本發(fā)明涉及利用模制樹脂對(duì)正面?zhèn)冗M(jìn)行了密封的封裝晶片的制造方法和器件芯片的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，在晶片的狀態(tài)下進(jìn)行直至封裝的加工的wl-csp(waferlevelchipsizepackage：晶圓級(jí)芯片尺寸封裝)備受矚目。在wl-csp中，在利用模制樹脂對(duì)形成于晶片的正面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)器件進(jìn)行了密封之后，將晶片分割成各個(gè)器件芯片。由于僅晶片的正面?zhèn)缺荒Ｖ茦渲采w，所以分割后的器件芯片的側(cè)面(切斷面)會(huì)露出于外部而使外觀性等變差。因此，提出了如下方案：沿著分割預(yù)定線形成槽并填充模制樹脂，按照該模制樹脂沿著分割預(yù)定線對(duì)晶片進(jìn)行分割，由此，利用模制樹脂將器件芯片的側(cè)面覆蓋(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-100535號(hào)公報(bào)

但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中，由于以橫貫晶片整體的方式沿著分割預(yù)定線形成槽，所以在利用模制樹脂將晶片的正面?zhèn)雀采w時(shí)，模制樹脂會(huì)從露出于晶片的外周面的各槽的兩端漏出。因此，有時(shí)無法將模制樹脂合適地填充在晶片的槽內(nèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于該點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供封裝晶片的制造方法和器件芯片的制造方法，能夠利用模制樹脂將晶片的正面覆蓋并且將模制樹脂合適地填充在槽內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種封裝晶片的制造方法，其中，該封裝晶片的制造方法具有如下的步驟：槽形成步驟，從晶片的正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線形成深度為完工厚度以上的槽，其中，該晶片具有器件區(qū)域和形成于外周側(cè)面的倒角部，該器件區(qū)域在由形成為格子狀的多條該分割預(yù)定線劃分的正面的各區(qū)域中形成有具有凸塊的器件；倒角部去除步驟，將切削刀具按照比該槽深的深度切入該倒角部，將該倒角部去除；以及模制樹脂填充步驟，在實(shí)施了該槽形成步驟和該倒角部去除步驟之后，使成型裝置的模具與器件區(qū)域的正面之間具有規(guī)定的空間并且與去除了該倒角部而形成的階部底面抵接而進(jìn)行載置，對(duì)該模具與該器件區(qū)域的正面之間的該空間內(nèi)填充模制樹脂，其中，該模具是與該倒角部去除后的凸形的器件區(qū)域卡合的凹形，利用該封裝晶片的制造方法制造出在該器件區(qū)域的正面上包覆有模制樹脂并且在該槽中埋設(shè)有模制樹脂的封裝晶片。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，沿著分割預(yù)定線以橫貫晶片整體的方式形成有槽，并通過將晶片的倒角部去除而使器件區(qū)域形成為凸?fàn)?。?dāng)成型裝置的凹狀的模具與凸?fàn)畹钠骷^(qū)域卡合時(shí)，模具與階部底面在比沿著分割預(yù)定線的槽深的位置抵接而將晶片的外周液密地密封。因此，在填充模制樹脂時(shí)模制樹脂不會(huì)從晶片的外周漏出到外側(cè)，能夠良好地制造出利用模制樹脂將器件區(qū)域的正面包覆并且利用模制樹脂埋設(shè)了槽的封裝晶片。

在本發(fā)明的封裝晶片的制造方法中，具有如下的外周切削槽形成步驟：在實(shí)施該倒角部去除步驟之前或之后，對(duì)去除了該倒角部而形成的階部底面上的至少一條該分割預(yù)定線的延長(zhǎng)線上的外周兩端利用切削刀具進(jìn)行切入而形成外周切削槽，在該外周切削槽形成步驟之后的步驟中利用該外周切削槽進(jìn)行對(duì)位。

本發(fā)明的器件芯片的制造方法包含如下步驟：切削槽形成步驟，以上述的封裝晶片的該外周切削槽為基準(zhǔn)進(jìn)行對(duì)位，使用切削刀具從封裝晶片正面?zhèn)妊刂摲指铑A(yù)定線以比完工厚度深的深度切入，在填充有該模制樹脂的該槽的中心處形成切削槽；以及分割步驟，在實(shí)施了該切削槽形成步驟之后，對(duì)封裝晶片背面進(jìn)行磨削直至成為該完工厚度而使該切削槽露出，將封裝晶片分割成具有被該模制樹脂圍繞的外周的各個(gè)器件芯片。

