本發(fā)明涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池用基底的處理工藝。

背景技術(shù)：
近年來，隨著清潔能源的不斷倡導(dǎo)和推廣使用，太陽能電池得到快速發(fā)展，并被越來越多的應(yīng)用到諸多領(lǐng)域，但是，太陽能電池中光利用率的提高始終是制約太陽能電池發(fā)展的關(guān)鍵因素。目前，常規(guī)的太陽能電池的制造工藝包括酸或堿刻蝕形成絨面、離子擴(kuò)散、邊緣的磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，PSG)刻蝕、形成抗反射層、絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、分檢測(cè)試等步驟。其中，酸或堿刻蝕形成絨面是為了使太陽能電池的受光面形成粗糙的表面，以降低射入太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率；同時(shí)，在太陽能電池的受光面形成抗反射層，能夠進(jìn)一步降低太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率，提高光線的利用率，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，通過這種方式，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到16％-17％。另一方面，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率與太陽能電池的工作電壓有密切關(guān)系，其他參數(shù)相同的情況下，工作電壓越大，光電轉(zhuǎn)換效率越高。而工作電壓通常與太陽能電池基底背面的歐姆接觸有關(guān)，歐姆接觸越好，工作電壓越大。但是，現(xiàn)有的太陽能電池的基底背面的歐姆接觸一般較差，這在很大程度上限制了太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高的太陽能電池基底背面的歐姆接觸的處理工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池基底背面的歐姆接觸較差導(dǎo)致太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率無法進(jìn)一步提高的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括提供太陽能電池用基底；對(duì)所述基底進(jìn)行制絨處理；對(duì)所述基底進(jìn)行離子擴(kuò)散處理；去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；在所述基底的正面形成抗反射層；其中，所述去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括：使用拋光液對(duì)所述基底的背面進(jìn)行拋光處理。優(yōu)選地，所述使用拋光液對(duì)所述基底的背面進(jìn)行拋光處理前，還包括：去除所述基底背面的磷硅玻璃。優(yōu)選地，所述拋光液包括有機(jī)堿，所述有機(jī)堿為四甲基氫氧化銨，所述四甲基氫氧化銨的體積分?jǐn)?shù)為3％-5％。優(yōu)選地，所述拋光處理的溫度為70℃-85℃，所述拋光處理的時(shí)間為90s-200s。優(yōu)選地，所述四甲基氫氧化銨的體積分?jǐn)?shù)為4％，所述拋光處理的溫度為80℃，所述拋光處理的時(shí)間為120s。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對(duì)該基底的背面進(jìn)行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池的工作電壓，進(jìn)而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，太陽能電池的基底背面更加平整，能夠使射入光線在太陽能電池內(nèi)部能夠被多次反射反復(fù)利用，增加了太陽能電池對(duì)入射光線的利用率，提升太陽能電池的電流，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明實(shí)施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；圖3是本發(fā)明另一實(shí)施例的沒有經(jīng)過拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖；圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的經(jīng)過后的拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，以提高基底背面的平整度，從而提高太陽能電池基底背面的歐姆接觸，進(jìn)而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示為其流程圖，該處理工藝包括：步驟S101：提供太陽能電池用基底。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中的基底可以是硅片，可以是單晶硅片，也可以是多晶硅片或非晶硅片；本發(fā)明實(shí)施例中的基底還可以是其他類型的材料。步驟S102：對(duì)基底表面進(jìn)行制絨處理，使基底的受光面形成絨面，以降低射入太陽能電池內(nèi)部的光線通過受光面折射出去的幾率，提升光線利用率，進(jìn)而提高太陽能的光電轉(zhuǎn)換效率。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中的制絨處理可以采用清洗制絨技術(shù)，清洗制絨處理可以按以下步驟進(jìn)行：首先，可以采用去離子水對(duì)基底進(jìn)行超聲波清洗，以去除基底表面的油脂、石蠟等雜志；然后，可以采用濃酸或濃堿溶液(如濃氫氧化鉀溶液)對(duì)基底進(jìn)行腐蝕，以去除基底表面的損傷層；最后，可以采用酸溶液或者堿溶液對(duì)基底表面進(jìn)行各向異性腐蝕，使基底表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)，形成絨面。步驟S103：對(duì)基底進(jìn)行離子擴(kuò)散處理，在基底中形成PN結(jié)?