半導(dǎo)體封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括：引線框架，引線框架的一個表面上安裝有電子組件；散熱基底，設(shè)置在引線框架下方；絕緣構(gòu)件，設(shè)置在電子組件上方，以使得電子組件彼此電連接；導(dǎo)電構(gòu)件，設(shè)置在絕緣構(gòu)件和引線框架之間并且將電子組件電連接到引線框架；成型部分，封閉地密封絕緣構(gòu)件和散熱基底。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件
[0001]本申請要求于2012年10月30日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0121315號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開通過引用被包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，更具體地說，涉及一種增強了電子組件之間的電連接可靠性以及電子組件與引線框架之間的電連接可靠性的半導(dǎo)體封裝件。
【背景技術(shù)】
[0003]半導(dǎo)體封裝件包括引線框架、安裝在引線框架上的功率半導(dǎo)體元件以及利用樹脂等對相應(yīng)元件的外部成型的成型部分。
[0004]通常，安裝在引線框架上的功率半導(dǎo)體元件通過引線電連接到引線框架，相應(yīng)元件還通過引線彼此電連接。
[0005]然而，當(dāng)安裝的功率半導(dǎo)體元件的數(shù)量增加時，用于電連接相應(yīng)元件的引線的數(shù)量也增加，從而引線的工藝會復(fù)雜化，同時還由于在引線結(jié)合工藝期間的焊接而產(chǎn)生熱，由于所述熱可能引起引線變形并且引線可能由于外部沖擊等斷開。
[0006]此外，當(dāng)元件通過引線連接時，由于引線具有彎曲的形狀，因此不能通過元件之間的顯著減小的距離將元件彼此連接，從而增大了感應(yīng)。
[0007]下面提到的相關(guān)技術(shù)文件公開了一種通過引線結(jié)合將半導(dǎo)體芯片和引線框架電連接的塑性封裝件。
[0008][相關(guān)技術(shù)文件]
[0009]第1999-0081575號韓國專利特開公布

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的一方面提供了一種半導(dǎo)體封裝件，其中，電子組件通過電子組件之間的顯著減小的距離彼此電連接，防止由于焊接工藝導(dǎo)致的引線的斷開或者引線的熱變形，并且簡化了制造工藝，使得半導(dǎo)體封裝件的尺寸減小。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括:引線框架，引線框架的一個表面上安裝有電子組件；散熱基底，設(shè)置在引線框架下方；絕緣構(gòu)件，設(shè)置在電子組件上方，以使得電子組件彼此電連接；導(dǎo)電構(gòu)件，設(shè)置在絕緣構(gòu)件和引線框架之間并且將電子組件電連接到引線框架；成型部分，封閉地密封絕緣構(gòu)件和散熱基底。
[0012]引線框架的一個表面上可以形成有突起，電子組件可以設(shè)置在所述突起上。
[0013]引線框架的一個表面中可以形成有凹進，電子組件可以設(shè)置在所述凹進中。
[0014]多個電子組件可以設(shè)置在引線框架的一個表面上，電子組件的上表面可以線性地設(shè)置。
[0015]絕緣構(gòu)件和電子組件可以通過使用導(dǎo)電材料而接合。
[0016]所述半導(dǎo)體封裝件還可以包括第一熱沉，所述第一熱沉附著到散熱基底的下側(cè)。[0017]所述半導(dǎo)體封裝件還可以包括第二熱沉，所述第二熱沉附著到絕緣構(gòu)件的上側(cè)。
[0018]成型部分可以由從硅凝膠、環(huán)氧樹脂塑封料化合物(EMC)和聚酰亞胺中選擇的任意一種形成。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括:引線框架，引線框架的一個表面上安裝有多個電子組件；散熱基底，設(shè)置在引線框架下方；散熱構(gòu)件，電接合到多個電子組件，散熱構(gòu)件的一個表面上形成有導(dǎo)電層；導(dǎo)電構(gòu)件，設(shè)置在散熱構(gòu)件和引線框架之間并且將電子組件和引線框架電連接；成型部分，封閉地密封散熱構(gòu)件和散熱基底，其中，多個電子組件的上表面線性地設(shè)置。
[0020]引線框架可以包括設(shè)置在引線框架的一個表面上的突起和凹進。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特點及其它優(yōu)點將會被更加清楚地理解，在附圖中:
[0022]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的突起和凹進形成在引線框架上及引線框架中的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；
[0023]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電子組件安裝在引線框架上的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；
