本技術(shù)涉及一種固體攝像裝置、一種用于制造該固體攝像裝置的方法以及一種配備了該固體攝像裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：
在前照射型固體攝像裝置中，提出了這樣一種構(gòu)造：其中，通過(guò)選擇性外延生長(zhǎng)而在光電二極管（PD）上生長(zhǎng)了小平面化（faceted）的Si1-xGex（其中，0<x<1）（例如，參照J(rèn)P2011-155248A）。通過(guò)這種構(gòu)造，能夠提高固體攝像裝置的聚光特性以及主要在紅光區(qū)域和紅外線區(qū)域中的像素靈敏度。此外，目前已經(jīng)提出了背照射型固體攝像裝置以提高像素靈敏度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
如上所述，存在著提高固體攝像裝置中的像素靈敏度的需求。本技術(shù)的實(shí)施方式提供了一種提高了像素靈敏度的固體攝像裝置、一種用于制造該固體攝像裝置的方法以及一種電子設(shè)備。本技術(shù)的實(shí)施方式的固體攝像裝置設(shè)置有：半導(dǎo)體基板；電路，其形成于半導(dǎo)體基板的第一面上；以及格子圖形，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的第二面上。此外，設(shè)置有半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層形成于所述格子圖形內(nèi)且具有這樣的形狀：所述形狀在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小。而且，本技術(shù)的實(shí)施方式的電子設(shè)備配置有上述固體攝像裝置和信號(hào)處理電路，該信號(hào)處理電路對(duì)來(lái)自上述固體攝像裝置的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。本技術(shù)的實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法包括：在半導(dǎo)體基板的第一面上形成電路，以及在所述半導(dǎo)體基板的第二面上形成格子圖形。此外，所述方法還包括在所述格子圖形內(nèi)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層具有這樣的形狀：所述形狀在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的固體攝像裝置，形成于所述半導(dǎo)體基板的第二面上的所述半導(dǎo)體層具有這樣的形狀：所述形狀在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小，因而改善了聚光特性。因此，在所述固體攝像裝置以及配置有所述固體攝像裝置的電子設(shè)備中，像素靈敏度得以提高。此外，根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法，在所述半導(dǎo)體基板的第二面上外延生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體層。因?yàn)樗霭雽?dǎo)體層具有在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小的形狀，因而改善了聚光特性。因此，能夠制造出提高了像素靈敏度的固體攝像裝置。根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式，能夠提供一種提高了像素靈敏度的固體攝像裝置、一種用于制造所述固體攝像裝置的方法以及一種配置有所述固體攝像裝置的電子設(shè)備。附圖說(shuō)明圖1是表示第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造的平面圖；圖2是表示第一實(shí)施方式的固體攝像裝置中的像素陣列的構(gòu)造的平面圖；圖3A是圖示了第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造的橫截面圖，而圖3B是圖3A中所示的B部分的局部放大圖；圖4是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖5是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖6是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖7是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖8是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖9是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖10是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖11是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖12是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖13是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖14是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖15A是圖示了相關(guān)技術(shù)的固體攝像裝置中的周邊電路的構(gòu)造的橫截面圖，而圖15B和圖15C是圖示了第一實(shí)施方式的固體攝像裝置中的周邊電路的構(gòu)造的橫截面圖；圖16A是圖示了第一實(shí)施方式的變形例的固體攝像裝置中的像素陣列的構(gòu)造的橫截面圖，而圖16B是圖示了第一實(shí)施方式的變形例的固體攝像裝置中的周邊電路的構(gòu)造的橫截面圖；圖17是圖示了第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造的橫截面圖；圖18是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖19是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖20是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖21是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖22是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖23是圖示了第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造的橫截面圖；圖24是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖25是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖26是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖27是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖28是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；圖29是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖；并且圖30是圖示了電子設(shè)備的構(gòu)造的圖。