本發(fā)明涉及固體攝像裝置、固體攝像裝置的制造方法、半導體器件的制造裝置、半導體器件的制造方法、以及電子設備，更具體而言，涉及一種其中將驅動電路設置在與半導體基板的光接收表面相反的表面?zhèn)鹊墓腆w攝像裝置、上述固體攝像裝置的制造方法、利用用于粘合兩個基板的技術來制造半導體器件的裝置和方法、以及使用上述固體攝像裝置的電子設備。

背景技術：
在相關技術中，在固體攝像裝置中為了提高靈敏度，已經提出了用于縮短光入射表面與形成于基板上的光接收部之間的距離的技術。在日本待審專利申請第2010-267675號公報中，公開了這樣一種技術：其用于將前面照射型固體攝像裝置中的位于攝像區(qū)域的上部上的配線層的厚度形成得比位于在攝像區(qū)域的周邊處形成的周邊電路部的上部上的配線層的厚度薄，在所述前面照射型固體攝像裝置中配線層被設置于基板的光入射表面?zhèn)?。由于在日本待審專利申請?010-267675號公報中攝像區(qū)域上的配線層比周邊電路部上的配線層薄，因而縮短了從光入射表面到設置于基板的攝像區(qū)域中的光接收部的距離，并因此提高了靈敏度。另外，近年來已經提出了一種所謂的背面照射型固體攝像裝置，其中驅動電路被形成于半導體基板的背面?zhèn)惹宜霰趁鎮(zhèn)缺恢付楣饨邮毡砻?，以提高光電轉換效率或靈敏度或者增大光電二極管的開口面積。由于在背面照射型固體攝像裝置中配線層被設置在與基板的光接收表面相反的側，因而設置于基板上的光接收部與設置于基板的光入射側的片上透鏡（on-chiplens）表面之間的距離就近，并因此提高了靈敏度。此外，層壓式背面照射型傳感器在成本或圖像質量方面很優(yōu)異（例如，日本待審專利申請第2010-245506號公報）。針對層壓式背面照射型傳感器，還提出了具有三維（3D）結構的背面照射型固體攝像裝置，其中：上面形成有驅動電路的電路基板與上面形成有光電轉換部的半導體基板（傳感器基板）是單獨提供的，且該電路基板被粘合至半導體基板中的光接收表面的相對側的表面（日本待審專利申請第2011-096851號公報）。在具有3D結構的背面照射型固體攝像裝置中，通過將半導體基板的配線層側的表面連接至電路基板的配線層側的表面來構造出所述3D結構。順便提及地，在上述的具有3D結構的固體攝像裝置中，設置有連接部以將半導體基板（其上面形成有光電轉換部）電連接至電路基板（其內形成有驅動電路）。在該連接部中，穿過半導體基板且連接至在半導體基板上設置的配線層的貫穿孔通路（throughholevia）與穿過半導體基板且連接至在電路基板上設置的配線層的貫穿孔通路利用半導體基板的光接收表面?zhèn)鹊倪B接部的連接電極相互連接。此外，在半導體基板的光接收表面?zhèn)仍O置有絕緣膜和用于覆蓋上述連接電極的鈍化膜，且在鈍化膜的上部上設置有濾色器和片上透鏡。

技術實現要素：
如上所述，在具有3D結構的固體攝像裝置中，在半導體基板的光接收表面?zhèn)仍O置有用于將具有光電轉換部的傳感器基板電連接至電路基板的連接電極且設置有各種材料膜。因此，存在著這樣的擔憂：從傳感器基板的光接收表面到片上透鏡的距離可能較大，并且因此很可能會降低光電轉換部中的光接收特性。期望提高具有3D結構的固體攝像裝置（該裝置中，具有光電轉換部的傳感器基板與具有驅動電路的電路基板被層壓在一起）中的光接收特性。而且，還期望提供所述固體攝像裝置的制造方法。進一步，也期望提供使用所述固體攝像裝置的電子設備。根據本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種固體攝像裝置，其包括：傳感器基板，所述傳感器基板具有傳感器側半導體層和傳感器側配線層，所述傳感器側半導體層包含像素區(qū)域，在所述像素區(qū)域內設置有光電轉換部，所述傳感器側配線層設置在與所述傳感器側半導體層的光接收表面相反的表面?zhèn)龋浑娐坊?，所述電路基板具有電路側半導體層和電路側配線層，并且所述電路基板設置于所述傳感器基板的所述傳感器側配線層側；連接單元區(qū)域，在所述連接單元區(qū)域中設置有連接部，所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極，所述第一貫穿電極被設置為從所述傳感器側半導體層的光接收表面?zhèn)鹊竭_所述傳感器側配線層，所述第二貫穿電極被設置為從所述傳感器側半導體層的所述光接收表面?zhèn)鹊竭_所述電路側配線層，所述連接電極被設置于所述傳感器側半導體層的所述光接收表面?zhèn)鹊谋砻嫔喜⑺龅谝回灤╇姌O與所述第二貫穿電極連接起來；以及絕緣層，所述連接電極埋入在所述絕緣層內，所述絕緣層具有臺階部，且所述臺階部的膜厚度從所述連接單元區(qū)域到所述像素區(qū)域逐漸減小。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種固體攝像裝置，其包括：傳感器基板，所述傳感器基板具有傳感器側半導體層和傳感器側配線層，所述傳感器側半導體層包含像素區(qū)域，在所述像素區(qū)域內設置有光電轉換部，所述傳感器側配線層設置于與所述傳感器側半導體層的光接收表面相反的表面?zhèn)?；電路基板，所述電路基板具有電路側半導體層和電路側配線層，所述電路基板被層壓并設置于所述傳感器基板的所述傳感器側配線層側；連接單元區(qū)域，在所述連接單元區(qū)域中設置有連接部，所述連接部具有第一貫穿通路、第二貫穿通路和連接電極，所述第一貫穿通路被設置為從所述傳感器側半導體層的光接收表面?zhèn)鹊竭_所述傳感器側配線層，所述第二貫穿通路被設置為從所述傳感器側半導體層的所述光接收表面?zhèn)鹊竭_所述電路側配線層，所述連接電極設置于所述傳感器基板的光接收表面?zhèn)鹊谋砻嫔喜⑺龅谝回灤┩放c所述第二貫穿通路連接起來；以及絕緣層，所述連接電極埋入在所述絕緣層中，所述絕緣層在所述連接單元區(qū)域外的區(qū)域中的厚度薄于在所述連接單元區(qū)域中的厚度，并且所述絕緣層在包含所述連接單元區(qū)域的區(qū)域中的橫截面形狀是凸形的凸起部，并且所述凸起部的平面形狀是在沿著所述像素區(qū)域的邊的方向上延伸的圓角矩形形狀。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種電子設備，其包括：上述任一種固體攝像裝置；以及信號處理電路，所述信號處理電路被構造用于處理從所述固體攝像裝置輸出的輸出信號。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種固體攝像裝置的制造方法，其包括：將具有傳感器側半導體層和傳感器側配線層的傳感器基板與電路側半導體層及電路側配線層粘合，使得所述傳感器側配線層的表面面對著所述電路側配線層的表面，所述傳感器側半導體層包含像素區(qū)域，在所述像素區(qū)域內設置有光電轉換部，所述傳感器側配線層設置在與所述傳感器側半導體層的光接收表面相反的表面?zhèn)?；在所述傳感器基板的光接收表面?zhèn)刃纬山^緣層；在所述像素區(qū)域外的連接單元區(qū)域中形成連接部，所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極，所述第一貫穿電極被設置為從所述絕緣層的表面到達所述傳感器側配線層，所述第二貫穿電極被設置為從所述絕緣層的所述表面達到所述電路側配線層，所述連接電極設置于所述絕緣層的所述表面上并將所述第一貫穿電極與所述第二貫穿電極連接起來；以及將所述絕緣層蝕刻至預定深度，使得膜厚度從所述連接單元區(qū)域到所述像素區(qū)域逐漸變薄。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種固體攝像裝置的制造方法，其包括：將具有傳感器側半導體層和傳感器側配線層的傳感器基板與電路側半導體層及電路側配線層粘合，使得所述傳感器側配線層的表面面對著所述電路側配線層的表面，所述傳感器側半導體層包含像素區(qū)域，在所述像素區(qū)域內設置有光電轉換部，所述傳感器側配線層設置在與所述傳感器側半導體層的光接收表面相反的表面?zhèn)龋辉谒鰝鞲衅骰宓墓饨邮毡砻鎮(zhèn)刃纬山^緣層；在所述像素區(qū)域外的連接單元區(qū)域中形成連接部，所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極，所述第一貫穿電極被設置為從所述絕緣層的表面到達所述傳感器側配線層，所述第二貫穿電極被設置為從所述絕緣層的所述表面到達所述電路側配線層，所述連接電極設置于所述絕緣層的所述表面上并將所述第一貫穿電極與所述第二貫穿電極連接起來；以及通過在所述連接單元區(qū)域外的區(qū)域中將所述絕緣層蝕刻至預定深度來形成凸起部，所述凸起部的平面形狀是在沿著所述像素區(qū)域的邊的方向上延伸的圓角矩形形狀。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種半導體器件的制造裝置，其包括：第一夾頭，所述第一夾頭被設置用于僅吸附第一基板的背面的部分區(qū)域；第二夾頭，所述第二夾頭被設置用于僅吸附第二基板的背面的部分區(qū)域；以及控制部，所述控制部被設置用于控制所述第一夾頭的操作和所述第二夾頭的操作。其中，當將所述第一基板與所述第二基板相互粘合時，所述第一基板與所述第二基板被控制為具有翹曲的形狀，所述翹曲的形狀的翹曲量使得所述第一基板的表面的與被所述第一夾頭吸附的部分區(qū)域相對應的區(qū)域跟所述第二基板的表面的與被所述第二夾頭吸附的部分區(qū)域相對應的區(qū)域最初接觸。其中，所述控制部將所述第一基板的位置與所述第二基板的位置對準以便進行粘合。并且其中，所述控制部通過將被所述第一夾頭和所述第二夾頭中的一者吸附的一個基板的表面向另一基板的表面按壓，來開始所述第一基板與所述第二基板的粘合。根據本發(fā)明的另外一個實施方式，提供了一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件是通過將第一基板的表面與第二基板的表面粘合而形成的，當將所述第一基板與所述第二基板粘合時，所述第一基板及所述第二基板被控制成具有翹曲的形狀，所述翹曲的形狀的翹曲量使得所述第一基板的表面的與被第一夾頭吸附的所述第一基板的背面的部分區(qū)域相對應的區(qū)域跟所述第二基板的表面的與被第二夾頭吸附的所述第二基板的背面的部分區(qū)域相對應的區(qū)域最初接觸。所述方法包括以下步驟：利用所述第一夾頭，僅吸附所述第一基板的所述背面的所述部分區(qū)域；利用所述第二夾頭，僅吸附所述第二基板的所述背面的所述部分區(qū)域；對準所述第一基板的位置和所述第二基板的位置，以便進行粘合；以及通過將被所述第一夾頭和所述第二夾頭中的一者吸附的一個基板的表面向另一基板的表面按壓，來開始所述第一基板與所述第二基板的粘合。根據上述的本發(fā)明的各實施方式，在固體攝像裝置中改善了光接收特性。另外，通過使用所述固體攝像裝置，能夠獲得改善了圖像質量的電子設備。根據上述的本發(fā)明的各實施方式，在粘合兩個晶圓時，能夠有效地防止所述兩個晶圓的粘合錯位（misalignment）、所述兩個晶圓的扭曲或變形以及在粘合期間出現的空隙。