專利名稱：倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜、半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法和倒裝芯片型半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。此外，本發(fā)明還涉及使用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用條狀膜的方法和倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中借助于倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件例如半導(dǎo)體芯片安裝 (倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對(duì)的形式固定至基板。在此類半導(dǎo)體器件等中，可能存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護(hù)膜保護(hù)以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻(xiàn)1至10)。專利文獻(xiàn)1 JP-A-2008-166451專利文獻(xiàn)2 JP-A-2008-006386專利文獻(xiàn)3 JP-A-2007-261035專利文獻(xiàn)4 JP-A-2007-250970專利文獻(xiàn)5 JP-A-2007-158026專利文獻(xiàn)6 JP-A-2004-221169專利文獻(xiàn)7 :JP-A-2004-21^88專利文獻(xiàn)8 JP-A-2004-142430專利文獻(xiàn)9 JP-A-2004-072108專利文獻(xiàn)10 JP-A-2004-063551本發(fā)明人對(duì)將膜粘帖至半導(dǎo)體芯片背面的方法進(jìn)行了研究。結(jié)果，他們發(fā)明了一種方法，包括(1)將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜切斷成根據(jù)半導(dǎo)體元件(即，半導(dǎo)體芯片) 背面寬度的預(yù)定寬度，以形成半導(dǎo)體背面用條狀膜，(2)進(jìn)一步根據(jù)半導(dǎo)體元件的背面形狀切斷半導(dǎo)體背面用條狀膜，和(3)粘貼所述切斷的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(半導(dǎo)體背面用條狀膜)至半導(dǎo)體元件的背面。然而，當(dāng)采用該方法時(shí)出現(xiàn)了如下新的問題，切斷的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的切斷精度在一些情況下較低，因此，該膜不能以良好的精確度粘貼到半導(dǎo)體元件的背面，并且在切斷表面上產(chǎn)生裂紋(cracking)和缺口(chipping)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到前述問題而做出的，其目的是提供一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其能夠保持倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的高切斷精度，并抑制或防止裂紋和缺口。為了解決前述相關(guān)的技術(shù)問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛和深入的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)寡b芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率以A(%)表示，和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量以B(GPa)表示時(shí)，該倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜可以切斷成具有優(yōu)異寬度精確度的預(yù)定寬度，并且通過控制比率A/B在預(yù)定范圍內(nèi)可以抑制或防止裂紋和缺口。S卩，本發(fā)明涉及形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導(dǎo)體元件的背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有在1至8X 103(% /GPa)的范圍內(nèi)的比率A/B，其中A是倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率(％ )，和B 是倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量(GPa)。在倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中，為了在半導(dǎo)體生產(chǎn)步驟中加強(qiáng)芯片，需要至少一定程度的硬度，即至少一定程度的拉伸貯能模量。此類具有高拉伸貯能模量的膜通常難以伸展。然而，在將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定寬度的情況下，必須切斷該膜而在切斷中在切斷表面上不產(chǎn)生裂紋或缺口，且具有優(yōu)異的寬度精確度，因此要求該膜具有一定程度的伸展性。根據(jù)前述構(gòu)成，當(dāng)?shù)寡b芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率以 A(% )表示和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量以B(GPa) 表示時(shí)，比率A/B落入1至8X103(%/GPa)的范圍內(nèi)。由于比率A/B為1至8X 103，該倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有一定程度的硬度和具有一定程度的伸展性。因而在切斷時(shí)， 可以將膜切斷成具有優(yōu)異寬度精確度的預(yù)定寬度。此外在切斷時(shí)，可以抑制在切斷表面上產(chǎn)生的裂紋和缺口。如上，由于本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜可以根據(jù)半導(dǎo)體元件背面的形狀以良好的精確度切斷，該膜可以良好的精確度粘貼到半導(dǎo)體元件的背面，以及導(dǎo)致切斷面上的裂紋和缺口的雜質(zhì)粒子污染的影響可以在很大程度上降低。在前述的構(gòu)成中，拉伸貯能模量?jī)?yōu)選落入0. 01至4. OGPa的范圍內(nèi)。當(dāng)拉伸貯能模量為0. OlGPa以上時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜可在生產(chǎn)步驟中無變形地切斷，并可以根據(jù)半導(dǎo)體元件背面形狀以良好精確度切斷。另一方面，當(dāng)拉伸貯能模量為4. OGPa以下時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜在其切斷表面上可以無裂紋和缺口地切斷且雜質(zhì)粒子污染的影響在很大程度上降低。在前述的構(gòu)成中，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂，基于倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總量在5至90重量％的范圍內(nèi)，并且環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。當(dāng)基于倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總量落入5至90重量％的范圍內(nèi)，并且環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)時(shí)，熱固化前拉伸貯能模量可以保持較高并且可以使得熱固化前的伸長(zhǎng)率較高。本發(fā)明還提供半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法，該方法包括將上述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定寬度，以獲得半導(dǎo)體背面用條狀膜。根據(jù)前述的構(gòu)成中，使用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中當(dāng)在熱固化前在23°C 下的伸長(zhǎng)率以)表示和在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量以B(GPa)表示時(shí)，比率 A/B落入1至8X103(% /GPa)的范圍內(nèi)，以便于可以獲得以優(yōu)異的寬度精確度切斷成預(yù)定寬度的半導(dǎo)體背面用條狀膜。本發(fā)明進(jìn)一步提供倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，其使用通過生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用條狀膜的方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用條狀膜制造。


