專利名稱：一種半橋功率模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率模塊組件，具體的說(shuō)是一種半橋功率模塊。
背景技術(shù)：
功率模塊IGBT(絕緣柵極雙極晶體管)模塊廣泛用于變頻器、焊機(jī)、UPS、太陽(yáng)能和風(fēng)能領(lǐng)域。在傳統(tǒng)的大功率模塊封裝中，為了達(dá)到高可靠性，需要回流焊接功率端子，信號(hào)走線需要繞線，需要灌環(huán)氧樹(shù)脂。但這種功率模塊，存在工藝較復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高的缺點(diǎn)ο

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)出一種大功率的半橋功率模塊。本發(fā)明要解決的是現(xiàn)有功率模塊存在的生產(chǎn)工藝較復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
它包括散熱基板、絕緣基板和功率端子，散熱基板上至少包含三塊絕緣基板，功率端子包括第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子，第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子平行排列構(gòu)成半橋結(jié)構(gòu)，第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子的一端均與所述的三塊絕緣基板連接，第二功率端子與第三功率端子之間設(shè)有一定的絕緣間距。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是一是功率高、效率高、生產(chǎn)成本低和可靠性好。二是本發(fā)明提供了一種簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)的電流動(dòng)態(tài)分配非常對(duì)稱的半橋模塊。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖所示，本發(fā)明包括散熱基板2、散熱基板2上至少包括三塊絕緣基板和三個(gè)功率端子。所述的該三塊絕緣基板包括絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9。所述的三個(gè)功率端子包括第一功率端子20、第二功率端子1和第三功率端子18。第一功率端子20、第二功率端子1和第三功率端子18平行排列構(gòu)成半橋電結(jié)構(gòu)。第一功率端子20、第二功率端子1 和第三功率端子18的一端均與所述的絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9。第二功率端子 1與第三功率端子18之間有絕緣間距。絕緣基板9上設(shè)有IGBT芯片13和二極管芯片14。第一功率端子20上設(shè)有三個(gè)引腳，第一功率端子通過(guò)該三個(gè)引腳，分別為引腳 16、引腳17、引腳19，引腳19、引腳17、引腳16分別與絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9 連接。第二功率端子1上設(shè)有三個(gè)引腳，分別為引腳10、引腳6、引腳3，引腳3、引腳6、引腳10分別與絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9連接。第二功率端子通過(guò)該三個(gè)引腳，分別與三塊絕緣基板連接。第三功率端子18上設(shè)有三個(gè)引腳，分別為引腳11、引腳8、引腳4，引腳4、引腳8、 引腳11分別與絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9連接。絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9并排分布于散熱基板2上。絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9用陶瓷材料制成。散熱基板2是為平的散熱基板，用銅或AiSiC或CuSiC制成。散熱基板的厚度是 3mm-5mm0所述的絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9和第一功率端子20、第二功率端子1和第三功率端子18的連接為軟鉛焊接，或是超聲波鍵合。絕緣基板5、絕緣基板7、絕緣基板9兩側(cè)覆銅，厚度0. 1-0. 3mm之間。本發(fā)明所述的第二功率端子1與第三功率端子18中，其中一個(gè)是低電位，另一個(gè)是高電位。本發(fā)明的功率端子一端連接絕緣基板，另一端引出連接外部母線?，F(xiàn)具體說(shuō)明本發(fā)明的組裝方式
首先把IGBT芯片13和二極管芯片14粘結(jié)到絕緣基板9上，粘結(jié)方式可以是回流軟釬焊接，或擴(kuò)散焊接，或銀粉壓接。然后把IGBT芯片13、二極管芯片14和絕緣基板9之間用鍵合鋁線15、鍵合鋁線12連接起來(lái)。再把絕緣基板9、絕緣基板5、絕緣基板7粘結(jié)到散熱基板2上，最后使用超聲波鍵合的方式分別把第一功率端子20、第二功率端子1、第三功率端子18的引腳16、引腳17、引腳19、引腳10、引腳6、引腳3、引腳11、引腳8、引腳4分別連接到絕緣基板9、絕緣基板5、絕緣基板7上。圖2是圖1的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。圖2中的40、30、20分別對(duì)應(yīng)圖1中的第三功率端子18、第一功率端子20和第二功率端子1。圖1中的引腳4、引腳8、引腳11 ；引腳16、引腳17、引腳19 ；引腳3、引腳3、引腳10分別對(duì)應(yīng)圖2的41、42、43 ；31,32,33 -,21,22,23.
權(quán)利要求
1.一種半橋功率模塊，包括散熱基板、絕緣基板和功率端子，其特征在于在散熱基板上至少包含三塊絕緣基板，功率端子包括第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子；第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子平行排列構(gòu)成半橋結(jié)構(gòu)；第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子的一端均與所述的三塊絕緣基板連接，第二功率端子與第三功率端子之間設(shè)有間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于第一功率端子上設(shè)有三個(gè)引腳，第一功率端子通過(guò)該三個(gè)引腳分別與三塊絕緣基板連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于第二功率端子上設(shè)有三個(gè)引腳，第二功率端子通過(guò)該三個(gè)引腳分別與三塊絕緣基板連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于第三功率端子上設(shè)有三個(gè)引腳，第三功率端子通過(guò)該三個(gè)引腳分別與三塊絕緣基板連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于三塊絕緣基板并排分布于散熱基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于絕緣基板用陶瓷材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于散熱基板是為平的散熱基板，用銅或AiSiC或CuSiC制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于散熱基板的厚度是3mm-5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋功率模塊，其特征在于絕緣基板兩側(cè)覆銅，厚度 0. 1-0. 3mm 之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種大功率的半橋功率模塊，它包括散熱基板、絕緣基板和功率端子，散熱基板上至少包含三塊絕緣基板，功率端子包括第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子，第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子平行排列構(gòu)成半橋結(jié)構(gòu)，第一功率端子、第二功率端子和第三功率端子的一端均與所述的三塊絕緣基板連接，第二功率端子與第三功率端子之間有一定的絕緣間距。本發(fā)明具有功率高、效率高、生產(chǎn)成本低和可靠性好的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L25/16GK102208403SQ20111013493
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者劉志宏, 呂鎮(zhèn), 姬鳳燕, 金曉行 申請(qǐng)人:嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體有限公司