一種高密度集成引線框架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種高密度集成引線框架，下片框架上設(shè)有M×N個第一承放塊（10），上片框架上設(shè)有M×N個第二承放塊（30），第二承放塊（30）與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)，第二承放塊（30）包括跳線端（301）和連接端（302），第一承放塊（10）包括承放端（101）和連接端（102），第二承放塊的跳線端（301）與第一承放塊的承放端（101）在水平位置重合，且形成一個用于安裝芯片（20）的芯片承放腔。本實(shí)用新型引線框架增加了引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)的密度，提高了產(chǎn)品生產(chǎn)效率，同時提高了資源利用率，降低了生產(chǎn)成本。跳線集成于引線框架上，不需要重新設(shè)計(jì)和制作跳線，降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種高密度集成引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種二極管引線框架，特別是一種高密度集成引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]由于小產(chǎn)品封裝的引線框架主要用于手工裝配生產(chǎn)中，因此為了便于手工裝配，目前的小產(chǎn)品封裝引線框架為單排設(shè)計(jì)，例如S0D123-FL封裝二極管引線框架結(jié)構(gòu)為40*1，生產(chǎn)效率低，且引線框架中的芯片承放結(jié)構(gòu)密度小，框架利用率低，耗費(fèi)材料。此外，如圖1、圖2所示，目前的S0D123-FL封裝二極管引線框架或SMA-FL封裝二極管引線框架中用于承放二極管芯片的芯片承放結(jié)構(gòu)，包括第一承放塊I和第二承放塊4，二極管芯片2置于第一承放塊的一端，二極管芯片通過跳線3與第二承放塊連接，即是說需要單獨(dú)設(shè)計(jì)和制作跳線以實(shí)現(xiàn)二極管芯片與第二承放塊連接，提高引線框架的生產(chǎn)成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于:針對現(xiàn)有技術(shù)存在的引線框架密度小、生產(chǎn)效率低、成本高的問題，提供一種高密度集成引線框架。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種高密度集成引線框架，包括上片框架和下片框架，所述下片框架上設(shè)有MXN個第一承放塊，M和N均為大于I的整數(shù)，上片框架)上設(shè)有MXN個第二承放塊，所述第二承放塊與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)，第二承放塊包括跳線端和連接端，所述第一承放塊包括承放端和連接端，第二承放塊的跳線端與第一承放塊的承放端在水平位置重合、且形成一個用于安裝芯片(20)的芯片承放腔。
[0006]根據(jù)實(shí)施例，所述引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，所述下片框架上設(shè)有20X20個第一承放塊,上片框架上設(shè)有20X20個第二承放塊,第二承放塊的跳線端與第一承放塊的承放端之間形成的芯片承放腔為SMA-FL封裝二極管用承放腔。
[0007]根據(jù)實(shí)施例，所述引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，所述下片框架上設(shè)有12 X 24個第一承放塊,上片框架上設(shè)有12 X 24個第二承放塊,第二承放塊的跳線端與第一承放塊的承放端之間形成的芯片承放腔為S0D123-FL封裝二極管用承放腔。
[0008]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0009]1、增加引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)的密度，提高產(chǎn)品生產(chǎn)效率。
[0010]2、由于引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)的密度增加，提高了資源利用率，降低了材料成本，通過機(jī)械自動化裝配降低了人力成本。
[0011]3、跳線集成在引線框架上，不需要重新設(shè)計(jì)和制作跳線，降低生產(chǎn)成本。
[0012]4、跳線集成在引線框架上，避免了傳統(tǒng)引線框架中跳線與框架焊接不良而影響產(chǎn)
品質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】[0013]圖1為傳統(tǒng)引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0014]圖2為圖1的主視圖。
[0015]圖3為本實(shí)用新型引線框架示意圖(局部)。
[0016]圖4為本實(shí)用新型引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0017]圖5為圖4的主視圖。
[0018]圖中標(biāo)記:100-下片框架，300-上片框架，10-第一承放塊，20-芯片，30-第二承放塊，101-第一承放塊的承放端，102-第一承放塊的連接端，301-第二承放塊的跳線端，302-第二承放塊的連接端。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。
