專利名稱：多層陶瓷電子組件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電子組件，更具體地講，涉及一種具有優(yōu)良的可靠性的大容量多層陶瓷電子組件。
背景技術：
根據(jù)近來電子產(chǎn)品小型化的趨勢，對具有小尺寸和大電容的多層陶瓷電子組件的需求也在增加。因此，已經(jīng)通過各種方法使介電層和內(nèi)電極層變薄并且介電層和內(nèi)電極層日益變得多層。近來，隨著介電層變薄，已經(jīng)制造了具有增加數(shù)量的層疊的層的多層陶瓷電子組·件。因為為了實現(xiàn)更大的電容而使介電層和內(nèi)電極層變薄，所以內(nèi)電極層的厚度會不均勻或者不能連續(xù)地保持內(nèi)電極層的厚度，因此內(nèi)電極層會被局部地斷開，從而導致在內(nèi)電極層的連接性方面產(chǎn)生斷開。此外，由于內(nèi)電極層斷開，所以盡管介電層具有均勻的平均厚度，但是介電層被局部加厚或者局部變薄。在介電層變薄的部分中絕緣特性會被劣化，導致可靠性劣化。同時，包含在內(nèi)電極膏中的細粒陶瓷粉末在燒結工藝中泄露到介電層中，從而導致與內(nèi)電極層接觸的介電顆粒的不正常顆粒生長。這會導致多層陶瓷電子組件的可靠性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種具有優(yōu)良的可靠性的大容量多層陶瓷電子組件。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層；以及第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層，位于陶瓷主體內(nèi)并設置為彼此面對，介電層設置在第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層之間，其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足Dytd < O. 35。當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D。時，可以滿足De/td ( O. 25。當添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Di,并且在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Dd時，可以滿足O. I <Di/Dd< I。添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末與在介電層中采用的陶瓷粉末可以具有相同的組成。
第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層可以具有80 %或更大的連續(xù)性。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層；以及第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)，第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層均具有80%或更大的連續(xù)性，其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足Dytd < O. 35。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體，包括層疊在其中并且平均厚度為O. 6μπι或更小的多個介電層；以及多個第一內(nèi)電極層和多個第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)，其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且當介電層的平均厚度被定義Std，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為 De 時，滿足 De/td ^ O. 35。·
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體，包括層疊在其中并且平均厚度為O. 6μπι或更小的多個介電層；以及多個第一內(nèi)電極層和多個第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)，第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層均具有80 %或更大的連續(xù)性，其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足Dytd < O. 35。


從結合附圖進行的下面的詳細描述，本發(fā)明的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點將變得更容易理解，在附圖中圖I是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電容器的透視圖；圖2示出了沿著圖I中的線B-B'截取的剖視圖以及示出內(nèi)電極層的連續(xù)性的放大圖；圖3示出了沿著圖I中的線B-B'截取的剖視圖以及示出接觸介電顆粒和非接觸介電顆粒的放大圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應解釋為限于這里闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大組件的形狀和尺寸，將使用相同的標號始終指示相同或相似的組件。圖I是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電容器的透視圖。圖2是沿著圖I中的線B-B'截取的剖視圖以及示出內(nèi)電極層的連續(xù)性的放大圖。圖3是沿著線B-B'截取的圖I的剖視圖以及示出接觸介電顆粒和非接觸介電顆粒的放大圖。參照圖I至圖3，根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電子組件可以包括陶瓷主體10，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層I ;第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22，設置為彼此面對并且位于陶瓷主體10內(nèi)，介電層I設置在第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22之間。