1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：
在晶片的表面形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置的工序；
第1磨削工序，由第1磨石對(duì)所述晶片的背面的外周部進(jìn)行磨削而在所述外周部形成破碎層；
第2磨削工序，將形成了所述破碎層的所述外周部作為肋部保留，并且由所述第1磨石對(duì)所述晶片的背面的中央部進(jìn)行磨削而形成凹部；以及
第3磨削工序，使用與所述第1磨石相比磨粒粒徑小的第2磨石對(duì)所述凹部的底面進(jìn)行磨削而將所述晶片薄化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
還具有在所述第3磨削工序后通過濕式蝕刻而將所述破碎層去除的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述第1磨削工序中，不對(duì)所述晶片的背面的所述中央部進(jìn)行磨削而是作為未磨削區(qū)域保留，
在所述第2磨削工序中，對(duì)所述第1磨石和所述晶片的相對(duì)位置進(jìn)行變更而對(duì)所述未磨削區(qū)域進(jìn)行磨削。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
基于對(duì)所述未磨削區(qū)域的寬度進(jìn)行測(cè)定得到的值而決定所述第2磨削工序中的所述第1磨石的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
對(duì)晶片影像進(jìn)行圖像處理而對(duì)所述未磨削區(qū)域的寬度進(jìn)行測(cè)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述晶片的徑向上對(duì)所述未磨削區(qū)域的臺(tái)階進(jìn)行測(cè)定而求出所述未磨削區(qū)域的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
導(dǎo)入所述破碎層的工序中的磨削量大于或等于1μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述第1磨石的平均粒徑大于或等于20μm且小于或等于100μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述第2磨石的平均粒徑小于或等于10μm。