具體實(shí)施方式下面將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。注意，在本申請(qǐng)的說(shuō)明書和附圖中，用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示功能和結(jié)構(gòu)基本相同的各構(gòu)成元件，并省略了對(duì)這些構(gòu)成元件的重復(fù)說(shuō)明。下文中，將說(shuō)明用于實(shí)施本技術(shù)的示例性實(shí)施方式。然而，本技術(shù)不限于以下的實(shí)例。下面將按照下列順序進(jìn)行說(shuō)明。1、固體攝像裝置的第一實(shí)施方式2、第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法3、固體攝像裝置的第二實(shí)施方式4、第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法5、固體攝像裝置的第三實(shí)施方式6、第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法7、電子設(shè)備1、固體攝像裝置的第一實(shí)施方式[固體攝像裝置的概略構(gòu)造]圖1圖示了作為應(yīng)用了本技術(shù)的實(shí)施方式的固體攝像裝置的實(shí)例的CMOS固體攝像裝置1。圖1的構(gòu)造是后文中所述的各實(shí)施方式的固體攝像裝置所共用的構(gòu)造。而且，在本例中，將固體攝像裝置描述為在半導(dǎo)體基板的與形成有電路的表面（前表面）相反的一側(cè)具有光入射面，該固體攝像裝置也稱作背照射型CMOS固體攝像裝置。如圖1所示，本例中的固體攝像裝置1包括像素陣列3（也稱作成像區(qū)域）和周邊電路，在像素陣列3中，在諸如硅基板之類的半導(dǎo)體基板11上以二維陣列狀規(guī)則地排列有多個(gè)包含光電變換器的像素2。包含單個(gè)光電變換器和多個(gè)像素晶體管的單位像素可應(yīng)用為像素2?；蛘?，其中多個(gè)光電變換器共用單個(gè)像素晶體管組（傳輸晶體管除外）的像素共用結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用為像素2。如稍后所述，上述多個(gè)像素晶體管可以是具有傳輸晶體管、復(fù)位晶體管和放大晶體管的3晶體管構(gòu)造，或者是還附加了選擇晶體管的4晶體管構(gòu)造。周邊電路可包括垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5、水平驅(qū)動(dòng)電路6、輸出電路7以及控制電路8?？刂齐娐?接收輸入時(shí)鐘以及用于指示諸如工作模式之類的指令的數(shù)據(jù)，還輸出諸如固體攝像裝置的內(nèi)部信息等數(shù)據(jù)。換言之，控制電路8基于垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和主時(shí)鐘而生成控制信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，所述控制信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)用作諸如垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6等電路的操作基準(zhǔn)。然后，控制電路8將這些信號(hào)輸入至諸如垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6等電路中。垂直驅(qū)動(dòng)電路4包括例如移位寄存器，并且通過(guò)選擇像素驅(qū)動(dòng)線并向所選擇的像素驅(qū)動(dòng)線上提供用于驅(qū)動(dòng)像素的脈沖從而以行為單位對(duì)像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。換言之，垂直驅(qū)動(dòng)電路4在垂直方向上依次以行為單位選擇性地掃描像素陣列3中的像素2。然后，垂直驅(qū)動(dòng)電路4通過(guò)垂直信號(hào)線9將像素信號(hào)提供給列信號(hào)處理電路5，所述像素信號(hào)基于根據(jù)在各像素2的光電變換器（例如光電二極管）處接收到的光強(qiáng)度所生成的信號(hào)電荷。例如，與每列像素2對(duì)應(yīng)地布置有列信號(hào)處理電路5，且列信號(hào)處理電路5對(duì)從像素2的各行輸出的信號(hào)進(jìn)行處理從而例如去除各像素列的噪聲。換言之，列信號(hào)處理電路5進(jìn)行諸如下列之類的信號(hào)處理：用于消除像素2所固有的固定模式噪聲的CDS(相關(guān)雙采樣)；信號(hào)放大；以及AD轉(zhuǎn)換。水平選擇開關(guān)（未圖示）被設(shè)置為連接于列信號(hào)處理電路5的輸出級(jí)與水平信號(hào)線10之間。水平驅(qū)動(dòng)電路6包括例如移位寄存器，水平驅(qū)動(dòng)電路6通過(guò)依次輸出水平掃描脈沖而依次選擇各個(gè)列信號(hào)處理電路5，并且使得來(lái)自各個(gè)列信號(hào)處理電路5的像素信號(hào)被輸出給水平信號(hào)線10。輸出電路7對(duì)從各個(gè)列信號(hào)處理電路5經(jīng)由水平信號(hào)線10依次提供過(guò)來(lái)的信號(hào)進(jìn)行處理然后輸出。例如，在某些情況下，輸出電路7可僅僅對(duì)信號(hào)進(jìn)行緩沖，而在其它情況下，輸出電路7可執(zhí)行黑電平調(diào)整、列不平衡校正以及各種數(shù)字信號(hào)處理。輸入/輸出端子12與外部設(shè)備交換信號(hào)。[像素陣列的概略構(gòu)造：平面圖]接下來(lái)，將說(shuō)明本例的固體攝像裝置的像素陣列的構(gòu)造。圖2圖示了應(yīng)用于本例的包含4像素共用單元的像素陣列的構(gòu)造。如圖2所示，在每個(gè)4像素共用單元中布置有四個(gè)像素的光電二極管PD（PD1至PD4），這些光電二極管PD（PD1至PD4）以二維陣列狀布置著從而形成像素陣列。4像素共用單元的總共四個(gè)光電二極管PD（2個(gè)水平×2個(gè)垂直）共用一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。此外，4像素共用單元包括四個(gè)光電二極管PD1至PD4、用于這四個(gè)光電二極管PD1至PD4的四個(gè)傳輸柵極電極31至34、以及一個(gè)浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。傳輸晶體管Tr11至Tr14由相應(yīng)的光電二極管PD1至PD4、浮動(dòng)擴(kuò)散部FD以及相應(yīng)的傳輸柵極電極31至34構(gòu)成。浮動(dòng)擴(kuò)散部FD布置于由四個(gè)光電二極管PD1至PD4圍繞的中央處，而各個(gè)傳輸柵極電極31至34布置于與各個(gè)光電二極管PD1至PD4的中央側(cè)的角部對(duì)應(yīng)的位置處。而且，在圖2中，在4像素共用單元的上方和下方布置有選擇晶體管Tr23、放大晶體管Tr22以及復(fù)位晶體管Tr21。選擇晶體管Tr23包括一對(duì)源極/漏極區(qū)域26、27以及選擇柵極電極36。放大晶體管Tr22包括一對(duì)源極/漏極區(qū)域25、26以及放大柵極電極35。復(fù)位晶體管Tr21包括一對(duì)源極/漏極區(qū)域28、29以及復(fù)位柵極電極37。上述各柵極電極例如由多晶硅膜制成。