專利名稱：半導(dǎo)體激光裝置、半導(dǎo)體激光裝置的制造方法和光學(xué)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置、半導(dǎo)體激光裝置的制造方法和光裝置，特別涉及具有將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置、半導(dǎo)體激光裝置的制造方法和光裝置。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，半導(dǎo)體激光元件作為光盤(pán)系統(tǒng)或光通信系統(tǒng)等的光源廣為使用。例如， 出射約780nm波長(zhǎng)的激光的紅外半導(dǎo)體激光元件作為CD的再現(xiàn)用的光源已經(jīng)實(shí)用化，并且，出射約650nm波長(zhǎng)的激光的紅色半導(dǎo)體激光元件也已作為DVD的記錄、再現(xiàn)用的光源實(shí)用化。此外，出射約405nm波長(zhǎng)的激光的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件作為藍(lán)光光盤(pán)的光源已經(jīng)實(shí)用化。為了實(shí)現(xiàn)這樣的光源裝置，目前已知具有將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置。這樣的半導(dǎo)體激光裝置例如在特開(kāi)平9-205251號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-209551號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2009-135347號(hào)公報(bào)中已經(jīng)得到公開(kāi)。特開(kāi)平9-205251號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器的塑料成型裝置，具有由形成有凸緣面的樹(shù)脂成型件構(gòu)成的頭部、安裝于頭部的半導(dǎo)體激光元件和覆蓋半導(dǎo)體激光元件的周圍的樹(shù)脂制的透明蓋。該塑料成型裝置中，透明蓋的開(kāi)口邊緣部通過(guò)含有環(huán)氧樹(shù)脂類材料的粘接劑與頭部的凸緣面接合，由此使半導(dǎo)體激光元件氣密密封。此外，特開(kāi)平10-209551號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光裝置，具有由樹(shù)脂成型件構(gòu)成的頭部、安裝于頭部的元件設(shè)置部的半導(dǎo)體激光元件和截面形成為L(zhǎng)字形狀的樹(shù)脂制的透明蓋(蓋部件)。該半導(dǎo)體激光裝置中，透明蓋的外緣部通過(guò)光固化性粘接劑等與頭部的元件設(shè)置部接合，由此使半導(dǎo)體激光元件氣密密封。另外，特開(kāi)2009-135347號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種光學(xué)模塊，具有由金屬材料構(gòu)成的基板、安裝在基板的上表面上的面發(fā)光激光元件和以金屬類材料為主材料構(gòu)成的將激光光源的周圍的空間密封的封裝部件(密封用部件)。該光學(xué)模塊中，封裝部件的開(kāi)口邊緣部通過(guò)接合膜與基板的上表面接合，由此使面發(fā)光激光元件氣密密封。此處，接合膜例如通過(guò)對(duì)銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或銻錫氧化物(ATO)等金屬氧化物導(dǎo)入氫原子作為離去基的特殊的制造工藝來(lái)形成。不過(guò)，特開(kāi)平9-205251號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平10-209551號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的半導(dǎo)體裝置， 在頭部與透明蓋的接合中使用了環(huán)氧樹(shù)脂類粘接劑或光固化性粘接劑。這些粘接劑，特別是在固化前的狀態(tài)下含有大量有機(jī)氣體等揮發(fā)性氣體成分的情況下，接合后可能會(huì)在封裝體內(nèi)充滿上述揮發(fā)性氣體。這時(shí)，特別是在密封的是藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件的情況下，揮發(fā)性氣體的振蕩波長(zhǎng)短，會(huì)因高能量的激光而激發(fā)、分解，導(dǎo)致容易在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面形成附著物。這時(shí)，因?yàn)榧す獗桓街镂?，所以激光出射端面的溫度容易上升?其結(jié)果將產(chǎn)生半導(dǎo)體激光元件劣化的問(wèn)題。另外，特開(kāi)2009-135347號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的光學(xué)模塊(半導(dǎo)體裝置)，在通過(guò)規(guī)定的制造工藝形成由具有離去基的金屬氧化物構(gòu)成的接合膜之后，使用該接合膜來(lái)將封裝體與基板接合，所以存在制造工藝復(fù)雜的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置具有半導(dǎo)體激光元件和將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體，封裝體具有用于安裝半導(dǎo)體激光元件的基部、密封用部件和使從半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件，半導(dǎo)體激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封，基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。本發(fā)明的第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，如上所述，基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。