多層陶瓷電容器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多層陶瓷電容器及其制造方法。多層陶瓷電容器包括：陶瓷本體；第一和第二內(nèi)電極，包括彼此交迭的第一和第二本體部分以及具有交迭區(qū)域的且暴露于陶瓷本體的一個表面的第一和第二引出部分；第一和第二外電極，形成在陶瓷本體的一個表面；以及絕緣層，形成在陶瓷本體的一個表面上的，其中從第一和第二本體部分的端部延伸至第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的，并且當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體的中心到連接表面的起始點的長度定義為B時，B/A滿足0.03≤B/A≤0.90。
【專利說明】多層陶瓷電容器及其制造方法
[0001]相關(guān)申請交叉引用
[0002]本申請要求于2012年12月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10_2012_014382號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通常來說，使用陶瓷材料的電子部件包括電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻器、熱敏電阻器等。
[0005]在這些陶瓷電子部件中，多層陶瓷電容器(MLCC)具有諸如小型化、高電容和容易安裝的優(yōu)點。
[0006]多層陶瓷電容器是安裝在各種電子產(chǎn)品的電路板上的片形電容器以進(jìn)行充電或放電，電子產(chǎn)品諸如例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)等的顯示器裝置、計算機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA )、手機(jī)等。
[0007]多層陶瓷電容器可包括多個介電層、內(nèi)電極和外電極，其中內(nèi)電極面向彼此地布置且其間插入有介電層，外電極電連接至內(nèi)電極。
[0008]最近，隨著電子產(chǎn)品逐漸趨于小型化，電子產(chǎn)品中使用的多層陶瓷電容器需要微型化和超聞電容。
[0009]因此，雖然已經(jīng)可生產(chǎn)出這樣的陶瓷電容器，S卩，在這種陶瓷電容器中，介電層和內(nèi)電極的厚度較薄來實現(xiàn)產(chǎn)品的微型化并且增加了堆疊的介電層的數(shù)量來實現(xiàn)超高電容，但是僅僅使用這種構(gòu)造來增加產(chǎn)品的電容具有局限性。
[0010]多層陶瓷電容器具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，增加了內(nèi)電極的交迭(overlap，重疊)區(qū)域以便增加產(chǎn)品的電容，并且內(nèi)電極的引出部分暴露在陶瓷本體的相同表面(諸如陶瓷本體中的下表面)，從而允許電容器的下表面可被安裝。
[0011]然而，在使用其下表面作為安裝表面的多層陶瓷電容器的情況下，在內(nèi)電極的交迭區(qū)域中內(nèi)電極的暴露部分的長度相對較長，從而很可能短路。
[0012]下面的專利文獻(xiàn)I中公開了這樣的結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)電極的引出部分被暴露在基板的相同表面，但是該專利文獻(xiàn)中未公開引出部分與內(nèi)電極之間的連接部分具有傾斜表面的結(jié)構(gòu)。
[0013]下面的專利文獻(xiàn)2中公開了這樣的結(jié)構(gòu)，其中引出部分與內(nèi)電極之間的連接部分是傾斜的；然而，內(nèi)電極可替換地暴露在陶瓷本體的兩端。
[0014][相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)]
[0015](專利文獻(xiàn)I)第1998-289837號日本專利公開
[0016](專利文獻(xiàn)2)第2004-228514號日本專利公開
