層，其中，通過使用包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)的等離子體實施所述等離子體清洗工藝。