圖1為示出含有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的一個(gè)實(shí)例的截面示意圖。圖2A-2D為示出在使用圖1所示半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的情況下生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)例的截面示意圖。圖3A和;3B為示出在使用圖1所示半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的情況下生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個(gè)實(shí)例的截面示意圖。附圖標(biāo)記說明2 倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜4 半導(dǎo)體晶片40 半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜42:隔離膜5 半導(dǎo)體芯片51 在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)壬闲纬傻耐箟K(bump)6 被粘物61 粘合至被粘物6的連接墊(connection pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實(shí)施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實(shí)施方案，但本發(fā)明不限于該實(shí)施方案。圖1為示出含有根據(jù)本實(shí)施方案的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的一個(gè)實(shí)例的截面示意圖。此外，在本說明書的附圖中，未給出對(duì)于描述不必要的部分，并且為了使描述容易， 存在通過放大、縮小等示出的部分。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜2(下文中也稱作“半導(dǎo)體背面用膜”或“半導(dǎo)體背面保護(hù)膜”)具有膜形狀。將半導(dǎo)體背面用膜2切斷成根據(jù)半導(dǎo)體芯片背面寬度預(yù)定的寬度， 并用作半導(dǎo)體背面用條狀膜。半導(dǎo)體背面用膜2可以為具有層壓在其表面上的隔離膜42 (在圖1中下側(cè))的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的形式。在與半導(dǎo)體背面周膜2 —起粘貼至半導(dǎo)體芯片后，將隔離膜 42從半導(dǎo)體背面用膜2上剝離。本發(fā)明中，倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜可以用隔離膜層壓在其兩個(gè)表面上。此外，該膜可以不用隔離膜層壓，可以單獨(dú)為倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。在半導(dǎo)體背面用膜2中，當(dāng)該膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率以A表示(下文中也稱作“伸長(zhǎng)率A”)和在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量以B表示(下文中也稱作“拉伸貯能模量B”)，比率A/B落入1至8X103(%/GPa)的范圍內(nèi)。比率A/B優(yōu)選落入2至 7X103(% /GPa)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在3至6X103(%/GPa)的范圍內(nèi)。在半導(dǎo)體背面用膜2中，為了在半導(dǎo)體生產(chǎn)步驟中加強(qiáng)芯片，需要至少一定程度的硬度，即至少一定程度的拉伸貯能模量。此類具有高拉伸貯能模量的膜通常難以伸展。然而，在將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定寬度的情況下，為了抑制或防止在半導(dǎo)體背面用膜的切斷表面上產(chǎn)生裂紋和缺口，要求該膜具有一定程度的伸展性。由于比率A/B為1至8X 103，因此半導(dǎo)體背面用膜2具有一定程度的硬度和一定程度的伸展性。因而在切斷時(shí)，可以將該膜切斷成具有優(yōu)異寬度精確度的預(yù)定寬度的膜。此外，在切斷時(shí)，可以抑制在切斷表面上裂紋和缺口的產(chǎn)生。如上，由于半導(dǎo)體背面用膜2可以根據(jù)半導(dǎo)體元件背面的形狀以良好的精確度切斷，因此該膜可以良好的精確度粘貼到半導(dǎo)體元件的背面，以及導(dǎo)致切斷面上的裂紋和缺口的雜質(zhì)粒子污染的影響可以在很大程度上降低。半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選至少由熱固性樹脂形成，和更優(yōu)選至少由熱固性樹脂和熱塑性樹脂形成。當(dāng)該膜至少由熱固性樹脂形成時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜可有效地顯示出作為粘合劑層的功能。熱塑性樹脂的實(shí)例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、 飽和聚酯樹脂如PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟樹脂。熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。在這些熱塑性樹脂中， 尤其優(yōu)選包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂。丙烯酸類樹脂沒有特別限制，其實(shí)例包括含有一種或兩種以上具有含有30個(gè)以下碳原子、優(yōu)選4-18個(gè)碳原子、更優(yōu)選6-10個(gè)碳原子和特別是8或9個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有還包括甲基丙烯酸樹脂的寬泛含義。所述烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體(除其中烷基為具有30個(gè)以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒有特別限制，其實(shí)例包括含羧基單體如丙烯酸、 甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、 (甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基) 丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯； 含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基) 丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基團(tuán)單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯Q-hydroethylacryloyl phosphate) 0在這點(diǎn)上，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯， (甲基)丙烯?；侵副；?或甲基丙烯?；?，等等，這應(yīng)當(dāng)用于整個(gè)說明書中。此外，除了環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂之外，熱固性樹脂的實(shí)例還包括氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。所述熱固性樹脂可以單獨(dú)使用或以兩種以上組合使用。作為熱固性樹脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是適合的。此外，酚醛樹脂適合用作環(huán)氧樹脂的固化劑。環(huán)氧樹脂沒有特別限制，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹脂、 三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。其中，優(yōu)選具有25°C以下熔點(diǎn)的那些。作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)良。此外，上述酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實(shí)例包括酚醛清漆型酚醛樹脂如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂和壬基苯酚酚醛清漆樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對(duì)氧苯乙烯。酚醛樹脂可單獨(dú)使用或以兩種以上組合使用。在這些酚醛樹脂中，苯酚酚醛清漆樹脂和苯酚芳烷基樹脂是特別優(yōu)選的。這是因?yàn)榭筛倪M(jìn)半導(dǎo)體器件的連接可靠性。其中， 優(yōu)選具有25°C以下熔點(diǎn)的那些。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基變?yōu)?. 5至2. 0當(dāng)量，基于環(huán)氧樹脂組分中的每當(dāng)量環(huán)氧基團(tuán)。其更優(yōu)選0.8至1.2當(dāng)量。S卩，當(dāng)混合比在該范圍之外時(shí)，固化反應(yīng)不能充分進(jìn)行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化?；诎雽?dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，熱固性樹脂的含量?jī)?yōu)選為5重量％至90重量％，更優(yōu)選10重量％至85重量％，進(jìn)一步優(yōu)選15重量％至80重量％。通過控制該含量至5重量％以上，可保持耐熱性。此外，在樹脂封裝步驟之前將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片的情況下，半導(dǎo)體背面用膜可在封裝樹脂熱固化下充分地?zé)峁袒?，并因此確保膜粘附和固定到半導(dǎo)體元件的背面以生產(chǎn)顯示出無剝離的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。另一方面， 通過控制該含量至90重量％以下，可以抑制封裝(PKG 倒裝芯片型半導(dǎo)體器件)的翹曲。熱固性樹脂優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂。特別是，優(yōu)選基于倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)，和其中環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總量更優(yōu)選落入10重量％至85重量％的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在15重量％至80重量％的范圍內(nèi)。當(dāng)基于半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)以及環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)時(shí)，在熱固化前的拉伸貯能模量可以保持較高和使在熱固化前的伸長(zhǎng)率也可以較高。用于環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進(jìn)催化劑沒有特別限制，可適當(dāng)選自已知的熱固化促進(jìn)催化劑并使用。熱固化促進(jìn)催化劑可單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。作為熱固化促進(jìn)催化劑，例如，可使用胺類固化促進(jìn)催化劑、磷類固化促進(jìn)催化劑、咪唑類固化促進(jìn)催化劑、硼類固化促進(jìn)催化劑或磷-硼類固化促進(jìn)催化劑。