[0024]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的絕緣構(gòu)件設(shè)置在電子組件上部的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；
[0025]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖；
[0026]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的連接到外部基底的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；
[0027]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的連接到外部基底的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0028]下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)該被解釋為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得該公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的范圍充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0029]在附圖中，為了清楚起見，可能會夸大元件的形狀和尺寸，并且將始終使用相同的標(biāo)號指示相同或相似的元件。
[0030]開始，將限定關(guān)于方向的術(shù)語。外徑方向或內(nèi)徑方向可以是從成型部分160的中央朝向成型部分160的外邊緣的方向，反之亦然，術(shù)語向上和向下可以是從散熱基底130朝向絕緣構(gòu)件140的方向，反之亦然。
[0031]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的突起和凹進形成在引線框架上及引線框架中的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖，圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電子組件安裝在引線框架上的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0032]另外，圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的絕緣構(gòu)件設(shè)置在電子組件上部的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖，圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖。
[0033]另外，圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的連接到外部基底的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0034]參照圖1到圖5，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100可以包括電子組件110、引線框架120、散熱基底130、絕緣構(gòu)件140、導(dǎo)電構(gòu)件150和成型部分160。
[0035]電子組件110可以包括諸如無源元件或者有源元件的各種電子元件。任意的電子元件可以用作電子組件110，只要它們可以安裝在引線框架120上或者安裝在引線框架120內(nèi)即可。
[0036]S卩，根據(jù)本發(fā)明實施例的電子組件110可以包括諸如半導(dǎo)體芯片的至少一種有源元件以及各種無源元件。
[0037]同時，如圖4所示，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100中，電子組件110和引線框架120通過利用絕緣構(gòu)件140彼此電連接，即，通過形成在絕緣構(gòu)件140的一個表面上的導(dǎo)電層142彼此電連接，而不是通過結(jié)合引線彼此電連接。
[0038]稍后將對此進行詳細描述。
[0039]引線框架120包括多個引線，并且在這種情況下，相應(yīng)的引線可以包括連接到外部基底190的外引線124和連接到電子組件110的內(nèi)引線122。
[0040]S卩，外引線124可以指的是暴露到成型部分160外部的部分，內(nèi)引線122可以指的是暴露在成型部分160內(nèi)的部分。
[0041]這里，外引線124沿徑向方向突出到成型部分160的外部，并且可以在其一端處彎曲為向上延伸。
[0042]電子組件110可以安裝在內(nèi)引線122的一個表面上，電子組件110可以通過利用絕緣構(gòu)件140電連接到引線框架120，即，通過設(shè)置在絕緣構(gòu)件和引線框架之間的導(dǎo)電構(gòu)件電連接到引線框架120。
[0043]允許電子組件110被安裝在其上的安裝電極或者電連接安裝電極的電路圖案(未示出)可以形成在引線框架120的上表面上。
[0044]另外，突起122a和凹進122b可以設(shè)置在引線框架120的上表面上。
[0045]突起122a可以通過使弓I線框架120的上表面的至少一部分向上突出而形成，突起122a的上表面可以具有平坦的表面。
