技術(shù)編號：11995630
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的形成。更具體地，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的形成以及減少晶片倒角上的硅化物的形成。背景技術(shù)在襯底（例如，諸如半導(dǎo)體器件的制造中使用的半導(dǎo)體襯底）的處理過程中經(jīng)常使用等離子體。在襯底的處理過程中，襯底被分成其上形成半導(dǎo)體器件的多個管芯。晶片襯底的倒角（外圍或邊緣）不用于形成管芯。在半導(dǎo)體器件的形成過程中，在晶片倒角上可能形成金屬硅化物。在晶片倒角上的金屬硅化物的形成是不合乎期望的。發(fā)明內(nèi)容為了實(shí)現(xiàn)前述期望以及根據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種用于防止在晶片倒角上形成金屬硅化物材料的方法，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。