用于倒裝芯片器件的開封方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于倒裝芯片器件的開封方法，包括：采用立體顯微鏡對待開封器件進(jìn)行觀察，測量其外觀尺寸、封裝厚度，觀察其封裝形式、封裝材料；選擇掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀、CT檢測儀其中的一種或多種對待開封器件進(jìn)行觀察并記錄；針對器件類型，根據(jù)上述檢查結(jié)果，確定器件的開封方案；采用鑲嵌磨拋或外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理；采用掩膜刻蝕法、化學(xué)腐蝕法、剖面鏡檢法其中的一種或多種完成待開封器件的化學(xué)開封；對開封后器件的內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析。本發(fā)明提出的用于倒裝芯片器件的開封方法，相比較傳統(tǒng)的采用芯片倒裝工藝器件的開封方法，大大提升了開封質(zhì)量，保障了開封后硅片的完成性和電特性。
【專利說明】用于倒裝芯片器件的開封方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件開封【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是指一種用于倒裝芯片器件的開封方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前行業(yè)中對于采用芯片倒裝工藝的器件主要為BGA封裝、PGA封裝的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路。由于其結(jié)構(gòu)復(fù)雜及現(xiàn)有的開封方法的限制，使得開封質(zhì)量得不到保障，嚴(yán)重影響開封后的相關(guān)試驗、且電特性不能保障。
[0003]現(xiàn)有開封方法為將器件浸入高溫的酸中，溶解掉外部封裝的材料(如:模塑化合物、印制板等)，由于采用芯片倒裝工藝的器件結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)鍵合工藝的器件不同，其開封難度遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)鍵合工藝的器件，開封后的質(zhì)量得不到保障，對硅片的損傷較大，且無法實現(xiàn)對印制板的層間結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種用于倒裝芯片器件的開封方法，相比較傳統(tǒng)的采用芯片倒裝工藝器件的開封方法，本方法大大提升了開封質(zhì)量，保障了開封后硅片的完成性和電特性。
[0005]基于上述目的本發(fā)明提供的一種用于倒裝芯片器件的開封方法，包括:
[0006]采用立體顯微鏡，在7.1?115倍目鏡下對待開封器件進(jìn)行觀察，測量其外觀尺寸、封裝厚度，觀察其封裝形式、封裝材料；
[0007]選擇掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀、CT檢測儀其中的一種或多種對待開封器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布進(jìn)行觀察并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)，為后期的開封試驗提供支持；
[0008]針對器件類型，根據(jù)上述檢查結(jié)果，確定器件的開封方案；
[0009]采用鑲嵌磨拋或外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理；
[0010]采用掩膜刻蝕法、化學(xué)腐蝕法、剖面鏡檢法其中的一種或多種完成待開封器件的化學(xué)開封；
[0011]對開封后器件的內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析。
[0012]在一些實施方式中，一般情況下，米用掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀進(jìn)行內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布觀察并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)；當(dāng)器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜時，用CT檢測儀確定內(nèi)部結(jié)構(gòu)分布。