【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]本發(fā)明的一方面提供一種多層陶瓷電容器及其制造方法，其通過減小在內(nèi)電極的交迭區(qū)域中內(nèi)電極的暴露部分的長度而在增加電容的同時減小短路的可能性。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種多層陶瓷電容器，其包括:陶瓷本體，所陶瓷本體中堆疊有多個介電層；多個第一和第二內(nèi)電極,多個第一和第二內(nèi)電極交替地形成在多個介電層上，并且該多個第一和第二內(nèi)電極包括第一和第二本體部分以及第一和第二引出部分，第一和第二本體部分彼此交迭，第一和第二引出部分具有交迭區(qū)域且分別從第一和第二本體部分的一個表面延伸以暴露于陶瓷本體的一個表面；第一和第二外電極，形成在陶瓷本體的一個表面上且分別電連接至第一和第二引出部分；以及絕緣層，形成在陶瓷本體的一個表面上并且覆蓋第一和第二引出部分的暴露部分，其中，從第一和第二本體部分的端部延伸至第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的，并且當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體的中心到第一或第二引出部分的第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時，B/A在0.03至0.90的范圍內(nèi)(0.03 < B/A ≤ 0.90)。
[0019]第一和第二連接表面可以是平坦的傾斜表面。
[0020]第一和第二連接表面可以是向外凸出的表面。
[0021]本發(fā)明的另一個方面提供一種多層陶瓷電容器的制造方法，該方法包括:通過在第一陶瓷片上形成第一本體部分和第一引出部分而形成第一內(nèi)電極，第一引出部分從第一本體部分的一個表面延伸以暴露于第一陶瓷片的一個表面；通過在第二陶瓷片上形成第二引出部分和與第一本體部分交 迭的第二本體部分而形成第二內(nèi)電極，第二引出部分從第二本體部分的一個表面延伸以暴露于第二陶瓷片的一個表面并且具有與第一引出部分交迭的區(qū)域；通過交替地堆疊和燒結(jié)其上形成有第一和第二內(nèi)電極的多個第一和第二陶瓷片而形成陶瓷本體；在陶瓷本體的一個表面上形成第一和第二外電極以分別電連接至第一和第二引出部分；以及在陶瓷本體的一個表面上形成絕緣層，以便覆蓋第一和第二引出部分的暴露部分，其中，從第一和第二本體部分的端部延伸至第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的，并且當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體的中心到第一或第二引出部分的第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時，B/A 在 0.03 至 0.90 的范圍內(nèi)(0.03 ≤ B/A ≤ 0.90)。
[0022]絕緣層的形成可包括向陶瓷本體的一個表面施加陶瓷漿料以覆蓋第一和第二引出部分的整個暴露部分。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]可從下列結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征、和其他優(yōu)點，附圖中:
[0024]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的多層陶瓷電容器的透明立體圖；
[0025]圖2示出了圖1的多層陶瓷電容器在電容器安裝的方向上的透明立體圖；
[0026]圖3示出了圖1的多層陶瓷電容器的第一和第二內(nèi)電極的橫截面圖；
[0027]圖4示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一和第二外電極和絕緣層形成在圖3的第一和第二內(nèi)電極上；[0028]圖5示出了本發(fā)明的另一實施例的多層陶瓷電容器的第一和第二內(nèi)電極的橫截面圖；
[0029]圖6示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，S卩，在該結(jié)構(gòu)中，第一和第二外電極和絕緣層形成在在圖5的第一和第二內(nèi)電極上；以及
[0030]圖7示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，即，在該結(jié)構(gòu)中，圖5的第一和第二內(nèi)電極沿y方向堆疊。
【具體實施方式】
[0031 ] 下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
[0032]然而，本發(fā)明可以不同的形式實施，并且不應(yīng)該受本文所闡述的實施例限制。
[0033]相反，提供這些實施例是使得本公開透徹且完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地描述本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0034]在附圖中，為了清楚起見，可能放大了部件的形狀和尺寸，并且在全文中，相同的標(biāo)號可用來表不相同或相似的部件。