根據(jù)本發(fā)明，在沿著晶片的分割預(yù)定線形成了槽之后，通過將晶片的倒角部去除而使器件區(qū)域形成為能夠與成型裝置的凹狀的模具卡合的凸?fàn)睢Ｍㄟ^使凹狀的模具與該凸?fàn)畹钠骷^(qū)域卡合，能夠抑制填充在晶片上的模制樹脂向外側(cè)漏出，能夠良好地制造出利用模制樹脂將器件區(qū)域包覆并且利用模制樹脂埋設(shè)了槽的封裝晶片。

附圖說明

圖1是本實(shí)施方式的晶片的立體圖。

圖2的(a)是示出第1比較例的槽形成步驟的俯視圖，圖2的(b)是示出第1比較例的模制樹脂填充步驟的剖視圖。

圖3的(a)是示出第2比較例的槽形成步驟的俯視圖，圖3的(b)是示出第2比較例的模制樹脂填充步驟的剖視圖。

圖4是示出本實(shí)施方式的槽形成步驟的一例的剖視圖。

圖5是示出本實(shí)施方式的倒角部去除步驟的一例的剖視圖。

圖6是本實(shí)施方式的實(shí)施了外周切削槽形成步驟之后的立體圖。

圖7是示出本實(shí)施方式的模制樹脂填充步驟的一例的剖視圖。

圖8是本實(shí)施方式的封裝晶片的立體圖。

圖9是示出本實(shí)施方式的切削槽形成步驟的一例的剖視圖。

圖10是示出本實(shí)施方式的分割步驟的一例的剖視圖。

圖11是示出其他實(shí)施方式的磨削步驟的一例的剖視圖。

圖12是示出其他實(shí)施方式的分割步驟的一例的剖視圖。

標(biāo)號(hào)說明

11：倒角部；12：槽；13：階部；14：階部底面；15：外周切削槽；16：器件區(qū)域的凸?fàn)畈糠郑?8：模具與晶片之間的空間；19：切削槽；36：模具；a1：器件區(qū)域；a2：外周剩余區(qū)域；d：器件；l：分割預(yù)定線；m：模制樹脂；pw：封裝晶片；w：晶片。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)封裝晶片的制造方法進(jìn)行說明。首先，對(duì)封裝前的晶片進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)施方式的晶片的立體圖。圖2的(a)和(b)是比較例的封裝晶片的制造方法的說明圖，圖3的(a)和(b)是比較例的封裝晶片的其他制造方法的說明圖。另外，圖2的(b)和圖3的(b)的虛線示出了在紙面左右方向上延伸的槽的底面。

如圖1所示，晶片w的正面被格子狀的分割預(yù)定線l劃分成多個(gè)區(qū)域，在分割預(yù)定線l所劃分出的各區(qū)域內(nèi)形成有帶有凸塊的器件d(凸塊未圖示)。晶片w的正面被分成形成有多個(gè)器件d的器件區(qū)域a1和圍繞器件區(qū)域a1的外周剩余區(qū)域a2。為了防止晶片w的虧缺而對(duì)外周剩余區(qū)域a2的外周側(cè)面實(shí)施倒角加工從而形成倒角部11。另外，作為晶片w，例如，使用在半導(dǎo)體基板上形成有ic、lsi等半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片。

通常，利用模制樹脂對(duì)這樣的晶片w的正面進(jìn)行密封從而制造出封裝晶片，當(dāng)將該封裝晶片分割成器件芯片時(shí)，由于僅器件面被模制樹脂覆蓋而側(cè)面露出于外部，所以外觀性等變差。為了解決該問題，考慮了如下結(jié)構(gòu)：如圖2的(a)所示，沿著分割預(yù)定線l利用切削刀具51以橫貫晶片w整體的方式進(jìn)行半切割而形成槽52，并在該槽52中填充模制樹脂m(參照?qǐng)D2的(b))。由此，能夠利用模制樹脂m對(duì)晶片w的分割后的器件芯片的側(cè)面進(jìn)行覆蓋。