[0013]在一些實施方式中，對于簡單封裝器件，采用鑲嵌磨拋對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理，包括:
[0014]根據(jù)X射線檢測結(jié)果，確定研磨表面；
[0015]將器件平放在砂紙上，采用500?800目的砂紙，對其進(jìn)行磨拋，直至管腳被磨削掉，暴露出器件的焊點為止。[0016]在一些實施方式中，對于復(fù)雜封裝器件,米用外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理，包括:
[0017]將待開封器件用臺鉗固定，使其不能晃動，用手術(shù)刀對準(zhǔn)蓋板與印制板之間的縫隙，輕敲手術(shù)刀背，直至刀刃切入縫隙5?8mm，依照此方法對器件的四周進(jìn)行切入；完成切入步驟后，從器件蓋板的尖角處將蓋板掀起。
[0018]在一些實施方式中，對于簡單封裝器件，采用掩膜刻蝕法完成待開封器件的化學(xué)開封；對于復(fù)雜封裝器件，采用化學(xué)腐蝕法或剖面鏡檢法完成待開封器件的化學(xué)開封。
[0019]在一些實施方式中，所述掩膜刻蝕法包括:
[0020]利用刻蝕開封機(jī)采用發(fā)煙硝酸作為蝕刻劑，在85°C下，采用渦流式蝕刻；若無法成功刻蝕，則采用濃硫酸作為蝕刻劑，在250°C下，采用渦流式蝕刻；
[0021]根據(jù)芯片大小，選擇適當(dāng)?shù)难谀?，掩膜的通孔尺寸要與芯片尺寸基本一致，將掩膜放置在噴酸口處，器件芯片方向向下，放置于掩膜上方，通孔對準(zhǔn)芯片位置；
[0022]根據(jù)器件外包封材料的厚度、材料設(shè)置刻蝕時間；
[0023]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0024]在一些實施方式中，所述化學(xué)腐蝕法包括:
[0025]用控溫電爐將濃硫酸加熱至200°C ;
[0026]待濃硫酸溫度達(dá)到200°C后，將器件放入濃硫酸中進(jìn)行腐蝕；
[0027]根據(jù)器件層間密度、厚度確定腐蝕時間，在腐蝕過程中實時觀察腐蝕程度，對印制板進(jìn)行逐層剝離，直至形成裸片為止；
[0028]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0029]在一些實施方式中，所述剖面鏡檢法包括:
[0030]在排風(fēng)柜內(nèi)，將待測器件平放在制樣模具中，鑲嵌液與鑲嵌粉按照5:2的體積比進(jìn)行調(diào)配，調(diào)配好后，進(jìn)行灌制；灌制完成后，將試樣置于平穩(wěn)處，直至其凝固；
[0031]試樣凝固后，將試樣從模具中取出，磨拋機(jī)開啟，采用由粗到細(xì)砂紙，設(shè)置合適轉(zhuǎn)速，對器件的印制板進(jìn)行逐層磨拋；
[0032]每磨削掉一層印制板，用顯微鏡進(jìn)行觀察并拍照記錄，完成后磨拋下一層；
[0033]當(dāng)磨拋完最后一層印制板，暴露出硅片上鍵合焊點后，停止磨拋，用200°C濃硫酸對硅芯片位置進(jìn)行沖洗，直至硅芯片完全暴露；
[0034]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0035]在一些實施方式中，所述對開封后器件的內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析的步驟包括:低放大倍數(shù)內(nèi)部檢查法、高放大倍數(shù)內(nèi)部檢查法、掃描電子顯微鏡檢查法及能譜分析法。
[0036]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法，相對于傳統(tǒng)的采用芯片倒裝工藝器件的開封方法，本方法采用物理方法與化學(xué)方法相結(jié)合的開封模式，針對不同的器件采用不同的開封手段，大大提升了開封質(zhì)量，保障了開封后硅片的完成性和電特性?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0037]圖1為本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法的一個實施例的流程示意圖；
[0038]圖2為本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法的另一個實施例的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0039]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0040]參照附圖1，為本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法的一個實施例的流程示意圖。
