技術(shù)特征：

1.一種IGBT晶圓制作方法，其特征在于，包括：

設(shè)置預(yù)設(shè)值；

對減薄后的IGBT晶圓背面使用混合酸液進行腐蝕，以除去所述背面表層所述預(yù)設(shè)值厚度層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT晶圓制作方法，其特征在于，所述混合酸液包括氫氟酸和硝酸，其中，氫氟酸的濃度在40％至55％的范圍內(nèi)，硝酸的濃度在60％至75％的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT晶圓制作方法，其特征在于，所述混合酸液還包括醋酸，所述醋酸的濃度在85％至98％的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT晶圓制作方法，其特征在于，所述混合酸液中，氫氟酸、硝酸和醋酸的體積比為1：6：3。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IGBT晶圓制作方法，其特征在于，所述混合酸液的反應(yīng)溫度為30℃-70℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的IGBT晶圓制作方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值在0微米到20微米范圍內(nèi)。

7.一種IGBT晶圓制作裝置，其特征在于，包括：旋轉(zhuǎn)臺和設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)臺臺面上用于固定所述IGBT晶圓的卡針。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IGBT晶圓制作裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺內(nèi)部的氣流通道，所述氣流通道包括第一通道和第二通道；所述第一通道沿所述旋轉(zhuǎn)臺軸向方向，所述第一通道的一端貫穿至所述旋轉(zhuǎn)臺底部，另一端設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)臺內(nèi)部；所述第二通道的一端與所述第一通道相通，另一端貫穿至所述IGBT晶圓放置位置正下方的所述臺面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IGBT晶圓制作裝置，其特征在于，多個所述第二通道在所述旋轉(zhuǎn)臺中均勻分布。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的IGBT晶圓制作裝置，其特征在于，所述氣流通道中通入的是氮氣。