[0035]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的多層陶瓷電容器的透明立體圖；圖2示出了圖1的多層陶瓷電容器在電容器安裝的方向上的透明立體圖；圖3示出了圖1的多層陶瓷電容器的第一和第二內(nèi)電極的橫截面圖；并且圖4示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一和第二外電極和絕緣層形成在圖3的第一和第二內(nèi)電極上。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的實施例，χ方向是指第一和第二外電極131和132形成的方向，其中第一和第二外電極之間具有預(yù)定的間隔，y方向是指第一和第二內(nèi)電極121和122堆疊的方向，其中第一和第二內(nèi)電極之間插入有介電層111，并且z方向是指陶瓷本體110的寬度的方向，其中在陶瓷本體中，第一和第二內(nèi)電極121和122的第一和第二引出部分121a和122a被暴露。
[0037]參考圖1至4，根據(jù)本發(fā)明的實施例的多層陶瓷電容器100可包括陶瓷本體110、形成在陶瓷本體Iio中的第一和第二內(nèi)電極121和122、以及形成在陶瓷本體110的一個表面上的第一和第二外電極131和132和絕緣層140。
[0038]根據(jù)本實施例，陶瓷本體110可具有面向彼此的第一和第二表面I和2、以及使第一和第二表面I和2彼此連接的第三至第六表面3至6。根據(jù)本發(fā)明的實施例，陶瓷本體110的第一表面可設(shè)置在電路板的安裝區(qū)域上的安裝表面。
[0039]陶瓷本體110的形狀沒有特別的限制，但是其可以是具有所示的第一至第六表面I至6的平行六面體形狀。而且，陶瓷本體110的尺寸沒有特別的限制。例如，陶瓷本體110的尺寸可以為1.0_X0.5_，從而構(gòu)造具有高電容的多層陶瓷電容器。
[0040]陶瓷本體110可通過堆疊多個介電層111、并且然后燒結(jié)所堆疊的介電層111而形成。在這里，構(gòu)造陶瓷本體110的多個介電層111處于燒結(jié)狀態(tài)并且形成整體，使得多個介電層之間的邊界可能不能清楚地辯別。
[0041]介電層111可通過燒結(jié)包括陶瓷粉末、有機(jī)溶劑和有機(jī)粘接劑的陶瓷生片形成。作為具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，可使用基于鈦酸鋇(BaTi03)的材料、基于鈦酸鍶(SrTi03)的材料等。然而，陶瓷粉末不限于此。
[0042]在第一和第二內(nèi)電極121和122可形成在形成介電層111的陶瓷生片上且交替地堆疊之后，第一和第二內(nèi)電極121和122可設(shè)置成在陶瓷本體110中沿y方向面向彼此，并且第一和第二內(nèi)電極之間插入有一個介電層111。
[0043]第一和第二內(nèi)電極121和122可通過設(shè)置于第一和第二內(nèi)電極之間的介電層111而彼此電絕緣。根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一和第二內(nèi)電極121和122可相對于多層陶瓷電容器的安裝表面(即第一表面I)垂直地設(shè)置。
[0044]第一和第二內(nèi)電極121和122可通過在介電層111的至少一個表面上印刷包含導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膏形成。在這種情況下，導(dǎo)電金屬可以是N1、Cu、Pd或它們的合金，但是不限于此。另外，作為印刷導(dǎo)電膏的方法，可使用絲網(wǎng)印刷方法、凹版印刷方法，但是本發(fā)明不限于此。
[0045]在本實施例中，第一和第二內(nèi)電極121和122可具有在y方向上彼此交迭的第一和第二本體部分、以及從第一和第二本體部分延伸至陶瓷本體的第一表面I以暴露于第一表面I的第一和第二引出部分121a和122a。
[0046]在這種情況下，第一和第二引出部分121a和122a可具有交迭區(qū)域。第一和第二引出部分121a和122a的暴露部分接觸形成在陶瓷本體110的第一表面I上的第一和第二外電極131和132，以分別電連接第一和第二外電極131和132。
[0047]在根據(jù)本實施例的介電層111中，在與第一引出部分121a的一個端部和第二引出部分122a的另一個端部鄰近的位置中沿寬度的方向設(shè)置有彼此不交迭的第一和第二邊緣部。