此處，乙烯-聚乙烯醇共聚物是阻隔外部氣體的氣障性優(yōu)異的樹(shù)脂材料，所以能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等透過(guò)密封劑浸入封裝體內(nèi)。而且，從乙烯-聚乙烯醇共聚物不容易產(chǎn)生上述揮發(fā)成分，所以抑制了在激光出射端面形成附著物。其結(jié)果，能夠抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。此外，上述乙烯-聚乙烯醇共聚物是能夠容易地通過(guò)熱壓接來(lái)進(jìn)行部件彼此的接合的樹(shù)脂材料，所以不需要復(fù)雜的制造工藝，就能夠?qū)⒒?、密封用部件和窗用部件相互接合，將封裝體密封。作為本發(fā)明的密封劑，作為制造工序上容易處理、氣障性優(yōu)異且不容易產(chǎn)生在激光出射端面形成附著物的揮發(fā)成分的材料使用了上述乙烯-聚乙烯醇共聚物，這一點(diǎn)是本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過(guò)仔細(xì)的研究而發(fā)現(xiàn)的。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，優(yōu)選密封用部件與窗用部件通過(guò)密封劑接合。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，在利用密封劑接合密封用部件和窗用部件時(shí)，能夠通過(guò)具有透光性的窗用部件來(lái)確認(rèn)密封劑的接合狀態(tài)。由此，能夠不使氣泡等混入密封劑中，可靠地將密封用部件與窗用部件接合。其結(jié)果，能夠提高接合部處的密封用部件與窗用部件的密合性。 而且，窗用部件由于設(shè)置在遠(yuǎn)離引線的位置，所以不容易受到引線的軟釬焊融化時(shí)的熱的影響。從乙烯-聚乙烯醇共聚物具有熱塑性的方面考慮，本發(fā)明的密封劑在不容易受到熱的影響的窗用部件的接合中使用是有效的。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封用部件優(yōu)選是金屬制的。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的密封劑由于對(duì)金屬表面具有高密合性，所以能夠提高接合部位處的密封用部件與窗用部件的密合性。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封用部件優(yōu)選是玻璃制的。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的密封劑由于對(duì)玻璃表面具有高密合性，所以能夠提高接合部位處的密封用部件與窗用部件的密合性。并且，在將玻璃部件與金屬部件等接合的情況下，能夠在通過(guò)玻璃確認(rèn)密封劑的接合狀態(tài)的同時(shí)，將密封用部件與窗用部件可靠地接合。此外，由于本發(fā)明的密封劑還富有柔軟性，所以能夠吸收無(wú)意施加到接合部位的沖擊力。由此，能夠抑制玻璃制的窗用部件變得容易破碎。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封用部件優(yōu)選由金屬箔構(gòu)成，并且在接合區(qū)域通過(guò)密封劑與基部接合，密封劑延伸到密封用部件的接合區(qū)域以外的表面上。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠提高金屬箔的強(qiáng)度(剛性)，所以即使使用廉價(jià)的金屬箔也能夠容易地構(gòu)成具有規(guī)定的剛性的密封用部件。此外，通過(guò)提高剛性，能夠防止制造工序上的不需要的變形，并使制造工序上的處理變得容易。在上述密封用部件由金屬箔構(gòu)成的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，基部具有從上表面開(kāi)口到前表面的開(kāi)口部，密封用部件由從上表面到前表面彎折成側(cè)截面呈大致L字形狀的金屬箔構(gòu)成，并且密封劑設(shè)置在與封裝體的密封空間面對(duì)的密封用部件的表面的大致整個(gè)面。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，即使在通過(guò)將金屬箔彎折成大致L字形狀來(lái)形成密封用部件的情況下，也能夠利用沿著密封用部件的面對(duì)密封空間的一側(cè)的表面設(shè)置的密封劑，來(lái)容易地提高密封用部件的強(qiáng)度(剛性)。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封劑優(yōu)選在基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件彼此的整個(gè)接合區(qū)域無(wú)間隙地設(shè)置。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠利用無(wú)間隙地設(shè)置的密封劑來(lái)可靠地將封裝體的密封空間與封裝體的外部隔離。由此，能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件劣化。在上述密封劑沿著接合區(qū)域無(wú)間隙地設(shè)置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，密封劑具有從接合區(qū)域露出到封裝體的密封空間內(nèi)的部分，露出的部分的厚度大于密封劑的在接合區(qū)域的厚度。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，不僅能夠防止存在于半導(dǎo)體激光裝置的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等，透過(guò)基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件彼此的接合區(qū)域處的密封劑的部分浸入封裝體內(nèi)，還能有效地抑制上述氣體透 過(guò)厚度比該接合區(qū)域大的密封劑的部分浸入封裝體內(nèi)。