技術(shù)特征：
1.一種用于防止在晶片倒角上形成金屬硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包圍中央?yún)^(qū)域，所述方法包括：將所述晶片放置在倒角等離子體處理室中；在所述晶片倒角上沉積保護(hù)層；將所述晶片從所述倒角等離子體處理室中移除；在所述晶片的所述中央?yún)^(qū)域的至少一部分之上沉積金屬層，其中，所述金屬層的一部分被沉積在所述保護(hù)層之上；以及形成半導(dǎo)體器件，同時(shí)防止在所述晶片倒角上形成金屬硅化物,其中，所述在所述晶片倒角上沉積所述保護(hù)層包括：提供含有硅烷氣體和氧氣的沉積氣體；使所述沉積氣體形成等離子體，其中，所述等離子體被限制僅在所述晶片倒角區(qū)域；僅在所述晶片倒角上沉積二氧化硅，其中，所述硅烷氣體為所沉積的二氧化硅提供硅。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括將形成倒角等離子體處理室的部分的中央電介質(zhì)覆蓋物放置于離所述晶片的上表面的距離不大于0.75毫米處。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述保護(hù)層具有至少10nm的厚度。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述在所述晶片倒角上沉積所述保護(hù)層是在低于120℃的溫度下進(jìn)行的。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述在所述晶片的所述中央?yún)^(qū)域的至少一部分之上沉積所述金屬層為沉積鎳層。6.如權(quán)利要求2所述的方法，其還包括硬化所述沉積的二氧化硅。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述硬化包括加熱或紫外線處理所述沉積的二氧化硅。8.如權(quán)利要求6所述的方法，其還包括去除所述保護(hù)層上的所述金屬層和所述保護(hù)層。9.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述沉積所述保護(hù)層僅是在所述晶片倒角的所述表面上，而不是在所述晶片的所述中央?yún)^(qū)域上沉積所述保護(hù)層。10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述在所述晶片倒角上沉積所述保護(hù)層包括：提供含有聚合物形成氣體的沉積氣體；使所述沉積氣體形成等離子體，其中，所述等離子體被限制僅在所述晶片倒角區(qū)域；僅在所述晶片倒角上沉積聚合物。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述沉積所述保護(hù)層僅是在所述晶片倒角的表面上，而不是在所述晶片的所述中央?yún)^(qū)域上沉積所述保護(hù)層。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其還包括去除所述保護(hù)層上的所述金屬層和所述保護(hù)層。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，絕緣環(huán)的外徑控制所沉積的保護(hù)層的內(nèi)邊界。14.一種用于防止在晶片倒角上形成硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包圍中央?yún)^(qū)域，所述方法包括：將所述晶片放置在倒角等離子體處理室中；在所述晶片倒角上沉積保護(hù)性二氧化硅層，其包括：提供含有硅烷氣體和氧氣的沉積氣體；使所述沉積氣體形成等離子體，其中，所述等離子體被限制僅在所述晶片倒角區(qū)域；以及僅在所述晶片倒角上沉積二氧化硅，其中所述硅烷氣體為所沉積的二氧化硅提供硅；將所述晶片從所述倒角等離子體處理室中移除；在所述晶片的所述中央?yún)^(qū)域的至少一部分之上沉積金屬層，其中，所述金屬層的一部分被沉積在所述保護(hù)性二氧化硅層之上；以及形成半導(dǎo)體器件，同時(shí)防止在所述晶片倒角上形成金屬硅化物。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其還包括去除所述保護(hù)性二氧化硅層上的所述金屬層和所述保護(hù)層。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其還包括硬化所述沉積的二氧化硅。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述硬化包括加熱或紫外線處理所述沉積的二氧化硅。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，絕緣環(huán)的外徑控制所沉積的所述保護(hù)性二氧化硅層的內(nèi)邊界。