附圖說明圖1是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的互補金屬氧化物半導體（complementarymetaloxidesemiconductor；CMOS）型固體攝像裝置的整體的示意性構造圖；圖2是沿圖1所示的線A-A截取的橫截面構造圖；圖3A至圖3C是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的固體攝像裝置的制造方法的工藝圖（部分1）；圖4A至圖4C是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的固體攝像裝置的制造方法的工藝圖（部分2）；圖5A至圖5C是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的固體攝像裝置的制造方法的工藝圖（部分3）；圖6A至圖6C是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的固體攝像裝置的制造方法的工藝圖（部分4）；圖7是根據變形例1-1的固體攝像裝置的傳感器基板的示意性構造圖；圖8是根據變形例1-2的固體攝像裝置的傳感器基板的示意性構造圖；圖9是根據本發(fā)明第二實施例的固體攝像裝置的傳感器基板的構造圖；圖10是沿圖9所示的線B-B截取的橫截面構造圖；圖11A是根據本發(fā)明第三實施例的固體攝像裝置的傳感器基板的示意性構造圖；圖11B是圖11A所示的區(qū)域a的放大圖；圖12示意性地圖示了根據本發(fā)明第二實施例當將有機材料涂布于絕緣層的上部上時，對該有機材料流動的狀態(tài)進行模擬而獲得的結果；圖13示意性地圖示了在絕緣層的凸起部的平面形狀為矩形的實例（例如，第二實施例）中當將有機材料涂布于絕緣層的上部上時，對該有機材料流動的狀態(tài)進行模擬而獲得的結果；圖14A是根據變形例3-1的固體攝像裝置的傳感器基板的示意性構造圖；圖14B為圖14A所示的區(qū)域a的放大圖；圖15示意性地圖示了當將有機材料涂布于具有變形例3-1所示結構的絕緣層的上部上時，對該有機材料流動的狀態(tài)進行模擬而獲得的結果；圖16是根據變形例3-2的固體攝像裝置的傳感器基板的示意性構造圖；圖17圖示了根據本發(fā)明的將要被粘合的兩個晶圓的實例；圖18A圖示了根據本發(fā)明的將要被粘合的兩個晶圓的第一變形例；圖18B圖示了根據本發(fā)明的將要被粘合的兩個晶圓的第二變形例；圖19圖示了根據本發(fā)明的用于吸附兩個晶圓的夾頭（chuck）的外形；圖20圖示了根據本發(fā)明第四實施例的夾頭的構造示例；圖21圖示了根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造裝置；圖22是圖示了根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造方法的流程圖；圖23是圖示了根據本發(fā)明第四實施例的用于錯位測量的標記的闡釋圖；圖24圖示了當兩個晶圓的翹曲量不同時對準標記的錯位；圖25圖示了根據本發(fā)明第五實施例的半導體器件的制造裝置；圖26圖示了根據本發(fā)明第六實施例的半導體器件的制造裝置；圖27圖示了根據本發(fā)明第六實施例的半導體器件的制造裝置；圖28圖示了根據本發(fā)明第七實施例的半導體器件的制造裝置；圖29圖示了根據本發(fā)明第七實施例的半導體器件的制造裝置；圖30A是根據參考例的晶圓的變形的闡釋圖；圖30B是根據參考例的晶圓的變形的闡釋圖；以及圖31是根據本發(fā)明第八實施例的電子設備的示意性構造圖。具體實施方式以下，將參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。應注意，在本說明書及附圖中，使用相同的附圖標記來表示具有實質上相同的功能及結構的構成元件，且不再對這些構成元件進行重復說明。1、第一實施例：固體攝像裝置1-1固體攝像裝置的整體構造圖1是圖示了根據本發(fā)明第一實施例的CMOS型固體攝像裝置的整體的示意性構造圖。本實施例的固體攝像裝置1是具有3D結構的背面照射型固體攝像裝置，其包括傳感器基板2以及電路基板9，在傳感器基板2中布置有多個光電轉換部，電路基板9以如下狀態(tài)粘合至傳感器基板2：該狀態(tài)下，電路基板9被層壓在傳感器基板2上。傳感器基板2的一個表面為光接收表面S，傳感器基板2包括像素區(qū)域4，在像素區(qū)域4中，多個分別包含光電轉換部的像素15二維地布置在光接收表面S內。在像素區(qū)域4中，多條像素驅動線5在行方向上進行布線，多條垂直信號線6在列方向上進行布線，且各像素15是以如下狀態(tài)布置的：該狀態(tài)下，一個像素15與像素驅動線5及垂直信號線6都連接。在各像素15中，均設置有像素電路，所述像素電路包括光電轉換部、電荷積聚部、多個晶體管（所謂的金屬氧化物半導體（metaloxidesemiconductor；MOS）晶體管）和電容元件等。而且，所述像素電路的一部分設置于與傳感器基板2的光接收表面S相反的表面?zhèn)取Ａ硗?，多個像素15可以共用所述像素電路的一部分。另外，傳感器基板2包括位于像素區(qū)域4之外的周邊區(qū)域7。在周邊區(qū)域7中，設置有連接單元區(qū)域3。連接單元區(qū)域3包括多個連接部（如稍后所述），各連接部將設置于傳感器基板2上的像素驅動線5、垂直信號線6或像素電路連接至設置于電路基板9上的驅動電路。另外，在本實施例中，連接單元區(qū)域3設置于像素區(qū)域4的周邊區(qū)域7中的與像素區(qū)域4的被分割為矩形形狀的三個邊相應的各邊上，且連接單元區(qū)域3是沿著像素區(qū)域4的相應邊布置的。另外，在連接單元區(qū)域3與像素區(qū)域4之間的邊界部分中形成有如稍后所述的絕緣層的臺階部38（參見圖2）。電路基板9包括用于驅動設置于傳感器基板2上的各像素15的諸如垂直驅動電路10、列信號處理電路11、水平驅動電路12以及系統(tǒng)控制電路13等驅動電路，這些驅動電路位于面對著傳感器基板2的表面?zhèn)取＿@些驅動電路按照連接單元被連接至傳感器基板2的所期望配線。系統(tǒng)控制電路13基于水平同步信號及主時鐘產生作為垂直驅動電路10、列信號處理電路11和水平驅動電路12等的操作基礎的時鐘信號和控制信號等。然后，系統(tǒng)控制電路13所產生的時鐘信號、控制信號等被輸入至垂直驅動電路10、列信號處理電路11、水平驅動電路12等。垂直驅動電路10例如包括移位寄存器，并且經由像素驅動線5在垂直方向上以行為單位依次選擇性地掃描設置于傳感器基板2上的像素區(qū)域4的像素15。然后，基于根據各像素15的光電轉換部（光電二極管）中的光接收量而產生的信號電荷的像素信號經由垂直信號線6被提供至列信號處理電路11。列信號處理電路11包括多個單元電路，各單元電路處理各垂直信號線6的信號。在列信號處理電路11中，針對傳感器基板2的像素區(qū)域4的各列像素15，對經由垂直信號線6從各像素15輸出的像素信號進行預定的信號處理，且暫時保持經信號處理后的像素信號。具體地，列信號處理電路11至少進行例如噪聲去除處理（諸如相關雙采樣（correlateddoublesampling；CDS））作為信號處理。根據列信號處理電路11中的CDS處理，例如，能夠去除復位噪聲以及由于放大晶體管的閾值變化等原因而導致的像素所固有的固定模式噪聲（fixedpatternnoise）。水平驅動電路12例如包括移位寄存器，通過順次輸出水平掃描脈沖來順次選擇列信號處理電路11的各單元電路，并輸出來自列信號處理電路11的各單元電路的像素信號。輸出的像素信號被信號處理部（未圖示）處理，并且經過處理后的信號被輸出。另外，盡管未圖示，然而在設置于周邊區(qū)域7中的連接單元區(qū)域3的更外側的區(qū)域中設置有多個電極焊盤。所述電極焊盤電連接至設置于傳感器基板2上的所期望的配線或設置于電路基板9上的配線。利用電極焊盤，傳感器基板2和電路基板9各自的配線被引出至傳感器基板2的光接收表面?zhèn)取６?，盡管在本實施例中垂直驅動電路10、列信號處理電路11以及水平驅動電路12被構造為設置于電路基板9上，然而這些電路可被構造為設置于傳感器基板2上并且可以只有系統(tǒng)控制電路13被構造為設置于電路基板9上。也就是說，在各種類型上能夠選擇將要被形成在電路基板9上的電路部。1-2主要部件的構造圖2中圖示了沿圖1中的線A-A截取的橫截面構造。即，圖2是包括像素區(qū)域4和連接單元區(qū)域3的區(qū)域的橫截面圖。以下，將根據主要部件的橫截面圖來說明本實施例的固體攝像裝置1的構造。本實施例的固體攝像裝置1包括傳感器基板2、粘合至傳感器基板2的光接收表面S的相反側的電路基板9以及用于將傳感器基板2與電路基板9電連接的連接部50。另外，本實施例的固體攝像裝置1包括絕緣層14以及依序設置于絕緣層14上的遮光膜16、透明鈍化膜17、濾色器18以及片上透鏡19，絕緣層14具有設置于傳感器基板2的光接收表面S上的臺階部38。[傳感器基板]傳感器基板2包括傳感器側半導體層2a和傳感器側配線層2b。傳感器側半導體層2a例如是通過減薄化由單晶硅形成的半導體基板而獲得的。在傳感器側半導體層2a中的像素區(qū)域4中，多個光電轉換部20沿光接收表面S（在本實施例中為背面）以二維（2D）陣列形狀而被布置和形成。各光電轉換部20例如包括n型擴散層和p型擴散層的層壓結構。而且，各像素15均設置有光電轉換部20，且圖2中圖示了一個像素的橫截面。另外，在傳感器側半導體層2a中，在與光接收表面S相反的表面?zhèn)仍O置有由n+型雜質層形成的浮動擴散區(qū)域FD、像素晶體管Tr的源極/漏極區(qū)域21、以及用于隔離各像素15的元件隔離部22。此外，在傳感器側半導體層2a中的位于像素區(qū)域4以外的連接單元區(qū)域3中，設置有構成連接部50的第一貫穿電極47及第二貫穿電極48。傳感器側配線層2b包括柵極電極25以及多層（在圖2中為三個層）配線27，柵極電極25設置于傳感器側半導體層2a的表面上的柵極絕緣膜（未圖示）上，多層配線27層壓于柵極電極25的上層上且二者之間夾著層間絕緣膜26。配線27例如由銅（Cu）形成。另外，如果需要，經由通路（via）在層壓的配線27之間以及在配線27與各像素晶體管Tr之間進行相互連接。用于讀取各像素15的信號電荷的像素電路是由設置于傳感器側配線層2b上的像素晶體管Tr及配線27形成的。另外，在傳感器側配線層2b的傳感器側半導體層2a側的相反側的表面上，以覆蓋頂層的配線27（位置最接近電路基板9的配線27）的方式設置有絕緣性的鈍化膜45。鈍化膜45的表面用作傳感器基板2與電路基板9之間的粘合表面。[電路基板]電路基板9包括電路側半導體層9a及電路側配線層9b。電路側半導體層9a例如是通過減薄化由單晶硅形成的半導體基板而獲得的。另外，在電路側半導體層9a中，晶體管Tr的源極/漏極區(qū)域31、元件隔離部32以及雜質層（此處未圖示）設置于面對著傳感器基板2的表面層上。電路側配線層9b包括柵極電極35以及多層（在圖3A至圖3C中為三個層）配線37，柵極電極35設置于電路側半導體層9a的表面上且二者之間夾有柵極絕緣膜（未圖示），所述多層配線37層壓于柵極電極35的上層上且二者之間夾有層間絕緣膜36。配線37例如是由Cu形成的。另外，如果需要，利用設置于層間絕緣膜36中的通路來實現層壓的配線37之間以及配線37與各晶體管Tr之間的相互連接。驅動電路是由設置于電路側配線層9b上的像素晶體管Tr及配線37形成的。另外，稍后所述的構成連接部50的第二貫穿電極48的一部分設置于電路側配線層9b的連接單元區(qū)域3中。另外，在電路側配線層9b的與電路側半導體層9a側相反的表面上，以覆蓋頂層的配線37（位置最接近傳感器基板2的配線37）的方式設置有絕緣性的鈍化膜46。鈍化膜46的表面用作傳感器基板2與電路基板9之間的粘合表面。[絕緣層]絕緣層14設置于傳感器側半導體層2a的光接收表面S上，并被形成為將連接部50埋入傳感器側半導體層2a的光接收表面S內。另外，絕緣層14具有臺階部38，臺階部38具有從連接單元區(qū)域3到像素區(qū)域4逐漸變薄的膜厚度。在本實施例中，絕緣層14的膜厚度被形成為從連接單元區(qū)域3到像素區(qū)域4連續(xù)變薄，并且在臺階部38上形成了具有給定的傾斜角（錐形形狀）的傾斜表面。上述絕緣層14例如是通過層壓使用了彼此不同的絕緣材料的多個膜而形成的。