半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選由含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的樹脂組合物或者含有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物形成。由于這些樹脂包含離子性雜質(zhì)少和耐熱性高，可以確保半導(dǎo)體元件的可靠性。重要的是半導(dǎo)體背面用膜2具有對(duì)于半導(dǎo)體晶片背面(非電路面)的粘合性(緊密粘合性)。半導(dǎo)體背面用膜2例如可由包含環(huán)氧樹脂作為熱固性樹脂的樹脂組合物形成。 為了使半導(dǎo)體背面用膜2預(yù)先交聯(lián)至一定程度，優(yōu)選在制備時(shí)作為交聯(lián)劑添加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物。由此，可以增強(qiáng)高溫下的粘合特性并且可以改進(jìn)耐熱性。半導(dǎo)體背面用膜對(duì)半導(dǎo)體元件的粘合力(23°C、剝離角為180°和剝離速率為 300mm/分鐘)優(yōu)選在0. 5N/20mm至15N/20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 7N/20mm至10N/20mm 的范圍內(nèi)。當(dāng)該粘合力為0. 5N/20mm以上時(shí)，該膜以優(yōu)良的粘貼性粘貼至半導(dǎo)體元件并可以防止浮起等發(fā)生。另一方面，通過控制粘合力在15N/20mm以下，該膜可以容易地從隔離膜42上剝離。交聯(lián)劑沒有特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，例如，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還可提及脲類交聯(lián)劑、 金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或以兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實(shí)例包括低級(jí)脂肪族多異氰酸酯如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、4， 4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實(shí)例包括 N, N, N' , N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基團(tuán)的環(huán)氧類樹脂。交聯(lián)劑的用量沒有特別限制，可取決于交聯(lián)度而適當(dāng)選擇。具體地，基于100重量份的聚合物組分(特別地是在分子鏈端具有官能團(tuán)的聚合物)，交聯(lián)劑的用量?jī)?yōu)選通常為7 重量份以下(例如，0.05至7重量份)。當(dāng)基于100重量份的聚合物組分，交聯(lián)劑的量大于 7重量份時(shí)，粘合力降低，從而不優(yōu)選這種情況。從改進(jìn)內(nèi)聚力的觀點(diǎn)來看，基于100重量份的聚合物組分，交聯(lián)劑的量?jī)?yōu)選為0. 05重量份以上。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，也可以通過用電子束或紫外光等照射來進(jìn)行交聯(lián)處理。優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。由此，可以顯示優(yōu)異的激光標(biāo)識(shí)性和優(yōu)異的外觀性， 并且變得可以制造具有增值外觀性的半導(dǎo)體器件。如上，由于著色的半導(dǎo)體背面用膜具有優(yōu)異的標(biāo)識(shí)性，可通過利用任何各種標(biāo)識(shí)方法如通過半導(dǎo)體背面用膜的印刷法和激光標(biāo)識(shí)法進(jìn)行標(biāo)識(shí)，從而將各種信息如文字信息和圖形信息賦予至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。特別地，通過控制著色的顏色，變得可以觀察通過優(yōu)異可視性地標(biāo)識(shí)而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。此外，當(dāng)將半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，切割帶和半導(dǎo)體背面用膜可容易地彼此區(qū)分，從而可提高加工性等。此外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同的顏色將其產(chǎn)品分類。在半導(dǎo)體背面用膜著色的情況(該膜既不是無色也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色沒有特別限制，但是例如，優(yōu)選深色如黑色、藍(lán)色或紅色，黑色是特別優(yōu)選的。在本實(shí)施方案中，深色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40以下(0至40)的在LW顏色空間中定義的L*的深色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點(diǎn)上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當(dāng)選擇。例如，f和b*兩者均在優(yōu)選-10至 10，更優(yōu)選-5至5，進(jìn)一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本實(shí)施方案中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ a*和b*可通過用色差計(jì)(商品名〃 CR-200"，由Minolta Ltd制造；色差計(jì))測(cè)量來確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de Γ Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE1976(L*aV)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在半導(dǎo)體背面用膜著色時(shí)，根據(jù)目標(biāo)顏色，可使用著色劑(著色試劑)。作為此類著色劑，可適合地使用各種深色著色劑如黑色著色劑、藍(lán)色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。在這點(diǎn)上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽(yáng)離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式?jīng)]有特別限制，可在已知顏料中適當(dāng)選擇和使用。特別地，當(dāng)染料用作著色劑時(shí)，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^溶解于半導(dǎo)體背面用膜中而均勻地或幾乎均勻地分散的狀態(tài)，從而可容易地生產(chǎn)具有均勻的或幾乎均勻的顏色濃度 (color density)的半導(dǎo)體背面用膜。因此，當(dāng)染料用作著色劑時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻的或幾乎均勻的顏色濃度，并且可增強(qiáng)標(biāo)識(shí)性和外觀性。黑色著色劑不特別限制，例如，可適合地選自無機(jī)黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為其中將青色著色劑(藍(lán)-綠著色劑)、品紅色著色劑(紅-紫著色劑)和黃色著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。 當(dāng)然，黑色著色劑可與除黑色之外顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實(shí)例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、 活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機(jī)黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，也可利用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等等。作為此類黑色著色劑，例如，商品名〃 Oil Black BY"、商品名〃 Oil Black BS 〃、商品名〃 Oil Black HBB “、商品名“Oil Black803 “、商品名“Oil Black860〃、商品名〃 Oil Black 5970〃、商品名〃 Oil Black 5906〃、商品名〃 Oil Black 5905"(由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商購(gòu)可得的。除了黑色著色劑之外的著色劑的實(shí)例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實(shí)例包括青色染料如C. I.溶劑藍(lán)25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性藍(lán)6和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍(lán) 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.甕藍(lán) 4、60 ；和 C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實(shí)例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對(duì)、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實(shí)例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實(shí)例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。在這點(diǎn)上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限制，可根據(jù)各著色劑的種類和目標(biāo)顏色等適當(dāng)選擇。在將半導(dǎo)體背面用膜2著色的情況下，著色形式?jīng)]有特別限制。半導(dǎo)體背面用膜可以是例如，添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可以是至少將至少由熱固性樹脂形成的樹脂層與著色劑層層壓的層壓膜。