介電層I可以包括與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的非接觸介電顆粒。當介電層I的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為De時，可以滿足De/td ( O. 35。同時，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的多層陶瓷電子組件可以包括陶瓷主體10，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層I ;第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22，形成在陶瓷主體10內(nèi)，第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22均具有80%或更高的連續(xù)性。介電層I可以包括與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的非接觸介電顆粒。當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D6時，可以滿足De/td < O. 35。第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22可以使用由例如貴金屬材料(諸如，鈀(Pd)、鈀-銀(Pd-Ag)合金等)、鎳(Ni)和銅(Cu)中的至少一種制成的導電膏形成，但不具體地限于此。 外電極3可以形成在陶瓷主體10的外部，從而形成電容，并且外電極3可以與第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22電連接。外電極3可以由與內(nèi)電極層的導電材料相同的導電材料形成，但是不限于此。例如，銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)等可以用于外電極3?？梢酝ㄟ^涂覆將玻璃料添加在金屬粉末中制備的導電膏、然后進行燒結工藝來形成外電極3。根據(jù)本發(fā)明的實施例，介電層I的平均厚度可以為O. 6μπι或更小。在本發(fā)明的實施例中，介電層I的厚度可以指設置在內(nèi)電極層21和22之間的介電層I的平均厚度。介電層I的平均厚度可以利用掃描電子顯微鏡(SEM)通過掃描沿著陶瓷主體10的長度方向的截面來測量，如圖2中所示。例如，如圖2中所示，可以如下獲得介電層I的平均厚度在從通過利用掃描電子顯微鏡(SEM)掃描在沿陶瓷主體10的寬度(W)方向的中心部分截取的沿長度-厚度(L-T)方向的截面所獲得的圖像中提取的任何一個介電層中，測量沿著長度方向的30個等距點處的厚度；然后計算平均厚度值。可以在電容形成部分中測量30個等距點處的厚度，電容形成部分參照第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極22彼此疊置的區(qū)域。另外，當廣泛地對10個或更多個介電層執(zhí)行該測量過程并測量其平均值時，可以更好地概括介電層的平均厚度。只要可以形成電容，對燒結之后的內(nèi)電極層21或22的厚度不作具體限制。例如，內(nèi)電極層的厚度可以為Ιμπι或更小。參照圖2，根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電子組件可以包括陶瓷主體10，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層I ;第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22，形成在陶瓷主體
10內(nèi)，第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22均具有80%或更高的連續(xù)性。內(nèi)電極層的連續(xù)性可以被定義為電極部分的實際總長度與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22的理想總長度的比例。例如，可以從通過利用掃描電子顯微鏡(SEM)掃描沿著陶瓷主體10長度方向的截面獲得的圖像來測量內(nèi)電極層的連續(xù)性，如圖2中所示。具體地，如圖2中所示，可以如下獲得內(nèi)電極層的連續(xù)性在從通過利用掃描電子顯微鏡(SEM)掃描在沿陶瓷主體10的寬度(W)方向的中心部分截取的沿長度-厚度(L-T)方向的截面所獲得的圖像中提取的任何一個介電層中，測量基于內(nèi)電極層的理想總長度的內(nèi)電極層的電極部分的實際總長度?？梢栽陔娙菪纬刹糠譁y量內(nèi)電極的連續(xù)性，電容形成部分參照第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22彼此疊置的區(qū)域。另外，當在沿著長度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分對10個或更多個內(nèi)電極層廣泛地執(zhí)行用于獲得內(nèi)電極層的連續(xù)性的這種測量過程并且計算其平均值時，可以更好 地概括內(nèi)電極層的連續(xù)性。具體地講，如圖2中所示，當?shù)谝粌?nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22的沿其任何一個
部分的理想總長度被定義為A，并且電極部分的實際總長度被定義為C1X2X3........和Cn
時，內(nèi)電極層的連續(xù)性可以用(C^CJC3+......+Cn) /A表示。在圖2中，盡管電極部分用Cp C2, C3和C4表示，但是電極部分的數(shù)量不受具體限制。另外，內(nèi)電極層的連續(xù)性可以指內(nèi)電極層的覆蓋率，并且可以被定義為電極部分的實際總面積與內(nèi)電極層的理想總面積的比例。內(nèi)電極層21或22的連續(xù)性沁+(2+(3+(；) /A可以根據(jù)下面將描述的方法不同地實施。在根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電子組件中，內(nèi)電極層21或22的連續(xù)性沁+(2+(3+(；) /A可以為80 %或更大。另外，內(nèi)電極層21或22的斷開部分4可以為孔或陶瓷。為了實現(xiàn)內(nèi)電極層21或22的連續(xù)性(Ci+CJQ+C；) /A為80 %或更大，可以改變用于形成內(nèi)電極層的導電膏中的金屬粉末顆粒的尺寸，或者可以控制有機材料或陶瓷材料的量。另外，在燒結工藝期間，可以調節(jié)升溫速率和燒結氣氛，從而控制內(nèi)電極層的連續(xù)性。根據(jù)本發(fā)明的實施例，為了實現(xiàn)內(nèi)電極層的連續(xù)性，可以采用控制添加到導電膏中的陶瓷顆粒的尺寸和量的方法。具體地講，添加在導電膏中的陶瓷材料與在介電層中使用的陶瓷材料相同，但不具體地限于此。例如，陶瓷材料可以為鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。這里，陶瓷顆粒的平均直徑Di在本領域中是公知的，但不具體地限于此。然而，為了控制與內(nèi)電極層21或22接觸的接觸介電顆粒的平均直徑，可以確定陶瓷顆粒的平均直