在該情況下，如圖2的(b)所示，在利用模具53覆蓋了晶片w整體的狀態(tài)下對(duì)模具53與晶片w的正面之間的空間提供模制樹脂m，但模制樹脂m會(huì)從露出于晶片w的外周面的各槽52的兩端漏出。因此，晶片w的正面整體被模制樹脂m覆蓋而分割預(yù)定線l(槽52)被完全掩埋，不能沿著分割預(yù)定線l對(duì)晶片w進(jìn)行分割。因此，必須通過拋光、修整等將晶片w的外周側(cè)的模制樹脂m去除而使分割預(yù)定線l局部露出，作業(yè)工時(shí)會(huì)增加。

并且，考慮如下結(jié)構(gòu)：如圖3的(a)所示，沿著分割預(yù)定線l利用切削刀具56留出晶片w的外周部分而進(jìn)行半切割從而僅在內(nèi)側(cè)形成槽57，并將模制樹脂m填充在該槽57中(參照?qǐng)D3的(b))。在該情況下，如圖3的(b)所示，在將模具58載置在晶片w的外周部分的狀態(tài)下對(duì)模具58與晶片w的正面之間的空間提供模制樹脂m，由于槽57僅形成在晶片w的內(nèi)側(cè)，所以模制樹脂m不會(huì)從晶片w漏出到外側(cè)。因此，載置著模具58的晶片w的外周部分不會(huì)被模制樹脂m覆蓋，在晶片w的外周部分，分割預(yù)定線l(槽57)露出于外部。

但是，為了僅在晶片w的內(nèi)側(cè)形成槽57，在切削開始時(shí)會(huì)產(chǎn)生利用切削刀具56(參照?qǐng)D3的(a))從正上方對(duì)晶片w進(jìn)行切入的動(dòng)作(choppercut：斬切式切割)。在該情況下，為了防止晶片w的破損，必須使切削刀具56緩慢地下降。因此，雖然晶片w的外周部分沒有被模制樹脂m覆蓋從而能夠減少拋光等作業(yè)工時(shí)，但對(duì)晶片w形成槽57的形成時(shí)間變長(zhǎng)而使作業(yè)效率降低。這樣，追求一種既考慮到作業(yè)工時(shí)又考慮到對(duì)晶片w形成槽57的形成時(shí)間的封裝晶片的制造方法。

因此，在本實(shí)施方式中，在沿著分割預(yù)定線l以橫貫晶片w整體的方式形成了槽12之后，將晶片w的外周部分的倒角部11去除而使器件區(qū)域a1形成為凸?fàn)?，使凹狀的模?6與該凸?fàn)畹钠骷^(qū)域a1卡合(參照?qǐng)D4到圖7)。在通過與晶片w卡合的模具36液密地密封了晶片w的外周的狀態(tài)下填充模制樹脂m，從而抑制模制樹脂m從晶片w的外周漏出。并且，利用切削刀具從側(cè)方對(duì)晶片w進(jìn)行切入，從而不使晶片w的槽12的形成時(shí)間變長(zhǎng)。

以下，參照?qǐng)D4到圖7對(duì)本實(shí)施方式的封裝晶片的制造方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。圖4是示出本實(shí)施方式的槽形成步驟的一例的圖，圖5是示出本實(shí)施方式的倒角部去除步驟的一例的圖，圖6是示出本實(shí)施方式的外周切削槽形成步驟的一例的圖，圖7是示出本實(shí)施方式的模制樹脂填充步驟的一例的圖。圖8是本實(shí)施方式的封裝晶片的立體圖。另外，在以下的說明中，為了方便說明而省略了凸塊。并且，圖5和圖7的虛線示出了在紙面左右方向上延伸的槽的底面。

