本實(shí)用新型涉及光伏行業(yè)，多晶硅片制成領(lǐng)域、準(zhǔn)單晶制造領(lǐng)域，具體為一種硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置。

背景技術(shù)：

硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置是多晶硅片制成領(lǐng)域、準(zhǔn)單晶制造領(lǐng)域常用的裝置?，F(xiàn)有的硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置，對(duì)坩堝的冷氣范圍大，冷卻氣體不能重復(fù)利用，要求籽晶投放量大，籽晶質(zhì)量很難控制，籽晶成本偏高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種高效硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置，以實(shí)現(xiàn)對(duì)坩堝點(diǎn)局部強(qiáng)冷，實(shí)現(xiàn)對(duì)小塊籽晶熔化、生長(zhǎng)的有效控制，減少單堝籽晶的投放量，已達(dá)到提高硅片質(zhì)量降低成本目的。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

一種高效硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置，包括爐體，以及設(shè)置于爐體外的冷卻器，爐體內(nèi)設(shè)置有保溫裝置，保溫裝置內(nèi)設(shè)置有坩堝，坩堝的外側(cè)包覆有坩堝護(hù)板，坩堝護(hù)板外設(shè)置有用于對(duì)坩堝加熱形成熱場(chǎng)的加熱器，所述坩堝護(hù)板底部設(shè)置有冷凝板，冷凝板連接有冷卻管，冷卻管與冷卻器連接。

所述冷卻管內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流管。

所述冷卻管通過接頭連接有連接管，連接管與冷卻器連接。

所述冷卻管的端部插入冷凝板內(nèi)部，與坩堝護(hù)板底部接觸。

所述冷卻管與坩堝護(hù)板接觸位置位于坩堝護(hù)板底部的中心點(diǎn)處。

所述加熱器包括設(shè)置于坩堝護(hù)板側(cè)邊的環(huán)形加熱器，以及位于坩堝護(hù)板頂部上方的加熱器。

有益效果：本實(shí)用新型通過惰性氣體循環(huán)對(duì)冷卻管上部冷卻，從而對(duì)坩堝護(hù)板底中部、坩堝底中部、坩堝底中部的籽晶冷卻，控制籽晶的熔化及長(zhǎng)晶速度?？梢杂酶俚淖丫硗瓿设T錠，從而達(dá)到降低鑄錠成本。用更好的籽晶來完成鑄錠，從而達(dá)到提高鑄錠質(zhì)量目的。解決了現(xiàn)有工藝籽晶用量多，質(zhì)量、成本難控制的問題。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做更進(jìn)一步的解釋。

一種高效硅晶片熱場(chǎng)長(zhǎng)晶裝置，包括爐體9，以及設(shè)置于爐體外的冷卻器8，爐體9內(nèi)設(shè)置有保溫裝置11，保溫裝置11內(nèi)設(shè)置有坩堝2，坩堝2的外側(cè)包覆有坩堝護(hù)板1，坩堝護(hù)板1外設(shè)置有用于對(duì)坩堝2加熱形成熱場(chǎng)的加熱器10，所述坩堝護(hù)板1底部設(shè)置有冷凝板3，冷凝板3連接有冷卻管4，冷卻管4內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流管5，冷卻管4通過接頭6連接有連接管7，連接管7與冷卻器8連接。

冷卻管4的端部插入冷凝板3內(nèi)部，與坩堝護(hù)板1底部接觸；冷卻管4與坩堝護(hù)板1接觸位置位于坩堝護(hù)板1底部的中心點(diǎn)處。

加熱器10包括設(shè)置于坩堝護(hù)板1側(cè)邊的環(huán)形加熱器，以及位于坩堝護(hù)板1頂部上方的加熱器，分別對(duì)坩堝2的側(cè)面以及頂部提供熱場(chǎng)。

本實(shí)用新型通過惰性氣體循環(huán)對(duì)冷卻管上部冷卻，從而對(duì)坩堝護(hù)板底中部、坩堝底中部、坩堝底中部的籽晶冷卻，控制籽晶的熔化及長(zhǎng)晶速度。可以用更少的籽晶來完成鑄錠，從而達(dá)到降低鑄錠成本。用更好的籽晶來完成鑄錠，從而達(dá)到提高鑄錠質(zhì)量目的。解決了現(xiàn)有工藝籽晶用量多，質(zhì)量、成本難控制的問題。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。