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有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物及使用了該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法

文檔序號(hào):7154172閱讀:203來源:國(guó)知局
專利名稱:有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物及使用了該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有在側(cè)鏈上包含吲哚并咔唑單元的結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物及使用了該聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)
通常電致發(fā)光元件中具有在發(fā)光元件中使用無機(jī)化合物的無機(jī)電致發(fā)光元件、和使用有機(jī)化合物的有機(jī)電致發(fā)光元件,近年來,從低電壓并且能夠得到高亮度的發(fā)光這樣的特征出發(fā),正在積極進(jìn)行有機(jī)電致發(fā)光元件的實(shí)用化研究。有機(jī)電致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)基本上為在蒸鍍有銦-錫氧化物(ITO)等陽(yáng)極材料的薄膜的玻璃板上形成空穴注入層、進(jìn)一步形成發(fā)光層等有機(jī)薄膜層、再在其上形成陰極材料 的薄膜而制作的結(jié)構(gòu),有在該基本結(jié)構(gòu)上適當(dāng)設(shè)置有空穴傳輸層或電子傳輸層的元件。有機(jī)電致發(fā)光元件的層構(gòu)成例如為陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極、或陽(yáng)極
/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極等。近年來,已知通過在發(fā)光層與陽(yáng)極之間引入空穴注入層以及空穴傳輸層等電荷傳輸層,向發(fā)光層中的空穴注入性得到改善,并且其作為對(duì)電荷的平衡進(jìn)行優(yōu)化的緩沖層起作用,從而元件的發(fā)光效率和壽命得到大幅改善。對(duì)用于有機(jī)電致發(fā)光元件的空穴傳輸層的空穴傳輸材料大致進(jìn)行分類時(shí),有低分子系空穴傳輸材料和高分子系空穴傳輸材料。作為使用了低分子系空穴傳輸材料的空穴傳輸層的制膜方法,主要使用真空蒸鍍法,其特征在于,能夠容易地使具有不同的功能的各種材料多層化,從而能夠形成高性能的有機(jī)電致發(fā)光元件,另一方面,難以實(shí)現(xiàn)伴隨面板的大屏幕化、高精細(xì)化的膜厚的均勻控制和分別涂布,進(jìn)而需要大規(guī)模的真空裝置,因此,存在制造成本增高的問題。另外,作為使用了低分子系空穴傳輸材料的空穴傳輸層的制膜方法,對(duì)通過低分子系空穴傳輸材料的溶液涂布進(jìn)行的制膜法進(jìn)行了實(shí)用化研究,但該方法中,觀察到伴隨低分子化合物的結(jié)晶化的偏析和相分離,在實(shí)用化方面需要改善。另一方面,作為高分子系空穴傳輸材料的制膜方法,由于大部分材料是不能通過真空蒸鍍法進(jìn)行蒸鍍的材料,因此,使用旋涂法、印刷法或噴墨法等溶液涂布法。該方法容易大屏幕化,量產(chǎn)化優(yōu)良,另一方面,難以實(shí)現(xiàn)涂膜的層疊化,存在容易混入雜質(zhì)這樣的問題。因此,使用了高分子系空穴傳輸材料的元件與低分子系空穴傳輸材料比較時(shí),元件效率或壽命等元件性能差。因此,要求同時(shí)具有優(yōu)良的空穴傳輸性能和良好的制膜性的高分子系空穴傳輸材料。作為用于顯示出這樣的要求特性的嘗試,例如在非專利文獻(xiàn)I中報(bào)道了聚乙烯基咔唑和聚硅烷,在專利文獻(xiàn)2和非專利文獻(xiàn)2中報(bào)道了具有乙烯基三苯基胺或?qū)⑷交酚脕喖谆B結(jié)而成的結(jié)構(gòu)的高分子。但是,使用了這些物質(zhì)的有機(jī)電致發(fā)光元件中,發(fā)光效率和元件的穩(wěn)定性差,從而未能實(shí)現(xiàn)充分的改善。
另外,作為提高有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光效率的方法,公開了在π共軛高分子的主鏈上引入吲哚并咔唑單元的高分子材料以及發(fā)光元件。即,專利文獻(xiàn)3中公開了吲哚并咔唑鍵合在外周位(peripheral position)的共軛系高分子,另外,在專利文獻(xiàn)4中公開了在聚亞芳基主鏈上引入吲哚并咔唑單元而成的共軛系高分子。但是,這些高分子雖然電荷遷移性好,但在主鏈上含有吲哚并咔唑骨架的η共軛高分子相對(duì)于有機(jī)溶劑的溶解性極低,不適合通過溶液涂布法進(jìn)行的制膜。另外,專利文獻(xiàn)5中公開了在高分子側(cè)鏈上引入特定的吲哚三聚物部位而成的高分子材料,但元件的穩(wěn)定性差,從而未能實(shí)現(xiàn)充分的改善。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平5-205377公報(bào)