[0046]凹進122b可以通過使引線框架120的上表面的至少一部分凹進而形成，在這種情況下，凹進122b可以通過機械加工、化學(xué)蝕刻工藝或者化學(xué)沉積形成。
[0047]然而，本發(fā)明不限于此，并且可以在引線框架120的上表面中形成任意凹形的形狀。
[0048]這里，電子組件110可以安裝在突起122a或者凹進122b上，并且根據(jù)安裝的電子組件110的尺寸和形狀可以形成突起122a和凹進122b中的任意一個。
[0049]電子組件110可以安裝在引線框架120的上表面上。詳細地說，電子組件110可以安裝在引線框架120的上表面的突起122a和凹進122b上，但是本發(fā)明不必須限制于此，從而電子組件110可以安裝在引線框架120的其上沒有形成突起122a和凹進122b的上表面上。
[0050]電子組件110根據(jù)其類型可以具有各種尺寸和形狀。因此，相對大的電子組件113可以設(shè)置在凹進122b中，相對小的電子組件112可以設(shè)置在突起122a上，中間尺寸的電子組件111可以設(shè)置在引線框架120的其上沒有形成突起122a和凹進122b的上表面上。[0051]因此，電子組件110可以安裝成使得電子組件110的上表面被設(shè)置為距離引線框架120的上表面具有相同的距離。
[0052]S卩，多個電子組件110可以安裝在引線框架120的上表面上，在這種情況下，電子組件可以根據(jù)其尺寸適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在內(nèi)引線122上，由此可以將電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120的上表面具有相同的距離。
[0053]在這種情況下，由于電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120具有相同的距離，因此電子組件110的上表面可以線性地設(shè)置。
[0054]這里，形成在引線框架120的上表面上的突起122a和凹進122b根據(jù)電子組件110的尺寸可以形成為具有合適的尺寸，從而電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120具有相同的距離。
[0055]絕緣構(gòu)件140可以設(shè)置在電子組件110的上方，并且絕緣構(gòu)件140可以將電子組件110彼此電連接。
[0056]由于電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120具有相同的距離，因此絕緣構(gòu)件140可以設(shè)置成平行于引線框架120。
[0057]導(dǎo)電層142可以形成在絕緣構(gòu)件140的一個表面上并且通過導(dǎo)電材料接合到電子組件110，從而電子組件110可以彼此電連接。
[0058]導(dǎo)電構(gòu)件150可以設(shè)置在絕緣構(gòu)件140和引線框架120之間，并且可以將電子組件110電連接到引線框架120。
[0059]S卩，導(dǎo)電構(gòu)件150的一側(cè)連接到引線框架120，導(dǎo)電構(gòu)件150的另一側(cè)可以連接到形成在絕緣構(gòu)件140上的導(dǎo)電層142。
[0060]因此，電子組件110和引線框架120可以通過形成在絕緣構(gòu)件140上的導(dǎo)電層142以及導(dǎo)電構(gòu)件150而電連接到彼此。
[0061]在相關(guān)技術(shù)中，電子組件通過結(jié)合引線電連接到引線框架。相比之下，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100中，電子組件110和引線框架120之間的電連接通過形成在絕緣構(gòu)件140上的導(dǎo)電層142以及導(dǎo)電構(gòu)件150來實施，而不利用結(jié)合引線來實施。
[0062]當(dāng)電子組件110通過結(jié)合引線連接到引線框架時，由于焊接工藝會產(chǎn)生熱，引線會因此而斷開。然而，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100中，由于不使用結(jié)合引線，因此可以防止上述問題。
[0063]S卩，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100中，電子組件110通過形成在絕緣構(gòu)件140上的導(dǎo)電層142而彼此電連接，電子組件110通過導(dǎo)電層142和導(dǎo)電構(gòu)件150而電連接到引線框架120，因此不需要考慮引線變形和引線斷開，并且電接合的可靠性會增強。
[0064]另外，由于電子組件110通過導(dǎo)電層142彼此電連接，因此電子組件110可以利用電子組件110之間的顯著減小的距離而彼此連接。
[0065]另外，由于未使用引線，因此不需要引線結(jié)合工藝，簡化了制造工藝，并且由于通過突起122a和凹進122b將電子組件110的上表面調(diào)整為被設(shè)置為距離引線框架120的上表面具有相同的距離，因此半導(dǎo)體封裝件100會是緊湊的。
[0066]散熱基底130可以設(shè)置在引線框架120之下，以有效地發(fā)散由根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100產(chǎn)生的熱。
