一種局部鍍銀的引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種局部鍍銀的引線框架，由多個引線框單元單排組成，引線框單元之間通過連接筋連接，引線框單元包括基體和引線腳，引線腳設有三只，分別為左引線腳、中引線腳和右引線腳，左引線腳端部設有鍵合區(qū)，鍵合區(qū)表面覆有鍍銀層，中引線腳與基體固定連接，引線框單元設有定位孔，該引線框架在左引線腳的鍵合區(qū)鍍銀，提高了左引線腳導熱、導電性能，易于焊接，同時具備了抗腐化的功能。
【專利說明】一種局部鍍銀的引線框架

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及到一種引線框架。

【背景技術】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現(xiàn)芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。目前，更多的企業(yè)要求引線框架局部鍍銀，因為鍍銀層有很好的導熱、導電和焊接性能，同時也具備防腐化的作用。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種局部鍍銀的引線框架。
[0004]為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種局部鍍銀的引線框架，由多個引線框單元單排組成，所述引線框單元之間通過連接筋連接，所述引線框單元包括基體和引線腳，所述引線腳設有三只，分別為左引線腳、中引線腳和右引線腳，所述左引線腳端部設有鍵合區(qū)，所述鍵合區(qū)表面覆有鍍銀層。
[0005]作為本發(fā)明的進一步改進，所述中引線腳與基體固定連接。
[0006]作為本發(fā)明的進一步改進，所述引線框單元寬度為11.405±0.03mm，基體厚度為
1.3±0.02mm，引線腳厚度為 0.5±0.0, 1_。
[0007]作為本發(fā)明的進一步改進，所述引線框單元設有定位孔，定位孔直徑為2±0.05mm。
[0008]采用上述結構，其有益效果在于:該引線框架在左引線腳的鍵合區(qū)鍍銀，提高了左引線腳導熱、導電性能，易于焊接，同時具備了抗腐化的功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明局部鍍銀的引線框架的結構示意圖。
[0010]圖中:1-弓丨線框單兀,2_基體,3_弓丨線腳,3-1-左弓丨線腳,3_2_中弓丨線腳,3_3_右引線腳，4-鍵合區(qū)，5-鍍銀層，6-定位孔。

【具體實施方式】
[0011 ] 下面結合附圖對本發(fā)明做進一步詳細的說明。
[0012]如圖1所示，一種局部鍍銀的引線框架，由多個引線框單元I單排組成，所述引線框單元I之間通過連接筋連接，所述引線框單元I包括基體2和引線腳3，所述引線腳3設有三只，分別為左引線腳3-1、中引線腳3-2和右引線腳3-3，所述左引線腳3-1端部設有鍵合區(qū)4，所述鍵合區(qū)4表面覆有鍍銀層5，所述中引線腳3-2與基體2固定連接，所述引線框單元I寬度為11.405±0.03mm，基體2厚度為1.3±0.02mm，引線腳3厚度為0.5±0.0, Imm,所述引線框單元I設有定位孔6，定位孔6直徑為2±0.05mm。
[0013]該引線框架左引線腳的鍵合區(qū)鍍銀，提高了左引線腳導熱、導電性能，易于焊接，同時具備了抗腐化的功能。
[0014]任何采用與本發(fā)明相類似的技術特征所設計的引線框架將落入本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種局部鍍銀的引線框架，由多個引線框單元(I)單排組成，所述引線框單元(I)之間通過連接筋連接，所述引線框單元(I)包括基體(2)和引線腳(3)，其特征在于:所述引線腳(3)設有三只，分別為左引線腳(3-1)、中引線腳(3-2)和右引線腳(3-3)，所述左引線腳(3-1)端部設有鍵合區(qū)(4 )，所述鍵合區(qū)(4 )表面覆有鍍銀層(5 )。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種局部鍍銀的引線框架，其特征在于:所述中引線腳(3-2)與基體(2)固定連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種局部鍍銀的引線框架，其特征在于:所述引線框單元(I)寬度為11.405±0.03_，基體(2)厚度為1.3±0.02mm，引線腳(3)厚度為0.5±0.0, Imm0
4.根據(jù)權利要求1所述的一種局部鍍銀的引線框架，其特征在于:所述引線框單元(I)設有定位孔(6),定位孔(6)直徑為2±0.05mm。
【文檔編號】H01L23/495GK104051404SQ201410322011
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月8日 優(yōu)先權日:2014年7月8日
【發(fā)明者】沈健 申請人:沈健