FD與放大晶體管Tr22的放大柵極電極35和復(fù)位晶體管Tr21的源極區(qū)域27連接。在4像素共用單元的光電二極管PD1至PD4之間設(shè)置有隔離區(qū)域38。而且，在選擇晶體管Tr23、放大晶體管Tr22以及復(fù)位晶體管Tr21之間設(shè)置有隔離區(qū)域39。在隔離區(qū)域38、39的上面布置有格子圖形40。而且，在4像素共用單元中形成有由格子圖形40包圍的光電變換區(qū)域21至24。在4像素共用單元中，在光電二極管PD1至PD4之間的隔離區(qū)域38的上面布置有格子圖形40。與在4像素共用單元的內(nèi)部的情況類似地，在相鄰的4像素共用單元相互毗鄰（與4像素共用單元的左方和右方毗鄰）的部分中，在光電二極管PD1至PD4之間的隔離區(qū)域38的上面也布置有格子圖形40。此外，格子圖形40在相互毗鄰的4像素共用單元之間是連續(xù)地形成的。在隔離區(qū)域39中，在4像素共用單元的相應(yīng)的晶體管之間也布置有格子圖形40。此外，在相鄰的4像素共用單元相互毗鄰的部分中在上方和下方（在4像素共用單元的上方和下方）以跨越隔離區(qū)域39的方式連續(xù)地形成有格子圖形40。[像素陣列的概略構(gòu)造：橫截面圖]接下來(lái)，將說(shuō)明本例的固體攝像裝置中的像素陣列的橫截面構(gòu)造。圖3A和圖3B表示圖2所示的像素陣列的沿著線A-A截取的橫截面構(gòu)造。圖3A是固體攝像裝置的像素陣列的主要橫截面構(gòu)造，而圖3B是圖3A中所示的B部分的局部放大圖。圖3A和圖3B所示的本例的固體攝像裝置50是被稱作背照射型固體攝像裝置的固體攝像裝置，該固體攝像裝置中，半導(dǎo)體基板52的一側(cè)（該圖的下方）的表面是其中形成有布線層（tracelayer）51、像素晶體管和邏輯電路或其它周邊電路（未圖示）的電路面，而另一側(cè)（該圖的上方）的表面為光入射面。在以下說(shuō)明中，將上述電路面指定為半導(dǎo)體基板52的第一面或前面，而將上述光入射面指定為該半導(dǎo)體基板的第二面或背面。如圖3A所示，半導(dǎo)體基板52在第一面的表面上設(shè)置有第一導(dǎo)電型（p型）半導(dǎo)體區(qū)域49。此外，在對(duì)應(yīng)于圖2中的隔離區(qū)域38的位置處，設(shè)置有從第一面至第二面的表面連續(xù)形成的p型半導(dǎo)體區(qū)域48。而且，在由p型半導(dǎo)體區(qū)域48包圍的區(qū)域中形成有第二導(dǎo)電型（n型）半導(dǎo)體區(qū)域42。在半導(dǎo)體基板52的第二面上還設(shè)置有格子圖形40和突起半導(dǎo)體層43。格子圖形40形成在隔離區(qū)域38中所包含的p型半導(dǎo)體區(qū)域48的上面。格子圖形40之間的區(qū)域是光電變換區(qū)域21、23。格子圖形由給定厚度的絕緣層形成。在圖3A和圖3B中，格子圖形包括由SiO2制成的第一絕緣層45和由SiN制成的第二絕緣層46。如先前的圖2所示，格子圖形連續(xù)地形成在像素陣列中的隔離區(qū)域38、39的上面。突起半導(dǎo)體層43由帶隙比硅的帶隙小的材料制成，所述材料例如為Ge、Si1-xGex（其中0<x<1）、InGaAs、GaAs、InP或InSb等。如果采用用于光吸收層的Si材料，可能導(dǎo)致紅外線區(qū)域中的靈敏度低或不靈敏的問(wèn)題。上述那些材料所具有的光吸收系數(shù)比硅的光吸收系數(shù)大，這在紅光波長(zhǎng)區(qū)域中尤其如此。因此，采用了這些材料的光電二極管對(duì)紅光區(qū)域至紅外線區(qū)域范圍內(nèi)的光非常敏感。突起半導(dǎo)體層43不僅可以應(yīng)用上述那些材料，例如還可應(yīng)用具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體。潛在的適用的具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體包括CuInGaSe2、CuAlS2，CuAlSe2、CuAlTe2、CuGaS2、CuGaSe2、CuGaTe2、CuInS2、CuInSe2、CuInTe2、AgAlS2、AgAlSe2、AgAlTe2、AgGaS2、AgGaSe2、AgGaTe2、AgInS2、AgInSe2以及AgInTe2。突起半導(dǎo)體層43由上述材料的外延生長(zhǎng)層形成。而且，半導(dǎo)體層43是具有如下形狀的小平面化外延生長(zhǎng)層：該形狀在與半導(dǎo)體基板52的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距半導(dǎo)體基板52的距離的增大而減小。因?yàn)樵诎雽?dǎo)體基板52的表面上在各隔離區(qū)域的上面形成有格子圖形40，故在那部分中未形成有外延生長(zhǎng)層。換言之，在已經(jīng)形成格子圖形40后，通過(guò)在半導(dǎo)體基板52的上面形成外延生長(zhǎng)層，由此在格子圖形40之間形成自對(duì)準(zhǔn)的、小平面化的半導(dǎo)體層43。將要成為光電二極管的光吸收區(qū)域優(yōu)選僅包括光吸收系數(shù)高的半導(dǎo)體層43的區(qū)域。而且，在采用較深的光電二極管PD的情況下，半導(dǎo)體層43以及在其下方的半導(dǎo)體基板52內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)域（n型半導(dǎo)體區(qū)域42和p型半導(dǎo)體區(qū)域49）均可包含在光電二極管PD中。由半導(dǎo)體層43光電轉(zhuǎn)換得到的信號(hào)電荷被形成于半導(dǎo)體基板52的第一面上的傳輸晶體管傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。在此時(shí)，n型半導(dǎo)體區(qū)域42變?yōu)殡姾蓚鬏斅窂?，并且信?hào)電荷從半導(dǎo)體層43傳輸至半導(dǎo)體基板52的第一面所在的那一側(cè)。而且，還以覆蓋著格子圖形40和半導(dǎo)體層43的方式形成有第三絕緣層44。第三絕緣層44由具有固定負(fù)電荷（fixednegativecharge）的膜形成?？蛇m用的具有固定負(fù)電荷的材料包括氧化鉿、氧化鋁、氧化鋯、氧化鉭以及氧化鈦。除了上述材料之外，具有固定負(fù)電荷的膜還可以由以下材料形成：氧化鑭、氧化鐠、氧化鈰、氧化釹、氧化钷、氧化釤、氧化銪、氧化釓、氧化鋱、氧化鏑、氧化鈥、氧化銩、氧化鐿、氧化镥、氧化釔、氮化鋁膜、氮氧化鉿膜或者氮氧化鋁膜。還可將硅（Si）或氮（N）添加至具有固定負(fù)電荷的膜中，只要不損害絕緣性能即可。在不損害該膜的絕緣性能的范圍內(nèi)，可適當(dāng)?shù)卮_定濃度。通過(guò)以此方式添加硅（Si）或氮（N），提高膜的耐熱性以及提高在制造工藝的過(guò)程中的對(duì)離子注入的阻止能力就成為可能。如圖3B所示，格子圖形40被形成為其寬度B小于隔離區(qū)域38的寬度（換言之，p型半導(dǎo)體區(qū)域48的寬度A）。此外，格子圖形40被形成為使得p型半導(dǎo)體區(qū)域48的表面在格子圖形40的任一側(cè)露出。因此，半導(dǎo)體層43的端部被形成為與p型半導(dǎo)體區(qū)48相鄰接。由具有固定負(fù)電荷的膜制成的第三絕緣層44形成在半導(dǎo)體層43的表面上。因此，空穴在半導(dǎo)體層43的與第三絕緣層44相鄰接的表面上累積。換言之，半導(dǎo)體層43的表面變?yōu)閜型，因而半導(dǎo)體層43呈現(xiàn)出具有半導(dǎo)體層43A和在該半導(dǎo)體層43A表面上形成的p型半導(dǎo)體層43B的結(jié)構(gòu)。