；妆砻嫘纬山q面后，采用去離子水對(duì)其進(jìn)行清洗，以去除多余的化學(xué)液，然后對(duì)基底進(jìn)行干燥，具體地，可以將基底置于烘干爐中烘干，或者置于甩干機(jī)中甩干，或者采用N2或IPA吹干。具體地，本發(fā)明實(shí)施例中的離子擴(kuò)散處理可以采用P擴(kuò)散或者N擴(kuò)散，該步驟可以在擴(kuò)散爐中進(jìn)行。步驟104：使用拋光液對(duì)基底的背面進(jìn)行拋光處理，使基底背面形成平整的表面，以提高太陽能電池基底背面的歐姆接觸，進(jìn)而提高太陽能電池的工作電壓，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的處理工藝只對(duì)基底的背面進(jìn)行拋光處理，該處理步驟對(duì)基底的正面(即受光面)沒有影響。本發(fā)明實(shí)施例中的拋光液可以是過硝酸、有機(jī)堿以及其他類型的拋光液，具體地，本發(fā)明實(shí)施例中的拋光液可以是有機(jī)堿，如四甲基氫氧化銨，其體積分?jǐn)?shù)為3％-5％，拋光處理的溫度可以為70℃-85℃，拋光處理的時(shí)間可以為90s-200s。如果拋光時(shí)間過長，會(huì)使多晶硅片的厚度變?。蝗绻麙伖鈺r(shí)間過短，無法使多晶硅片的背面形成較為平整的表面，達(dá)不到較好的拋光效果。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在采用有機(jī)堿對(duì)基底的背面進(jìn)行拋光處理前，還可以包括去除基底背面的磷硅玻璃的步驟。具體地，可以采用硝酸、氫氟酸、去離子水以及硫酸藥液去除基底背面的磷硅玻璃。在對(duì)基底的背面進(jìn)行拋光處理前去除基底背面的磷硅玻璃，能夠去除基底背面少許的PSG，在拋光處理過程中就可以使用與PSG不發(fā)生反應(yīng)的拋光液(如四甲基氫氧化銨)，從而能夠?qū)⒒椎谋趁孢M(jìn)行均勻完整的拋光，提高拋光效果。步驟105：去除基底邊緣的磷硅玻璃；去除基底邊緣的磷硅玻璃，能夠防止太陽能電池產(chǎn)生短路電流。具體地，可以采用濕法刻蝕對(duì)基底的正面和背面進(jìn)行腐蝕，使邊緣刻蝕比較窄，防止過刻蝕。步驟S106：在基底的正面形成抗反射層，以進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。具體地，可以采用等離子體化學(xué)氣相沉積或其他常用的沉積方法在基底的正面形成抗反射薄膜，如氮化硅等。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對(duì)該基底的背面進(jìn)行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池的工作電壓，進(jìn)而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，太陽能電池的基底背面更加平整，能夠使射入光線在太陽能電池內(nèi)部能夠被多次反射反復(fù)利用，增加了太陽能電池對(duì)入射光線的利用率，提升太陽能電池的電流，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，如圖2所示為其流程圖，其中該基底為多晶硅片，該處理工藝包括以下步驟：步驟S201：提供多晶硅片基底。步驟S202：采用酸制絨技術(shù)對(duì)多晶硅片的表面進(jìn)行制絨處理，使多晶硅片表面形成絨面。步驟S203：采用磷對(duì)多晶硅片進(jìn)行離子擴(kuò)散處理，在多晶硅片中形成PN結(jié)。步驟S204：采用硝酸、氫氟酸、去離子水、硫酸的比例為1∶6∶7∶4的混合液對(duì)多晶硅片的背面進(jìn)行腐蝕，以去除多晶硅片背面少許的PSG，從而能夠?qū)⒍嗑Ч杵谋趁孢M(jìn)行均勻完整的拋光，提高拋光處理的效果。步驟S205：采用體積分?jǐn)?shù)為4％的四甲基氫氧化銨溶液對(duì)多晶硅片的背面進(jìn)行拋光處理，拋光處理的溫度為80℃，拋光處理的時(shí)間是120s。步驟S206：去除多晶硅片邊緣的磷硅玻璃，以防止太陽能電池產(chǎn)生短路電流。步驟S207：采用等離子體化學(xué)氣相沉積在多晶硅片的正面形成抗反射層，具體地，可以在多晶硅片表面形成氮化硅以降低射入光線從多晶硅片正面折射出去的幾率，進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明實(shí)施例中，在其他制造工藝相同的情況下，對(duì)將多晶硅片的背面不采用拋光處理和采用拋光處理后多晶硅片背面的表面形貌和制成的太陽能電池的電性能作了測(cè)試和對(duì)比，其中，太陽能電池的制造工藝如絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、分檢測(cè)試等步驟與傳統(tǒng)工藝中的步驟無異，在此不再贅述。測(cè)試結(jié)果如下：如圖3所示為沒有經(jīng)過拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖，可見，多晶硅片的背面形成了絨面；如圖4所示，為經(jīng)過拋光處理后的多晶硅片背面的形貌圖，可見多晶硅片的背面形成了較為平整的平面。表一為多晶硅片的背面沒有經(jīng)過拋光處理的一組太陽能電池的電性能測(cè)試結(jié)果；表二為多晶硅片的背面經(jīng)過拋光處理的另一組太陽能電池的電性能測(cè)試結(jié)果。由表一和表二可知，多晶硅片的背面經(jīng)過拋光處理的另一組太陽能電池的工作電壓有明顯增加，同時(shí)工作電流和最大功率提高。另外，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率有了明顯提高，達(dá)到了17％以上。表一表二根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對(duì)該基底的背面進(jìn)行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池的工作電壓，進(jìn)而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，太陽能電池的基底背面更加平整，能夠使射入光線在太陽能電池內(nèi)部能夠被多次反射反復(fù)利用，增加了太陽能電池對(duì)入射光線的利用率，提升太陽能電池的電流，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。