徑D”根據(jù)本發(fā)明的實施例，內(nèi)電極層21或22的連續(xù)性(Q+CJQ+C；) /A被實現(xiàn)為80%或更大，從而可以制造具有增加的電容和優(yōu)良的可靠性的多層陶瓷電容器。參照圖3，在根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電子組件中，在燒結之后，介電層I的平均厚度td可以為O. 6μηι或更小。
另外，介電層I可以包括與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的非接觸介電顆粒。當接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D6時，可以滿足De/td ( O. 35。在本實施例中，可以通過分析由掃描電子顯微鏡(SEM)提取的介電層的截面的圖像來測量接觸介電顆粒的平均直徑隊。例如，可以利用支持由美國測試與材料協(xié)會(ASTM)E112制定的平均顆粒尺寸測量方法的顆粒尺寸測量軟件來測量介電層的平均顆粒尺寸?？梢酝ㄟ^控制在形成介電層I的過程中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑以及添加到用于形成第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22的導電膏中的陶瓷粉末顆粒的平均直徑來調節(jié)接觸介電顆粒的平均直徑隊。
在形成介電層I的過程中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑不受具體限制，并且可以控制在形成介電層I的過程中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑，從而達到本發(fā)明的目標。例如，陶瓷粉末顆粒的平均直徑可以為300nm或更小。在接觸介電顆粒的平均直徑De與介電層I的平均厚度td(0. 6 μ m或更小)的比例(Dytd)為O. 35或更小的情況下，可以實現(xiàn)具有優(yōu)良的可靠性的高容量多層陶瓷電容器。在接觸介電顆粒的平均直徑De與介電層I的平均厚度td的比例(De/td)大于O. 35的情況下，由于接觸介電顆粒的平均直徑大，所以采用這種薄膜介電層的多層陶瓷電子組件的可靠性會被劣化。另外，當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D。時，可以滿足De/td ( O. 25?？梢酝ㄟ^分析沿著介電層的層疊方向切割的并且通過掃描電子顯微鏡(SEM)掃描的介電層的截面的圖像來測量非接觸介電顆粒的平均直徑D。，如圖3中所示。例如，可以利用支持由美國測試與材料協(xié)會(ASTM)E112制定的平均顆粒尺寸測量方法的顆粒尺寸測量軟件來測量介電層的平均顆粒尺寸。具體地講，在非接觸介電顆粒的平均直徑D。與介電層I的平均厚度td(0. 6 μ m或更小)的比例(DcZtd)為O. 25或更小的情況下，可以實現(xiàn)具有優(yōu)良的可靠性的高容量多層陶瓷電容器。也可以通過控制在形成介電層I的過程中采用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑來調節(jié)非接觸介電顆粒的平均直徑D。，以達到本發(fā)明的目的。另外，在非接觸介電顆粒的平均直徑D。與介電層I的平均厚度td的比例(DcZtd)大于O. 25的情況下，由于非接觸介電顆粒的平均直徑大，所以根據(jù)本發(fā)明實施例的多層陶瓷電子組件的可靠性會被劣化。根據(jù)本發(fā)明的實施例，用于形成介電層I的原材料不受具體限制，只要可以實現(xiàn)足夠的電容即可。例如，原材料可以為鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。作為用于形成介電層I的材料，可以將各種陶瓷添加劑、有機溶劑、增塑劑、粘結齊U、分散劑等添加到例如鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的粉末中。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當介電層I的平均厚度td為O. 6 μ m或更小，第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22的連續(xù)性((^+(2+(3+(4)/A為80%或更大，接觸介電顆粒的平均直徑與介電層I的平均厚度的比例(De/td)為O. 35或更小，并且非接觸介電顆粒的平均直徑與介電層I的平均厚度的比例(DcZtd)為O. 25或更小時，可以實現(xiàn)具有優(yōu)良的可靠性的高電容多層陶瓷電容器。
同時，當將添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑定義為Di,并且將在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑定義為Dd時，可以滿足O. I <Di/Dd< I0在DiZiDd為O. I或更小的情況下，添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑與在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑之間的差太大，從而沒有有效地抑制內(nèi)電極層的燒結收縮，從而由于電極連續(xù)性的劣化而在電容形成過程中產(chǎn)生問題。另外，由于在每個斷開部分的端部處內(nèi)電極層變厚，相鄰內(nèi)電極層之間的距離變短，導致?lián)舸╇妷合陆?，從而可靠性劣化。此外，在DiZiDd大于I的情況下，由于添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑大于在介電層中采用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑，所以沒有有效地抑制內(nèi)電極層的燒結收縮，并且添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒在燒結工序期間漏到介電層中，從而介電層的厚度會過度地增加，從而在形成電容器的過程中以及在可靠性方面產(chǎn)生問題。