技術總結
本發(fā)明提供一種IGBT晶圓制造方法及裝置，其中，方法包括：設置預設值；對減薄后的IGBT晶圓背面使用混合酸液進行腐蝕，除去背面表層預設值厚度層。由于減薄后的IGBT晶圓背面表層會產(chǎn)生大量暗紋和損傷層，這些暗紋和損傷層帶來的應力會使晶圓翹曲，翹曲的晶圓在后續(xù)工藝中容易破損，影響產(chǎn)品成品率，本發(fā)明提供的IGBT晶圓制作方法及裝置，對減薄后的IGBT晶圓背面使用混合酸液進行腐蝕，除去背面表層預設值厚度層，以減少暗紋，從而減小由暗紋而產(chǎn)生的應力，最終減小IGBT晶圓翹曲度，另外由于去除了具有暗紋和損傷的表層，減少了晶圓內部的缺陷，優(yōu)化了IGBT電學性能，提高了成品率。

技術研發(fā)人員：張鴻鑫;羅海輝;譚燦健;寧旭斌;譚真華
受保護的技術使用者：株洲南車時代電氣股份有限公司
文檔號碼：201510864059
技術研發(fā)日：2015.12.01
技術公布日：2017.06.09