在本實施例中，絕緣層14是由層壓膜形成的，該層壓膜包括從傳感器基板2的光接收表面S依序形成的如下五個層：防反射膜40、界面態(tài)抑制膜41、蝕刻停止膜（etchingstopperfilm）42、上層絕緣膜43以及蓋膜44。防反射膜40例如是由折射率比二氧化硅的折射率更高的絕緣材料形成的，諸如氧化鉿（HfO2）或氧化鉭（Ta2O5）或氮化硅。界面態(tài)抑制膜41例如由二氧化硅（SiO2）形成。蝕刻停止膜42是由蝕刻選擇率被抑制為比用于構成上層的上層絕緣膜43的材料低的材料形成的，例如是由氮化硅（SiN）形成的。上層絕緣膜43例如是由二氧化硅（SiO2）形成的。蓋膜44例如是由碳氮化硅（SiCN）或氮化硅（SiN）形成的。在包括由上述五個層形成的層壓膜的絕緣層14中，臺階部38是通過從像素區(qū)域4移除蓋膜44、上層絕緣膜43以及蝕刻停止膜42而形成的。即，絕緣層14在包括連接單元區(qū)域3的周邊區(qū)域7中是五層結構，而絕緣層14在像素區(qū)域4中是雙層結構。[連接部]連接部50包括第一貫穿電極47、第二貫穿電極48以及連接電極49。另外，針對于圖1所示的各連接單元區(qū)域3，設置有多個連接部50。第一貫穿電極47被設置為從絕緣層14穿透傳感器側半導體層2a并到達傳感器側配線層2b的最下層配線27（位置最接近傳感器側半導體層2a的配線27）。第一貫穿電極47是由埋入第一貫穿孔47a內的導電材料（該導電材料與第一貫穿孔47a之間夾著隔離絕緣膜28和阻擋金屬膜29）形成的，第一貫穿孔47a被設置為使得傳感器側配線層2b的最下層配線27從傳感器側半導體層2a的光接收表面S露出。第二貫穿電極48設置于與第一貫穿電極47鄰近的區(qū)域中，并且被設置為從絕緣層14穿透傳感器側半導體層2a和傳感器側配線層2b并到達電路側配線層9b的頂層配線37（距離電路側半導體層9a最遠的配線37）。第二貫穿電極48是由埋入第二貫穿孔48a內的導電材料（該導電材料與第二貫穿孔48a之間夾著隔離絕緣膜28和阻擋金屬膜29）形成的，第二貫穿孔48a被設置為使得電路側配線層9b的頂層配線37從傳感器側半導體層2a的光接收表面S露出。連接電極49被設置為在設置于傳感器側半導體層2a的光接收表面S上的絕緣層14內將第一貫穿電極47電連接至第二貫穿電極48。連接電極49由埋入連接孔49a內的導電材料形成，連接孔49a將第一貫穿孔47a與第二貫穿孔48a連接起來?？墒褂勉~（Cu）、鋁（Al）或鎢（W）等作為用于構成第一貫穿電極47、第二貫穿電極48及連接電極49的導電材料。在本實施例中，使用Cu作為構成第一貫穿電極47、第二貫穿電極48及連接電極49的導電材料。[遮光膜]遮光膜16設置于像素區(qū)域4的絕緣層14上，即設置于界面態(tài)抑制膜41（其為像素區(qū)域4中的絕緣層14的頂層的膜）的上部上。遮光膜16包括設置于各像素15的光電轉換部20的形成區(qū)域中的光接收開口16a，并且遮光膜16被設置用來在相鄰像素15之間進行遮光。遮光膜16是使用具有優(yōu)良遮光特性的導電材料形成的，例如是使用W、Al、Ti、氮化鈦（TiN）、Cu或鉭（Ta）來形成的。另外，遮光膜16可由包括上述材料膜的層壓膜形成。[透明鈍化膜]透明鈍化膜17被設置為覆蓋著遮光膜16及絕緣層14的上部。透明鈍化膜17例如是使用丙烯酸樹脂等形成的。[濾色器]濾色器18對應于各光電轉換部20而被設置于透明鈍化膜17的上部上。舉例來說，針對各像素15而布置有選擇性地透過紅色（R）光、綠色（G）光或藍色（B）光的濾波器層。另外，各濾波器層例如是針對各像素15以Bayer排列方式而被布置的。在濾色器18中，所期望的波長的光透過。已透過的光就入射在傳感器側半導體層2a內的光電轉換部20上。而且，盡管在本實施例中各像素15被構造為讓R、G及B中的一者的光透過，然而本發(fā)明并不僅限于此。另外，可以使用讓青色光、黃色光或品紅色光等透過的有機材料作為用于構成濾色器18的材料，并且可以根據不同規(guī)格而進行各種選擇。[片上透鏡]片上透鏡19形成于濾色器18的上部上，并且為各像素15都形成有片上透鏡19。在片上透鏡19中，入射光被聚集，且已聚集的光經由濾色器18高效地入射在各光電轉換部20上。而且，在本實施例中，片上透鏡19被構造為使入射光聚集于光電轉換部20的在遮光膜16中呈現的中心位置處。1-3制造方法圖3A至圖6C是圖示了本實施例的固體攝像裝置1的制造方法的工藝圖。將會參照圖3A至圖6C來說明本實施例的固體攝像裝置的制造方法。首先，如圖3A所示，在傳感器側半導體層2a中的像素區(qū)域4中形成多個光電轉換部20，且在傳感器側半導體層2a的所期望區(qū)域中形成浮動擴散區(qū)域FD、源極/漏極區(qū)域21以及元件隔離部22。另外，在傳感器側半導體層2a中形成雜質區(qū)域（未圖示）。形成于傳感器側半導體層2a中的各雜質層（例如光電轉換部20、浮動擴散區(qū)域FD、源極/漏極區(qū)域21、元件隔離部22等）可通過從傳感器側半導體層2a的表面（光接收表面S的相反側的表面）側進行離子注入而形成。接著，在傳感器側半導體層2a的表面上，介由柵極絕緣膜（未圖示）形成用于構成像素晶體管Tr的柵極電極25，且在柵極電極25的上部上介由層間絕緣膜26形成多層（在圖3A中為三個層）配線27。此時，如果需要，通過在層間絕緣膜26中形成垂直孔并且在該垂直孔中埋入導電材料來形成用于將配線27與像素晶體管Tr連接起來的通路或用于將兩個在層壓方向上相鄰的配線27連接起來的通路。之后，在層間絕緣膜26的上部（包括頂層的配線27）上形成鈍化膜45。另一方面，獨立于傳感器側半導體層2a而設置電路側半導體層9a，且在電路側半導體層9a的一個表面上形成源極/漏極區(qū)域31、元件隔離部32及其它雜質層（未圖示）。形成于電路側半導體層9a中的例如源極/漏極區(qū)域31、元件隔離部32等各雜質層可通過從電路側半導體層9a的表面?zhèn)冗M行離子注入而形成。接著，在電路側半導體層9a的所述一個表面上，介由柵極絕緣膜（未圖示）形成用于構成各晶體管Tr的柵極電極35，且在柵極電極35的上部上介由層間絕緣膜36形成多層（在圖3A中為三個層）配線37。此時，如果需要，通過在層間絕緣膜36中形成垂直孔并且在該垂直孔中埋入導電材料來形成用于將配線37與晶體管Tr連接起來的通路或用于將兩個在層壓方向上相鄰的配線37連接起來的通路。之后，在層間絕緣膜36的上部（包括頂層的配線37）上形成鈍化膜46。此后，通過使傳感器基板2的上面形成有鈍化膜45的表面面對著電路基板9的上面形成有鈍化膜46的表面，將傳感器基板2粘合至電路基板9。在所述粘合之后，如果需要，減薄化傳感器側半導體層2a的光接收表面S（背面?zhèn)龋Ｒ陨系墓に囘^程并不受特別限制，并且可通過應用普通的粘合技術來進行。接著，如圖3B所示，在傳感器側半導體層2a的光接收表面S上依次層壓并形成防反射膜40、界面態(tài)抑制膜41、蝕刻停止膜42及上層絕緣膜43。防反射膜40例如由氧化鉿形成，且根據原子層沉積法而被形成為具有10nm至300nm（例如60nm）的膜厚度。界面態(tài)抑制膜41由SiO2形成，并且例如根據等離子體化學氣相沉積（P-CVD）法而被形成為具有200nm的膜厚度。蝕刻停止膜42例如由氮化硅（SiN）形成，并且根據P-CVD法而被形成為具有50nm至200nm的膜厚度。上層絕緣膜43例如由二氧化硅形成，并且根據P-CVD法而被形成為具有200nm的膜厚度。接著，如圖3C所示，在連接單元區(qū)域3中，形成第一貫穿孔47a和第二貫穿孔48a以從上層絕緣膜43的表面穿透傳感器側半導體層2a并到達傳感器側配線層2b。第一貫穿孔47a例如被形成至未到達傳感器側配線層2b的最下層（最接近傳感器側半導體層2a的層）配線27的深度，且被形成至未使配線27露出的深度。另外，第二貫穿孔48a例如被形成至未到達傳感器側配線層2b的頂層（最接近電路基板9的層）配線27的深度，且被形成至未使配線37露出的深度。當形成第一貫穿孔47a及第二貫穿孔48a時，在上層絕緣膜43的上部上形成有抗蝕劑圖形（未圖示）。通過利用該抗蝕劑圖形作為掩模來執(zhí)行多次蝕刻。在用于蝕刻出第一貫穿孔47a及第二貫穿孔48a中的各者的處理結束后，從上層絕緣膜43的上部移除各抗蝕劑圖形。接著，如圖4A所示，在包括第一貫穿孔47a及第二貫穿孔48a的區(qū)域中形成連接孔49a。連接孔49a從上層絕緣膜43的表面被形成至未到達蝕刻停止膜42的深度。當形成連接孔49a時，在上層絕緣膜43的上部上形成抗蝕劑圖形（未圖示），在該抗蝕劑圖形中開設有用于形成連接孔49a的區(qū)域，且通過使用該抗蝕劑圖形作為掩模來蝕刻上層絕緣膜43。接著，如圖4B所示，以覆蓋第一貫穿孔47a的內壁、第二貫穿孔48a的內壁及連接孔49a的內壁的方式形成隔離絕緣膜28。隔離絕緣膜28例如由二氧化硅形成，且根據P-CVD法而被形成為具有100nm至1000nm的膜厚度。通過隔離絕緣膜28，形成于第一貫穿孔47a中的第一貫穿電極47及形成于第二貫穿孔48a中的第二貫穿電極48與傳感器側半導體層2a之間被電隔離。接著，如圖4C所示，在高各向異性蝕刻的條件下蝕刻并移除隔離絕緣膜28，并且因此移除第一貫穿孔47a和第二貫穿孔48a每一者的底部的隔離絕緣膜28。然后，在高各向異性蝕刻的條件下對第一貫穿孔47a及第二貫穿孔48a每一者的底部進行挖掘。從而，傳感器側配線層2b的最下層配線27露出于第一貫穿孔47a的底部，并且電路側配線層9b的頂層配線37露出于第二貫穿孔48a的底部。接著，如圖5A所示，形成阻擋金屬膜29以覆蓋第一貫穿孔47a的內壁、第二貫穿孔48a的內壁及連接孔49a的內壁。阻擋金屬膜29例如由氮化鉭（TaN）形成，且根據PVD法而被形成為具有5nm至100nm的厚度。隨后，根據電鍍法在阻擋金屬膜29上形成由Cu形成的導電材料。由此，Cu被埋入第一貫穿孔47a、第二貫穿孔48a及連接孔49a中。接著，如圖5B所示，使用化學機械研磨（CMP）法對導電材料層進行研磨，且對該表面進行平坦化直至露出上層絕緣膜43為止。從而，形成了第一貫穿孔47a、第二貫穿孔48a、以及用于將第一貫穿孔47a與第二貫穿孔8a電連接的連接孔49a。如上所述，在本實施例中根據所謂的雙鑲嵌法（dualdamascenemethod）來形成連接部50。接著，在上層絕緣膜43的表面（包括連接電極49）上形成蓋膜44。蓋膜44例如是由氮化硅（SiN）形成，且根據P-CVD法而被形成為具有5nm至100nm的厚度。然后，在本實施例中，由具有如下五個層的層壓膜形成傳感器側半導體層2a的光接收表面S的絕緣層14，所述五個層包括防反射膜40、界面態(tài)抑制膜41、蝕刻停止膜42、上層絕緣膜43以及蓋膜44。接著，如圖6A所示，對于連接單元區(qū)域3，選擇性地減薄化絕緣層14的與像素區(qū)域4相對應的部分。此處，如圖6A所示，在絕緣層14的上部上形成抗蝕劑圖形51。抗蝕劑圖形51是通過以下方式來形成的：在絕緣層14的整個上表面上形成抗蝕劑材料層之后，在與像素區(qū)域4相對應的區(qū)域中形成開口，隨后根據后烘處理（post-bakeprocess）而使開口側的端部回流。然后，通過使用抗蝕劑圖形51作為掩模將像素區(qū)域4的上部上的絕緣層14蝕刻至預定深度并移除。在此蝕刻處理中，在改變蝕刻條件的情況下對蓋膜44和上層絕緣膜43進行蝕刻，并且通過下層的蝕刻停止膜42停止所述蝕刻。之后，通過改變蝕刻條件而對蝕刻停止膜42進行進一步蝕刻，且在界面態(tài)抑制膜41已被露出的時間點結束所述蝕刻。在圖6A中的一系列蝕刻處理中，在偶爾改變蝕刻條件的情況下進行蝕刻，使得絕緣層14從連接單元區(qū)域3（抗蝕劑圖形51的端部）至像素區(qū)域4逐漸變薄。由此，在絕緣層14中，在連接單元區(qū)域3與像素區(qū)域4之間的邊界部分中形成具有錐形形狀的臺階部38。在本實施例中，能夠通過形成蝕刻停止膜42從而在蝕刻停止膜42的表面上暫時重設由于上層絕緣膜43的蝕刻而可能發(fā)生的蝕刻差異。