[0067]在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100中，絕緣構(gòu)件140設(shè)置在引線框架120的上方，散熱基底130設(shè)置在引線框架120的下方，因此引線框架120可以由絕緣構(gòu)件140和散熱構(gòu)件130支撐。
[0068]因此，可以防止半導(dǎo)體封裝件由外部沖擊等導(dǎo)致的扭曲或變形。
[0069]散熱基底130由具有優(yōu)異導(dǎo)熱率的金屬形成，以增強半導(dǎo)體封裝件100的散熱特性。
[0070]散熱基底130的一個表面可以面對引線框架120的下表面，散熱基底130的另一個表面可以與第一熱沉170的一個表面接觸。
[0071]在半導(dǎo)體封裝件使用高電壓的情況下，產(chǎn)生相對大量的熱，因此另外的熱沉應(yīng)該附著到散熱基底130。
[0072]與散熱基底130類似，第一熱沉170可以由具有相對高的導(dǎo)熱率的金屬形成，并且第一熱沉170的表面面積可以比散熱基底130的表面面積大。
[0073]同時，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100還可以包括第二熱沉180，第二熱沉180可以附著到絕緣構(gòu)件140的上表面。
[0074]與第一熱沉170和散熱基底130類似，第二熱沉180可以由具有高的導(dǎo)熱率的金屬形成，并且第二熱沉180的表面面積可以比絕緣構(gòu)件140的表面面積大。
[0075]在這種情況下，由于使用了兩個熱沉，因此可以實現(xiàn)高效的散熱效果。
[0076]成型部分160填充在絕緣構(gòu)件140和散熱基底130之間，以防止電子組件110之間的電短路，由于成型部分160以包圍電子組件110不受外部影響的形式固定，因此成型部分160可以穩(wěn)定地保護電子組件110不受外部沖擊。
[0077]成型部分160可以形成為封閉地密封且覆蓋電子組件110和引線框架120的內(nèi)引線122 (電子組件110連接到內(nèi)引線122)，因此保護電子組件110不受外部環(huán)境影響。
[0078]另外，由于成型部分160通過包圍電子組件110不受外部影響而固定電子組件110，因此成型部分160保護電子組件110不受外部沖擊。
[0079]這里，成型部分160可以形成為使得散熱基底130的另一表面暴露到外部。
[0080]成型部分160可以通過模制來形成，在這種情況下，可以使用具有高導(dǎo)熱率的硅凝膠、環(huán)氧樹脂塑封料化合物(epoxy mold compound, EMC)、聚酰亞胺等作為成型部分160的材料。
[0081]然而，本發(fā)明不限于此，可以使用各種方法來形成成型部分160。S卩，成型部分160可以通過壓縮處于半硬化狀態(tài)的樹脂來形成。
[0082]由于第一熱沉170由具有優(yōu)異的導(dǎo)熱率的金屬形成，因此在電子組件110在相對高的電壓下操作的情況下，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件100的外引線124和第一熱沉170之間可能發(fā)生電短路。
[0083]因此，為了防止外引線124和第一熱沉170之間的電短路，應(yīng)該確保其間的適當(dāng)?shù)?br> 隔離距離。
[0084]這里，成型部分160可以覆蓋絕緣構(gòu)件140和散熱基底130的外表面，并且成型部分160在絕緣構(gòu)件140和散熱基底130的外側(cè)處可以具有傾斜的表面。
[0085]利用諸如成型部分160的形狀的這種形狀，外引線124和第一熱沉170之間的爬電距離可以增加。
[0086]通過增加爬電距離，可以防止外引線124和第一熱沉170之間的電短路。[0087]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的連接到外部基底的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
[0088]參照圖6，除了散熱構(gòu)件，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體封裝件200與上面參照圖1描述的半導(dǎo)體封裝件100相同。
[0089]電子組件110可以安裝在引線框架120的上表面上。詳細地說，電子組件110可以安裝在內(nèi)引線122的一個表面上。
[0090]這里，引線框架120的上表面可以包括突起122a和凹進122b，電子組件110可以設(shè)置在突起122a和凹進122b中。
[0091]電子組件110根據(jù)其類型可以具有各種尺寸和形狀。因此，相對大的電子組件113可以設(shè)置在凹進122b中，相對小的電子組件112可以設(shè)置在突起122a上，中間尺寸的電子組件111可以設(shè)置在引線框架120的其上沒有形成突起122a和凹進122b的上表面上。
[0092]因此，電子組件110可以安裝成使得電子組件110的上表面被設(shè)置為距離引線框架120的上表面具有相同的距離。
[0093]S卩，多個電子組件110可以安裝在引線框架120的上表面上，在這種情況下，電子組件可以根據(jù)其尺寸適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在內(nèi)引線122上，由此可以將電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120的上表面具有相同的距離。