通過(guò)以此方式將半導(dǎo)體層43的表面變?yōu)閜型，半導(dǎo)體基板52的p型半導(dǎo)體區(qū)域48就與p型半導(dǎo)體層43B形成連續(xù)的p型區(qū)域。此外，半導(dǎo)體層43A和p型半導(dǎo)體層43B被包含在具有空穴累積二極管（HAD，hole-accumulateddiode）結(jié)構(gòu)的光電二極管PD中。而且，通過(guò)在p型半導(dǎo)體層43B與p型半導(dǎo)體區(qū)域48之間建立起導(dǎo)電連續(xù)性，能夠抑制在半導(dǎo)體層43的表面處產(chǎn)生的暗電流。此外，如圖3A所示，在半導(dǎo)體基板52的第一面上設(shè)置有布線層51。布線層51是由一些部件構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，這些部件例如是形成于半導(dǎo)體基板52的第一面上的各種元件和各種電路，且有多條布線和多個(gè)層間絕緣層覆蓋著這些部件。半導(dǎo)體基板52在布線層51的表面處粘合于支撐基板（未圖示）。在半導(dǎo)體基板52的第二面上形成有覆蓋第三絕緣層44的層間膜53。層間膜53例如由防反射膜、保護(hù)膜或平坦化膜形成。在層間膜53中形成有遮光膜57。遮光膜57形成于像素陣列的隔離區(qū)域上方。在圖3A中，遮光膜57形成于將要成為隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48的上方。在層間膜53的上面布置有與各像素對(duì)應(yīng)的濾色器54。在濾色器54的上面形成有平坦化膜55，且在平坦化膜55的上面形成有與各像素對(duì)應(yīng)的片上透鏡（on-chiplens）56。通過(guò)以上的構(gòu)造，能夠提高背照射型固體攝像裝置中的聚光特性和像素靈敏度（主要在長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域中）。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)在PD區(qū)域下方的背側(cè)表面上形成格子圖形，通過(guò)選擇性地外延生長(zhǎng)而形成了小平面化的SiGe層。因?yàn)閷⒁蔀楣怆娮儞Q器的半導(dǎo)體層是小平面化的（faceted），故而改善了光入射至PD的聚光性，這使得能夠提高像素靈敏度且抑制混色。而且，通過(guò)在半導(dǎo)體基板的上面形成由帶隙比硅的帶隙小的材料制成的半導(dǎo)體層，就使得能夠在相對(duì)較淺的區(qū)域中吸收長(zhǎng)波長(zhǎng)的光（包含紅外線區(qū)域中的光），從而使得能夠形成比普通的背照射型圖像傳感器更淺的PD。換言之，以上所述的情形有助于像素的小型化。注意，在采用具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的p型化合物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層43的情況下，可省略具有固定負(fù)電荷的膜。在此情況下，在光電二極管PD中包含有由p型化合物半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體層43和半導(dǎo)體基板52的n型半導(dǎo)體區(qū)域42。此外，在半導(dǎo)體層43處產(chǎn)生的信號(hào)電荷（電子）被傳輸給半導(dǎo)體基板52的n型半導(dǎo)體區(qū)域42，并且被半導(dǎo)體基板52的第一面上的柵極電極傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。2、第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法接下來(lái)將說(shuō)明上述第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法。圖4至圖14是第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖，更具體地，這些圖圖示了其中形成有光電變換器的區(qū)域的制造工藝。注意，圖4、圖6至圖12以及圖14圖示了沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造。而且，圖5和圖13圖示了沿圖2的線B-B截取的橫截面構(gòu)造。首先，如圖4和圖5所示，通過(guò)采用根據(jù)相關(guān)技術(shù)的公知的固體攝像裝置制造方法，形成半導(dǎo)體基板52的結(jié)構(gòu)和布線層51的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，在半導(dǎo)體基板52的第一面的表面上形成p型半導(dǎo)體區(qū)域49。如圖5所示，在柵極電極下方未形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域49。進(jìn)而，如圖4和圖5所示，在隔離區(qū)域中，將p型半導(dǎo)體區(qū)域48形成得從半導(dǎo)體基板52的第一面向下至給定深度。形成p型半導(dǎo)體區(qū)域48所達(dá)到的深度等于或大于最終被減薄化后的半導(dǎo)體基板52的厚度。此外，形成n型半導(dǎo)體區(qū)域42。n型半導(dǎo)體區(qū)域42形成于將成為像素陣列中的隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48之間。而且，如圖5所示，在半導(dǎo)體基板52的第一面上先形成有柵極絕緣層然后在柵極絕緣層上形成柵極電極61。此外，在半導(dǎo)體基板52的第一面上形成各種電路（未圖示）。然后，還形成用于將柵極電極61連接至布線層51的接觸部62以及多層布線（未圖示）。接下來(lái)，如圖6所示，在布線層51的上面粘合支撐基板63，并且將半導(dǎo)體基板52反轉(zhuǎn)。隨后，如圖7所示，通過(guò)研磨半導(dǎo)體基板52的第二面直至讓p型半導(dǎo)體區(qū)域48和n型半導(dǎo)體區(qū)域42露出，從而減薄化半導(dǎo)體基板52。接下來(lái)，在p型半導(dǎo)體區(qū)域48的上面形成第一絕緣層45和第二絕緣層46。例如，可以在半導(dǎo)體基板52的第二面上形成5nm的SiO2作為第一絕緣層45。隨后，可以在該SiO2上形成10nm的SiN作為第二絕緣層46。隨后，通過(guò)光刻法抗蝕劑圖形化和蝕刻過(guò)程，讓SiO2和SiN僅留在p型半導(dǎo)體區(qū)域48的上面。于是，在像素陣列的各隔離區(qū)域上面形成了格子圖形40。格子圖形40被形成為使得其寬度比將要成為隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48窄。接下來(lái)，如圖9所示，在n型半導(dǎo)體區(qū)域42的上面形成具有小平面化表面的突起半導(dǎo)體層43。利用先前所述的帶隙比硅的帶隙小的材料，通過(guò)公知的小平面化外延生長(zhǎng)來(lái)形成突起半導(dǎo)體層43。通過(guò)上述外延生長(zhǎng)，就能夠根據(jù)條件在任意角度和多個(gè)平面方向上形成小平面。例如，在生長(zhǎng)溫度為750°C，壓力為10Torr，氣體為SiH2Cl2（100sccm）、HCL（25sccm）和GeH4（50sccm至100sccm），且硼濃度為采用B2H6的140sccm時(shí)，可形成由Si1-xGex（其中0<x<1）制成的外延層。例如，在約500°C下，可進(jìn)行30至60分鐘的外延生長(zhǎng)。而且，在如上所述由具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層43的情況下，可使用諸如分子束外延法（MBE）、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）和液相外延法（LPE）等方法。