專利名稱：一種圓弧倒角硅片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種圓弧倒角娃片。
背景技術：
相對圓倒角晶棒加工目如圓棒單晶娃棒只需要滾圓，不需要倒角；方型娃棒都需要倒45度角，如圖I和2所示。傳統(tǒng)機械磨輪倒角加工的硅片，在倒角處存在應力集中點，在后續(xù)加工過程中倒角尖角容易與工治具發(fā)生碰撞，導致硅片缺角或破裂。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種圓弧倒角硅片，減少倒角處因為應力集中而造成破裂。本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線和倒角邊線兩側的圓弧，倒角邊線兩側的圓弧分別與硅片直邊和倒角邊線相切。圓弧的半徑R為300 700um，圓弧的角度Θ為30。 90。。倒角為45。倒角。圓弧與硅片邊線的交點至硅片頂角的距離C為O. 35 I. 42mm,圓弧與硅片邊線的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線的垂直距離H為O. 14 O. 8mm。本實用新型的有益效果是1、圓倒角硅片改變晶棒倒角方法，使得晶棒倒角處呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圓角與工裝接觸時，避免尖角點接觸，減少這種受力集中造成破裂不良。2、圓倒角硅片相對傳統(tǒng)倒角改善倒角處結構，可使得硅片單片面積增加約O. 1016mm2 I. 200mm2。
以下結合附圖
對本實用新型進一步說明。圖I是傳統(tǒng)硅片倒角處的結構示意圖；圖2是本實用新型的硅片倒角處的結構示意圖；其中1.硅片直邊，2.圓弧，3.倒角邊線。
具體實施方式
如圖2所示，一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線3和倒角邊線3兩側的圓弧2，倒角邊線3兩側的圓弧2分別與硅片直邊I和倒角邊線3相切。圓弧2的半徑R為300 700um，圓弧2的角度Θ為30° 90°。圓弧2與硅片邊線I的交點至硅片頂角的距離C為O. 35 I. 42mm,圓弧2與硅片邊線I的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線3的垂直距離H為O. 14 O. 8_。倒角為45°倒角。如圖I和2所示，當圓弧2與硅片邊線I的交點至硅片頂角的距離C與圖I中的倒角邊長B相同，圓弧2與硅片邊線I的兩個交點之間的距離L與圖I中的倒角線長N相同，圖2中的圖像填充區(qū)域即為采用本方案的圓弧倒角后增加的區(qū)域。權利要求1.一種圓弧倒角硅片，硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，其特征是所述的硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線⑶和倒角邊線⑶兩側的圓弧(2)，倒角邊線(3)兩側的圓弧⑵分別與硅片直邊⑴和倒角邊線⑶相切。
2.根據(jù)權利要求I所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的圓弧(2)的半徑R為300 700um，圓弧(2)的角度0為30° 90°。
3.根據(jù)權利要求I所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的倒角為45°倒角。
4.根據(jù)權利要求I或2或3所述的圓弧倒角硅片，其特征是所述的圓弧(2)與硅片邊線(I)的交點至硅片頂角的距離C為0. 35 I. 42mm，圓弧(2)與硅片邊線(I)的兩個交點之間的距離L為05. 2mm，硅片頂角至倒角邊線(3)的垂直距離H為0. 14 0. 8mm。
專利摘要本實用新型涉及一種圓弧倒角硅片，該硅片為矩形，在矩形硅片的四角具有倒角，硅片的倒角的輪廓包括倒角邊線和倒角邊線兩側的圓弧，倒角邊線兩側的圓弧分別與硅片直邊和倒角邊線相切。本實用新型的有益效果是1、圓倒角硅片改變晶棒倒角方法，使得晶棒倒角處呈弧形。切割成的硅片不易造成缺角破裂；呈弧形的圓角與工裝接觸時，避免尖角點接觸，減少這種受力集中造成破裂不良。2、圓倒角硅片相對傳統(tǒng)倒角改善倒角處結構，可使得硅片單片面積增加約0.1016mm2～1.200mm2。
文檔編號C30B29/06GK202465953SQ201120573838
公開日2012年10月3日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權日2011年12月31日
發(fā)明者丁國健, 施賢彪, 羅起發(fā) 申請人:常州天合光能有限公司