[0020]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0021]參考圖3至圖5，本實(shí)用新型提供的高密度集成引線框架，其包括上片框架300和下片框架100，下片框架100上設(shè)有MXN (M和N均為大于I的整數(shù))個第一承放塊10，上片框架300上設(shè)有MXN個第二承放塊30，第二承放塊30中集成有跳線，即第二承放塊30與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)。梯形結(jié)構(gòu)的第二承放塊30分為跳線端301和連接端302，第一承放塊10分為承放端101和連接端102，上片框架中第二承放塊的跳線端301與下片框架中第一承放塊10的承放端101在水平位置重合，且形成一個用于安裝芯片20的芯片承放腔，上片框架300與下片框架100配合使用，第一承放塊10與第二承放塊30組成芯片承放結(jié)構(gòu)，二極管芯片安裝于芯片承放結(jié)構(gòu)中的芯片承放腔中。如圖5所示，芯片20安裝于第一承放塊10的承放端101上，芯片20通過焊錫與第二承放塊的跳線端301連接。
[0022]需要說明的是，本實(shí)用新型提供的引線框架，為了實(shí)現(xiàn)引線框架中芯片承放結(jié)構(gòu)密度更大，克服了多項(xiàng)技術(shù)困難:(1)相鄰芯片承放結(jié)構(gòu)間距的設(shè)置。間距過大會導(dǎo)致引線框架利用率低，不能很好的解決密度小、生產(chǎn)效率低的問題；但是間距過小則會導(dǎo)致生產(chǎn)二極管芯片時不能很好的剪切出二極管，出現(xiàn)大量廢品。(2)模具及生產(chǎn)設(shè)備設(shè)計(jì)。引線框架密度的改變對模具及生產(chǎn)設(shè)備提出更高的要求，需要重新設(shè)計(jì)、制造模具及生產(chǎn)設(shè)備，同時導(dǎo)致模具及生產(chǎn)設(shè)備制作工藝改變。(3)生產(chǎn)工藝的重新定制。引線框架密度改變也導(dǎo)致電鍍、焊接、防氧化等引線框架的生產(chǎn)工藝改變，需要重新設(shè)計(jì)工藝參數(shù)，重新制定生產(chǎn)工藝流程。
[0023]實(shí)施例1
[0024]本實(shí)施例提供一種SMA-FL封裝二極管用引線框架，引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，該引線框架的下片框架上設(shè)有20 X 20個第一承放塊10，上片框架上設(shè)有20 X 20個第二承放塊30，第二承放塊30與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)。上片框架中第二承放塊的跳線端301與下片框架中第一承放塊10的承放端101在水平位置重合，且形成一個芯片承放腔，上片框架與下片框架配合使用，SMA-FL封裝二極管安裝于第一承放塊10的承放端101上，芯片20通過焊錫與第二承放塊的跳線端301連接。相比于傳統(tǒng)的單排(40 X 1，引線框架長度為101.6_，寬度為8.15mm)SMA-FL封裝二極管用引線框架，大大提高了芯片承放結(jié)構(gòu)的密度，提高了框架材料利用率，提高生產(chǎn)效率的同時降低了生產(chǎn)成本。
[0025]實(shí)施例2
[0026]本實(shí)施例提供一種S0D123-FL封裝二極管用引線框架，引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，該引線框架的下片框架上設(shè)有12X24個第一承放塊10，上片框架上設(shè)有12X24個第二承放塊30，第二承放塊30與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)。上片框架中第二承放塊的跳線端301與下片框架中第一承放塊10的承放端101在水平位置重合，且形成一個芯片承放腔，上片框架與下片框架配合使用，S0D123-FL封裝二極管安裝于第一承放塊10的承放端101上，芯片20通過焊錫與第二承放塊的跳線端301連接。相比于傳統(tǒng)的單排(40 X 1，引線框架長度為100mm，寬度為6.35mm) S0D12-FL封裝二極管用引線框架，大大提聞了芯片承放結(jié)構(gòu)的密度，提聞了框架材料利用率，提聞生廣效率的同時降低了生產(chǎn)成本。
[0027]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高密度集成引線框架，其特征在于，包括上片框架(300)和下片框架(100)，所述下片框架(100)上設(shè)有MXN個第一承放塊(10)，M和N均為大于I的整數(shù)，上片框架(300)上設(shè)有MXN個第二承放塊(30)，所述第二承放塊(30)與片狀跳線集成為一體形成梯形結(jié)構(gòu)，第二承放塊(30)包括跳線端(301)和連接端(302)，所述第一承放塊(10)包括承放端(101)和連接端(102)，第二承放塊的跳線端(301)與第一承放塊的承放端(101)在水平位置重合、且形成一個用于安裝芯片(20)的芯片承放腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度集成引線框架，其特征在于，所述引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，所述下片框架上設(shè)有20X20個第一承放塊(10)，上片框架上設(shè)有20X20個第二承放塊(30)，第二承放塊的跳線端(301)與第一承放塊的承放端(101)之間形成的芯片承放腔為SMA-FL封裝二極管用承放腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度集成引線框架，其特征在于，所述引線框架的長度為230mm，寬度為80mm，所述下片框架上設(shè)有12X24個第一承放塊(10)，上片框架上設(shè)有12X24個第二承放塊(30)，第二承放塊的跳線端(301)與第一承放塊的承放端(101)之間形成的芯片承放腔為SOD123-FL封裝二極管用承放腔。
【文檔編號】H01L23/495GK203707117SQ201420087837
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月28日
【發(fā)明者】邱志述, 周杰, 譚志偉 申請人:樂山無線電股份有限公司, 成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司