例如，半導(dǎo)體層43的形成溫度可以為200°C至500°C。接下來(lái)，如圖10所示，以覆蓋格子圖形40和半導(dǎo)體層43的方式形成第三絕緣層44。第三絕緣層44由具有固定負(fù)電荷的膜形成。通過(guò)在半導(dǎo)體層43的上面用具有固定負(fù)電荷的膜形成第三絕緣層44，在半導(dǎo)體層43的表面上形成了p型半導(dǎo)體層，從而形成HAD結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，如圖11所示，在半導(dǎo)體基板52的第二面上形成層間膜53。然后，如圖12所示，在層間膜53的上面粘合支撐基板65，并將半導(dǎo)體基板52反轉(zhuǎn)。此外，去除了粘合至布線層51的支撐基板63，使得布線層51露出。隨后，如圖13所示，通過(guò)堆疊布線（例如連接至接觸部62的布線64等）和層間絕緣層，形成布線層51。接下來(lái)，如圖14所示，在布線層51的上面粘合支撐基板66，并且將半導(dǎo)體基板52反轉(zhuǎn)。隨后，去除支撐基板65，從而使層間膜53露出。隨后，在層間膜53中形成遮光膜57。此外，在層間膜53的上面，形成與各像素對(duì)應(yīng)的濾色器54。在濾色器54的上面形成平坦化膜55，并且在平坦化膜55的上面形成與各像素對(duì)應(yīng)的片上透鏡56。通過(guò)以上工藝，能夠制造出本例的固體攝像裝置。通過(guò)上述制造方法，首先，在隔離區(qū)域上形成了用于抑制外延生長(zhǎng)的格子圖形，然后，在半導(dǎo)體基板52上形成具有小平面化表面的外延生長(zhǎng)層。因此，能夠在由隔離區(qū)域圍繞的區(qū)域內(nèi)通過(guò)外延生長(zhǎng)層來(lái)形成自對(duì)準(zhǔn)的半導(dǎo)體層43。而且，通過(guò)形成比隔離區(qū)域的寬度小的格子圖形，用具有固定負(fù)電荷的膜在外延生長(zhǎng)層的表面上形成的p型半導(dǎo)體層就變得與隔離區(qū)域中的p型半導(dǎo)體區(qū)域相連接。因而，就能夠形成具有HAD結(jié)構(gòu)的光電二極管PD。[周邊電路的構(gòu)造]圖15A、圖15B和圖15C表示在像素陣列附近形成的周邊電路的橫截面構(gòu)造。圖15A是將本技術(shù)的第一絕緣層45、第二絕緣層46和第三絕緣層44應(yīng)用至典型的固體攝像裝置中的周邊電路的構(gòu)造。圖15B和圖15C是上述的根據(jù)本實(shí)施方式的固體攝像裝置所適用的周邊電路的構(gòu)造。如圖15A所示，在半導(dǎo)體基板52的第二面上形成了第一絕緣層45和第二絕緣層46。此處，未利用第一絕緣層45和第二絕緣層46形成格子圖形，而是第一絕緣層45和第二絕緣層46形成于周邊電路的整個(gè)表面上。此外，在第二絕緣層46上形成有第三絕緣層44。在第三絕緣層44上另外還形成有層間膜53和平坦化膜55。遮光膜57形成于層間膜53中且覆蓋周邊電路的整個(gè)表面。注意，在圖15A至圖15C中，省略了對(duì)形成于半導(dǎo)體基板52的第一面上的布線層的圖示。用于周邊電路的半導(dǎo)體基板52由n型半導(dǎo)體區(qū)域71來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，在半導(dǎo)體基板52的第一面的表面處，形成有將要成為晶體管（未圖示）的源極/漏極的p型半導(dǎo)體區(qū)域72。如圖15A所示，在第二面上形成具有固定負(fù)電荷的膜（第三絕緣層44）的情況下，由于該膜的存在而在半導(dǎo)體基板52的第二面的表面上累積的空穴會(huì)影響p型半導(dǎo)體區(qū)域72。如果在半導(dǎo)體基板52上直接形成有具有固定負(fù)電荷的膜（第三絕緣層44），則在去除該膜的工藝過(guò)程中將會(huì)損傷半導(dǎo)體基板52。為此原因，在不去除具有固定負(fù)電荷的膜的情況下，在p型半導(dǎo)體區(qū)域72和第二面之間形成有具有擴(kuò)散的n型雜質(zhì)的n型半導(dǎo)體區(qū)域73。n型半導(dǎo)體區(qū)域73抑制了累積在半導(dǎo)體基板52的第二面的表面上的空穴對(duì)于p型半導(dǎo)體區(qū)域72施加的影響。相比之下，在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體基板52上形成了由SiO2制成的第一絕緣層45和由SiN制成的第二絕緣層46。通過(guò)這種構(gòu)造，即使在去除由具有固定負(fù)電荷的膜制成的第三絕緣層44的情況下，通過(guò)第一絕緣層45和第二絕緣層46仍然保護(hù)了半導(dǎo)體基板52使其免受損傷。因此，如圖15B所示，就能夠去除第三絕緣層44。通過(guò)去除第三絕緣層44，能夠省略在半導(dǎo)體基板52上形成n型半導(dǎo)體區(qū)域73。例如，可通過(guò)光刻法抗蝕劑圖形化和使用氫氟酸的濕法蝕刻來(lái)完成第三絕緣層44的去除。因此，在制造工藝中，可省略掉在半導(dǎo)體基板52上形成n型半導(dǎo)體區(qū)域73的工藝。而且，如圖15C所示，能夠獲得這樣的構(gòu)造：其中，不僅去除了第三絕緣層44，而且還去除了第一絕緣層45和第二絕緣層46。在第一絕緣層45和第二絕緣層46由SiO2和SiN制成的情況下，與上述的具有固定負(fù)電荷的材料不同的是，能夠在不會(huì)損傷半導(dǎo)體基板52的同時(shí)完成去除過(guò)程。因此，通過(guò)去除第一絕緣層45、第二絕緣層46和第三絕緣層44，可省略在半導(dǎo)體基板52上形成n型半導(dǎo)體區(qū)域73的工藝。[變形例]接下來(lái)將說(shuō)明上述第一實(shí)施方式的變形例。圖16A和圖16B圖示了第一實(shí)施方式的變形例的固體攝像裝置的構(gòu)造。圖16A圖示了像素陣列的沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造。圖16B圖示了周邊電路的橫截面構(gòu)造。在上述第一實(shí)施方式中，由于形成了由具有固定負(fù)電荷的膜制成的第三絕緣層，因而由外延生長(zhǎng)層制成的突起半導(dǎo)體層的表面變?yōu)閜型。在下述變形例中，在外延生長(zhǎng)層的表面上形成p型半導(dǎo)體層的方法不同于上述的第一實(shí)施方式。因此，在以下說(shuō)明中，僅說(shuō)明該構(gòu)造的與上述的第一實(shí)施方式不同的部分，而省略對(duì)該構(gòu)造的與第一實(shí)施方式類似的部分的說(shuō)明。如圖16A所示，在突起半導(dǎo)體層43的表面上形成p型半導(dǎo)體層74。類似于前述的第一實(shí)施方式，半導(dǎo)體層43由外延生長(zhǎng)層構(gòu)成。通過(guò)原位（in-situ）摻雜外延生長(zhǎng)，形成了p型半導(dǎo)體層74。以此方式，半導(dǎo)體層43和p型半導(dǎo)體層74被包含在具有空穴累積二極管（HAD）結(jié)構(gòu)的光電二極管PD中。通過(guò)根據(jù)以下方法來(lái)實(shí)施用于形成突起半導(dǎo)體層43的工藝，可以作為第一實(shí)施方式的制造方法的一部分而制造出上述構(gòu)造。根據(jù)與第一實(shí)施方式類似的方法，在形成格子圖形40后，通過(guò)小平面化外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體基板52上形成半導(dǎo)體層43。隨后，用于形成半導(dǎo)體層43的工藝的最后部分涉及通過(guò)原位摻雜外延生長(zhǎng)而在半導(dǎo)體層43的表面上形成p型半導(dǎo)體層74。