由此，能夠保持像素區(qū)域4的上層上的絕緣層14的表面的平坦性。然后，根據絕緣層14的蝕刻，僅防反射膜40及界面態(tài)抑制膜41保留在像素區(qū)域4的上表面上，并且具有五層結構的絕緣層14直接保留在包括連接單元區(qū)域3的周邊區(qū)域7中。接著，如圖6B所示，在像素區(qū)域4的預定位置對絕緣層14進行蝕刻，且形成開口14a以露出傳感器側半導體層2a。此時，使用抗蝕劑圖形（此處未圖示）作為掩模來蝕刻界面態(tài)抑制膜41和防反射膜40。而且，開口14a形成在遠離位于光電轉換部20正上方的區(qū)域的位置處。接著，在像素區(qū)域4的絕緣層14上，圖形化并形成經由開口14a連接至傳感器側半導體層2a的遮光膜16。遮光膜16具有對應于光電轉換部20的光接收開口16a。此處，例如根據濺射成膜法在絕緣層14上由W形成導電材料膜。之后，使用抗蝕劑圖形（此處未示出）作為掩模來圖形化并蝕刻該導電材料膜。由此，設置了廣泛地覆蓋像素區(qū)域4的絕緣層14并對應于各光電轉換部20的光接收開口16a，且形成了連接至傳感器側半導體層2a的遮光膜16。接著，如圖6C所示，以覆蓋遮光膜16及絕緣層14的上部的方式形成透明鈍化膜17，該透明鈍化膜17由透光材料形成。透明鈍化膜17是通過涂布法（例如旋涂法）形成的。接著，在透明鈍化膜17上形成與光電轉換部20相對應的各色濾色器18，且在濾色器18的上部上進一步形成具有與光電轉換部相對應的片上透鏡19的片上透鏡膜19a。以此方式，制造出了本實施例的固體攝像裝置1。在本實施例中，能夠通過使形成于傳感器側半導體層2a的光接收表面S上的絕緣層14在像素區(qū)域4中變薄，來減小片上透鏡19與光接收表面S之間的距離。由此，提高了聚光特性或靈敏度特性。順便提及地，存在著這樣的擔憂：當涂布有機樹脂材料時，如果在涂布表面上存在著陡峭的臺階，當有機材料鋪開于臺階上時流體的壓力就會集中在所述臺階部上，且可能會出現不均勻的涂布。與上述情況相比，在本實施例中，由于絕緣層14的臺階部38被形成為錐形形狀，因此當在絕緣層14的上部上涂布有機材料時，臺階部38中的流體壓力減小。由此，減少了不均勻涂布，且可在像素區(qū)域4的絕緣層14的上部上形成平坦的有機材料膜。盡管在本實施例中絕緣層14的臺階部38被形成為錐形形狀，然而絕緣層14可以被形成為具有從連接單元區(qū)域3至像素區(qū)域4逐漸變薄的膜厚度，可以被形成為連續(xù)地變薄，或者可以被形成為階段式地變薄。由于如在本實施例中那樣當絕緣層14的膜厚度被形成為連續(xù)變薄時，有機樹脂材料的流動在絕緣層的上部中被進一步平滑化，因而能夠進一步抑制有機樹脂材料的不均勻涂布。另外，盡管已在本實施例中說明了設置有蝕刻停止膜42且對蝕刻停止膜42進行蝕刻的示例，然而對絕緣層14進行蝕刻的工藝并不僅限于此?？刹捎酶鞣N構造，只要絕緣層14的在像素區(qū)域4中的膜厚度能夠被構造為薄于絕緣層14的在連接單元區(qū)域3中的膜厚度即可。此外，盡管已在本實施例中說明了連接單元區(qū)域3形成于像素區(qū)域4的所述三個邊中的每一邊處的示例，然而用于形成連接單元區(qū)域3的區(qū)域并不僅限于此。在下文中，作為變形例，將說明連接單元區(qū)域3的形成位置不同于第一實施例的形成位置的示例。[變形例1-1]圖7是根據變形例1-1的固體攝像裝置60的傳感器基板2的示意性構造圖。變形例1-1中的固體攝像裝置60與圖1所示的固體攝像裝置1的不同之處僅在于連接單元區(qū)域61的形成位置的布局方面。也就是，即使在變形例1-1中，也如圖1中一樣，電路基板9設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上，且其橫截面構造與圖2的橫截面構造相同。據此，由于電路基板9及固體攝像裝置60的橫截面構造與圖1及圖2所示的橫截面構造相同，因而此處將不再對其進行說明。另外，圖7中的與圖1所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。在變形例1-1中，如圖7所示，連接單元區(qū)域61設置于像素區(qū)域4之外的周邊區(qū)域7的四個位置處且分別沿像素區(qū)域4的各邊布置著。即使在變形例1-1中，也如在第一實施例中一樣，臺階部38形成于傳感器側半導體層的上部的絕緣層上。因此，即使在變形例1-1中的構造中，也如在第一實施例中一樣，可通過讓絕緣層的膜厚度從連接單元區(qū)域61到像素區(qū)域4逐漸變薄并形成錐形形狀的臺階部38，來實現與第一實施例類似的效果。[變形例1-2]圖8為根據變形例1-2的固體攝像裝置70的傳感器基板2的示意性構造圖。變形例1-2中的固體攝像裝置70與圖1所示的固體攝像裝置1的不同之處僅在于連接單元區(qū)域71的形成位置的布局方面。即，即使在變形例1-2中，也如在圖1中一樣，電路基板9設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上，且其橫截面構造與圖2的橫截面構造相同。據此，由于電路基板9及固體攝像裝置70的橫截面構造與圖1及圖2所示的橫截面構造相同，因而此處將不再對其進行說明。另外，圖8中的與圖1所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。在變形例1-2中，如圖8所示，連接單元區(qū)域71設置于像素區(qū)域4之外的周邊區(qū)域7中并連續(xù)地布置以圍繞像素區(qū)域4。即使在變形例1-2中，也如在第一實施例中一樣，臺階部38形成于傳感器側半導體層的上部的絕緣層上。因此，即使在變形例1-2中的構造中，也如在第一實施例中一樣，可通過使絕緣層的膜厚度從連接單元區(qū)域71到像素區(qū)域4逐漸變薄并形成錐形形狀的臺階部38，來實現與第一實施例類似的效果。順便提及地，已在上述第一實施例中說明了這樣的示例：其中，使形成于傳感器側半導體層2a的上部中的絕緣膜被減薄化并且僅在連接單元區(qū)域3與像素區(qū)域4之間的邊界部分中設置絕緣層14的臺階部38。然而，絕緣層14中的薄膜部可以在不影響連接部50的范圍內在盡可能寬的范圍內進行設置。在下文中，將說明絕緣層14的臺階部被設置為圍繞連接單元區(qū)域3的周邊的示例。2、第二實施例：固體攝像裝置圖9是根據本發(fā)明第二實施例的固體攝像裝置80的傳感器基板2的構造圖，圖10是沿圖9中的線B-B截取的橫截面構造圖。在本實施例中，如在圖1中一樣，電路基板9也設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上。據此，由于電路基板9的構造與圖1中的構造相同，因而此處將不再對其進行說明。另外，圖9及圖10中的與圖1及圖2所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。在本實施例的固體攝像裝置80中，設置于傳感器側半導體層2a的上部上的絕緣層14的臺階部81被形成為圍繞著各連接單元區(qū)域3。也即是，在本實施例中，在除連接單元區(qū)域3以外的區(qū)域中，在傳感器側半導體層2a的上部上的絕緣層14如在像素區(qū)域4的上部上那樣被減薄化。如圖10所示，在本實施例的固體攝像裝置80中的設置于傳感器側半導體層2a的上部上的絕緣層14中，臺階部81形成于連接單元區(qū)域3與連接單元區(qū)域3之外的相鄰區(qū)域之間的邊界中。另外，如在第一實施例中一樣，絕緣層14的臺階部81被形成為以錐形形狀從連接單元區(qū)域3到與該連接單元區(qū)域3相鄰的區(qū)域逐漸變薄。如上所述，在本實施例中，通過減薄化在除了連接單元區(qū)域3以外的區(qū)域中的絕緣層14而在絕緣層14上形成具有橫截面凸形的凸起部82。因此，形成于連接單元區(qū)域3中的連接部50被形成在凸起部82內?？赏ㄟ^改變第一實施例的如圖6A所示在絕緣層14的蝕刻處理中使用的抗蝕劑圖形來形成本實施例的上述固體攝像裝置80。例如，能夠通過使用用于在除了連接單元區(qū)域3之外的區(qū)域中形成開口的抗蝕劑圖形作為掩模來進行蝕刻，從而制造本實施例的固體攝像裝置80。在本實施例的上述固體攝像裝置80中，也能夠實現類似于第一實施例的效果。3、第三實施例：固體攝像裝置接著，將說明根據本發(fā)明第三實施例的固體攝像裝置。圖11A是根據本實施例的固體攝像裝置90的傳感器基板2的示意性構造圖，圖11B是圖11A所示的區(qū)域a的放大圖。在本實施例中，如在圖1（第一實施例）中一樣，電路基板9也設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上。于是，由于電路基板9及固體攝像裝置90的橫截面構造與圖10的橫截面構造相同，因而此處將不再對它們進行說明。另外，圖11A中的與圖1所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。本實施例的固體攝像裝置90是絕緣層14的臺階部91的布局不同于圖9所示的布局的示例。在本實施例中，絕緣層14的臺階部91設置于圍繞著連接單元區(qū)域3的位置處。另外，由臺階部91形成的絕緣層14的凸起部92的平面形狀在與沿像素區(qū)域4的相應邊的方向正交的兩個端部中被形成為圓弧形圓角矩形形狀。此處，如圖11B所示，優(yōu)選地，凸起部92的圓弧形端部中的曲率半徑R大于0.2μm。另外，可通過向圖9中所示的具有矩形平面形狀的凸起部82添加圓弧形端部來形成凸起部92的上述形狀。另外，可通過從圖9中所示的具有矩形平面形狀的凸起部82切除角部來形成凸起部92的形狀?？赏ㄟ^改變第一實施例的如圖6A所示在絕緣層14的蝕刻處理中使用的抗蝕劑圖形來形成本實施例的上述固體攝像裝置90。例如，能夠通過使用用于在除了連接單元區(qū)域3之外的區(qū)域中形成開口的抗蝕劑圖形作為掩模來進行蝕刻，從而制造本實施例的固體攝像裝置90。圖12示意性地圖示了通過模擬如下狀態(tài)而獲得的結果：當有機材料被涂布于本實施例的具有凸起部92的絕緣層14的上部上時該有機材料流動的狀態(tài)。另外，圖13示意性地圖示了在絕緣層14的凸起部92的平面形狀為矩形的示例（例如，第二實施例）中通過模擬如下狀態(tài)而獲得的結果：當有機材料被涂布于絕緣層14的上部上時該有機材料流動的狀態(tài)。圖12及圖13所示的箭頭為流體矢量，箭頭的方向表示涂布于絕緣層14的上部上的有機材料的流動方向，且箭頭的長度表示在該箭頭方向上流動的有機材料的流動速度。當如圖13所示絕緣層14的凸起部82的平面形狀為矩形時，有機材料傾向于在與凸起部82的角部相對應的部分中具有高的流體壓力。因而，以凸起部82的該角部作為原點，朝著該角部流動的流體被分為流體流動的原始方向的分量和沿凸起部82的側壁的方向的分量。因而，產生了不均勻涂布。另一方面，當如圖12所示絕緣層14的凸起部92的平面形狀在與沿像素區(qū)域4的相應邊的方向正交的兩個端部中被設置成圓弧形圓角矩形形狀時，減小了在絕緣層14上流動的有機材料的流體壓力的局部增大。因此，對于朝著凸起部92的圓弧形端部流動的流體而言，減輕了以凸起部92的端部作為起始點的分散。由此，減少了有機材料的不均勻涂布。如上所述，在本實施例中，可通過將凸起部92的平面形狀形成為圓角矩形形狀來進一步提高將要被涂布于像素區(qū)域4的絕緣層14上的有機材料膜的平坦度。盡管在上述第三實施例中絕緣層14的凸起部92的平面形狀為圓角矩形形狀，然而能夠減輕流體壓力的凸起部的平面形狀并不僅限于此。以下，作為變形例，將說明絕緣層的凸起部的平面形狀不同于第三實施例的示例。[變形例3-1]圖14A是變形例3-1的固體攝像裝置100的傳感器基板2的示意性構造圖，圖14B是圖14A所示的區(qū)域a的放大圖。在本實施例中，如在圖1中一樣，電路基板9也設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上，且固體攝像裝置100的橫截面構造與圖10（第二實施例）的橫截面構造類似。