[0094]在這種情況下，由于電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120具有相同的距離，因此電子組件110的上表面可以線性地設(shè)置。
[0095]這里，形成在引線框架120的上表面上的突起122a和凹進122b可以根據(jù)電子組件110的尺寸形成為具有合適的尺寸，從而電子組件110的上表面設(shè)置為距離弓I線框架120具有相同的距離。
[0096]散熱構(gòu)件140’可以設(shè)置在電子組件110的上方，并且散熱構(gòu)件140’可以將電子組件110彼此電連接。
[0097]導(dǎo)電層142可以形成在散熱構(gòu)件140’的一個表面上，電子組件110可以通過使用導(dǎo)電材料接合到導(dǎo)電層142，因此，電子組件110可以通過導(dǎo)電層142彼此電連接。
[0098]由于電子組件110的上表面設(shè)置為距離引線框架120具有相同的距離，因此散熱構(gòu)件140’可以設(shè)置成平行于引線框架120。
[0099]在根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體封裝件200中，由于散熱構(gòu)件140’設(shè)置在電子組件110上方，因此在引線框架120的上方和下方可以獲得散熱效果，提高了熱發(fā)射效果。
[0100]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體封裝件的情況下，電子組件或者電子組件與引線框架可以在不使用引線的情況下彼此電連接。
[0101]另外，電子組件或者電子組件與引線框架可以利用它們之間的顯著減小的距離彼此電連接。
[0102]另外，由于未使用引線，因此可以防止由于焊接工藝導(dǎo)致引線斷開或者引線熱變形，并且可以簡化制造工藝。
[0103]另外，可以減小半導(dǎo)體封裝件的尺寸，可以降低材料成本。
[0104]雖然已經(jīng)結(jié)合實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進行修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括: 引線框架，引線框架的一個表面上安裝有電子組件； 散熱基底，設(shè)置在引線框架下方； 絕緣構(gòu)件，設(shè)置在電子組件上方，以使得電子組件彼此電連接； 導(dǎo)電構(gòu)件，設(shè)置在絕緣構(gòu)件和引線框架之間并且將電子組件電連接到引線框架； 成型部分，封閉地密封絕緣構(gòu)件和散熱基底。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，引線框架的一個表面上形成有突起，電子組件設(shè)置在所述突起上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，引線框架的一個表面中形成有凹進，電子組件設(shè)置在所述凹進中。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，多個電子組件設(shè)置在引線框架的一個表面上，電子組件的上表面線性地設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，多個電子組件設(shè)置在引線框架的一個表面上，電子組件的上表面線性地設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，絕緣構(gòu)件和電子組件通過使用導(dǎo)電材料接合。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括第一熱沉，所述第一熱沉附著到散熱基底的下側(cè)。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括第二熱沉，所述第二熱沉附著到絕緣構(gòu)件的上側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，成型部分由從硅凝膠、環(huán)氧樹脂塑封料化合物和聚酰亞胺中選擇的任意一種形成。
10.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括: 引線框架，引線框架的一個表面上安裝有多個電子組件； 散熱基底，設(shè)置在引線框架下方； 散熱構(gòu)件，電接合到多個電子組件，散熱構(gòu)件的一個表面上形成有導(dǎo)電層； 導(dǎo)電構(gòu)件，設(shè)置在散熱構(gòu)件和引線框架之間并且將電子組件和引線框架電連接； 成型部分，封閉地密封散熱構(gòu)件和散熱基底， 多個電子組件的上表面線性地設(shè)置。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，引線框架包括設(shè)置在引線框架的一個表面上的突起和凹進。
【文檔編號】H01L23/538GK103794594SQ201310058833
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】林栽賢, 洪昌燮, 郭煐熏, 孫瑩豪 申請人:三星電機株式會社