在這點(diǎn)上，在半導(dǎo)體背面用膜2為樹脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選具有樹脂層/著色劑層/樹脂層的層壓形式。在該情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩層樹脂層可以是具有相同組成的樹脂層或可以是具有不同組成的樹脂層。向半導(dǎo)體背面用膜2中，根據(jù)需要可適當(dāng)共混其它添加劑。其它添加劑的實(shí)例除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可以是任意無機(jī)填料和有機(jī)填料，但無機(jī)填料是適合的。通過共混填料如無機(jī)填料，可以實(shí)現(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性的改進(jìn)和彈性模量的控制等。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體背面用膜2可以是導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無機(jī)填料的實(shí)例包括由以下組成的各種無機(jī)粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁，氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀和焊料，以及碳等。填料可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔融二氧化硅。在此， 無機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1 μ m至80 μ m的范圍內(nèi)。無機(jī)填料的平均粒徑可通過例如激光衍射型粒徑分布測(cè)量設(shè)備來測(cè)量。填料(特別地，無機(jī)填料)的共混量?jī)?yōu)選為80重量份以下(0重量份至80重量份)，更優(yōu)選為0重量份至70重量份，基于100重量份有機(jī)樹脂組分。阻燃劑的實(shí)例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實(shí)例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。離子捕集劑的實(shí)例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2可以例如通過利用常規(guī)的方法形成，其中將熱固性樹脂組分如環(huán)氧樹脂，任選的熱塑性樹脂組分如丙烯酸類樹脂，任選的溶劑和其它添加劑等混合，從而制備樹脂組合物，接著將該組合物形成為膜狀層。具體地，例如，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)可以通過以下方法形成將樹脂組合物施涂至隔離膜42上以形成樹脂層 (或粘合劑層)的方法；或者將樹脂組合物施涂至樹脂層形成用薄片(例如，剝離紙)上以形成樹脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至隔離膜42上的方法；等等。樹脂組合物可為溶液或分散液。由于半導(dǎo)體背面用膜2是由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的，在半導(dǎo)體背面用膜中，在將熱固性樹脂施涂至半導(dǎo)體元件之前的階段，熱固性樹脂處于未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將其施涂至半導(dǎo)體元件之后，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹脂完全或幾乎完全固化。具體地，當(dāng)在倒裝芯片接合步驟之前將半導(dǎo)體背面用膜 2粘貼至半導(dǎo)體元件上的情況下，在倒裝芯片接合步驟中在封裝材料固化時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹脂完全或幾乎完全固化。當(dāng)在倒裝芯片接合步驟之后將半導(dǎo)體背面用膜2 粘貼至半導(dǎo)體元件的情況下，例如，在激光標(biāo)識(shí)等之后通過待進(jìn)行的熱處理(激光標(biāo)識(shí)后進(jìn)行的再流步驟)，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹脂完全地或幾乎完全地固化。如上，由于即使當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜包含熱固性樹脂組分時(shí)，該膜也處于熱固性樹脂未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)沒有特別限制，但是例如，在 50重量％以下(0-50重量％)的范圍內(nèi)合適地選擇，并優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％)， 特別優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％)。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)可以通過以下測(cè)量方法測(cè)量。<凝膠分?jǐn)?shù)測(cè)量方法>從半導(dǎo)體背面用膜2中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，在將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將其在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時(shí)，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達(dá)式(a)計(jì)算凝膠分?jǐn)?shù)(重
量％ )。凝膠分?jǐn)?shù)(重量％)=[(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)]X100 (a)
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半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分?jǐn)?shù)可以通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及除此以外的加熱溫度和加熱時(shí)間等來控制。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地顯示對(duì)于半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。由于在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的過程中使用切割水，因此由于吸濕，可能存在半導(dǎo)體背面用膜具有常規(guī)狀態(tài)以上的水含量的情況。當(dāng)仍然在此類高水分含量下進(jìn)行加熱時(shí)，可能存在水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體元件之間的粘合界面處的情況，從而導(dǎo)致浮起。因此，當(dāng)配置半導(dǎo)體背面用膜以在兩表面上包括具有高透濕性的芯材料制成的層時(shí)， 水蒸氣擴(kuò)散，由此可以避免此類問題。從該觀點(diǎn)，作為半導(dǎo)體背面用膜，可使用具有其中半導(dǎo)體背面用膜形成于芯材料的一個(gè)表面或兩個(gè)表面的多層結(jié)構(gòu)的膜。芯材料的實(shí)例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜和聚碳酸酯膜)、用玻璃纖維或塑料制的無紡纖維增強(qiáng)的樹脂基板、硅基板和玻璃基板。半導(dǎo)體背面用膜2的厚度(在層壓膜的情況下的總厚度)不特別限制，但是例如， 可在約2 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)適合地選擇。此外，該厚度優(yōu)選為約4 μ m至160 μ m，更優(yōu)選約6 μ m至100 μ m和特別優(yōu)選約10 μ m至80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜2在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量B優(yōu)選落入0. 01至 4. OGPa的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體背面用膜2的拉伸貯能模量B更優(yōu)選落入0. 05至3. 5GPa的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在0. 07至3. OGPa的范圍內(nèi)。當(dāng)拉伸貯能模量為0. OlGPa以上時(shí)，可以將半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定寬度以形成條狀而無變形。另一方面，當(dāng)拉伸貯能模量為4. OGPa 以下時(shí)，可以將半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定寬度，而在切斷面上無裂紋和缺口。如上所述， 由于熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此拉伸貯能模量B通常為熱固性樹脂處于未固化或部分固化的狀態(tài)下的在23°C下的拉伸貯能模量。此外，拉伸貯能模量通過以下確定通過制備未固化狀態(tài)下的半導(dǎo)體背面用膜，并使用由Rheometrics Co. , Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，在氮?dú)鈿夥罩杏陬A(yù)定溫度(23°C)下，在樣品寬度為10mm、樣品長(zhǎng)度為22. 5mm、樣品厚度為 0. 2mm、頻率為IHz和升溫速率為10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測(cè)量彈性模量，并將測(cè)量的彈性模量作為所得的拉伸貯能模量的值。半導(dǎo)體背面用膜2在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率A優(yōu)選落入1至700%的范圍內(nèi)。 半導(dǎo)體背面用膜2的伸長(zhǎng)率A更優(yōu)選落入1. 5至600%的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在2至500% 的范圍內(nèi)。通過控制伸長(zhǎng)率A為1 %以上，可以將半導(dǎo)體背面用膜2適合地切斷成預(yù)定寬度以形成條狀。