于是，由于電路基板9及固體攝像裝置100的橫截面構造與圖10的橫截面構造類似，因而此處將不再對它們進行說明。另外，圖14中的與圖1所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。根據變形例3-1的固體攝像裝置100是其中絕緣層的凸起部102的平面形狀不同于圖11A所示的平面形狀的示例。在變形例3-1中，絕緣層的凸起部102的平面形狀是通過斜著切除圖9中所示的矩形凸起部82的四個角而獲得的形狀。在圖14A中，圖示了這樣的示例：該示例中，在凸起部82的表面上將圖9中所示的矩形凸起部82的所述四個角在相對于像素區(qū)域4的相應邊分別具有45度或-45度的傾斜角的平面上切除。此處，如圖14B所示，優(yōu)選地，凸起部102被形成為使得：經過設置于凸起部102的一個端部上的四個頂點的外接圓的曲率半徑R大于0.2μm。另外，可通過向圖9所示的具有矩形平面形狀的凸起部82添加具有四個頂點的端部來形成上述形狀。另外，可通過從圖9所示的具有矩形平面形狀的凸起部82切除角部來形成上述形狀。圖15是示意性地圖示了通過模擬如下狀態(tài)而獲得的結果：當有機材料被涂布于具有本實施例結構的絕緣層的上部上時該有機材料流動的狀態(tài)。在圖15中，箭頭為流體矢量，箭頭的方向表示涂布于絕緣層的上部上的有機材料的流動方向，且箭頭的長度表示沿該箭頭方向流動的有機材料的流動速度。當如圖15所示的變形例3-1中絕緣層的凸起部102的平面形狀在沿像素區(qū)域4的邊的方向上的兩個端部中是大致呈弧形的圓角矩形形狀時，在絕緣層上流動的有機材料的流體壓力的局部增大也被減小了。因此，對于朝著凸起部102的大致呈弧形的端部流動的流體，以凸起部102的端部作為起始點的流動速度矢量的分散得到減輕。因而，減少了有機材料的不均勻涂布。如上所述，可通過增加凸起部102的兩個端部中的各端部的平面形狀的頂點數目并使該形狀從矩形形狀變得接近圓弧形狀，來實現與第三實施例的效果類似的效果。盡管在本實施例中的凸起部102的各端部中形成有四個頂點，然而僅需在各端部中形成三個以上頂點，且凸起部的各端部的形狀可以是三角形或更復雜的多邊形形狀。也即是，在本發(fā)明中，當凸起部的各端部中的頂點數目是三個以上并且各頂點的內角大于90度時，將這時的形狀定義為“大致呈（圓）弧形”。[變形例3-2]圖16為根據變形例3-2的固體攝像裝置110的傳感器基板2的示意性構造圖。在本實施例中，如在圖1（第一實施例）中一樣，電路基板9也設置于傳感器基板2的光接收表面的相反側的表面上，且固體攝像裝置110的橫截面構造與圖10的橫截面構造相同。于是，由于電路基板9及固體攝像裝置110的橫截面構造與圖10的橫截面構造相同，因而此處將不再對它們進行說明。另外，圖16中的與圖1所示部件相對應的部件被賦予相同的附圖標記，且此處將不再對它們予以贅述。根據變形例3-2的固體攝像裝置110是其中絕緣層的凸起部112的平面形狀不同于圖11A所示的平面形狀的實例。在變形例3-2中，絕緣層的凸起部112的平面形狀在與沿像素區(qū)域4的相應邊的方向正交的兩個端部中是弧形的圓角矩形形狀。盡管在上述第三實施例中凸起部92的兩個端部具有圓弧形狀，然而在變形例3-2中，僅對角線上的角部的平面形狀為圓弧形狀且凸起部112的兩個端部的相面對的邊被形成為彼此平行。在變形例3-2中，也可實現類似于第三實施例的效果。如上所述，在凸起部的平面形狀中，兩個端部不僅可具有圓弧形狀，而且也可具有其中一部分具有圓弧形狀的圓角矩形形狀。另外，盡管未示出，凸起部的各端部的平面形狀可以是橢圓弧形狀。也即是，凸起部的各端部的形狀并不僅限于圓弧形狀。只要凸起部的各端部的平面形狀是弧形或大致呈弧形，便可實現類似于第三實施例的效果。順便提及地，第三實施例以及變形例3-1及3-2中的橫截面構造已被說明為類似于圖10（第二實施例）的橫截面構造。然而，當絕緣層的凸起部的平面形狀為圓角矩形形狀時，能夠具有以下效果：即使當絕緣層的臺階部未形成為錐形形狀時，也能在一定程度上減輕不均勻涂布。也就是，即使當將絕緣層的臺階部的表面設置為垂直于光接收表面時，通過將絕緣層的凸起部的平面形狀設置為圓角矩形形狀也能夠減輕不均勻涂布。因此，可采用其中絕緣層的臺階部被形成為錐形形狀的構造以及其中絕緣層的凸起部的平面形狀是圓角矩形形狀的構造中的一者。當如同上述第三實施例、變形例3-1及變形例3-2中那樣，絕緣層的臺階部被形成為錐形形狀且絕緣層的凸起部的平面形狀是圓角矩形形狀時，可進一步改善對不均勻涂布的抑制效果。本發(fā)明并不僅限于被應用至用于感測可見光的入射光量的分布并將感測到的分布形成為圖像的固體攝像裝置，還可應用至用于將紅外線、X射線或粒子等的入射量的分布形成為圖像的固體攝像裝置。進一步，本發(fā)明并不僅限于以行為單位順次掃描像素區(qū)域的單元像素并從所述單元像素讀取像素信號的固體攝像裝置。本發(fā)明可應用至以像素為單位選擇任意像素并以像素為單位從所選像素讀取信號的X-Y地址型固體攝像裝置。所述固體攝像裝置可以形成于一個芯片中，且可以是通過將像素部與信號處理部或光學系統(tǒng)集成在一起而封裝得到的具有攝像功能的模塊形式。另外，本發(fā)明并不僅限于被應用至固體攝像裝置，而是還可應用于成像裝置。此處，該成像裝置是指照相機系統(tǒng)（例如數碼相機或數碼攝像機）或具有成像功能的電子設備（例如便攜式電話）。該成像裝置可以是安裝于電子設備上的模塊形式（即，相機模塊）。4、第四實施例：半導體器件的制造裝置這里，關于傳感器基板與電路基板的粘合的各種技術是已知的（參見日本待審專利申請第2010-245506號公報、日本待審專利申請第2000-348992號公報、日本待審專利申請第2012-19209號公報、日本待審專利申請第2009-49066號公報、日本待審專利申請第2010-135836號公報、日本待審專利申請?zhí)亻_平07-066093號公報、日本待審專利申請?zhí)亻_平07-94675號公報、日本待審專利申請?zhí)亻_平02-267951號公報以及日本待審專利申請第2011-205074號公報）。在日本待審專利申請第2010-245506號公報中，公開了一種方法：通過使一個晶圓（與“基板”具有相同的意義）變形為凸形并讓彼此相接觸的兩個晶圓的中央部分粘合起來，以避免在兩個基板之間出現氣泡（在下文中被稱為“空隙”）。另外，在日本待審專利申請第2000-348992號公報中，公開了一種通過使兩個晶圓變形為凸形并將所述兩個晶圓粘合起來以避免出現空隙的方法。在日本待審專利申請第2012-19209號公報中，公開了如下一種方法:控制并粘合處于預定曲率的翹曲狀態(tài)下的晶圓，以補償將要被粘合的兩個晶圓之間的初始徑向錯位。在日本待審專利申請第2009-49066號公報及日本待審專利申請第2010-135836號公報中，公開了這樣的方法：將兩個晶圓（它們處于如下狀態(tài)下：讓兩個夾頭中的每一者吸附著呈平坦形狀的晶圓）的位置對準，隨后將彼此相接觸的上晶圓與下晶圓粘合起來，從而抑制粘合錯位。在日本待審專利申請?zhí)亻_平07-066093號公報中，公開了這樣的方法：使具有吸附表面（所述吸附表面是彎曲的以防止出現空隙）的夾頭吸附一個晶圓，并且當將所述一個晶圓粘合至另一個被控制為呈平坦形狀的晶圓時從所述一個晶圓的中心至外側依次解除吸附狀態(tài)。在日本待審專利申請?zhí)亻_平07-94675號公報中，公開了這樣的方法：使兩個夾頭吸附晶圓并當兩個晶圓被粘合起來時從晶圓的中心至外側依序解除吸附狀態(tài)，所述兩個夾頭分別具有吸附表面，所述吸附表面是彎曲的以防止出現空隙。在日本待審專利申請?zhí)亻_平H02-267951號公報中，公開了這樣的方法：在重疊兩個晶圓之后，從兩側在相同壓力下粘合作為相同位置的點，以防止在粘合過程中可能會發(fā)生的晶圓翹曲。在日本待審專利申請第2011-205074號公報中，公開了利用紅外攝像機來判斷兩個晶圓的粘合是否正常進行的方法。在日本待審專利申請第2011-205074號公報中，還公開了這樣一種構造：其中，用于保持晶圓等的臺架（stage）是由能夠容易地透過紅外線的材料形成的。然而，上述相關技術的粘合方法難以有效地解決以下的全部問題：兩個晶圓的粘合錯位、兩個晶圓的扭曲或變形、以及在粘合過程中出現的空隙。本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，并且本發(fā)明期望提供一種半導體器件的制造裝置以及一種半導體器件的制造方法，它們在粘合兩個晶圓時能夠有效防止兩個晶圓的粘合錯位、兩個晶圓的扭曲或變形、以及在粘合過程中產生的空隙。在下文中，將說明本發(fā)明的第四實施例。圖17是圖示了根據本發(fā)明的作為粘合對象的兩個晶圓的示例。在圖17中，傳感器晶圓（在下文中，也被稱為“第一基板”）1001是用作傳感器基板的晶圓，在所述傳感器基板上形成有用于構成層壓式背面照射型傳感器的固體攝像元件。電路晶圓（在下文中，也被稱為“第二基板”）1002是用作電路基板的晶圓，在所述電路基板上形成有用于構成層壓式背面照射型傳感器的邏輯電路。而且，在圖17中，簡化地圖示了分別具有碗形的第一基板1001的端面及第二基板1002的端面。在上述第一基板1001及第二基板1002中，第一基板1001的表面1011與第二基板1002的表面1021相粘合。而且，所述粘合也可被稱為接合。另外，第一基板1001及第二基板1002并非分別僅限于用于構成層壓式背面照射型傳感器的傳感器基板及電路基板。例如，第一基板1001及第二基板1002都可以是電路基板。另外，例如，第一基板1001及第二基板1002可以是用于構成除層壓式背面照射型傳感器以外的其它傳感器的兩個基板。第一基板1001及第二基板1002分別具有翹曲了預定翹曲量D1及D2的凸面形狀。另外，第一基板1001及第二基板1002均具有使表面1011與表面1021相互面對的形狀，且表面1011與表面1021分別具有朝向另一晶圓的凸形（即，凸面）。較佳的是，翹曲量D1與D2基本上相等且小于或等于150μm。而且，例如，通過在第一基板1001及第二基板1002每一者的正面或背面上形成氮化硅膜并改變該氮化硅膜的膜形成量，將第一基板1001和第二基板1002的翹曲量D1及D2控制為所期望的翹曲量。在稍后所述的圖18A所示的第一基板1001A和第二基板1002A以及圖18B所示的第一基板1001B和第二基板1002B中，控制晶圓翹曲量的方法也基本上相同。第一基板1001及第二基板1002均具有朝向另一晶圓的凸形，以抑制在粘合期間由于多個位置的同時接觸而出現的空隙。另外，翹曲量D1與翹曲量D2被設置為相同的程度，以抑制在粘合期間在第一基板1001與第二基板1002之間的徑向錯位。然而，在滿足徑向錯位的精度的條件下，第一基板1001和第二基板1002的翹曲量可被設置為不同的程度。例如，可如圖18A及圖18B所示組合使用翹曲量。圖18A圖示了根據本發(fā)明的作為粘合對象的兩個晶圓的變形例4-1。圖18B圖示了根據本發(fā)明的作為粘合對象的兩個晶圓的變形例4-2。在圖18A中，第一基板1001A是用作上面形成有固體攝像元件的傳感器基板的晶圓。第二基板1002A是用作上面形成有邏輯電路的電路基板的晶圓。在上述第一基板1001A及第二基板1002A中，第一基板1001A的表面1011A與第二基板1002A的表面1021A相粘合。圖18A所示的第一基板1001A具有朝向第二基板1002A的凸形。另一方面，第二基板1002A是朝向第一基板1001A的凹形。另外，第一基板1001A的翹曲量D3大于第二基板1002A的翹曲量D4。較佳的是，翹曲量D3及D4小于或等于150μm。第一基板1001A和第二基板1002A在向下方向上均具有凸形，且翹曲量D3大于翹曲量D4。因此，第一基板1001A與第二基板1002A之間的距離從晶圓的中心至外側變大。