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固體攝像裝置及其制造方法、半導(dǎo)體器件的制造裝置和方法、電子設(shè)備與流程

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固體攝像裝置及其制造方法、半導(dǎo)體器件的制造裝置和方法、電子設(shè)備與流程

技術(shù)特征:
1.一種固體攝像裝置,其包括:傳感器基板,所述傳感器基板具有傳感器側(cè)半導(dǎo)體層和傳感器側(cè)配線層,所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層包含像素區(qū)域,在所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部,所述傳感器側(cè)配線層設(shè)置在與所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面相反的表面?zhèn)?;電路基板,所述電路基板具有電路?cè)半導(dǎo)體層和電路側(cè)配線層,并且所述電路基板設(shè)置于所述傳感器基板的所述傳感器側(cè)配線層側(cè);連接單元區(qū)域,在所述連接單元區(qū)域中設(shè)置有連接部,所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極,所述第一貫穿電極被設(shè)置為從所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述傳感器側(cè)配線層,所述第二貫穿電極被設(shè)置為從所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述電路側(cè)配線層,所述連接電極被設(shè)置于所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)鹊谋砻嫔喜⑺龅谝回灤╇姌O與所述第二貫穿電極連接起來(lái);以及絕緣層,所述絕緣層具有臺(tái)階部,所述連接電極埋入在所述臺(tái)階部?jī)?nèi),且所述臺(tái)階部的膜厚度從所述連接單元區(qū)域到所述像素區(qū)域逐漸減小。2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置,其中所述臺(tái)階部是以使所述絕緣層從所述連接單元區(qū)域到與所述連接單元區(qū)域相鄰的區(qū)域逐漸變薄的方式設(shè)置的,且所述連接單元區(qū)域設(shè)置有凸起部。3.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置,其中設(shè)置有多個(gè)所述連接單元區(qū)域,并且其中各所述連接單元區(qū)域是沿著與已劃分的所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的預(yù)定邊進(jìn)行布置的。4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置,其中所述臺(tái)階部設(shè)置于圍繞所述連接單元區(qū)域的位置處。5.如權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置,其中所述凸起部的平面形狀是在沿著與所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的邊的方向上延伸的圓角矩形形狀。6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置,其中所述絕緣層具有由不同材料形成的層壓結(jié)構(gòu),并且其中在所述臺(tái)階部的下部中,從所述絕緣層移除了構(gòu)成所述層壓結(jié)構(gòu)的上層部分的膜。7.一種固體攝像裝置,其包括:傳感器基板,所述傳感器基板具有傳感器側(cè)半導(dǎo)體層和傳感器側(cè)配線層,所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層包含像素區(qū)域,在所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部,所述傳感器側(cè)配線層設(shè)置于與所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面相反的表面?zhèn)?;電路基板,所述電路基板具有電路?cè)半導(dǎo)體層和電路側(cè)配線層,所述電路基板被層壓并設(shè)置于所述傳感器基板的所述傳感器側(cè)配線層側(cè);連接單元區(qū)域,在所述連接單元區(qū)域中設(shè)置有連接部,所述連接部具有第一貫穿通路、第二貫穿通路和連接電極,所述第一貫穿通路被設(shè)置為從所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述傳感器側(cè)配線層,所述第二貫穿通路被設(shè)置為從所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述電路側(cè)配線層,所述連接電極設(shè)置于所述傳感器基板的光接收表面?zhèn)鹊谋砻嫔喜⑺龅谝回灤┩放c所述第二貫穿通路連接起來(lái);以及絕緣層,所述連接電極埋入在所述絕緣層中,所述絕緣層在所述連接單元區(qū)域外的區(qū)域中的厚度薄于在所述連接單元區(qū)域中的厚度,并且所述絕緣層在包含所述連接單元區(qū)域的區(qū)域中的橫截面形狀是凸形的凸起部,并且所述凸起部的平面形狀是在沿著所述像素區(qū)域的邊的方向上延伸的圓角矩形形狀。8.一種固體攝像裝置的制造方法,其包括:將具有傳感器側(cè)半導(dǎo)體層和傳感器側(cè)配線層的傳感器基板與電路側(cè)半導(dǎo)體層及電路側(cè)配線層粘合,使得所述傳感器側(cè)配線層的表面面對(duì)著所述電路側(cè)配線層的表面,所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層包含像素區(qū)域,在所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部,所述傳感器側(cè)配線層設(shè)置在與所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面相反的表面?zhèn)?;在所述傳感器基板的光接收表面?zhèn)刃纬山^緣層;在所述像素區(qū)域外的連接單元區(qū)域中形成連接部,所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極,所述第一貫穿電極被設(shè)置為從所述絕緣層的表面到達(dá)所述傳感器側(cè)配線層,所述第二貫穿電極被設(shè)置為從所述絕緣層的所述表面達(dá)到所述電路側(cè)配線層,所述連接電極設(shè)置于所述絕緣層的所述表面上并將所述第一貫穿電極與所述第二貫穿電極連接起來(lái);以及將所述絕緣層蝕刻至預(yù)定深度,使得膜厚度從所述連接單元區(qū)域到所述像素區(qū)域逐漸變薄。9.一種固體攝像裝置的制造方法,其包括:將具有傳感器側(cè)半導(dǎo)體層和傳感器側(cè)配線層的傳感器基板與電路側(cè)半導(dǎo)體層及電路側(cè)配線層粘合,使得所述傳感器側(cè)配線層的表面面對(duì)著所述電路側(cè)配線層的表面,所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層包含像素區(qū)域,在所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換部,所述傳感器側(cè)配線層設(shè)置在與所述傳感器側(cè)半導(dǎo)體層的光接收表面相反的表面?zhèn)龋辉谒鰝鞲衅骰宓墓饨邮毡砻鎮(zhèn)刃纬山^緣層;在所述像素區(qū)域外的連接單元區(qū)域中形成連接部,所述連接部具有第一貫穿電極、第二貫穿電極和連接電極,所述第一貫穿電極被設(shè)置為從所述絕緣層的表面到達(dá)所述傳感器側(cè)配線層,所述第二貫穿電極被設(shè)置為從所述絕緣層的所述表面到達(dá)所述電路側(cè)配線層,所述連接電極設(shè)置于所述絕緣層的所述表面上并將所述第一貫穿電極與所述第二貫穿電極連接起來(lái);以及通過(guò)在所述連接單元區(qū)域外的區(qū)域中將所述絕緣層蝕刻至預(yù)定深度來(lái)形成凸起部,所述凸起部的平面形狀是在沿著所述像素區(qū)域的邊的方向上延伸的圓角矩形形狀。10.一種電子設(shè)備,其包括:權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的固體攝像裝置;以及信號(hào)處理電路,所述信號(hào)處理電路被構(gòu)造用于處理從所述固體攝像裝置輸出的輸出信號(hào)。
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