p型半導(dǎo)體層74可以具有1.0×1017（1/cm3）的雜質(zhì)濃度，且厚度為5nm。相比于通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散（諸如離子注入等）形成的p型半導(dǎo)體層，通過(guò)原位摻雜外延生長(zhǎng)形成的p型半導(dǎo)體層74具有非常低的雜質(zhì)擴(kuò)散。因此，與基于離子注入的普通方法相比，能夠提高光電二極管PD的飽和信號(hào)電荷（Qs）。如上所述，通過(guò)在半導(dǎo)體層43的表面上形成p型半導(dǎo)體層74，能夠省略第一實(shí)施方式中為了使半導(dǎo)體層43的表面變?yōu)閜型而必須形成具有固定負(fù)電荷的膜的步驟。因此，在第二絕緣層46上未形成具有固定負(fù)電荷的膜。而且，如圖16B所示，與格子圖形40一樣地，在其中形成有第一絕緣層45和第二絕緣層46的周邊電路處未形成半導(dǎo)體層43和p型半導(dǎo)體層74。因此，與前述圖15B一樣，能夠省略在半導(dǎo)體基板52上形成n型半導(dǎo)體區(qū)域73（圖15A）的步驟。于是，在制造工藝中，就能夠省略用于在半導(dǎo)體基板52上形成n型半導(dǎo)體區(qū)域73的工藝。3、固體攝像裝置的第二實(shí)施方式接下來(lái)將說(shuō)明固體攝像裝置的第二實(shí)施方式。在第二實(shí)施方式中，格子圖形及其周邊構(gòu)造不同于上述第一實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造。因此，在以下的第二實(shí)施方式的說(shuō)明中，僅說(shuō)明與前述第一實(shí)施方式不同的格子圖形及其周邊構(gòu)造，而省略了對(duì)該構(gòu)造的與第一實(shí)施方式類似的部分的說(shuō)明。圖17圖示了第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造。圖17是圖示了沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造的圖。如圖17所示，在第二實(shí)施方式的固體攝像裝置中，通過(guò)在半導(dǎo)體基板52的第二面上形成的溝槽84而實(shí)現(xiàn)了格子圖形。通過(guò)溝槽84，形成了如前述圖2所示的圍繞著像素的格子圖形40。在半導(dǎo)體基板52中，溝槽84被形成于將要成為隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48中。溝槽84被形成至如下的深度處：該深度等于或大于外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體層81的厚度。于是，當(dāng)形成半導(dǎo)體層81時(shí)，在不將溝槽84埋入到外延生長(zhǎng)層下方的情況下，就能夠阻隔半導(dǎo)體基板52的第二面上的外延生長(zhǎng)層的各部分間的連接。而且，溝槽84被形成至這樣的深度：該深度足夠淺而不會(huì)影響形成于半導(dǎo)體基板52的第一面上的各種晶體管及其它元件的構(gòu)造。半導(dǎo)體層81從半導(dǎo)體基板52的第二面開始連續(xù)地形成至溝槽84內(nèi)（在壁上和底面上）。半導(dǎo)體層81可由與前述第一實(shí)施方式的光電二極管PD中所包含的半導(dǎo)體層43（圖3A和圖3B）類似的材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于該半導(dǎo)體層是沿溝槽84的壁連續(xù)形成的，因此，就能夠在溝槽84的壁上進(jìn)行光電變換。而且，由于外延生長(zhǎng)的速度在溝槽84內(nèi)部變慢，因此，半導(dǎo)體層81在溝槽84內(nèi)部的厚度小于半導(dǎo)體層81在半導(dǎo)體基板52上的厚度。在半導(dǎo)體層81上形成有絕緣層82。絕緣層82由具有固定負(fù)電荷的膜形成。絕緣層82從形成于半導(dǎo)體基板52的第二面上的半導(dǎo)體層81的表面到半導(dǎo)體層81的在溝槽84內(nèi)的表面連續(xù)形成。此外，空穴由于以具有固定負(fù)電荷的膜構(gòu)成的絕緣層82而累積在半導(dǎo)體層81中，從而在半導(dǎo)體層81的表面上形成了p型半導(dǎo)體層。于是，形成了具有HAD結(jié)構(gòu)的光電二極管PD。而且，在溝槽84的底面上，在半導(dǎo)體層81中形成有包含離子注入的p型雜質(zhì)的p型擴(kuò)散區(qū)域83。由于p型擴(kuò)散區(qū)域83的存在，半導(dǎo)體層81的各毗鄰部分之間的連接被分離。而且，p型半導(dǎo)體區(qū)域48和形成于半導(dǎo)體層81的表面上的p型半導(dǎo)體層通過(guò)p型擴(kuò)散區(qū)域83而連接起來(lái)。注意，溝槽84與p型半導(dǎo)體區(qū)域48的相對(duì)寬度是不重要的。溝槽84可以比p型半導(dǎo)體區(qū)域48寬，且溝槽84可以被形成為延伸至n型半導(dǎo)體區(qū)域42內(nèi)。然而，寬度較窄的溝槽84是優(yōu)選的，因?yàn)檫@就增大了半導(dǎo)體基板52上的由外延生長(zhǎng)層構(gòu)成的半導(dǎo)體層81的表面面積，從而提高了光電變換器所占用的表面面積的比例。此外，在采用具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的p型化合物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層81的情況下，可以省略具有固定負(fù)電荷的膜。此外，在溝槽84的底面上也可以不形成p型擴(kuò)散區(qū)域83。在此情況下，由p型化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層81和n型半導(dǎo)體區(qū)域42被包含于光電二極管PD中。此外，在半導(dǎo)體層43處生成的信號(hào)電荷（電子）被傳輸至半導(dǎo)體基板52的n型半導(dǎo)體區(qū)域42，并被半導(dǎo)體基板52的第一面上的柵極電極傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。通過(guò)如上文中第二實(shí)施方式所述的那樣在半導(dǎo)體基板52中形成溝槽，能夠以如第一實(shí)施方式中的在半導(dǎo)體基板52上形成絕緣層的方法以外的方法來(lái)形成格子圖形。格子圖形被構(gòu)造為能夠通過(guò)圍繞光電變換區(qū)域來(lái)抑制將要成為光電二極管PD的半導(dǎo)體層的外延生長(zhǎng)，從而使小平面化外延生長(zhǎng)成為可能。例如，如果設(shè)置有絕緣層（SiN），則不會(huì)發(fā)生外延生長(zhǎng)，這就使小平面化外延生長(zhǎng)成為可能。類似地，如果設(shè)置有溝槽，則溝槽內(nèi)的外延生長(zhǎng)足夠慢于半導(dǎo)體基板上的外延生長(zhǎng)，從而使得小平面化外延生長(zhǎng)成為可能。這樣，圍繞光電變換區(qū)域的格子圖形不是受到特別限制的，而是也可以采用除絕緣層或溝槽以外的構(gòu)造，只要所述構(gòu)造能夠?qū)崿F(xiàn)選擇性的外延生長(zhǎng)即可。4、第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法接下來(lái)，說(shuō)明上述第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法。圖18至圖22是第二實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖，更具體地，這些圖圖示了其中形成有光電變換器的區(qū)域的制造工藝。