由此，當粘合第一基板1001A與第二基板1002A時，能夠抑制由于多個位置的同時接觸而導致的空隙的出現。而且，由于第一基板1001A的翹曲量D3大，因而用于彎曲第一基板1001A的力是必需的以粘合第一基板1001A與第二基板1002A。因此，通過采用讓第一基板1001A與第二基板1002A之間具有強的接合強度的接合條件，能夠實現穩(wěn)定粘合。上述接合條件例如是以下條件：在粘合之前的步驟中增加等離子體照射時間以活化第一基板1001A的表面1011A及第二基板1002A的表面1021A。另一方面，在圖18B中，第一基板1001B是用作上面形成有固體攝像元件的傳感器基板的晶圓。第二基板1002B是用作上面形成有邏輯電路的電路基板的晶圓。在上述第一基板1001B及第二基板1002B中，第一基板1001B的表面1011B與第二基板1002B的表面1021B相粘合。圖18B所示的第二基板1002B具有朝向第一基板1001B的凸形。另一方面，第一基板1001B是朝向第二基板1002B的凹形。另外，第二基板1002B的翹曲量D6大于第一基板1001B的翹曲量D5。較佳的是，翹曲量D5及D6小于或等于150μm。第一基板1001B及第二基板1002B在向上方向上均具有凸形，且翹曲量D6大于翹曲量D5。因此，第一基板1001B與第二基板1002B之間的距離從晶圓的中心至外側變大。由此，當第一基板1001B與第二基板1002B相粘合時，可抑制由于多個位置的同時接觸而出現的空隙。而且，由于第二基板1002B的翹曲量D6大，因而用于彎曲第二基板1002B的力是必須的以粘合第一基板1001B與第二基板1002B。因此，如在圖18A所示的第一基板1001A和第二基板1002A中一樣，通過采用讓第一基板1001B與第二基板1002B之間具有強的接合強度的接合條件，可實現穩(wěn)定粘合。[晶圓吸附機構]圖19是圖示了根據本發(fā)明的用于吸附兩個晶圓的夾頭的外形。此處，將說明用于吸附圖17所示第一基板1001的傳感器基板夾頭（在下文中，也被稱為“第一夾頭”）1003以及用于吸附第二基板1002的電路基板夾頭（在下文中，也被稱為“第二夾頭”）1004。在圖19中簡化地圖示出了第一夾頭1003及第二夾頭1004。第一夾頭1003是沿縱向呈長圓柱狀的吸附部，其可分離地吸附第一基板1001的背面1012。第一夾頭1003的下表面的直徑例如為1.4mm。另一方面，第二夾頭1004是沿縱向呈長圓柱狀的吸附部，其可分離地吸附第二基板1002的背面1022。第二夾頭1004的下表面的直徑小于第一夾頭1003的下表面的直徑，并且例如為1mm。稍后將參照圖20來說明第一夾頭1003和第二夾頭1004的細節(jié)。第一夾頭1003吸附第一基板1001的背面1012的大致中央的局部區(qū)域中的吸附區(qū)域1013。另一方面，第二夾頭1004吸附作為第二基板1002的背面1022的大致中央的局部區(qū)域的吸附區(qū)域1023。而且，如上所述，第一基板1001及第二基板1002的翹曲被控制為具有期望的翹曲量，因此在粘合期間吸附區(qū)域1013的相反側的區(qū)域1014與吸附區(qū)域1023的相反側的區(qū)域1024最初接觸。圖18A所示的第一基板1001A與第二基板1002A以及圖18B所示的第一基板1001B與第二基板1002B也是這樣的情況。如上所述，第一夾頭1003僅在吸附區(qū)域1013中吸附第一基板1001。同樣，第二夾頭1004僅在吸附區(qū)域1023中吸附第二基板1002。因此，小的外力就能使第一基板1001和第二基板1002變形，并且可減少第一基板1001和第二基板1002的扭曲或錯位。另外，由于第一夾頭1003與第一基板1001之間的接觸面積以及第二夾頭1004與第二基板1002之間的接觸面積都小，因而能夠防止由于異物的引入而導致出現第一基板1001和第二基板1002的扭曲或錯位。另外，在除吸附區(qū)域1013以外的區(qū)域中，第一基板1001不與第一夾頭1003相接觸，即不受來自第一夾頭1003的外力的作用。因此，當解除了第一夾頭1003的吸附時，試圖恢復至原始翹曲的第一基板1001受到來自第一夾頭1003的外力的作用，因此能夠防止發(fā)生扭曲或錯位。這也適用于第二基板1002。另外，第一夾頭1003與第一基板1001之間的接觸面積（即，吸附區(qū)域1013的面積）大于第二夾頭1004與第二基板1002之間的接觸面積（即，吸附區(qū)域1023的面積）。進一步，當沿圖19的垂直方向（即，沿粘合方向）觀看時，一個吸附區(qū)域1023的面積被包含在另一吸附區(qū)域1013的面積中。上述的吸附區(qū)域1013的面積與吸附區(qū)域1023的面積之間的差別旨在吸收跟第一基板1001和第二基板1002的傳送有關的誤差或在第一基板1001與第二基板1002的預對準期間的定位誤差。也就是，即使當第一夾頭1003吸附第一基板1001的吸附位置與第二夾頭1004吸附第二基板1002的吸附位置由于這些誤差而錯位時，接觸面積小的第二夾頭1004也會被適配至與接觸面積大的第一夾頭1003相對應的位置。此處所用的預對準表示在晶圓被夾頭吸附之前的步驟中要執(zhí)行的對該晶圓的初步定位。由此，能夠消除第一基板1001及第二基板1002的傳送誤差或預對準期間的定位誤差的影響。另外，能夠防止在粘合期間出現使第一基板或第二基板傾斜的力。而且，較佳的是，吸附區(qū)域1013的半徑比吸附區(qū)域1023的半徑長大約150μm。[夾頭的配置]圖20圖示了根據本發(fā)明的本實施例的夾頭的構造示例。在圖20中，圖示了圖19的第一夾頭1003的按壓方向以及沿該圖中箭頭A1的方向截取的橫截面示意圖。在下文中，雖然將會參照圖20來說明第一夾頭1003的詳細構造的示例，然而這也適用于第二夾頭1004。圖20所示的第一夾頭1003大致是圓柱形結構，其具有夾頭主體1003a、抽吸管1003b、吸附部1003c以及按壓部1003d。夾頭主體1003a例如由具有足夠的剛度的材料（例如樹脂或硬金屬等）形成。抽吸管1003b由垂直孔形成且連接至外部抽吸裝置（未圖示），所述垂直孔是通過在夾頭主體1003a內部進行鉆孔而形成的。抽吸管1003b的下端與吸附部1003c相連通。吸附部1003c是網狀的層狀（板狀）構件，且設置于夾頭主體1003a的下底面上。吸附部1003c例如是通過在由諸如陶瓷等材料形成的層中形成孔而制成的多孔板。按壓部1003d設置于吸附部1003c的按壓面1003e的表面上。為確保并保持按壓面1003e的平行度，按壓部1003d例如由具有足夠的剛度的材料（例如金屬、樹脂或陶瓷）形成。而且，在圖20所示的實例中，吸附部1003c以及按壓部1003d被形成為使得抽吸管1003b在按壓面1003e的一部分上露出。當圖20所示的第一夾頭1003接觸第一基板1001時，經由抽吸管1003b和吸附部1003c對第一基板1001進行真空抽吸，由此僅吸附第一基板1001的局部區(qū)域。因此，真空抽吸的吸力被適當調整，使得第一夾頭1003與第一基板1001之間產生的吸力大于或等于在臨時接合期間第一基板1001與第二基板1002之間的錯位力。盡管已參照圖20說明了第一夾頭1003的詳細構造的示例，然而第一夾頭1003的詳細構造并不僅限于圖20所示的構造，而是只要能夠吸附第一基板1001的局部區(qū)域即可。[半導體器件的制造裝置]圖21是圖示了根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造裝置。此處所用的半導體器件是基于半導體基板1100制造出來的層壓式背面照射型傳感器，半導體基板1100是通過粘合第一基板1001與第二基板1002而形成的。在圖21中，圖示了沿制造裝置1010的粘合方向截取的示意性橫截面圖。圖21所示的制造裝置1010包括第一夾頭1003、第二夾頭1004、第一夾頭保持部1005、第二夾頭保持部1006、檢測部1007和1008、以及控制部1009，并且制造裝置1010是用于將第一基板1001粘合至第二基板1002的粘合裝置。而且，圖21中的與圖19所示元件相同的元件用相同的附圖標記表示，且在對圖21進行的以下說明中適當地省略了多余的說明。第一夾頭保持部1005是具有預定厚度的板狀構件。第一夾頭保持部1005包括用于驅動第一夾頭1003的第一夾頭驅動部1051，第一夾頭1003能夠以軸線X1作為旋轉軸而旋轉并能夠沿軸線X1上下移動。第一夾頭驅動部1051的操作是由控制部1009控制。另外，第一夾頭保持部1005自身可沿該圖中的上/下/左/右方向移動，且其操作也由控制部1009控制。類似于第一夾頭保持部1005，第二夾頭保持部1006是具有預定厚度的板狀構件。第二夾頭保持部1006包括用于驅動第二夾頭1004的第二夾頭驅動部1061，第二夾頭1004能夠以軸線X2作為旋轉軸而旋轉并能夠沿軸線X2上下移動。第二夾頭驅動部1061的操作是由控制部1009控制。另外，第二夾頭保持部1006自身能夠沿該圖中的上/下/左/右方向移動，且其操作也由控制部1009控制。檢測部1007被設置為能夠在第一夾頭保持部1005與第一基板1001之間的遠離第一夾頭1003的空間中沿該圖中的上/下/左/右方向移動。檢測部1007檢測形成于第一基板1001上的多個對準標記1015。優(yōu)選地，檢測部1007例如是使用紅外線的諸如紅外攝像機或紅外顯微鏡等光學系統(tǒng)。檢測部1008被設置成可在第二夾頭保持部1006與第二基板1002之間的遠離第二夾頭1004的空間中沿該圖中的上/下/左/右方向移動。檢測部1008檢測形成于第二基板1002上的多個對準標記1025。優(yōu)選地，與檢測部1007類似地，檢測部1008例如是使用紅外線的諸如紅外攝像機或紅外顯微鏡等光學系統(tǒng)。控制部1009根據由檢測部1007檢測到的與第一基板1001的對準標記1015有關的位置信息來計算第一基板1001的狀態(tài)信息（例如位置、高度、厚度以及翹曲量）。同樣，根據由檢測部1008檢測到的與第二基板1002的對準標記1025有關的位置信息來計算第二基板1002的狀態(tài)信息。另外，基于所獲得的第一基板1001的狀態(tài)信息和第二基板1002的狀態(tài)信息來控制第一夾頭1003和第二夾頭1004等的操作?？刂撇?009包括中央處理單元（CPU）、存儲器、接口部等（未圖示）。稍后將參照圖22來說明控制部1009的詳細操作。根據上述構造，制造裝置1010將第一基板1001粘合至第二基板1002。在第一基板1001上，形成有可被檢測部1007識別的多個對準標記1015。當檢測部1007是使用紅外線的光學系統(tǒng)時，假設對準標記1015是由金屬形成的，且移除了第一基板1001內的在光路中會遮蔽或吸收紅外線的層。在第二基板1002上，與第一基板1001中相同，形成有多個對準標記1025。如上所述，在本實施例的制造裝置1010中，檢測部1007及1008分別被設置成很近地接近于第一基板1001及第二基板1002。由此，制造裝置1010測量第一基板1001和第二基板1002的位置及高度，并且對第一基板1001與第二基板1002的高精度對準或校正就成為可能。另外，即使當第一基板1001和第二基板1002的位置、高度、厚度、翹曲量等的狀態(tài)已經發(fā)生變化時，制造裝置1010也能夠對粘合進行控制。[半導體器件的制造方法]圖22是圖示了根據本發(fā)明第四實施例的半導體器件的制造方法的流程圖。而且，將會參照圖22來說明在所期望的基于第一基板1001和第二基板1002的半導體器件的制造方法中將第一基板1001粘合至第二基板1002的方法。首先，在步驟1和步驟11中，制造裝置1010進行第一基板1001及第二基板1002的載入（S1和S11）。此處，載入裝置（未圖示）將第一基板1001和第二基板1002裝載到制造裝置1010中。