另一方面，通過控制伸長(zhǎng)率A為700%以下，可以將半導(dǎo)體背面用膜適合地切斷成預(yù)定寬度以形成條狀而無變形。伸長(zhǎng)率A可以通過實(shí)施例中描述的方法獲得。此處，盡管半導(dǎo)體背面用膜2可以是單層或者可以為層壓多層的層壓膜。在層壓膜的情況下，作為層壓膜的整體的拉伸貯能模量B可以落入0. 01至4. OGPa的范圍內(nèi)。此外，在層壓膜的情況下，作為層壓膜的整體的伸長(zhǎng)率A可以落入1至700%的范圍內(nèi)。前述的伸長(zhǎng)率A和拉伸貯能模量B可以通過適當(dāng)設(shè)定樹脂組分(熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂)的種類和含量，以及填料如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2為層壓多層的層壓膜的情況下(半導(dǎo)體背面用膜具有層壓形式的情況下)，作為層壓形式，例如，可以示例由晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層等構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層之間，可以設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補(bǔ)強(qiáng)層、著色層、基材層、電磁波阻擋層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。在這點(diǎn)上，晶片粘合層為顯示對(duì)晶片優(yōu)異的緊密粘合性(粘合性質(zhì))的層和與晶片背面接觸的層。另一方面，激光標(biāo)識(shí)層為顯示優(yōu)異的激光標(biāo)識(shí)性的層和在半導(dǎo)體芯片背面上激光標(biāo)識(shí)時(shí)利用的層。半導(dǎo)體背面用膜2在可見光區(qū)域(波長(zhǎng)400nm至SOOnm)的透光率(可見光透過率)沒有特別限制，但是例如，優(yōu)選在20%以下(0至20% )、更優(yōu)選在10%以下(0至 10% )、特別優(yōu)選5%以下(0至5% )。當(dāng)半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率為大于20% 時(shí)，由于光的透射，可能不利地影響半導(dǎo)體元件。此外，可見光透過率(％ )可以通過半導(dǎo)體背面用膜2的樹脂組分的種類和含量、著色劑(顏料、染料等)的種類和含量以及無機(jī)填料的含量等來控制。半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％)可以如下方式測(cè)定。S卩，單獨(dú)制備具有厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2。然后，將半導(dǎo)體背面用膜2用波長(zhǎng)為400nm 至800nm的可見光在規(guī)定強(qiáng)度下照射[設(shè)備由Siimadzu Corporation制造的可見光發(fā)射設(shè)備(商品名〃 ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER")]，并測(cè)量透過的可見光的強(qiáng)度。此外，可以由可見光透過半導(dǎo)體背面用膜2前后的強(qiáng)度變化來確定可見光透過率的值(％ )。 在這點(diǎn)上，也可以從厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％ ；波長(zhǎng)400nm 至SOOnm)推導(dǎo)出厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％ ；波長(zhǎng)400nm至 800nm)。此外，在本發(fā)明中，在厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的情況下測(cè)定可見光透過率(％)的事實(shí)，并不特別限制半導(dǎo)體背面用膜2的厚度為20 μ m的膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較低吸濕率的半導(dǎo)體背面用膜。具體地， 吸濕率優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過將吸濕度調(diào)整至1重量％以下， 可以增強(qiáng)激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中可以抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體元件之間的空隙的產(chǎn)生。吸濕率為由使半導(dǎo)體背面用膜2在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下放置168小時(shí)前后的重量變化計(jì)算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，吸濕率是指當(dāng)將熱固化后的膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下放置168小時(shí)時(shí)獲得的值。此外，吸濕率可例如通過改變無機(jī)填料的添加量來調(diào)整。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較小比率的揮發(fā)性物質(zhì)的半導(dǎo)體背面用膜2。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2的重量減少的比率(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。熱處理的條件為，例如，加熱溫度為250°C，加熱時(shí)間為 1小時(shí)。通過將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，可以增強(qiáng)激光標(biāo)識(shí)性。此外，例如，在再流步驟中可以抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率可例如通過在無鉛焊料再流時(shí)添加能夠減少裂紋產(chǎn)生的無機(jī)物質(zhì)來調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成的情況下，重量減少率為當(dāng)熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度為250°C和加熱時(shí)間為1小時(shí)的條件下加熱時(shí)獲得的值。半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選以隔離膜層壓在一個(gè)表面上的形式，S卩，以半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的形式，卷繞成卷形物(roll)。由此，其上未層壓半導(dǎo)體背面用膜2的隔離膜42 的表面，可以與位于表面?zhèn)鹊母綦x膜42 (隔離膜42的背面)相接觸，以保護(hù)半導(dǎo)體背面用膜直到實(shí)際使用。特別地，在半導(dǎo)體背面用膜2根據(jù)要被粘貼的半導(dǎo)體元件的背面形狀切斷后，將該膜粘貼到半導(dǎo)體元件上。因此，更優(yōu)選將半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40根據(jù)半導(dǎo)體元件的寬度(縱向?qū)挾然驒M向?qū)挾?切斷成預(yù)定的寬度，并以半導(dǎo)體背面用條狀膜的形式卷繞成卷形物。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體背面用膜2可以以隔離膜層壓在兩個(gè)面上的形式卷繞成卷形物。(隔離膜)作為隔離膜42，例如可使用適合的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料基材與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合地使用塑料基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實(shí)例包括烯烴類樹脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、 離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺類樹脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳基酰胺)；聚醚醚酮 (PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。隔離膜42可以是單層或兩層以上的多層。以與半導(dǎo)體背面用膜2 —起的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的形式根據(jù)半導(dǎo)體元件表面的形狀將隔離膜 42切斷后，隔離膜42與半導(dǎo)體背面用膜2 —起粘貼到半導(dǎo)體元件上。此后，再流步驟之前或之后，將隔離膜從半導(dǎo)體背面用膜2上剝離。作為隔離膜42的生產(chǎn)方法，可以通過常規(guī)已知的方法形成。隔離膜42可以在兩個(gè)表面上經(jīng)受剝離處理。當(dāng)隔離膜42的兩個(gè)表面均經(jīng)受剝離處理時(shí)，半導(dǎo)體背面用膜2可以以隔離膜單獨(dú)層壓在一個(gè)表面上的形式，S卩，以半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的形式，卷繞成卷形物。因此，在切斷成芯片形狀和粘貼至芯片背面時(shí)，可以省略在另一個(gè)表面上剝離隔離膜的步驟。用于剝離處理的脫模劑的實(shí)例包括氟類脫模劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑和硅酮類脫模劑。其中，優(yōu)選硅酮類脫模劑。當(dāng)隔離膜42用硅酮類脫模劑剝離處理后，隔離膜 42可以容易地從半導(dǎo)體背面用膜上剝離。隔離膜42的厚度沒有特別限制，但是優(yōu)選為7至400 μ m,更優(yōu)選10至300 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選20至200 μ m。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的厚度(半導(dǎo)體背面用膜2的厚度和隔離膜42的厚度的總厚度)可以為，例如，9至600 μ m，優(yōu)選14至460 μ m。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的生產(chǎn)方法)通過將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離紙上以便干燥后的厚度為預(yù)定厚度，并在預(yù)定條件下進(jìn)一步干燥材料，來獲得半導(dǎo)體背面用膜2。