技術(shù)編號：12598899
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT(InsultedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)晶圓制作方法及裝置。背景技術(shù)IGBT為垂直導(dǎo)電大功率器件，IGBT晶圓厚度決定了其器件的耐壓水平。由于IGBT晶圓原材料厚度較厚，只適用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片，對于中低壓IGBT芯片，需要使用減薄工藝對IGBT晶圓進(jìn)行減薄。減薄工藝是使用帶有一定大小顆粒的研磨輪對晶圓進(jìn)行研磨，研磨后會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生凹凸不平的研磨紋，晶圓表層內(nèi)部結(jié)構(gòu)將會(huì)被破壞，產(chǎn)生大量暗紋、缺陷(損...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。