這時(shí)，密封劑的露出到密封空間內(nèi)的部分優(yōu)選將接合區(qū)域附近的基部的表面覆蓋。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠增大密封劑與基部的接觸面積，能夠進(jìn)一步提高封裝體內(nèi)部的氣密性。在上述密封用部件與窗用部件通過(guò)密封劑接合的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，窗用部件通過(guò)密封劑與封裝體的密封空間中的密封用部件的表面或與和密封空間相反的一側(cè)的封裝體的外側(cè)的密封用部件的表面接合。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒋坝貌考惭b于密封用部件的密封空間內(nèi)外中任一側(cè)的表面，所以能夠提高半導(dǎo)體激光裝置的設(shè)計(jì)上的自由度。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封劑的側(cè)面優(yōu)選被由透濕度比密封劑小的材料構(gòu)成的樹(shù)脂覆蓋。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，利用上述透濕度小的樹(shù)脂，能夠可靠地抑制存在于外部(大氣中)的濕氣(水分)等從密封用部件與窗用部件的接合部經(jīng)由密封劑浸入封裝體內(nèi)部。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封用部件優(yōu)選呈具有底部的筒狀。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠以由在密封用部件的長(zhǎng)邊方向(筒形狀延伸的方向)上延伸的內(nèi)側(cè)面來(lái)周狀地包圍半導(dǎo)體激光元件的狀態(tài)，將封裝體密封。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中優(yōu)選的是，基部由金屬板構(gòu)成且包含第一引線端子，并且，基部在第一引線端子以外的金屬板具有凹部，半導(dǎo)體激光元件安裝于凹部的內(nèi)底面。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠無(wú)需像現(xiàn)有技術(shù)那樣使用樹(shù)脂來(lái)設(shè)置基部的側(cè)面，所以揮發(fā)性的有機(jī)氣體等不會(huì)充滿封裝體內(nèi)。由此，能夠可靠地抑制半導(dǎo)體激光元件的劣化。 并且，由于基部與第一引線端子形成為一體，所以部件數(shù)少，能夠容易地制造半導(dǎo)體激光裝置。在上述基部包含第一引線端子的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，第一引線端子與內(nèi)底面導(dǎo)通，并且還具有將相對(duì)于激光出射方向處于半導(dǎo)體激光元件后方的凹部的后表面貫通，且通過(guò)絕緣部件與內(nèi)底面絕緣的第二引線端子，第二引線端子的在封裝體的密封空間內(nèi)的至少安裝到絕緣部件的安裝部分附近，設(shè)置有密封劑。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，即使設(shè)置將凹部的后表面貫通的第二引線端子，也能夠利用設(shè)置于封裝體內(nèi)側(cè)的密封劑來(lái)維持封裝體內(nèi)的密封性。此外，在絕緣部件由樹(shù)脂制的情況下，能夠抑制樹(shù)脂部件所產(chǎn)生的揮發(fā)性的有機(jī)氣體透過(guò)密封劑浸入封裝體內(nèi)。上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，密封劑的厚度優(yōu)選為5 μ m以上50 μ m以下。 通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠無(wú)損封裝體的密封性(氣密性)地將封裝體整體的高度(厚度) 形成得更低(薄)。并且，能夠減少使用的密封劑的量，所以能夠減少例如露出到接合后的基部與密封用部件的接合部以外的密封劑的量。 上述第一方面的半導(dǎo)體激光裝置中，半導(dǎo)體激光元件優(yōu)選為氮化物類半導(dǎo)體激光元件。這樣，對(duì)于振蕩波長(zhǎng)短、且要求高輸出的氮化物類半導(dǎo)體激光元件來(lái)說(shuō)，由于容易在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面形成附著物，所以上述本發(fā)明的使用“密封劑”這一點(diǎn)，在抑制氮化物類半導(dǎo)體激光元件劣化方面是非常有效的。本發(fā)明的第二方面的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，包括將半導(dǎo)體激光元件安裝到基部的工序；和將基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件通過(guò)由乙烯_聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑熱壓接而相互接合，以將半導(dǎo)體激光元件密封的工序。本發(fā)明的第二方面的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，如上所述，包括將基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑熱壓接來(lái)相互接合的工序。本發(fā)明中，由于使用制造工序上容易處理的原材料作為密封劑，所以能夠無(wú)需復(fù)雜的制造工藝，將基部、密封用部件和窗用部件相互接合來(lái)將封裝體密封。此外， 由于在密封劑中使用乙烯-聚乙烯醇共聚物，所以能夠獲得半導(dǎo)體激光元件的劣化受到抑制的半導(dǎo)體激光裝置。上述第二方面的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，優(yōu)選進(jìn)行接合的工序包括在將熔融的密封劑涂布于密封用部件后，將密封用部件通過(guò)密封劑與基部和窗用部件中的至少一者壓接的工序。