[0041]所述用于倒裝芯片器件的開封方法，包括:
[0042]步驟101:器件外部信息采集:采用立體顯微鏡，在7.1?115倍目鏡下對待開封器件進(jìn)行觀察，測量其外觀尺寸、封裝厚度，觀察其封裝形式、封裝材料；
[0043]步驟102:器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析:選擇掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀、CT檢測儀其中的一種或多種對待開封器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布進(jìn)行觀察并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)，為后期的開封試驗提供支持；
[0044]步驟103:針對器件類型，根據(jù)上述檢查結(jié)果，確定器件的開封方案；
[0045]步驟104:采用鑲嵌磨拋或外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理；
[0046]步驟105:采用掩膜刻蝕法、化學(xué)腐蝕法、剖面鏡檢法其中的一種或多種完成待開封器件的化學(xué)開封；
[0047]步驟106:對開封后器件的內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析；
[0048]步驟107:得出試驗結(jié)論。
[0049]參照附圖2，為本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法的另一個實施例的流程不意圖。
[0050]步驟201:外觀檢查:用立體顯微鏡，在7.1?115倍目鏡下對器件進(jìn)行觀察，測量其外觀尺寸、封裝厚度，觀察其封裝形式、材料。
[0051]步驟202:無損檢測，具體包括:
[0052]選擇掃描聲學(xué)顯微鏡(SAM) 205、微焦點X射線檢測儀203、CT檢測儀204等無損手段對器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布進(jìn)行觀察記錄，為后期的開封試驗提供支持；一般情況下，采用掃描聲學(xué)顯微鏡(SAM) 205、微焦點X射線檢測儀204進(jìn)行檢測，當(dāng)器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜時，用CT檢測儀204確定內(nèi)部結(jié)構(gòu)分布。
[0053]開封前預(yù)處理方法包括兩種:步驟206鑲嵌磨拋和步驟207外殼啟封:
[0054]對于簡單封裝器件，在開封前，需使用砂紙對芯片表面的引線框架進(jìn)行打磨；根據(jù)X射線檢測結(jié)果，確定研磨表面；所述步驟206鑲嵌磨拋，則具體包括:將器件平放在砂紙上，采用500?800目的砂紙，輕推器件，對其進(jìn)行磨拋，磨拋過程中，應(yīng)保持器件平穩(wěn)，直至管腳被磨削掉，暴露出器件的焊點為止，在研磨過程中應(yīng)注意用顯微鏡觀察，避免研磨過量;[0055]對于復(fù)雜封裝器件，當(dāng)復(fù)雜封裝器件表面有裸露的金屬蓋板時，蓋板與硅片背面采用硅膠粘接，采用機(jī)械方法去除金屬蓋板；所述步驟207外殼啟封，則具體包括:將器件用臺鉗固定，使其不能晃動，用手術(shù)刀對準(zhǔn)蓋板與印制板之間的縫隙，利用手錘輕敲手術(shù)刀背，直至刀刃切入縫隙5?8_，依照此方法對器件的四周進(jìn)行切入；完成切入步驟后，用平口鉗從器件蓋板的尖角處將蓋板掀起。
[0056]確定開封方法:針對器件類型，根據(jù)步驟201和步驟202的檢查結(jié)果，確定器件的開封方案；對于簡單封裝器件，選擇掩膜刻蝕開封方法；對于復(fù)雜封裝器件，可選擇化學(xué)腐蝕開封法或剖面鏡檢法:
[0057]步驟208:掩膜刻蝕法，具體包括以下步驟:
[0058]利用刻蝕開封機(jī)采用發(fā)煙硝酸作為蝕刻劑，在85°C下，采用渦流式蝕刻；若無法成功刻蝕，則采用濃硫酸作為蝕刻劑，在250°C下，采用渦流式蝕刻；
[0059]根據(jù)芯片大小，選擇適當(dāng)?shù)难谀?，掩膜的通孔尺寸要與芯片尺寸基本一致，將掩膜放置在噴酸口處，器件芯片方向向下，放置于掩膜上方，通孔對準(zhǔn)芯片位置；
[0060]根據(jù)器件外包封材料的厚度、材料設(shè)置刻蝕時間；
[0061]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0062]步驟209:化學(xué)腐蝕法，具體包括以下步驟:
