技術特征：
1.一種焊墊結(jié)構，其特征在于，包括：位于芯片頂部的介電層及包埋在所述介電層中的頂層金屬，所述介電層與所述頂層金屬的上表面齊平；位于所述介電層及頂層金屬上的鈍化層，所述鈍化層中具有暴露部分所述頂層金屬的窗口，所述窗口內(nèi)填充有焊墊金屬層；其中，所述鈍化層至少包括第一鈍化層、第二鈍化層、以及介于第一鈍化層與第二鈍化層之間的第三鈍化層，所述第二鈍化層的材質(zhì)為碳化硅，所述第三鈍化層的材質(zhì)為氮化硅或碳氮化硅，所述第二鈍化層粘合所述介電層與第一鈍化層，提高所述焊墊金屬層與所述頂層金屬的電連接性。2.根據(jù)權利要求1所述的焊墊結(jié)構，其特征在于，所述介電層材質(zhì)為二氧化硅，所述第一鈍化層材質(zhì)為二氧化硅。3.根據(jù)權利要求1所述的焊墊結(jié)構，其特征在于，所述第三鈍化層為刻蝕終止層。4.根據(jù)權利要求1所述的焊墊結(jié)構，其特征在于，所述第二鈍化層的厚度占所述第二鈍化層與第三鈍化層總厚度的比例大于30％。5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的焊墊結(jié)構，其特征在于，所述頂層金屬的材質(zhì)為銅，所述焊墊金屬層的材質(zhì)為鋁。6.一種焊墊結(jié)構的制作方法，其特征在于，包括：提供芯片，所述芯片頂部具有介電層及包埋在所述介電層中的頂層金屬，所述介電層與所述頂層金屬的上表面齊平；淀積鈍化層，所述鈍化層至少包括第一鈍化層、第二鈍化層、以及介于第一鈍化層與第二鈍化層之間的第三鈍化層，所述第二鈍化層的材質(zhì)為碳化硅，所述第三鈍化層的材質(zhì)為氮化硅或碳氮化硅，其中，所述第二鈍化層粘合所述介電層與第一鈍化層；在所述鈍化層內(nèi)形成窗口，所述窗口暴露部分所述頂層金屬；在所述窗口內(nèi)形成焊墊金屬層。7.根據(jù)權利要求6所述的焊墊結(jié)構的制作方法，其特征在于，在所述鈍化層內(nèi)形成窗口是通過干法刻蝕在所述鈍化層內(nèi)形成溝槽實現(xiàn)的。8.根據(jù)權利要求6或7所述的焊墊結(jié)構的制作方法，其特征在于，所述介電層材質(zhì)為二氧化硅，所述第一鈍化層材質(zhì)為二氧化硅，所述碳化硅的淀積方法為PVD或CVD。9.根據(jù)權利要求6或7所述的焊墊結(jié)構的制作方法，其特征在于，所述第三鈍化層為刻蝕終止層，所述碳化硅的淀積方法為PVD或CVD，所述氮化硅或碳氮化硅的淀積方法也為PVD或CVD。