(半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的生產(chǎn)方法)在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40 —個(gè)表面上層壓隔離膜42的情況下，半導(dǎo)體背面用膜2 可以如下生產(chǎn)。該情況下，圖1所示的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40作為實(shí)例進(jìn)行解釋。首先， 隔離膜42可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實(shí)例包括壓延成膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法(casting method)、在密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠出法和干法層壓法。然后，如果需要，隔離膜42的一個(gè)表面或兩個(gè)表面通過用脫模劑涂布表面進(jìn)行剝離處理。接著，將用于形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料施涂至剝離紙上形成涂層，以便于干燥之后具有預(yù)定厚度，并在預(yù)定條件下進(jìn)一步干燥。其中隔離膜42層壓在半導(dǎo)體背面用膜2的一個(gè)表面上的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40可以通過轉(zhuǎn)移該涂層到隔離膜42上而獲得。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40也可以通過直接施涂形成半導(dǎo)體背面用膜2的成形材料至隔離膜42上，隨后在預(yù)定條件下干燥(在熱固化是必須的情況下，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理和干燥)而形成。此外，在形成半導(dǎo)體背面用膜2時(shí)進(jìn)行熱固化的情況下，重要的是進(jìn)行熱固化至實(shí)現(xiàn)部分固化的程度，但是優(yōu)選不進(jìn)行熱固化。(半導(dǎo)體晶片)半導(dǎo)體晶片不特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當(dāng)?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適合地使用硅晶片。(半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法)半導(dǎo)體背面用條狀膜可以通過將半導(dǎo)體背面用膜2切斷成預(yù)定寬度而獲得。對(duì)于此類切斷，例如，可以使用切條機(jī)(slitter)或切斷設(shè)備。由于在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率A與在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量B的比率，S卩，比率A/B落入1至8X103(% / GPa)的范圍內(nèi)，半導(dǎo)體背面用膜2具有一定程度的硬度以及具有一定程度的伸展性。結(jié)果， 該膜可以切斷成具有優(yōu)異寬度精確度的預(yù)定寬度。在這點(diǎn)上，半導(dǎo)體背面用條狀膜可以在粘貼有隔離膜的狀態(tài)下，即，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40的狀態(tài)下，切斷成預(yù)定寬度，或可以單獨(dú)的半導(dǎo)體背面用條狀膜形式下切斷成預(yù)定寬度。(半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)下面參考圖2A至2D和圖3A至描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。圖 2A至2D和圖3A至;3B為各自示出在使用如圖1所示半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜的情況下的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的截面示意圖。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件可以使用通過前述半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用條狀膜來生產(chǎn)。具體地，該方法至少包括粘貼半導(dǎo)體晶片至切割帶的步驟，切割半導(dǎo)體晶片的步驟，拾取由切割獲得的半導(dǎo)體元件的步驟，倒裝芯片接合半導(dǎo)體元件至被粘物的步驟，和使根據(jù)半導(dǎo)體元件背面形狀切斷的半導(dǎo)體背面用條狀膜粘貼至半導(dǎo)體元件背面的步驟。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，半導(dǎo)體晶片4粘貼到迄今知道的切割帶3上并固定在其上(安裝步驟)，該切割帶3含有基材和設(shè)置在該基材31上的壓敏粘合劑層32。在這點(diǎn)上，切割帶3粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對(duì)的表面(也稱為非電路表面、非電極形成表面等)。粘貼方法不特別限制，但優(yōu)選通過壓接的方法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓時(shí)進(jìn)行。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成預(yù)定尺寸并個(gè)體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路表面?zhèn)冗M(jìn)行。此外，本步驟可采取例如形成達(dá)到切割帶3的切口(slit)的稱作完全切斷的切斷方法。本步驟中使用的切割設(shè)備沒有特別限制，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。在切割帶3擴(kuò)展的情況下，擴(kuò)展可使用常規(guī)已知的擴(kuò)展設(shè)備進(jìn)行。所述擴(kuò)展設(shè)備具有能夠推動(dòng)切割帶3向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐切割帶3的內(nèi)環(huán)。由于該擴(kuò)展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至切割帶3的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5 的拾取，以將半導(dǎo)體芯片5從切割帶3剝離。拾取方法沒有特別限制，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從切割帶3的基材31側(cè)向上推動(dòng)各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。(倒裝芯片接合步驟)如圖2D所示，使拾取的半導(dǎo)體芯片5根據(jù)倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定至被粘物如基板上。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也可稱為表面、電路圖案形成表面或電極形成表面等)與被粘物6相對(duì)的方式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如，使在半導(dǎo)體芯片5的電路表面?zhèn)刃纬傻耐箟K51壓接粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)導(dǎo)電性材料(如焊料)61的同時(shí)，熔融導(dǎo)電性材料，以確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物 6之間的電連接，并由此將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6 (倒裝芯片接合步驟)。在此情況下，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙，并且間隙的間距通常為約30 μ m至300 μ m。 在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)至被粘物6之后，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的界面以及間隙洗滌，然后通過用包封材料(如包封樹脂)填充間隙來密封二者。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)。基板的材料沒有特別限制，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實(shí)例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊的材料和導(dǎo)電性材料沒有特別限制，其實(shí)例包括焊料(合金)如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料和錫-鋅-鉍系金屬材料，以及金系金屬材料和銅系金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時(shí)的溫度通常為約 2600C (例如，250°C至 3000C )。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對(duì)面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時(shí)使用的洗滌液沒有特別限制，其實(shí)例包括有機(jī)洗滌液或水性洗滌液。接著，進(jìn)行包封步驟，以包封倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。包封步驟使用包封樹脂進(jìn)行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹脂的固化通常在175°C下進(jìn)行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至 185°C的溫度下進(jìn)行幾分鐘。包封樹脂沒有特別限制，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知包封材料如包封樹脂中適當(dāng)選擇和使用。包封樹脂優(yōu)選為具有彈性的絕緣樹脂。