[0063]用控溫電爐將濃硫酸加熱至200°C ;
[0064]待濃硫酸溫度達(dá)到200°C后，將器件放入濃硫酸中進(jìn)行腐蝕；
[0065]根據(jù)器件層間密度、厚度確定腐蝕時間，在腐蝕過程中實時觀察腐蝕程度，對印制板進(jìn)行逐層剝離，直至形成裸片為止；
[0066]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0067]步驟210:剖面鏡檢法，具體包括以下步驟:
[0068]在排風(fēng)柜內(nèi)，將待測器件平放在制樣模具中，鑲嵌液與鑲嵌粉按照5:2的體積比進(jìn)行調(diào)配，調(diào)配好后，進(jìn)行灌制；灌制完成后，將試樣置于平穩(wěn)處，直至其凝固；
[0069]試樣凝固后，將試樣從模具中取出，磨拋機(jī)開啟，采用由粗到細(xì)砂紙，設(shè)置合適轉(zhuǎn)速，對器件的印制板進(jìn)行逐層磨拋；
[0070]每磨削掉一層印制板，用顯微鏡進(jìn)行觀察并拍照記錄，完成后磨拋下一層；
[0071]當(dāng)磨拋完最后一層印制板，暴露出硅片上鍵合焊點后，停止磨拋，用200°C濃硫酸對硅芯片位置進(jìn)行沖洗，直至硅芯片完全暴露；
[0072]開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
[0073]步驟211:內(nèi)部檢查分析，評價開封質(zhì)量:開封完成后，對器件內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝等進(jìn)行檢查評價分析；具體包括以下步驟:
[0074]步驟212:宏觀光學(xué)檢查——低放大倍數(shù)內(nèi)部檢查:
[0075]按照GJB548B-2005《微電子器件試驗方法和程序》方法2010.1，用立體顯微鏡對器件開封質(zhì)量進(jìn)行評價，同時對器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢查評價分析，其中包括鍵合工藝、鍵合絲材質(zhì)、內(nèi)部粘接工藝等。[0076]步驟213:微觀光學(xué)檢查——高放大倍數(shù)內(nèi)部檢查:
[0077]按照GJB548B-2005《微電子器件試驗方法和程序》方法2010.1，用金相顯微鏡對硅芯片表面版圖信息、硅片制造工藝、鍵合點工藝、印制板工藝、焊點工藝等進(jìn)行評價分析。
[0078]步驟214:掃描電子顯微鏡檢查(微觀SEM檢查)及能譜分析:
[0079]當(dāng)對內(nèi)部缺陷存在疑問或用戶要求時，用掃描電子顯微鏡，對硅片表面版圖信息、硅片制造工藝、鍵合點工藝、印制板工藝、焊點工藝等進(jìn)行評價分析。用能譜分析儀，對器件的焊點、模塑化合物等進(jìn)行成分分析。
[0080]此外，為了保證試驗過程的安全性，化學(xué)開封時，需要在排風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行試驗；發(fā)煙硝酸加熱溫度不得高于100°c ;使用控溫電爐加熱溶劑時，注意燒杯中的液面位置，禁止干燒；控溫電爐加熱完成，停止使用之后，關(guān)閉電爐，待燒杯內(nèi)的溶液冷卻后，回收廢液，清洗燒杯。同時，磨拋過程中，為了得到更好的觀察效果，可選用大目數(shù)的砂紙進(jìn)行磨拋。
[0081]從上面所述的實施例可以看出，本發(fā)明提供的用于倒裝芯片器件的開封方法，相對于傳統(tǒng)的采用芯片倒裝工藝器件的開封方法，本方法采用物理方法與化學(xué)方法相結(jié)合的開封模式，針對不同的器件采用不同的開封手段，大大提升了開封質(zhì)量，保障了開封后硅片的完成性和電特性。
[0082]所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于倒裝芯片器件的開封方法，其特征在于，包括: 采用立體顯微鏡，在7.1~115倍目鏡下對待開封器件進(jìn)行觀察，測量其外觀尺寸、封裝厚度，觀察其封裝形式、封裝材料； 選擇掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀、CT檢測儀其中的一種或多種對待開封器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布進(jìn)行觀察并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)，為后期的開封試驗提供支持； 針對器件類型，根據(jù)上述檢查結(jié)果，確定器件的開封方案； 采用鑲嵌磨拋或外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理； 