[0048]在已有多層陶瓷電容器(其下表面被安裝)的情況下，邊緣部的在寬度方向上的形狀是直角槽。然而，在本實施例中，分別從第一和第二本體部分的端部延伸至第一和第二引出部分121a和122a的端部的第一和第二連接表面可以是傾斜的，并且介電層111的第一和第二邊緣部的對應(yīng)于第一和第二連接表面的表面可以是傾斜的。
[0049]如上所述，由于第一和第二連接表面是傾斜的，所以相比于相關(guān)技術(shù)來說增加的交迭區(qū)域Al大于減小的交迭區(qū)域A2，從而使得可增加電容。另外，第一和第二傾斜的連接表面可允許z方向上的邊緣部減小，從而使得介電層111的臺階部可減小，由此可減小產(chǎn)生裂縫的可能性。
[0050]在本實施例中，第一和第二連接表面可以是傾斜表面。
[0051]在這種情況下，當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極121或122的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體Iio的中心到第一或第二引出部分121a或122a的第一或第二連接表面起始處的點的長度定義為B時，B/A可在0.03到0.90的范圍內(nèi)(0.03≤B/A ≤ 0.90)，并且在該范圍內(nèi)可顯著降低發(fā)生短路的可能性。
[0052]相比于根據(jù)相關(guān)技術(shù)的電容器，通過將第一和第二引出部分121a和122a的第一和第二連接表面的起始點移至陶瓷本體的中心，該數(shù)值限制旨在在增加電容的同時減小短路的發(fā)生率。
[0053]在8/^小于0.03的情況下，可能不能適當(dāng)?shù)乇ＷC第一和第二引出部分121a和122a之間的空間，使得減小短路的發(fā)生率的效果可能不明顯。在B/A大于0.9的情況下，可明顯地減小引出部分與外電極的接觸面積，從而使得可發(fā)生接觸缺陷和電容分布的問題。
[0054]另外，因為由第一和第二連接表面所增加的交迭區(qū)域可大于所減小的交迭區(qū)域，所以可增加電容。另外，可減小在z方向上的邊緣部，從而使得介電層111的臺階部可減小，由此降低產(chǎn)生裂縫的可能性。
[0055]第一和第二外電極131和132可接觸第一和第二引出部分121a和122a，以分別電連接第一和第二引出部分21a和122a。第一外電極131可連接至第一引出部分121a的未與第二引出部分122a交迭的區(qū)域，并且第二外電極132可連接至第二引出部分122a的未與第一引出部分121a交迭的區(qū)域。
[0056]在圖4的右圖中，第一內(nèi)電極121的第一邊緣部與第二內(nèi)電極122的第二引出部分122a之間的交迭區(qū)域由虛線表示。
[0057]絕緣層140可形成位于陶瓷本體110的第一表面I上的第一和第二外電極131和132之間。絕緣層140可形成為覆蓋第一和第二引出部分121a和122a的暴露于陶瓷本體110的第一表面I的暴露部分，并且如果需要，絕緣層140可形成為覆蓋第一和第二引出部分121a和122a之間的整個交迭區(qū)域。
[0058]另外，絕緣層140可形成為完全充滿陶瓷本體140的位于第一與第二外電極131和132之間的第一表面。然而，本發(fā)明不限于此。絕緣層140可僅覆蓋第一和第二引出部分121a和122a之間的交迭區(qū)域，以便以預(yù)定間隔與第一和第二外電極131和132隔開。 [0059]如上所述地形成的絕緣層140可用來阻止第一和第二內(nèi)電極121和122與第一和第二外電極131和132之間的短路，并且用來防止諸如防潮性能的退化等的內(nèi)部缺陷。
[0060]圖5不出了本發(fā)明的另一實施例的多層陶瓷電容器的第一和第二內(nèi)電極的橫截面圖；圖6示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，即，在該結(jié)構(gòu)中，第一和第二外電極和絕緣層形成在在圖5的第一和第二內(nèi)電極上；并且圖7示出了這樣的結(jié)構(gòu)的橫截面圖，即，在該結(jié)構(gòu)中，圖5的第一和第二內(nèi)電極沿y方向堆疊。下面，將主要描述與上述實施例中的部件不同的部件，并且將省略對相同部件的詳細(xì)描述。
[0061]參考圖5至7，在本發(fā)明的多層陶瓷電容器中，從第一和第二內(nèi)電極121和122的第一和第二本體部分的端部延伸至第一和第二引出部分121a和122a的端部的第一和第二連接表面可以被彎曲成是向外凸出的。
[0062]在這種情況下，當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極121或122的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體Iio的中心到第一或第二引出部分121a或122a的第一或第二連接表面起始處的點的長度定義為B時，B/A可在0.03到0.90之間的范圍內(nèi)(0.03≤B/A ≤ 0.90),并且在該范圍內(nèi)可顯著降低短路的發(fā)生。