專利文獻(xiàn)2 :日本特開平11-256148公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2006-193729公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本專利4019042號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :日本特開2003-338378公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)I Appl. Phys. Lett.,59,2760 (1995)非專利文獻(xiàn)2 =Synthetic Metals, 55-57,4163,(1993)

發(fā)明內(nèi)容
為了將聚合物用于有機(jī)電致發(fā)光元件,需要改善電荷傳輸性能,并且需要使膜的穩(wěn)定性、相對(duì)于溶劑的溶解性和制膜性提高。本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行的,其目的在于,提供能夠以高發(fā)光效率適用于濕式工藝的有機(jī)電致發(fā)光元件用的聚合物。另外,本發(fā)明的目的在于,提供用于照明裝置、圖像顯示裝置、顯示裝置用背光源等的使用了上述聚合物的有機(jī)電致發(fā)光元件。本發(fā)明者們進(jìn)行了深入的研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過使用在高分子側(cè)鏈上引入吲哚并咔唑骨架而得到的非共軛系聚合物,發(fā)光性能提高,從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,在高分子側(cè)鏈上含有吲哚并咔唑骨架、或者吲哚并咔唑骨架和電荷傳輸性骨架;以及有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,在層疊在基板上的陽(yáng)極層與陰極層之間具有有機(jī)層,其中,該有機(jī)層中的至少一層是含有該聚合物的層。本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,在構(gòu)成主鏈的重復(fù)單元中,具有由下述通式(I)表示的重復(fù)單元。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,在構(gòu)成主鏈的重復(fù)單元中,具有由下述通式(I)表示的重復(fù)單元,
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,通式(I)中,m為0摩爾%。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,通式(I)中,m為5^95摩爾%,n為5 95摩爾%。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,重均分子量為1000 1000000。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,通式(I)中的Z為選自下述式(2廣(7)所示的吲哚并咔唑基中的一種或者兩種以上,
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,通式(I)中的W為下述式(8)或(9)所示的電荷傳輸性基團(tuán),
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物,其特征在于,通式(I)中的W為下述式(10)或(11)所示的電荷傳輸性基團(tuán),
8.一種有機(jī)電致發(fā)光元件,其是在層疊在基板上的陽(yáng)極層以及陰極層之間具有有機(jī)層的有機(jī)電致發(fā)光兀件,其特征在于,在該有機(jī)層的至少一層中含有權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光元件,其特征在于,含有有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物的有機(jī)層為空穴傳輸層。
全文摘要
本發(fā)明提供改善元件的發(fā)光效率、并且能夠適用于濕式工藝的有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物和由其得到的有機(jī)電致發(fā)光元件。該有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物在構(gòu)成主鏈的重復(fù)單元中,具有由下述通式(1)表示的重復(fù)單元。另外,有機(jī)發(fā)光元件中,在層疊在基板上的陽(yáng)極層以及陰極層之間具有有機(jī)層,在該有機(jī)層的至少一層中含有在構(gòu)成主鏈的重復(fù)單元中具有吲哚并咔唑骨架的上述有機(jī)電致發(fā)光元件用聚合物。通式(1)中,Z為吲哚并咔唑基;W為電荷傳輸性基團(tuán),m以及n表示存在摩爾比,m為0~95摩爾%,n為5~100摩爾%。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102781979SQ20118001106
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者吉村和明, 小石川靖, 林田廣幸, 淺利徹, 田中博茂, 白石和人, 石山貴也 申請(qǐng)人:新日鐵化學(xué)株式會(huì)社
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