而且，第一基板1001是通過將圖17所示的形式進行正反面反轉后而被載入的。另一方面，第二基板1002是以圖17所示的形式而被直接載入的。即，第一基板1001及第二基板1002都是以在向上方向上的凸起形式而被載入的。接著，在步驟2和步驟12中，制造裝置1010根據預對準對第一基板1001和第二基板1002每一者進行粗定位（S2及S12）。之后，在步驟3中，制造裝置1010反轉經過步驟2中的預對準之后的第一基板1001的正反面（S3）。由此，如圖21所示，第一基板1001和第二基板1002均按照朝著另一晶圓的凸起形式布置著。當在步驟1中第一基板1001是以圖17所示的形式載入時，就可以不執(zhí)行步驟3的處理。之后，在步驟4中，制造裝置1010吸附正反面已被反轉的第一基板1001（S4）。具體而言，第一夾頭1003吸附第一基板1001的吸附區(qū)域1013。而且，較佳的是，吸附區(qū)域1013的吸附面積例如大致是圓形區(qū)域，該圓形區(qū)域的直徑大約為數毫米（mm），且在各后續(xù)處理中不會出現錯位的范圍內該吸附面積是盡可能小的。另一方面，在步驟14中，制造裝置1010吸附第二基板1002（S14）。具體而言，第二夾頭1004吸附第二基板1002的吸附區(qū)域1023。而且，較佳的是，吸附區(qū)域1023的吸附面積的半徑比吸附區(qū)域1013的吸附面積的半徑小約150μm。之后，在步驟5和步驟15中，制造裝置1010測量第一基板1001和第二基板1002的位置（S5和S15）。這時，首先，在使第一夾頭1003吸附著第一基板1001的吸附區(qū)域1013的狀態(tài)下，檢測部1007檢測形成于第一基板1001上的對準標記1015。同樣地，檢測部1008檢測形成于第二基板1002上的對準標記1025。將會具體地說明上述內容。在使第一基板1001以軸線X1作為旋轉軸進行旋轉的狀態(tài)下，檢測部1007從第一基板1001的背面1012檢測與形成于第一基板1001表面內的多個位置處的多個對準標記1015有關的3D位置信息。此處，將更詳細地說明多個對準標記1015。圖23是圖示了根據本發(fā)明第四實施例的對準標記1015的闡釋圖。盡管以下將會說明圖21所示的對準標記1015的詳細示例，但這也被認為適用于對準標記1025。對準標記1015設置于第一基板1001的與第二基板1002粘合側的表面部上（參見圖21）。如圖23所示，對準標記1015在第一基板1001的平面圖中以格點形狀（latticepointshape）布置。如圖23中所示，在第一基板1001中，存在著多個用于構成固體攝像裝置的芯片1016且存在著切割區(qū)域（劃片區(qū)域）1017，所述多個芯片1016是從半導體基板1100切割和分離而成的，在切割區(qū)域1017中具有用于將半導體基板1100分離成多個芯片的切割線。在切割過程中沿切割區(qū)域1017中的切割線來切割半導體基板1100，因此將半導體基板1100分成多個半導體芯片，并且獲得了各固體攝像裝置。在第一基板1001中，多個芯片1016在垂直方向/水平方向中的每一方向上都以相等間隔規(guī)則地布置。當將水平方向（圖23中的左/右方向）指定為對多個芯片1016進行排列的第一方向時，將垂直方向（圖23中的上/下方向）稱為垂直于第一方向的第二方向。如圖23所示，多個芯片1016在第一基板1001中設置于平面上的大致整個范圍內。切割區(qū)域1017被形成為與多個芯片1016的上述排列相對應的格子形狀。也即是，切割區(qū)域1017按照水平方向的線部和垂直方向的線部而被形成為格子形狀，所述水平方向的線部的寬度為在垂直方向上彼此相鄰的芯片1016之間的間隔，所述垂直方向的線部的寬度為在水平方向上彼此相鄰的芯片1016之間的間隔。在具有沿垂直方向/水平方向規(guī)則地布置的一組芯片1016和被形成為格子形狀的切割區(qū)域1017的第一基板1001中，將對準標記1015設置于切割區(qū)域1017中的格點部中是優(yōu)選的。然而，不是必須設有切割區(qū)域1017中的格點部。另外，較佳的是，在第一基板1001中全面地設置有對準標記1015的排列。也即是，較佳的是，對準標記1015與被設置于第一基板1001中的平面上的大致整個范圍內的芯片1016相關地均勻排列著。如圖23所示，對準標記1015在垂直方向或水平方向上具有正方形狀的外觀，其中一個面對邊及另一面對邊中的每一者限定了芯片1016的排列。而且，對準標記1015例如可具有約100μm×100μm的大致呈十字狀的外觀。對準標記1015例如是通過在第一基板1001（其是硅基板）上形成金屬圖形而設置的。作為用于在第一基板1001上形成金屬圖形的技術，例如，使用了諸如化學氣相沉積（CVD）或蝕刻等公知的技術。檢測部1007根據穿過第一基板1001的紅外線的反射光來檢測對準標記1015。因此，對準標記1015被設置成這樣的部分：其反射率不同于另一部分（硅部分）的反射率，以使得檢測部1007從紅外線的反射光檢測出對準標記1015。例如，當對準標記1015是如上所述的金屬圖形部時，對準標記1015的金屬部就成為反射率比另一部分（硅部分）的反射率大的部分。也即是，由于在此情況下紅外線的反射光從各對準標記1015的部分返回，因而檢測部1007檢測出對準標記1015。對準標記1015僅需是能夠根據與第一基板1001中的另一部分（硅部分）的反射率差別而被檢測部1007從紅外線的反射光檢測出的任何元件。因此，對準標記1015是通過將反射率不同于硅的反射率的材料埋入第一基板1001中而構成的。此處，用于構成對準標記1015的具有不同于硅的反射率的材料的示例是諸如Al、Cu或W等金屬。然而，用于形成對準標記1015的材料并不僅限于金屬材料，并且例如可以是氧化物膜或類似。當如在本實施例中那樣將對準標記1015設置于第一基板1001的表面1011上時，在第一基板1001被粘合至第二基板1002之前，在第一基板1001作為單體而經歷制造工藝的同時，按照預定的時刻在第一基板1001上形成對準標記1015。然后，將上面形成有對準標記1015的第一基板1001從形成有對準標記1015的表面?zhèn)日澈现恋诙?002。檢測部1007檢測與上文中參照圖23所述的多個對準標記1015有關的3D位置信息（圖22的S5）。而且，在步驟5中，控制部1009基于由檢測部1007檢測到的與多個對準標記1015有關的3D位置信息來獲得與第一基板1001有關的形狀信息，例如第一基板1001的整個表面的位置、高度、厚度及翹曲量。根據類似的方法，在步驟15中，控制部1009根據由檢測部1008檢測到的與多個對準標記1025有關的3D位置信息來獲得與第二基板1002有關的形狀信息，例如第二基板1002的整個表面的位置、高度、厚度及翹曲量。另外，在步驟5和步驟15中，控制部1009基于所獲得的與第一基板1001及第二基板1002有關的形狀信息來計算第一基板1001及第二基板1002的中心位置及旋轉角度。此處所用的中心位置是碗狀的第一基板1001及第二基板1002的中心部的位置。旋轉角度是當第一基板1001或第二基板1002的中心被指定為原點時第一基板1001或第二基板1002的順時針或逆時針旋轉角度。之后，獲得第一基板1001及第二基板1002的新位置，以使第一基板1001與第二基板1002的中心位置及旋轉角度對準。而且，當在步驟5及步驟15中第一基板1001與第二基板1002的翹曲量不同時，對準標記會錯位，就如同在圖24所示的第一基板1001的對準標記1015a與第二基板1002的對準標記1025a中那樣。圖24圖示了當兩個晶圓的翹曲量不同時對準標記的錯位。即使在此情況下，也能夠基于與形成在第一基板1001和第二基板1002上的多個對準標記1015a、1015b、1025a及1025b有關的3D位置信息來計算第一基板1001及第二基板1002的中心位置及旋轉角度。之后，在步驟6中，制造裝置1010對準（定位）第一基板1001和第二基板1002（S6）。在步驟6中，在使第一夾頭1003僅吸附第一基板1001的吸附區(qū)域1013的狀態(tài)下，控制部1009通過移動第一夾頭1003和第一夾頭保持部1005來將第一基板1001移動至在步驟5中所確定的位置處。同樣，在使第二夾頭1004僅吸附第二基板1002的吸附區(qū)域1023的狀態(tài)下，控制部1009通過移動第二夾頭1004及第二夾頭保持部1006來將第二基板1002移動至在步驟15中所確定的位置處。之后，在步驟7中，制造裝置1010開始粘合第一基板1001與第二基板1002（S7）。在步驟7中，在粘合之前，等離子體照射裝置（未圖示）照射等離子體以活化第一基板1001的表面1011及第二基板1002的表面1021。之后，控制部1009通過操作第一夾頭驅動部1051和第一夾頭保持部1005，以預定的按壓力（例如，1N至50N這個量級的力）將被第一夾頭1003吸附著的第一基板1001的表面1011向第二基板1002的表面1021按壓。此時，控制部1009基于在步驟6中所計算的第一基板1001及第二基板1002的翹曲量以及第一基板1001與第二基板1002之間的距離中的至少一者來控制粘合條件。此處所用的粘合條件是用于控制第一基板1001與第二基板1002的粘合的各種參數，并且是第一基板1001與第二基板1002的相對位置、按壓力、晶圓厚度方向的移動距離、以及上述接合條件等中的至少一種。例如，當在步驟6中計算出的第一基板1001及第二基板1002的翹曲量中的任一者翹曲量較大時，根據該翹曲量而延長上述等離子體的照射時間或增大按壓力。因此，能夠提高第一基板1001與第二基板1002之間的接合力。另外，例如，根據第一基板1001及第二基板1002的翹曲量，校正第一基板1001與第二基板1002的相對位置。另外，例如，在第一基板1001與第二基板1002之間的距離變?yōu)?μm之前，第一夾頭1003及第二夾頭1004可以高速移動，然后可以用預定的按壓力將第一基板1001向第二基板1002按壓。而且，在步驟7中，控制部1009可以通過操作第二夾頭驅動部1061及第二夾頭保持部1006，以預定的按壓力（例如，1N至50N這個量級的力）將被第二夾頭1004吸附著的第二基板1002的表面1021向第一基板1001的表面1011按壓。之后，在步驟8中，制造裝置1010粘合第一基板1001（S8）。在步驟8中，控制部1009在經過預定時間之后或在粘合狀態(tài)已經進展到預定步驟之后解除對第一基板1001和第二基板1002中的一者的吸附（這里是第一夾頭1003對第一基板1001的吸附），并使得第一夾頭1003能夠撤出。此處所用的預定步驟例如是其中第一基板1001與第二基板1002的大致中央位置已被粘合起來的步驟。在此步驟中，能夠通過解除第一夾頭1003對第一基板1001的吸附，來減小由于該吸附而作用于第一基板1001的外力。另外，所述預定步驟例如是其中第一基板1001與第二基板1002的粘合已經完成的步驟。能夠通過保持第一夾頭1003對第一基板1001的吸附直到上述步驟，來抑制第一基板1001與第二基板1002之間的錯位。而且，可使用上述檢測部1007及1008作為用于觀察粘合狀態(tài)的手段。另外，可使用具有比校準光學系統(tǒng)的視野大的視野的紅外光學系統(tǒng)。由于當在具有較大視野的紅外光學系統(tǒng)中在粘合期間觀察第一基板1001及第二基板1002時可觀察到粘合界面（其被稱為粘合波（bondingwave））前進的狀態(tài)，因而就能夠識別出粘合狀態(tài)的步驟。之后，在步驟9中，制造裝置1010取出已被粘合起來的第一基板1001與第二基板1002（S9）。此處，取出裝置（未圖示）取出半導體基板1100，該半導體基板1100包括被第二夾頭1004吸附的且彼此粘合的第一基板1001與第二基板1002。根據上述各工序，第一基板1001與第二基板1002被粘合在一起。