[0063]在8/^小于0.03的情況下，可能不能適當(dāng)?shù)乇ＷC第一和第二引出部分121a和122a之間的空間，使得減小短路的發(fā)生率的效果可能不明顯，并且在B/A大于0.9的情況下，可明顯地減小引出部分與外電極的接觸面積，從而使得可發(fā)生接觸缺陷和電容分布的問題。
[0064]另外，因為由第一和第二連接表面所增加的交迭區(qū)域C可大于所減小的交迭區(qū)域D，所以可增加電容。另外，可減小在z方向上的邊緣部，從而使得介電層111的臺階部可減小，由此降低產(chǎn)生裂縫的可能性。
[0065]下文中，將描述制造根據(jù)本發(fā)明的實施例的多層陶瓷電容器的方法。
[0066]首先，可準(zhǔn)備多個第一和第二陶瓷片。
[0067]通過混合陶瓷粉末、聚合物和溶劑以制備漿料以及通過刮涂(doctorblade)法將所制備的漿料制造成具有幾個μ m的厚度的片，可制造用于形成陶瓷本體110的介電層111的第一和第二陶瓷片。
[0068]陶瓷粉末可包括基于鈦酸鋇(BaTiO3)的材料。然而，本發(fā)明不限于此。例如，陶瓷粉末可包括(BahCax) TiO3、Ba(TihCay)Oy (Ba1^xCax) (TihZry)Oy或 Ba (TifyZry)O3,其中BaTiO3通常與Ca、Zr等共同使用。
[0069]可通過籃式磨砂機(jī)(basket mi 11)將陶瓷添加劑、有機(jī)溶劑、塑化劑、粘結(jié)劑、和分散劑與陶瓷粉末進(jìn)行混合來制備漿料。
[0070]接下來，可在第一和第二陶瓷片的至少一個表面上以預(yù)定厚度印刷導(dǎo)電膏來形成第一和第二內(nèi)電極121和122。
[0071]第一內(nèi)電極121可形成為具有第一本體部分和第一引出部分121a，第一引出部分從第一本體部分的一個表面延伸且暴露于第一陶瓷片的一個表面。在這種情況下，第一引出部分121a的一個角部可設(shè)置有第一邊緣部。
[0072]第二內(nèi)電極122可形成為具有第二本體部分和第二引出部分122a，第二本體部分在y方向上與第一本體部分交迭，和第二引出部分從第二本體部分的一個表面延伸且暴露于第二陶瓷片的一個表面。在這種情況下，第二引出部分122a的另一角部可設(shè)置有不與第一邊緣部交迭的第二邊緣部。
[0073]作為印刷導(dǎo)電膏的方法，可使用絲網(wǎng)印刷方法、凹版印刷方法等，并且導(dǎo)電膏可包括金屬粉末、陶瓷粉末、二氧化硅(SiO2)粉末等。
[0074]在這里，分別從第一和第二本體部分的端部和第一和第二引出部分121a和122a的端部延伸的第一和第二連接表面可以形成為傾斜的。例如，第一和第二連接表面可以是平坦的傾斜表面或者向外凸出的表面，但是本發(fā)明不限于此。
[0075]在這種情況下，當(dāng)?shù)谝换虻诙?nèi)電極121或122的長度的一半定義為A、并且從陶瓷本體Iio的中心到第一或第二連接表面起始處的點的長度定義為B時，B/A可在0.03到
0.90 的范圍內(nèi)(O.03≤B/A ≤ 0.90)。
[0076]然后，包括形成于其上的第一和第二內(nèi)電極121和122的多個第一和第二陶瓷片可被交替地堆疊并且在堆疊的方向上被按壓，從而所堆疊的第一和第二陶瓷片和第一和第二內(nèi)電極121和122被壓縮。通過上述過程，可形成堆疊體，在該堆疊體中可交替地堆疊有多個介電層111和多個第一和第二內(nèi)電極121和122。
[0077]接下來，可根據(jù)與每個電容器對應(yīng)的區(qū)域切割堆疊體以形成芯片，并且在高溫下對芯片進(jìn)行塑化和燒結(jié)，然后燒結(jié)后的芯片拋光。通過這種方式，獲得了具有第一和第二內(nèi)電極1212和122的陶瓷本體110。
[0078]然后，在陶瓷本體110的第一表面I上形成第一和第二外電極131和132，以與第一和第二引出部分121a和122a的暴露部分接觸，使得第一和第二外電極131和132可分別電連接至第一和第二引出部分。
[0079]第一外電極131可形成為在陶瓷本體110的第一表面I的一區(qū)域(在該區(qū)域中，第一引出部分121a在陶瓷本體110的厚度方向上不與第二引出部分122a交迭)中為豎直地細(xì)長的。第二外電極132可形成為在陶瓷本體110的第一表面I的一區(qū)域(在該區(qū)域中，第二引出部分122a在陶瓷本體110的厚度方向上不與第一引出部分121a交迭)中為豎直地細(xì)長的。
[0080]在上述構(gòu)造中，當(dāng)安裝在基板等上時，陶瓷本體110的第一表面I可以是安裝表面。