當添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑Di和在介電層中采用的陶瓷粉末 顆粒的平均直徑比滿足O. I <Di/Dd< I時，可以實現(xiàn)具有優(yōu)良可靠性的高容量多層陶瓷電子組件。另外，在介電層中采用的陶瓷粉末的組分以及添加到內(nèi)電極層的陶瓷粉末的組分不受具體限制，然而，當這兩種組分彼此相同時，可以提高可靠性。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的多層陶瓷電子組件可以包括陶瓷主體10，包括層疊在其中并且具有O. 6μπι或更小的平均厚度的多個介電層I ;多個第一內(nèi)電極層21和多個第二內(nèi)電極層22，形成在陶瓷主體10內(nèi)。介電層I可以包括與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的非接觸介電顆粒。當介電層I的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為De時，可以滿足De/td ( O. 35。同時，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的多層陶瓷電子組件可以包括陶瓷主體10，包括層疊在其中并且具有O. 6μπι或更小的平均厚度的多個介電層I ;多個第一內(nèi)電極層21和多個第二內(nèi)電極層22，形成在陶瓷主體10內(nèi)，第一內(nèi)電極層21和第二內(nèi)電極層22均具有80%或更高的連續(xù)性。介電層I可以包括與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22接觸的非接觸介電顆粒。當介電層I的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，可以滿足De/td ^ O. 35。由于除了介電層以及第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層層疊為多層之外，根據(jù)本實施例的多層陶瓷電子組件與根據(jù)前述實施例的多層陶瓷電子組件基本相同，因此將省略彼此重復的描述。在下文中，將參照示例來詳細描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此。執(zhí)行測試，從而在其中提供有平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層I的多層陶瓷電容器中確定根據(jù)輸入在其中的鈦酸鋇的量的第一內(nèi)電極層21或第二內(nèi)電極層22連續(xù)性程度以及根據(jù)接觸介電顆粒和非接觸介電顆粒的各種平均直徑的可靠性的提高。如下制造每個多層陶瓷電容器。首先，在載體膜上涂覆包括諸如鈦酸鋇(BaTiO3)等粉末的漿料，并且進行干燥，以制備厚度為I. 05 μ m或O. 95 μ m的多個陶瓷生片,從而形成介電層I。
然后，制備用于內(nèi)電極層的導電膏。這里，控制添加到內(nèi)電極層的鈦酸鋇粉末顆粒的平均直徑，使得鎳顆粒的平均尺寸為O. 05 μ m至O. 2 μ m，并且滿足O. I < DiZ^Dd < I。基于鎳的重量，可以將鈦酸鋇的量改變5%到10%。通過絲網(wǎng)印刷方法將用于內(nèi)電極層的導電膏涂覆在生片上，從而形成內(nèi)電極層，然后將所得的結構以200層至250層的量層疊，以制造層疊件。順序地執(zhí)行層疊件壓縮和切割工藝以制造具有0603標準尺寸的芯片，并且將芯片在1050°C至1200°C的溫度下、O. I %或更低的H2的還原氣氛下燒結。然后，執(zhí)行外電極形成工藝、鍍覆工藝等來制造多層陶瓷電容器。根據(jù)介電層I的平均厚度不同地制造多層陶瓷電容器樣品。作為觀察多層陶瓷電容器的截面的結果，內(nèi)電極層的平均厚度為O. 4 μ m至O. 9μ ，介電層的平均厚度為O. 5μ 至 O. 8 μ m。
另外，通過在沿著層疊的陶瓷主體10的寬度(W)方向的中心部分切割的沿著長度-厚度(L-T)方向的截面的中心部分中測量10個內(nèi)電極層的電容器形成部分的連續(xù)性來確定內(nèi)電極層的連續(xù)性。為了確定內(nèi)電極層的連續(xù)性程度，從通過利用掃描電子顯微鏡(SEM)掃描10個內(nèi)電極層的截面獲得的圖像來測量電極部分的實際總長度與內(nèi)電極層的理想總長度的比。下面的表I示出了根據(jù)輸入到內(nèi)電極層的鈦酸鋇(BaTiO3)粉末的輸入比例的內(nèi)電極層的連續(xù)性、以及根據(jù)介電層的厚度和接觸介電顆粒和非接觸介電顆粒的平均直徑的高溫加速壽命。[表 I]
權利要求
1.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括 陶瓷主體，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層；以及 第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層，位于陶瓷主體內(nèi)并設置為彼此面對，介電層設置在第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層之間， 其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且 當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足De/td < O. 35。
2.根據(jù)權利要求I所述的多層陶瓷電子組件，其中，當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D。時，滿足Dc/td ^ O. 25。
3.根據(jù)權利要求I所述的多層陶瓷電子組件，其中，當添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Di,并且在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Dd時，滿足O. I < DiZDd < I。
4.根據(jù)權利要求I所述的多層陶瓷電子組件，其中，添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末與在介電層中采用的陶瓷粉末具有相同的組成。