采用掩膜刻蝕法、化學(xué)腐蝕法、剖面鏡檢法其中的一種或多種完成待開封器件的化學(xué)開封； 對開封后器件的內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，一般情況下，米用掃描聲學(xué)顯微鏡、微焦點X射線檢測儀進(jìn)行內(nèi)部結(jié)構(gòu)、芯片位置、芯片尺寸、內(nèi)部鍵合絲排布觀察并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)；當(dāng)器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜時，用CT檢測儀確定內(nèi)部結(jié)構(gòu)分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對于簡單封裝器件，采用鑲嵌磨拋對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理，包括: 根據(jù)X射線檢測結(jié)果，確定研磨表面； 將器件平放在砂紙上，采用500~800目的砂紙，對其進(jìn)行磨拋，直至管腳被磨削掉，暴露出器件的焊點為止。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對于復(fù)雜封裝器件，采用外殼啟封對待開封器件進(jìn)行開封前預(yù)處理，包括: 將待開封器件用臺鉗固定，使其不能晃動，用手術(shù)刀對準(zhǔn)蓋板與印制板之間的縫隙，輕敲手術(shù)刀背，直至刀刃切入縫隙5~8mm，依照此方法對器件的四周進(jìn)行切入；完成切入步驟后，從器件蓋板的尖角處將蓋板掀起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對于簡單封裝器件，采用掩膜刻蝕法完成待開封器件的化學(xué)開封；對于復(fù)雜封裝器件，采用化學(xué)腐蝕法或剖面鏡檢法完成待開封器件的化學(xué)開封。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜刻蝕法包括: 利用刻蝕開封機(jī)采用發(fā)煙硝酸作為蝕刻劑，在85°C下，采用渦流式蝕刻；若無法成功刻蝕，則采用濃硫酸作為蝕刻劑，在250°C下，采用渦流式蝕刻； 根據(jù)芯片大小，選擇適當(dāng)?shù)难谀?，掩膜的通孔尺寸要與芯片尺寸基本一致，將掩膜放置在噴酸口處，器件芯片方向向下，放置于掩膜上方，通孔對準(zhǔn)芯片位置； 根據(jù)器件外包封材料的厚度、材料設(shè)置刻蝕時間； 開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)腐蝕法包括: 用控溫電爐將濃硫酸加熱至200°C ； 待濃硫酸溫度達(dá)到200°C后，將器件放入濃硫酸中進(jìn)行腐蝕； 根據(jù)器件層間密度、厚度確定腐蝕時間，在腐蝕過程中實時觀察腐蝕程度，對印制板進(jìn)行逐層剝離，直至形成裸片為止； 開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述剖面鏡檢法包括: 在排風(fēng)柜內(nèi)，將待測器件平放在制樣模具中，鑲嵌液與鑲嵌粉按照5:2的體積比進(jìn)行調(diào)配，調(diào)配好后，進(jìn)行灌制；灌制完成后，將試樣置于平穩(wěn)處，直至其凝固； 試樣凝固后，將試樣從模具中取出，磨拋機(jī)開啟，采用由粗到細(xì)砂紙，設(shè)置合適轉(zhuǎn)速，對器件的印制板進(jìn)行逐層磨拋； 每磨削掉一層印制板，用顯微鏡進(jìn)行觀察并拍照記錄，完成后磨拋下一層； 當(dāng)磨拋完最后一層印制板，暴露出硅片上鍵合焊點后，停止磨拋，用200°C濃硫酸對硅芯片位置進(jìn)行沖洗，直至硅芯片完全暴露； 開封完成后，將開封后的器件放入盛有有機(jī)清洗劑的燒杯中，將燒杯置于超聲清洗機(jī)中，對器件進(jìn)行清洗，清洗干凈后風(fēng)干。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對開封后器件的內(nèi)部芯片、印制板、焊點及其它內(nèi)部工藝參數(shù)進(jìn)行檢查評價分析的步驟包括:低放大倍數(shù)內(nèi)部檢查法、高放大倍數(shù)內(nèi)部檢查法、掃描電 子顯微鏡檢查法及能譜分析法。
【文檔編號】H01L21/66GK104008956SQ201410250565
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】賀嶠 申請人:航天科工防御技術(shù)研究試驗中心