而且，如上所述制造出來的半導體基板1100將會經歷與相關技術的工藝相似的后續(xù)工序，并由此制造出所期望的層壓式背面照射型傳感器。而且，在步驟7中，在粘合第一基板1001與第二基板1002之前進行等離子體照射。然而，本發(fā)明的應用對象并不僅限于包括等離子體照射工藝的粘合。5、第五實施例：半導體器件的制造裝置以下，將說明本發(fā)明的第五實施例。上述第四實施例具有其中將檢測部1007設置于第一夾頭保持部1005與第一基板1001之間的形式（參見圖21）。此處，將說明其中將檢測部1007A設置在第一夾頭保持部1005外部（即設置在相對于第一夾頭保持部1005與第一夾頭1003側相反的一側的空間中）的形式（參見圖25）。這也適用于檢測部1008A。圖25圖示了根據本發(fā)明第五實施例的半導體器件的制造裝置。而且，用相同的附圖標記表示圖25中的與圖21中的元件相似的元件，且在圖25的以下說明中適當地省略了重復的說明。檢測部1007A被設置成在第一夾頭保持部1005外部的空間中可以沿該圖中的上/下/左/右方向移動。檢測部1007A經由形成于第一夾頭保持部1005中的多個開口部1005a、1005b、1005c和1005d檢測形成于第一基板1001上的多個對準標記1015。優(yōu)選地，檢測部1007A例如是諸如紅外攝像機或紅外顯微鏡等使用紅外線的光學系統(tǒng)。檢測部1008A被設置成在第二夾頭保持部1006外部的空間中可以沿該圖中的上/下/左/右方向移動。檢測部1008A經由形成于第二夾頭保持部1006中的多個開口部1006a、1006b、1006c和1006d檢測形成于第二基板1002上的多個對準標記1025。優(yōu)選地，與檢測部1007A類似地，檢測部1008A例如是諸如紅外攝像機或紅外顯微鏡等使用紅外線的光學系統(tǒng)。如在根據上述第五實施例的制造裝置1010A中那樣，檢測部1007A和1008A可以分別設置于第一夾頭保持部1005和第二夾頭保持部1006的外部。6、第六實施例：半導體器件的制造裝置以下，將說明本發(fā)明的第六實施例。上述第四實施例具有其中將第一夾頭1003和第二夾頭1004分別設置于第一夾頭保持部1005和第二夾頭保持部1006的大致中央處的形式（參加圖21）。此處，將說明其中如圖26所示將第一夾頭1003和第二夾頭1004分別設置于第一夾頭保持部1005及第二夾頭保持部1006的端部附近的形式。圖26和圖27圖示了根據本發(fā)明第六實施例的半導體器件的制造裝置。在圖26和圖27中，圖示了第一基板1001與第二基板1002被粘合之前及之后的形式。圖26中所示的第一夾頭驅動部1052和第二夾頭驅動部1062分別對應于圖21中的第一夾頭驅動部1051及第二夾頭驅動部1061。此處，將不再對上述元件予以贅述。另外，用相同的附圖標記表示與圖21中的元件相似的元件，且不再對它們予以贅述。如在根據上述第六實施例的制造裝置1010B中那樣，第一夾頭1003和第二夾頭1004可分別設置于第一夾頭保持部1005和第二夾頭保持部1006的端部附近。7、第七實施例：半導體器件的制造裝置以下，將說明本發(fā)明的第七實施例。上述第四實施例具有其中是在水平方向上安裝第一夾頭保持部1005和第二夾頭保持部1006的形式（參加圖21）。此處，將說明其中如圖28所示是在垂直方向上安裝第一夾頭保持部1005C和第二夾頭保持部1006C的形式。圖28和圖29圖示了根據本發(fā)明第七實施例的半導體器件的制造裝置。在圖28和圖29中，圖示了第一基板1001與第二基板1002被粘合之前及之后的形式。圖28中所示的第一夾頭保持部1005C、第二夾頭保持部1006C、第一夾頭驅動部1053及第二夾頭驅動部1063分別對應于圖21所示的第一夾頭保持部1005、第二夾頭保持部1006、第一夾頭驅動部1051及第二夾頭驅動部1061。此處，將不再對上述元件予以贅述。另外，用相同的附圖標記表示與圖21中的元件相似的元件，且不再對它們予以贅述。如在根據上述第七實施例的制造裝置1010C中那樣，第一基板1001和第二基板1002可垂直放置著，且第一夾頭1003和第二夾頭1004可以分別布置于第一夾頭保持部1005C和第二夾頭保持部1006C的在垂直方向上靠近上方的端部附近。由此，能夠抑制由于第一基板1001和第二基板1002的自重而導致的撓度（即，翹曲量的變化），并可抑制由于第一基板1001及第二基板1002的自重而導致的錯位。根據前述的本實施方式的半導體器件的制造裝置以及半導體器件的制造方法，例如，如圖21所示，檢測部1007及1008分別被設置為很近地接近于第一基板1001及第二基板1002。因此，能夠測量第一基板1001和第二基板1002的位置及高度，并且對第一基板1001和第二基板1002進行高精度對準或校正就成為可能。另外，即使當第一基板1001及第二基板1002的位置、高度、厚度和翹曲量等的狀態(tài)已經發(fā)生了變化時，也能夠對粘合進行控制。另外，例如，如圖19所示，第一夾頭1003僅在吸附區(qū)域1013中吸附第一基板1001。同樣，第二夾頭1004僅在吸附區(qū)域1023中吸附第二基板1002。因此，小的外力就能使第一基板1001和第二基板1002變形，并且能夠減少第一基板1001和第二基板1002的扭曲或錯位。另外，由于第一夾頭1003與第一基板1001之間的接觸面積以及第二夾頭1004與第二基板1002之間的接觸面積都小，因而能夠防止由于異物的引入而出現第一基板1001與第二基板1002的扭曲或錯位。另外，例如，如圖19所示，吸附區(qū)域1013的面積被構造為寬于吸附區(qū)域1023的面積，從而吸收了與第一基板1001和第二基板1002的傳送有關的誤差或在第一基板1001與第二基板1002的預對準期間的定位誤差。因此，能夠消除第一基板1001和第二基板1002的傳送誤差或者第一基板1001與第二基板1002的預對準期間的定位（例如，約±150μm的直徑）的影響。另外，例如，如圖19所示，在除了吸附區(qū)域1013以外的區(qū)域中，第一基板1001不與第一夾頭1003相接觸，即不受來自第一夾頭1003的外力的作用。因此，當解除第一夾頭1003的吸附時，試圖恢復至原始翹曲的第一基板1001就受到來自第一夾頭1003的外力的作用，因此可防止發(fā)生扭曲或錯位。這對于第二基板1002而言同樣如此。另外，如圖19所示，第一基板1001和第二基板1002的翹曲被控制成具有如下翹曲量：其使得吸附區(qū)域1013的相反側的區(qū)域1014與吸附區(qū)域1023的相反側的區(qū)域1024在粘合期間最初接觸。因此，可控制第一基板1001和第二基板1002的扭曲，或者可控制隨粘合而出現的孔隙。特別地，當兩個晶圓的翹曲量大約相同時，也能夠控制第一基板1001和第二基板1002的放大率偏差。另外，例如，如圖18A和圖18B所示，當一個晶圓的翹曲量大時，可通過在粘合之前延長等離子體活化時間來改變晶圓之間的接合力。由此，能夠實現這樣的粘合：該粘合能夠減少晶圓的扭曲、粘合期間的錯位、以及空隙的出現。而且，本發(fā)明旨在解決的問題得到了解決。如上所述，相關技術的粘合方法難以有效地解決以下的全部問題：兩個晶圓的粘合錯位、兩個晶圓的扭曲或變形、以及在粘合期間出現的空隙。此處，例如，在上述日本待審專利申請第2009-49066號公報和日本待審專利申請第2010-135836號公報中披露的方法能夠控制粘合錯位，但存在著這樣的問題：由于設置于夾頭中的裝載銷開口部或由于異物而導致的晶圓的變形或扭曲以及空隙的出現未得到解決。該問題例如能夠利用上述日本待審專利申請?zhí)亻_平07-066093號公報和日本待審專利申請?zhí)亻_平07-94675號公報中所披露的方法來解決。然而，當以每秒數厘米以上（cm/sec）的高速進行粘合時，由于粘合的進展狀態(tài)會因晶圓表面的細微變化而發(fā)生變化等原因，所以難以控制夾頭的吸附時間。另外，根據日本待審專利申請?zhí)亻_平02-267951號公報中所披露的方法，由于存在例如夾頭等結構部分，難以在紅外攝像機等中感測粘合的進展狀態(tài)。另外，實質上難以利用讓紅外線透過的材料來構成所有的復雜機械結構，例如真空夾頭或晶圓校準機構。另外，在上述日本待審專利申請第2011-205074號公報中所公開的方法中，即使實現了制造絕緣體上硅（silicononinsulator；SOI）結構晶圓所需的粘合位置的精度，也難以實現層壓式背面照射型傳感器所需的粘合位置的極高精度。這是因為：僅使用切痕或定向平面（orientationflat）來進行兩個晶圓的定位，并且沒有考慮由于按壓使得晶圓移動而導致的兩個晶圓的位置變化。另外，由于當解除夾頭對晶圓的吸附狀態(tài)時晶圓會根據該晶圓的翹曲而變形，因而會造成晶圓的扭曲或錯位。圖30A及圖30B是根據參考例的晶圓的變形的闡釋圖。圖30A所示的制造裝置1101包括上夾頭1105（基板驅動部）、下夾頭1104以及按壓構件1103。上夾頭1105是可分離地保持第一基板1001的板狀構件。在上夾頭1105的外圓周附近，設置有用于真空吸附第一基板1001的吸附開口1105a。進一步，在上夾頭1105的中央附近，設置有用于使按壓構件1103能夠在上夾頭1105的厚度方向上移動的負載施加部。下夾頭1104是用于可分離地保持第二基板1002的板狀構件。在下夾頭1104的外圓周附近，設置有用于真空吸附第二基板1002的吸附開口1104a。這里，當按壓構件1103將高負載施加至第一基板1001時，會使第一基板1001的負載施加區(qū)域變形從而與第二基板1002相互接觸。之后，當解除吸附開口1105a及1104a的吸附狀態(tài)時，第一基板1001及第二基板1002均發(fā)生變形，從而恢復至如圖30B所示的初始翹曲量。如上所述，第一基板1001和第二基板1002根據它們自身的翹曲而變形。因此，所述變形會導致第一基板1001與第二基板1002的扭曲或錯位。本發(fā)明的半導體器件的制造裝置和半導體器件的制造方法能夠解決上述問題，并能夠在粘合兩個晶圓時有效地防止兩個晶圓的粘合錯位、兩個晶圓的扭曲或變形、以及粘合期間出現的空隙。8、第八實施例：電子設備接著，將說明本發(fā)明第八實施例的電子設備。圖31是本發(fā)明第八實施例的電子設備1200的示意性構造圖。本實施例的電子設備1200包括固體攝像裝置1201、光學透鏡1203、快門裝置1204、驅動電路1205以及信號處理電路1206。在本實施例的電子設備1200中，圖示出的是這樣的實施例：在電子設備（數碼相機）中使用的是本發(fā)明的上述第一實施例中的固體攝像裝置1作為固體攝像裝置1201。光學透鏡1203會聚來自被拍攝對象的圖像光（入射光）并在固體攝像裝置1201的攝像面上形成圖像。因此，每個給定時間內的電荷累積在固體攝像裝置1201內?？扉T裝置1204控制固體攝像裝置1201的光照射時間及遮光時間。驅動電路1205提供用于控制固體攝像裝置1201的信號傳輸操作和快門裝置1204的快門操作的驅動信號。根據從驅動電路1205提供的驅動信號（時序信號），固體攝像裝置1201傳輸信號。信號處理電路1206對從固體攝像裝置1201輸出的信號進行各種信號處理。經過信號處理的視頻信號被存儲在諸如存儲器等存儲介質中或被輸出至顯示器。由于本實施例的電子設備1200中的固體攝像裝置1201中的聚光特性和靈敏度特性得到了提高，因而提高了圖像質量。本領域技術人員應當理解，依據設計要求和其他因素，可以在本發(fā)明隨附的權利要求或其等同物的范圍內進行各種修改、組合、次組合以及改變。本申請包含與分別于2012年4月2日和2012年6月14日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權專利申請JP2012-084014和JP2012-135092所公開的內容相關的主題，因此將上述兩個日本優(yōu)先權申請的全部內容以引用的方式并入本文。