包封樹脂的實(shí)例包括含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的包封樹脂除了環(huán)氧樹脂之外可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂(如酚醛樹脂)或熱塑性樹脂。此外，也可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為此類酚醛樹脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。然后，將半導(dǎo)體背面用條狀膜根據(jù)半導(dǎo)體芯片5的背面形狀切斷。該切斷可以利用沖擊刀(punching blade)如Hiomson刀或激光進(jìn)行。接下來，如圖3A所示，將配置有隔離膜42 (獨(dú)自的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜)的切斷的半導(dǎo)體背面用條狀膜粘貼至半導(dǎo)體芯片5的背面。然后，如圖:3B所示，將隔離膜42從粘貼至半導(dǎo)體芯片5背面的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40上剝離。在使用半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40制造的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件) 中，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片的背面，因此，可以以優(yōu)異的可見度實(shí)施各種標(biāo)識(shí)。特別地，即使當(dāng)標(biāo)識(shí)方法是激光標(biāo)識(shí)法時(shí)，標(biāo)識(shí)也可以以優(yōu)異的對(duì)比度實(shí)施，并可以觀察由具有良好可見度的激光標(biāo)識(shí)施加的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標(biāo)識(shí)時(shí)，可利用已知激光標(biāo)識(shí)設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準(zhǔn)分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl 激光器、XeF激光器等)是適合的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如Nd: YAG激光器)和YVO4激光器是適合的。在半導(dǎo)體背面用膜2的激光標(biāo)識(shí)后，可以根據(jù)需要進(jìn)行熱處理(激光標(biāo)識(shí)后進(jìn)行的再流步驟)。加熱處理的條件沒有特別限制，但其可以根據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC) 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。例如，其可以在溫度(上限)為210至270°C的范圍內(nèi)以及時(shí)間為5至50秒的范圍內(nèi)進(jìn)行。通過該步驟，可以將半導(dǎo)體封裝安裝到基板(如母板)上。在前述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，解釋了如下情況其中在封裝倒裝芯片接合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙的封裝步驟之后，將半導(dǎo)體背面用膜2 (半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜40)粘貼至半導(dǎo)體芯片5的背面。然而，本發(fā)明中，將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼到半導(dǎo)體芯片背面的時(shí)機(jī)并局限于該實(shí)例，例如，該時(shí)機(jī)可以在封裝步驟之前。在前述半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，解釋了如下情況其中，將配置了隔離膜42(單個(gè)的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜)的半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至半導(dǎo)體芯片5的背面，但在本發(fā)明中，并不局限于該實(shí)例，可以將根據(jù)半導(dǎo)體元件背面形狀切斷的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜單獨(dú)粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)用膜生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當(dāng)采用該半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動(dòng)電話”和“PHS”，小型計(jì)算機(jī)[例如，所謂的“PDA”(手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個(gè)人計(jì)算機(jī)”，所謂的“Net Book (商標(biāo))”和所謂的“可穿戴計(jì)算機(jī)”等]，具有集成“移動(dòng)電話”和計(jì)算機(jī)的形式的小型電子器件，所謂的“Digital Camera(商標(biāo))”，所謂的“數(shù)碼攝像機(jī)”，小型電視機(jī)，小尺寸游戲機(jī)，小型數(shù)字音頻播放機(jī)，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端，移動(dòng)電子器件(可攜帶電子器件)如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動(dòng)器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)”、薄型電視機(jī)、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤記錄機(jī)(hard disk recorders)、DVD播放機(jī)等)、投影儀和微型機(jī)等。另外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件沒有特別限制，其實(shí)例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲(chǔ)器”、硬盤等)的構(gòu)件。實(shí)施例以下將詳細(xì)地說明性描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，除非另外說明，這些實(shí)施例中描述的材料和混合量等不欲限制本發(fā)明的范圍于此，并且它們僅僅是示例性的實(shí)施例。 此外，除非另外說明，在各實(shí)施例中的份為重量標(biāo)準(zhǔn)。(實(shí)施例1)<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份環(huán)氧樹脂(商品名“HP4032D”，由DIC, Inc.制造)，將40份苯氧基樹脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造),129份酚醛樹脂(商品名“MEH-8000”，由 Meiwa Chemicals,Co. ,Ltd.制造)、1137 份球形二氧化硅(商品名“S0-25R”，由 Admatechs Company Limited 制造)、14 份染料(商品名 “OIL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和1份熱固化促進(jìn)催化劑(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemicals Corporation制造)溶解于甲乙酮中，以制備具有固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液(有時(shí)也稱作“樹脂組合物溶液A” )。將該樹脂組合物溶液A施涂至已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第一隔離膜上，并在130°C下干燥2分鐘。然后，將已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第二隔離膜在60°C下粘貼至其上，以制備厚度為20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(有時(shí)也稱作“半導(dǎo)體背面用膜A”)。(實(shí)施例2)<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACR0N W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)， 將48份環(huán)氧樹脂(商品名"ΕΡΙΚ0ΤΕ 1004”，由JER Co.，Ltd.制造)、55份酚醛樹脂(商品名“MIREX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、1；35份球形二氧化硅(商品名 “S0-25R，，，由 Admatechs Company Limited 制造)、5 份染料 1 (商品名“OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2 (商品名“OIL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(有時(shí)也稱作“樹脂組合物溶液B”)。將該樹脂組合物溶液B施涂至已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第一隔離膜上，并在130°C下干燥2分鐘。然后，將已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第二隔離膜在60°C下粘貼至其上， 以制備厚度為20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(有時(shí)也稱作“半導(dǎo)體背面用膜B”)。(實(shí)施例3)<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 12份環(huán)氧樹脂(商品名:"ΕΡΙΚ0ΤΕ 1004”，由JER Co.，Ltd.