如圖4所示，首先實(shí)施槽形成步驟。在槽形成步驟中，將晶片w搬送到切削裝置的卡盤工作臺(tái)21上，以正面朝向上方的狀態(tài)將晶片w吸引保持在卡盤工作臺(tái)21上。當(dāng)在晶片w的徑向外側(cè)將切削刀具22對(duì)位于分割預(yù)定線l(參照?qǐng)D1)時(shí)，使切削刀具22下降至比晶片w的完工厚度t1深的位置，并使卡盤工作臺(tái)21相對(duì)于該切削刀具22進(jìn)行切削進(jìn)給。由此，沿著分割預(yù)定線l對(duì)卡盤工作臺(tái)21上的晶片w進(jìn)行半切割，形成深度為完工厚度t1以上的槽12。

通過重復(fù)進(jìn)行該切削進(jìn)給，沿著卡盤工作臺(tái)21上的晶片w的全部的分割預(yù)定線l形成槽12。此時(shí)，切削刀具22從側(cè)方對(duì)晶片w進(jìn)行切入，以橫貫晶片w整體的方式進(jìn)行切削。因此，不產(chǎn)生使切削刀具22從正上方對(duì)晶片w進(jìn)行切入的動(dòng)作，與之相應(yīng)地能夠縮短在晶片w上形成槽12的形成時(shí)間。另外，這里所說的完工厚度t1是指后述的器件芯片制造方法中的磨削加工后的晶片w的完工厚度。

如圖5所示，在槽形成步驟之后實(shí)施倒角部去除步驟。在倒角部去除步驟中，將晶片w搬送到修整裝置的卡盤工作臺(tái)26上，以正面朝向上方的狀態(tài)將晶片w吸引保持在卡盤工作臺(tái)26上。將晶片w的中心保持為與卡盤工作臺(tái)26的旋轉(zhuǎn)軸一致，將切削刀具27對(duì)位于晶片w的倒角部11(參照?qǐng)D4)。然后，使切削刀具27高速旋轉(zhuǎn)而通過切削刀具27按照比沿著分割預(yù)定線l(參照?qǐng)D1)的槽12深的深度切入晶片w的倒角部11。

接著，通過使卡盤工作臺(tái)26相對(duì)于切削刀具27旋轉(zhuǎn)而將晶片w的倒角部11(參照?qǐng)D4)去除，沿著晶片w的外周形成深度為槽12的深度以上的階部13。由于在晶片w的整周區(qū)域內(nèi)將倒角部11環(huán)狀地去除，所以在去除了倒角部11之后的晶片w的正面?zhèn)葍H呈凸?fàn)畹貧埩粲衅骷^(qū)域a1。并且，由于倒角部去除用的切削刀具27的前端形狀是平坦的，所以將倒角部11從晶片w去除而得到的階部底面14形成為平坦。另外，也可以在槽形成步驟之前實(shí)施倒角部去除步驟。

如圖6所示，在倒角部去除步驟之后實(shí)施外周切削槽形成步驟。在外周切削槽形成步驟中，將晶片w搬送到切削裝置的卡盤工作臺(tái)(未圖示)上，以正面朝向上方的狀態(tài)將晶片w吸引保持在卡盤工作臺(tái)上。當(dāng)在晶片w的徑向外側(cè)使切削刀具(未圖示)對(duì)位于分割預(yù)定線l時(shí)，使切削刀具下降至比晶片w的去除了倒角部11而得到的階部底面14深的位置。通過使卡盤工作臺(tái)相對(duì)于該切削刀具稍微地進(jìn)行切削進(jìn)給，使切削刀具切入階部底面14的外周端。

由于在晶片w的四周進(jìn)行該切削刀具的切入，所以在垂直的兩個(gè)方向上在晶片w的階部底面14上的1條分割預(yù)定線l的延長(zhǎng)線上的外周兩端形成外周切削槽15。該外周切削槽15在后述的器件芯片的制造方法中作為對(duì)位用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來使用。并且，也可以在倒角部去除步驟和外周槽形成步驟之前實(shí)施外周切削槽形成步驟。在該情況下，對(duì)晶片w的倒角部11較深地進(jìn)行切入，以便在去除倒角部11之后仍殘留有外周切削槽15。