注意，圖18至圖22圖示了沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造。首先，根據(jù)與前述第一實(shí)施方式的方法類似的方法，通過(guò)研磨半導(dǎo)體基板52的第二面直至露出p型半導(dǎo)體區(qū)域48和n型半導(dǎo)體區(qū)域42，將半導(dǎo)體基板52減薄化。圖18表示了該狀態(tài)。接下來(lái)，如圖19所示，進(jìn)行光刻法抗蝕劑圖形化以形成抗蝕劑層85?？刮g劑層85被形成為具有開口的圖形：這些開口使得將要成為隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48上方的區(qū)域露出。隨后，如圖20所示，通過(guò)抗蝕劑層85中的開口對(duì)p型半導(dǎo)體區(qū)域48進(jìn)行干式蝕刻，從而在半導(dǎo)體基板52中形成溝槽84。接下來(lái)，如圖21中所示，在半導(dǎo)體基板52的整個(gè)表面（包括溝槽84的內(nèi)表面）上，通過(guò)外延生長(zhǎng)形成半導(dǎo)體層81。在溝槽84內(nèi)所供給的用于外延生長(zhǎng)的前驅(qū)氣體（precursorgas）的量小于半導(dǎo)體基板52的頂面處的前驅(qū)氣體的量。因此，形成于溝槽84內(nèi)的半導(dǎo)體層81比形成于半導(dǎo)體基板52的頂面處的半導(dǎo)體層81薄。此外，p型雜質(zhì)被離子注入到在溝槽84的底面上形成的半導(dǎo)體層81內(nèi)。通過(guò)此工藝，形成p型擴(kuò)散區(qū)域83，該p型擴(kuò)散區(qū)域83隔斷了相鄰像素中的半導(dǎo)體層81的部分之間的連接。半導(dǎo)體層81的外延生長(zhǎng)可以在與前述第一實(shí)施方式類似的條件下進(jìn)行。接下來(lái)，如圖22所示，在半導(dǎo)體層81上形成絕緣層82。從形成于半導(dǎo)體基板52的第二面上的半導(dǎo)體層81的表面至半導(dǎo)體層81的在溝槽84內(nèi)的表面連續(xù)地形成絕緣層82。通過(guò)在半導(dǎo)體層81上以具有固定負(fù)電荷的膜形成絕緣層82，在半導(dǎo)體層81的表面上形成了p型半導(dǎo)體層，從而形成空穴累積二極管（HAD）結(jié)構(gòu)。隨后，根據(jù)與第一實(shí)施方式中的圖11及其后續(xù)圖的方法類似的方法，可以制造出本例的固體攝像裝置。5、固體攝像裝置的第三實(shí)施方式接下來(lái)將說(shuō)明固體攝像裝置的第三實(shí)施方式。除了在將要成為格子圖形的溝槽內(nèi)形成的遮光單元以外，第三實(shí)施方式具有與第二實(shí)施方式類似的構(gòu)造。因此，在以下的第三實(shí)施方式的說(shuō)明中，省略了對(duì)與第二實(shí)施方式類似的構(gòu)造的部分的說(shuō)明。圖23圖示了第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的構(gòu)造。圖23是圖示了沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造。如圖23所示，在第三實(shí)施方式的固體攝像裝置中，包含于格子圖形中的溝槽被填充有遮光單元91。形成于半導(dǎo)體基板52中的溝槽的構(gòu)造類似于上述第二實(shí)施方式的構(gòu)造。形成于溝槽內(nèi)的半導(dǎo)體層81和絕緣層82也類似于上述第二實(shí)施方式中的那樣。遮光單元91被形成于在溝槽內(nèi)形成的絕緣層82上。此外，遮光單元91被形成為從溝槽底面突起至比半導(dǎo)體層81高的位置。例如，遮光單元91可由諸如Al、Ti或W等材料制成。通過(guò)設(shè)置遮光單元91，能夠遮擋相鄰像素之間的斜的入射光。例如，能夠遮擋透過(guò)半導(dǎo)體基板52上的半導(dǎo)體層81并入射在鄰接像素的溝槽壁上的半導(dǎo)體層81上的斜的入射光。因此，能夠防止相鄰像素間的混色。當(dāng)這種構(gòu)造與在層間膜53中形成的遮光膜57結(jié)合時(shí)，該構(gòu)造在防止由于斜的入射光引起的混色方面特別有效。6、第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法接下來(lái)將說(shuō)明上述第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造方法。圖24至圖28是第三實(shí)施方式的固體攝像裝置的制造工藝圖，更具體地，圖示了其中形成有光電變換器的區(qū)域的制造工藝。注意，圖25至圖28是沿圖2的線A-A截取的橫截面構(gòu)造的圖。首先，進(jìn)行前述的第二實(shí)施方式的制造方法，直至圖22中所示的用于形成絕緣層82的工序。隨后，如圖24所示，形成由諸如SiO2等材料制成的掩模層92以覆蓋絕緣層82。在半導(dǎo)體基板52的整個(gè)表面（包括溝槽內(nèi)部）上形成掩模層92后，通過(guò)諸如化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）等技術(shù)對(duì)掩模層92的上面進(jìn)行平坦化。接下來(lái)，如圖25所示，進(jìn)行光刻法抗蝕劑圖形化以形成抗蝕劑層93?？刮g劑層93被形成為具有開口的圖形，這些開口使得將要成為隔離區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域48上方的區(qū)域露出。因此，形成了具有使得將要形成有遮光單元91的區(qū)域（或者換言之，將要形成有溝槽的區(qū)域）露出的開口的圖形。接下來(lái)，如圖26所示，以抗蝕劑層93作為掩模，通過(guò)干式蝕刻去除掩模層92。利用在掩模層92與絕緣層82之間具有高選擇性的方法，對(duì)掩模層92進(jìn)行蝕刻。于是，從掩模層92的頂面到處于半導(dǎo)體基板52中的溝槽底面處的絕緣層82的頂面形成了溝槽94。接下來(lái)，在去除抗蝕劑層93后，如圖27所示，在溝槽94內(nèi)且在掩模層92的上面形成遮光材料層95。隨后，如圖28所示，利用CMP或另一技術(shù)向下研磨遮光材料層95直到使掩模層92露出的位置。于是，就能夠形成遮光單元91。而且，在這種狀態(tài)下，通過(guò)額外地研磨遮光單元91和掩模層92，能夠形成所期望高度的遮光單元96。隨后，根據(jù)與第一實(shí)施方式中的圖11及其后續(xù)圖的方法類似的方法，可以制造出本例中的固體攝像裝置。注意，在上述制造方法中，CMP法本身可能不足以將遮光單元91向下研磨至比半導(dǎo)體層81和絕緣層82更低的位置。因此，當(dāng)期望在更低位置處形成遮光單元91時(shí)，例如，可以先通過(guò)CMP法將遮光單元91向下研磨至圖28中的狀態(tài)，隨后，附加地進(jìn)行濕法蝕刻。通過(guò)濕法蝕刻，遮光單元91被向下去除至給定高度。通過(guò)依次去除硬掩模層（SiO2），如圖29所示，就能夠?qū)⒄诠鈫卧?6形成得向下形成至比半導(dǎo)體層81低的位置處。以此方式，可以形成具有在任意位置處的高度的遮光單元91。7、電子設(shè)備接下來(lái)將說(shuō)明具有前述固體攝像裝置的電子設(shè)備的實(shí)施方式。前述固體攝像裝置例如可適用于諸如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、或其它相機(jī)系統(tǒng)、具有攝像功能的移動(dòng)電話或者具有攝像功能的其它設(shè)備等電子設(shè)備。圖30繪出了這種電子設(shè)備的實(shí)例，該圖圖示了將固體攝像裝置應(yīng)用于能夠拍攝靜止圖像或視頻的相機(jī)的情況下的概略構(gòu)造。