制造)、13份酚醛樹脂(商品名“MIREX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、180份球形二氧化硅(商品名 "S0-25R，，，由 Admatechs Company Limited 制造)、5 份染料 1 (商品名"OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2 (商品名“OIL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(有時(shí)也稱作“樹脂組合物溶液C”)。將該樹脂組合物溶液C施涂至已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第一隔離膜上，并在130°C下干燥2分鐘。然后，將已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第二隔離膜在60°C下粘貼至其上，以制備厚度為20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(有時(shí)也稱作“半導(dǎo)體背面用膜C”)。(比較例1)<倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制備>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，將 113份環(huán)氧樹脂(商品名"ΕΡΙΚ0ΤΕ 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹脂(商品名“MIREX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 “S0-25R，，，由 Admatechs Company Limited 制造)、5 份染料 1 (商品名“OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5份染料2 (商品名“0IL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6 重量％的樹脂組合物溶液(有時(shí)也稱作“樹脂組合物溶液D”)。將該樹脂組合物溶液D施涂至已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由厚度為50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第一隔離膜上，并在130°C下干燥2分鐘。然后，將已進(jìn)行硅酮?jiǎng)冸x處理的由具有厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜組成的第二隔離膜在60°C下粘貼至其上， 以制備厚度為20 μ m的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(有時(shí)也稱作“半導(dǎo)體背面用膜D”)。(評(píng)價(jià))對(duì)于實(shí)施例1至3和比較例1制備的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，根據(jù)以下評(píng)價(jià)或測(cè)量方法評(píng)價(jià)或測(cè)量拉伸貯能模量、伸長(zhǎng)率和切條性(slit property)。評(píng)價(jià)或測(cè)量結(jié)果如表1所示。<在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量的測(cè)量>倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量B通過以下方式測(cè)量制備倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜作為單個(gè)膜，并使用由!Geometries Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備"Solid Analyzer RS A2"測(cè)量該模量。用于測(cè)量的樣品是具有樣品寬度10mm、樣品長(zhǎng)度22. 5mm和樣品厚度0. 2mm的樣品。測(cè)量條件是，頻率為1Hz，升溫速率為10°C /分鐘，以拉伸模式，在氮?dú)鈿夥障拢?3°C下?！丛跓峁袒霸?3°C下的伸長(zhǎng)率測(cè)量〉倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率A通過以下方式測(cè)量 制備單個(gè)的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，并使用由!Geometries Co.，Ltd.制造的動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備"Solid Analyzer RS A2"測(cè)量該比率。用于測(cè)量的樣品為具有樣品寬度 10mm、樣品長(zhǎng)度20mm和樣品厚度0. 2mm的樣品。使用動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)量設(shè)備固定樣品使得上下夾盤(chuck)的間距為10mm，在50mm/s拉伸速率下進(jìn)行測(cè)量，并且在斷裂點(diǎn)獲得的伸長(zhǎng)率的值作為伸長(zhǎng)率A?！辞袟l性的評(píng)價(jià)方法〉利用根據(jù)實(shí)施例和比較例的每一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，用切條機(jī)將該膜切斷成9mm寬度以制備晶片背面保護(hù)用條狀膜。切條機(jī)的切斷條件為20m/min。(切條性的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn))良好切條后，在倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的邊緣沒有產(chǎn)生缺口和裂紋。差切條后，在倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的邊緣產(chǎn)生缺口和裂紋。表1
熱固化前的伸長(zhǎng)率 A(%)熱固化前的拉伸貯能模量B(GPa)切條性實(shí)施例143.0良好實(shí)施例22001.3良好實(shí)施例35000.07良好對(duì)比例114.0差雖然已詳細(xì)地并參考其具體實(shí)施方案描述本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯而易見的是可在不背離其范圍的情況下在其中進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。本申請(qǐng)基于2010年7月觀日提交的日本專利申請(qǐng)2010-169559，在此將其全部?jī)?nèi)容引入以作參考。
權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的背面，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有在1至8X103(% /GPa)的范圍內(nèi)的比率A/B，其中A是所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的伸長(zhǎng)率(％ )，和B是所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23°C下的拉伸貯能模量(GPa)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述拉伸貯能模量在0.01 至4. OGPa的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂， 其中基于所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)，和其中所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂， 其中基于所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)，和其中所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。
5.一種半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法，所述方法包括將根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜切斷成預(yù)定的寬度，以獲得半導(dǎo)體背面用條狀膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法，其中所述拉伸貯能模量在 0.01至4. OGPa的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂， 其中基于所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)，和其中所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法，其中所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂， 其中基于所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的總樹脂組分，所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂的總量在5重量％至90重量％的范圍內(nèi)，和其中所述環(huán)氧樹脂和所述酚醛樹脂各自具有25°C以下的熔點(diǎn)。
9.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體器件，其使用由根據(jù)權(quán)利要求5至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體背面用條狀膜的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用條狀膜制得。
全文摘要
本發(fā)明涉及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其要形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的背面，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有在1到8×103(％/GPa)的范圍內(nèi)的比率A/B，其中A是倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23℃下的伸長(zhǎng)率(％)，和B是倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在熱固化前在23℃下的拉伸貯能模量(GPa)。
文檔編號(hào)H01L23/29GK102382585SQ20111021230
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社