[0081]接下來，可通過施加陶瓷漿料以覆蓋第一和第二引出部分121a和122a暴露于陶瓷本體110第一表面I的部分而形成絕緣層140。作為施加漿料的方法，例如可使用噴射法、使用輥的方法等，但本發(fā)明不限于此。
[0082]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電容器中，可減小第一和第二引出部分的交迭區(qū)域中所述第一和第二引出部分的暴露部分的長度，以減小短路的可能性并增加電容，從而可提高多層陶瓷電容器的可靠性。
[0083]盡管結(jié)合實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可在不背離權(quán)利要求所定義的基本精神和范圍的情況下做出各種修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種多層陶瓷電容器，包括: 陶瓷本體,所陶瓷本體中堆疊有多個介電層； 多個第一和第二內(nèi)電極，所述多個第一和第二內(nèi)電極交替地形成在所述多個介電層上，并且所述多個第一和第二內(nèi)電極包括第一和第二本體部分以及第一和第二引出部分，所述第一和第二本體部分彼此交迭，所述第一和第二引出部分具有交迭區(qū)域且分別從所述第一和第二本體部分的一個表面延伸以暴露于所述陶瓷本體的一個表面； 第一和第二外電極，形成在所述陶瓷本體的一個表面上且分別電連接至所述第一和第二引出部分；以及 絕緣層，形成在所述陶瓷本體的一個表面上并且覆蓋所述第一和第二引出部分的暴露部分， 其中，從所述第一和第二本體部分的端部延伸至所述第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的，并且 當(dāng)所述第一或第二內(nèi)電極的長度的一半定義為A、并且從所述陶瓷本體的中心到所述第一或第二引出部分的所述第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時，B/A在0.03至0.90的范圍內(nèi)(0.03≤B/A≤0.90)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一和第二連接表面是平坦的傾斜表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一和第二連接表面是向外凸出的表面。
4.一種制造多層陶瓷電容器的方法，所述方法包括: 通過在第一陶瓷片上形成第一本體部分和第一引出部分而形成第一內(nèi)電極，所述第一引出部分從所述第一本體部分的一個表面延伸以暴露于所述第一陶瓷片的一個表面； 通過在第二陶瓷片上形成第二引出部分和與所述第一本體部分交迭的第二本體部分而形成第二內(nèi)電極，所述第二引出部分從所述第二本體部分的一個表面延伸以暴露于所述第二陶瓷片的一個表面并且具有與所述第一引出部分交迭的區(qū)域； 通過交替地堆疊和燒結(jié)其上形成有所述第一和第二內(nèi)電極的所述多個第一和第二陶瓷片而形成陶瓷本體； 在所述陶瓷本體的一個表面上形成第一和第二外電極以分別電連接至所述第一和第二引出部分；以及 在所述陶瓷本體的一個表面上形成絕緣層，以便覆蓋所述第一和第二引出部分的暴露部分， 其中，從所述第一和第二本體部分的端部延伸至所述第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的，并且 當(dāng)所述第一或第二內(nèi)電極的長度的一半定義為A、并且從所述陶瓷本體的中心到所述第一或第二引出部分的所述第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時，B/A在0.03至0.90的范圍內(nèi)(0.03≤B/A≤0.90)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述第一和第二內(nèi)電極的形成中，所述第一和第二連接表面是平坦的傾斜表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述第一和第二內(nèi)電極的形成中，所述第一和第二連接表面是向外凸出的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述絕緣層的形成包括向所述陶瓷本體的一個表面施加陶瓷漿料以覆蓋所述第一`和第二引出部分的整個暴露部分。
【文檔編號】H01G4/30GK103871742SQ201310058926
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月11日
【發(fā)明者】尹炳權(quán), 金亨俊, 崔才烈 申請人:三星電機(jī)株式會社