5.根據(jù)權利要求I所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層具有80%或更大的連續(xù)性。
6.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括 陶瓷主體，包括平均厚度為O. 6 μ m或更小的介電層；以及 第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)，第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層均具有80%或更大的連續(xù)性， 其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且 當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足De/td < O. 35。
7.根據(jù)權利要求6所述的多層陶瓷電子組件，其中，當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為D。時，滿足Dc/td ^ O. 25。
8.根據(jù)權利要求6所述的多層陶瓷電子組件，其中，當添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Di,并且在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Dd時，滿足O. I < DiZDd < I。
9.根據(jù)權利要求6所述的多層陶瓷電子組件，其中，添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末與在介電層中采用的陶瓷粉末具有相同的組成。
10.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括 陶瓷主體，包括層疊在其中并且平均厚度為O. 6 μ m或更小的多個介電層；以及 多個第一內(nèi)電極層和多個第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)， 其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且 當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足De/td < O. 35。
11.根據(jù)權利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為Dc時，滿足Dc/td < O. 25。
12.根據(jù)權利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，當添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Di,并且在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Dd時，滿足O. I < DiZDd < I。
13.根據(jù)權利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末與在介電層中采用的陶瓷粉末具有相同的組成。
14.根據(jù)權利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層具有80%或更大的連續(xù)性。
15.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括 陶瓷主體，包括層疊在其中并且平均厚度為O. 6μπι或更小的多個介電層；以及 多個第一內(nèi)電極層和多個第二內(nèi)電極層，形成在陶瓷主體內(nèi)，第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層均具有80%或更大的連續(xù)性， 其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且 當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為隊時，滿足De/td < O. 35。
16.根據(jù)權利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，當非接觸介電顆粒的平均直徑被定義為Dc時，滿足Dc/td < O. 25。
17.根據(jù)權利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，當添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Di,并且在介電層中使用的陶瓷粉末顆粒的平均直徑被定義為Dd時，滿足O. I < DiZDd < I。
18.根據(jù)權利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，添加到第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層的陶瓷粉末與在介電層中采用的陶瓷粉末具有相同的組成。
全文摘要
提供了一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體，包括平均厚度為0.6μm或更小的介電層；以及第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層，位于陶瓷主體內(nèi)并設置為彼此面對，介電層設置在第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層之間，其中，介電層包括與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的接觸介電顆粒以及不與第一內(nèi)電極層或第二內(nèi)電極層接觸的非接觸介電顆粒，并且當介電層的平均厚度被定義為td，并且接觸介電顆粒的平均直徑被定義為De時，滿足De/td≤0.35。所述多層陶瓷電子組件具有改進的內(nèi)電極層的連續(xù)性、大的電容、延長的加速壽命以及優(yōu)良的可靠性。
文檔編號H01G4/12GK102903520SQ20121016944
公開日2013年1月30日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權日2011年7月28日
發(fā)明者金相赫, 李章鎬, 徐珠明, 崔圣赫, 裴鐘勛, 金俊熙, 宋璿基 申請人:三星電機株式會社