本例的相機(jī)100被配置有：固體攝像裝置101；光學(xué)系統(tǒng)102，其將入射光引導(dǎo)至固體攝像裝置101的光傳感器部；快門103，其設(shè)置于固體攝像裝置101和光學(xué)系統(tǒng)102之間；以及驅(qū)動(dòng)電路104，其驅(qū)動(dòng)固體攝像裝置101。另外，相機(jī)100被配置有信號(hào)處理電路105，信號(hào)處理電路105對(duì)來(lái)自固體攝像裝置101的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。前述的各實(shí)施方式和變形例的固體攝像裝置可適用于固體攝像裝置101。光學(xué)系統(tǒng)（光學(xué)透鏡）102將來(lái)自拍攝對(duì)象的圖像光（入射光）聚焦至固體攝像裝置101的成像面（未圖示）上。于是，在固體攝像裝置101內(nèi)，在固定期間內(nèi)累積信號(hào)電荷。注意，光學(xué)系統(tǒng)102還可以被構(gòu)造成包含多個(gè)光學(xué)透鏡的光學(xué)透鏡組?？扉T103控制入射光對(duì)固體攝像裝置101的照射期間或者遮光期間。驅(qū)動(dòng)電路104將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給至固體攝像裝置101和快門103。通過(guò)所供給的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路104控制從固體攝像裝置101向信號(hào)處理電路105的信號(hào)輸出以及快門103的快門操作。換言之，在本例中，根據(jù)從驅(qū)動(dòng)電路104供給的驅(qū)動(dòng)信號(hào)（時(shí)序信號(hào)），從固體攝像裝置101向信號(hào)處理電路105傳輸信號(hào)。信號(hào)處理電路105對(duì)從固體攝像裝置101傳輸來(lái)的信號(hào)進(jìn)行各種信號(hào)處理。然后，將處理后的信號(hào)（圖片信號(hào)）存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器或其他存儲(chǔ)介質(zhì)（未圖示）中或者輸出至監(jiān)視器（未圖示）。根據(jù)諸如上述相機(jī)100等電子設(shè)備，能夠提供這樣的電子設(shè)備：在該電子設(shè)備中，由于固體攝像裝置101中的來(lái)自光電變換膜的信號(hào)電荷的優(yōu)異傳輸效率，圖像質(zhì)量得以改善。注意，可以類似于第一實(shí)施方式中的周邊電路，來(lái)構(gòu)造出第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式中的周邊電路。而且，在前述的第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式中，如前述第一實(shí)施方式的變形例中那樣，未形成具有固定負(fù)電荷的膜，而是可以通過(guò)原位摻雜外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體層81的表面上形成p型半導(dǎo)體層。在此情況下，周邊電路可以類似于第一實(shí)施方式的變形例而被構(gòu)造出來(lái)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明隨附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合以及改變。此外，本技術(shù)還可以構(gòu)造出如下實(shí)施方案。（1）一種固體攝像裝置，其包括：半導(dǎo)體基板；電路，其形成于所述半導(dǎo)體基板的第一面上；格子圖形，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的第二面上；以及半導(dǎo)體層，其形成于所述格子圖形內(nèi)且具有這樣的形狀：所述形狀在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小。（2）根據(jù)（1）所述的固體攝像裝置，其中，在所述半導(dǎo)體層的表面上形成有p型半導(dǎo)體層。（3）根據(jù)（2）所述的固體攝像裝置，其中，所述p型半導(dǎo)體層由覆蓋所述半導(dǎo)體層的具有固定負(fù)電荷的膜形成。（4）根據(jù)（2）所述的固體攝像裝置，其中，所述p型半導(dǎo)體層是通過(guò)添加p型雜質(zhì)來(lái)形成的。（5）根據(jù)（1）至（4）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中，所述格子圖形是通過(guò)形成于所述半導(dǎo)體基板上的絕緣層來(lái)實(shí)現(xiàn)的。（6）根據(jù)（1）至（5）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中，所述格子圖形形成于像素之間的隔離區(qū)域上。（7）根據(jù)（6）所述的固體攝像裝置，其中，所述格子圖形的寬度小于像素之間的所述隔離區(qū)域的寬度。（8）根據(jù)（1）至（4）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中，所述格子圖形是形成于所述半導(dǎo)體基板的隔離區(qū)域中的溝槽。（9）根據(jù)（8）所述的固體攝像裝置，其中，在所述溝槽內(nèi)形成有遮光單元。（10）根據(jù)（8）所述的固體攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層形成于所述溝槽的內(nèi)表面上，并且在所述溝槽內(nèi)的所述半導(dǎo)體層的一部分中形成有p型雜質(zhì)擴(kuò)散層。（11）根據(jù)（1）至（10）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是外延生長(zhǎng)層。（12）根據(jù)（1）至（11）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是從由Ge、Si1-xGex（這里0<x<1）、InGaAs、GaAs、InP、InSb、SiGe以及具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層組成的群組中選出的至少一種或多種。（13）一種固體攝像裝置的制造方法，該方法包括：在半導(dǎo)體基板的第一面上形成電路；在所述半導(dǎo)體基板的第二面上形成格子圖形；并且在所述格子圖形內(nèi)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層具有這樣的形狀：所述形狀在與所述半導(dǎo)體基板的表面平行的平面內(nèi)的橫截面面積隨著距所述半導(dǎo)體基板的距離的增大而減小。（14）一種電子設(shè)備，其包括：根據(jù)（1）至（12）中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置；以及信號(hào)處理電路，其對(duì)來(lái)自所述固體攝像裝置的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。本申請(qǐng)包含與2012年4月4日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP2012-085602中公開的內(nèi)容相關(guān)的主題，將其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入此處。