如圖7所示，在外周切削槽形成步驟之后實(shí)施模制樹脂填充步驟。在模制樹脂填充步驟中，將晶片w搬送到成型裝置上，將成型裝置的模具36罩在晶片w的正面?zhèn)?。模?6形成為凹狀以便與晶片w的去除了倒角部11(參照?qǐng)D4)的凸?fàn)畹钠骷^(qū)域a1卡合。模具36的側(cè)壁37的下表面與階部底面14抵接，側(cè)壁37與器件區(qū)域a1的凸?fàn)畈糠?6卡合，由此，在晶片w的器件區(qū)域a1的正面與模具36之間具有空間18而將模具36載置在晶片w上。

在該情況下，為了使模具36容易與晶片w的正面?zhèn)瓤ê希谀＞?6的側(cè)壁37與器件區(qū)域a1的凸?fàn)畈糠?6之間設(shè)置有微小的空隙20。并且，由于晶片w的外周的階部底面14形成為比沿著分割預(yù)定線l(參照?qǐng)D6)的槽12的底面深，所以模具36的內(nèi)側(cè)的空間18被階部底面14上所載置的模具36的側(cè)壁37液密地密封。然后，從提供源33對(duì)模具36提供模制樹脂m，通過形成于模具36的上壁38的提供口39對(duì)模具36與器件區(qū)域a1的正面之間的空間18填充模制樹脂m。

當(dāng)模制樹脂m被填充到器件區(qū)域a1時(shí)，該模制樹脂m從器件區(qū)域a1的正面進(jìn)入沿著分割預(yù)定線l的槽12內(nèi)，并沿著槽12朝向晶片w的外側(cè)流動(dòng)。當(dāng)槽12內(nèi)的模制樹脂m到達(dá)模具36的側(cè)壁37時(shí)，該模制樹脂m順著模具36的側(cè)壁37與器件區(qū)域a1的凸?fàn)畈糠?6之間的空隙20而緩慢地流落到階部底面14上。由于模具36的側(cè)壁37的下表面抵接在階部底面14上，所以通過模具36的側(cè)壁37來可靠地阻擋模制樹脂m。因此，模制樹脂m不會(huì)從晶片w的外周漏出，晶片w的正面被模制樹脂m包覆。

這樣，如圖8所示，制造出如下的封裝晶片pw：器件區(qū)域a1的正面被模制樹脂m包覆，并且在沿著分割預(yù)定線l的槽12(參照?qǐng)D6)內(nèi)埋設(shè)有模制樹脂m。由于封裝晶片pw的槽12內(nèi)的模制樹脂m會(huì)成為封裝晶片pw的分割后的器件芯片c的側(cè)面，所以封裝晶片pw的分割后的器件芯片c不僅正面被模制樹脂m覆蓋，而且側(cè)面整體也被模制樹脂m覆蓋，提高了外觀性(參照?qǐng)D10)。在模制樹脂填充步驟中，由于封裝晶片pw的外周切削槽15沒有被模制樹脂m覆蓋，所以能夠以外周切削槽15為基準(zhǔn)將封裝晶片pw分割成各個(gè)器件芯片c。

因此，不需要像圖2所示的比較例所示的晶片w那樣進(jìn)行拋光或修整等工序，從而能夠短作業(yè)時(shí)間。并且，不會(huì)像圖3所示的其他比較例所示的晶片w那樣產(chǎn)生從正上方利用切削刀具56對(duì)晶片w進(jìn)行切入的動(dòng)作。由于從側(cè)方利用切削刀具22對(duì)晶片w進(jìn)行切入而形成槽12，所以能夠縮短槽12的形成時(shí)間。另外，模制樹脂填充步驟只要是在實(shí)施了槽形成步驟和倒角去除步驟之后實(shí)施的，也可以在外周切削槽形成步驟之前實(shí)施。

如上述那樣，在本實(shí)施方式的封裝晶片pw的制造方法中，沿著分割預(yù)定線l以橫貫晶片w整體的方式形成槽，將晶片w的倒角部11去除從而器件區(qū)域a1形成為凸?fàn)?。?dāng)成型裝置的凹狀的模具36與凸?fàn)畹钠骷^(qū)域a1卡合時(shí)，模具36與階部底面14在比沿著分割預(yù)定線l的槽12深的位置抵接從而晶片w的外周被液密地密封。因此，在填充模制樹脂m時(shí)模制樹脂m不會(huì)從晶片w的外周漏出到外側(cè)，能夠良好地制造出利用模制樹脂m將器件區(qū)域a1的正面包覆并且利用模制樹脂m埋設(shè)了槽12的封裝晶片pw。

接著，參照?qǐng)D9和圖10對(duì)器件芯片的制造方法進(jìn)行詳細(xì)地說明。圖9是示出本實(shí)施方式的切削槽形成步驟的一例的剖視圖，圖10是示出本實(shí)施方式的分割步驟的一例的剖視圖。

如圖9所示，首先實(shí)施切削槽形成步驟。在切削槽形成步驟中，將封裝晶片pw搬送到切削裝置的卡盤工作臺(tái)41上，以正面朝向上方的狀態(tài)將封裝晶片pw吸引保持在卡盤工作臺(tái)41上。這里，使用寬度比槽寬度窄的切削刀具42以便在槽12內(nèi)留有模制樹脂m。由于器件區(qū)域a1的正面被模制樹脂m包覆，所以無法對(duì)分割預(yù)定線l(參照?qǐng)D6)進(jìn)行確認(rèn)。因此，以分割預(yù)定線l的延長(zhǎng)線上的外周切削槽15(參照?qǐng)D8)為基準(zhǔn)，在封裝晶片pw的徑向外側(cè)使切削刀具42對(duì)位于分割預(yù)定線l。

然后，使切削刀具42下降至比封裝晶片pw的完工厚度t2深的位置，并使卡盤工作臺(tái)41相對(duì)于該切削刀具42進(jìn)行切削進(jìn)給。由此，對(duì)填充有模制樹脂m的槽12的中心進(jìn)行半切割而形成深度為完工厚度t2以上的切削槽19。通過重復(fù)進(jìn)行該切削進(jìn)給，沿著卡盤工作臺(tái)41上的封裝晶片pw的全部的槽12形成切削槽19。這樣，使用寬度比填充有模制樹脂m的槽12的槽寬度窄的切削刀具42形成切削槽19以便在槽12內(nèi)留有模制樹脂m。

如圖10所示，在切削槽形成步驟之后實(shí)施分割步驟。在分割步驟中，以在封裝晶片pw的正面?zhèn)日迟N有保護(hù)帶t的狀態(tài)將封裝晶片pw搬送到磨削裝置的卡盤工作臺(tái)46上，以背面朝向上方的狀態(tài)將封裝晶片pw隔著保護(hù)帶t吸引保持在卡盤工作臺(tái)46上。使磨削磨輪47與封裝晶片pw的背面旋轉(zhuǎn)接觸而進(jìn)行磨削直至成為完工厚度t2，使切削槽19從封裝晶片pw的背面露出而將封裝晶片pw分割成各個(gè)器件芯片c。這樣，形成外周被模制樹脂m圍繞的器件芯片c。

另外，器件芯片的制造方法并不僅限于當(dāng)在封裝晶片pw的正面上形成了切削槽19之后從背面?zhèn)葘?duì)封裝晶片pw進(jìn)行磨削而分割成各個(gè)器件芯片c的結(jié)構(gòu)。器件芯片的制造方法只要能夠從封裝晶片pw制造出器件芯片c即可。例如，也可以如以下的器件芯片的其他的制造方法那樣，在從背面?zhèn)葘?duì)封裝晶片pw進(jìn)行磨削而磨削至完工厚度t2之后，對(duì)封裝晶片pw進(jìn)行切削而分割成各個(gè)器件芯片c。

以下，參照?qǐng)D11和圖12對(duì)器件芯片的其他的制造方法進(jìn)行說明。圖11是示出其他的實(shí)施方式的磨削步驟的一例的圖，圖12是示出其他的實(shí)施方式的分割步驟的一例的圖。另外，在器件芯片的其他的制造方法中，由于先對(duì)封裝晶片進(jìn)行薄化再進(jìn)行分割，所以即使如上述那樣在封裝晶片上形成有外周切削槽，也會(huì)在封裝晶片的磨削時(shí)被去除。因此，在分割步驟中，代替將外周切削槽作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而對(duì)位的方式，按照通過磨削而從封裝晶片pw的背面露出的槽12進(jìn)行對(duì)位。

如圖11所示，首先實(shí)施磨削步驟。在磨削步驟中，以在封裝晶片pw的正面上粘貼有保護(hù)帶t的狀態(tài)將封裝晶片pw搬送到磨削裝置的卡盤工作臺(tái)46上，以背面朝向上方的狀態(tài)將封裝晶片pw隔著保護(hù)帶t吸引保持在卡盤工作臺(tái)46上。使磨削磨輪47與封裝晶片pw的背面旋轉(zhuǎn)接觸而對(duì)封裝晶片pw進(jìn)行磨削直至成為完工厚度t2。由此，使填充有模制樹脂m的槽12從封裝晶片pw的背面露出。

如圖12所示，在磨削步驟之后實(shí)施分割步驟。在分割步驟中，將封裝晶片pw搬送到切削裝置的卡盤工作臺(tái)41上，以背面朝向上方的狀態(tài)將封裝晶片pw隔著保護(hù)帶t吸引保持在卡盤工作臺(tái)41上。這里，使用寬度比槽寬度窄的切削刀具42以便在槽12內(nèi)留有模制樹脂m。由于沒有如上述那樣在封裝晶片pw上形成外周切削槽15(參照?qǐng)D8)，所以使切削刀具42對(duì)位于從封裝晶片pw的背面露出的槽12(模制樹脂m)的中心。

然后，使切削刀具42下降至能夠切斷封裝晶片pw的高度，并使卡盤工作臺(tái)41相對(duì)于該切削刀具42進(jìn)行切削進(jìn)給。由此，封裝晶片w在填充有模制樹脂m的槽12的中心被切斷。通過重復(fù)進(jìn)行該切削進(jìn)給，將卡盤工作臺(tái)41上的封裝晶片pw沿著分割預(yù)定線l(參照?qǐng)D6)分割成各個(gè)器件芯片c。這樣，形成外周被模制樹脂m圍繞的器件芯片c。另外，在器件芯片c的其他的制造方法中，由于不需要在封裝晶片pw上形成外周切削槽15，所以能夠在上述的封裝晶片pw的制造方法中省略外周切削槽形成步驟。

另外，本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施方式，能夠?qū)嵤└鞣N變更。在上述實(shí)施方式中，在附圖中圖示的大小或形狀等并不僅限于此，能夠在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更。另外，只要在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)便能夠?qū)嵤┻m當(dāng)變更。

例如，在上述的實(shí)施方式的模制樹脂填充步驟中，構(gòu)成為在使模具36與晶片w的正面?zhèn)瓤ê系臓顟B(tài)下對(duì)晶片w的正面?zhèn)忍畛淠Ｖ茦渲琺，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。在模制樹脂填充步驟中，也可以構(gòu)成為對(duì)晶片w的正面滴下適量的模制樹脂m并利用模具36對(duì)模制樹脂m的積液進(jìn)行按壓從而在晶片w的正面?zhèn)忍畛淠Ｖ茦渲琺。

并且，在上述的實(shí)施方式的外周切削槽形成步驟中，構(gòu)成為在晶片w的階部底面14上的1條分割預(yù)定線l的延長(zhǎng)線上形成外周切削槽15，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。在外周切削槽形成步驟中，可以在晶片w的階部底面14上的至少1條分割預(yù)定線l的延長(zhǎng)線上形成外周切削槽15，例如，也可以在全部的分割預(yù)定線l的延長(zhǎng)線上形成外周切削槽15。

并且，在上述的實(shí)施方式中，構(gòu)成為在封裝晶片pw上形成外周切削槽15來作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記只要是能夠?qū)Ψ庋b晶片pw的分割預(yù)定線進(jìn)行確定的標(biāo)記即可，例如，也可以通過激光加工等進(jìn)行標(biāo)記。

并且，在上述的實(shí)施方式中，槽形成步驟、倒角部去除步驟以及外周切削槽形成步驟是在不同的裝置中實(shí)施的，但也可以在同一裝置中實(shí)施。

如以上說明的那樣，本發(fā)明具有能夠利用模制樹脂將晶片的正面覆蓋并且將模制樹脂適當(dāng)?shù)靥畛湓诓蹆?nèi)的效果，特別對(duì)wl-csp等封裝晶片的制造方法和器件芯片的制造方法有用。