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，由于即使對(duì)具有復(fù)雜形狀的接合區(qū)域也能夠容易地涂布熔融的密封劑，所以能夠容易地利用密封劑將基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件接合。上述第二方面的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法中，優(yōu)選進(jìn)行接合的工序包括在密封用部件與基部和窗用部件的至少一者之間隔著形成為薄膜狀的密封劑的狀態(tài)下進(jìn)行壓接的工序。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，與涂布熔融的密封劑的情況相比，即使在控制密封劑的使用量的狀態(tài)下能夠獲得與涂布密封劑的情況一樣的密封性(氣密性)，能夠無(wú)損封裝體的密封性(氣密性)地將封裝體整體的高度(厚度)形成得更低(薄)。本發(fā)明的第三方面的光學(xué)裝置，包括具有半導(dǎo)體激光元件和將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置；和控制半導(dǎo)體激光裝置的出射光的光學(xué)系統(tǒng)，封裝體具有用于安裝半導(dǎo)體激光元件的基部、密封用部件和使從半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件，半導(dǎo)體激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封，基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。本發(fā)明的第三方面的光學(xué)裝置中，由于半導(dǎo)體激光裝置采用上述結(jié)構(gòu)，所以能夠得到搭載有無(wú)需復(fù)雜的制造工藝就將封裝體密封、且半導(dǎo)體激光元件的劣化得到抑制的半導(dǎo)體激光裝置的光學(xué)裝置。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的俯視圖。圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的俯視圖。圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖8是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的變形例的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖10是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖11是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖12是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖13是用于說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖14是用于說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的立體圖。圖15是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置的基部和密封用部件分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖16是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的變形例的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖17是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的基部和蓋部分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖18是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖19是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的變形例的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖20是本發(fā)明的第五實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。
圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋部的制造工藝的截面圖。圖22是用于說(shuō)明本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋部的制造工藝的截面圖。圖23是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的蓋部和基部分離的狀態(tài)的分解立體圖。圖24是本發(fā)明的第六實(shí)施方式的沿著半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。圖25是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的縱截面圖。圖26是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖27是用于說(shuō)明本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖28是用于說(shuō)明本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖29是用于說(shuō)明本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的制造工藝的截面圖。圖30是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的除去密封用部件的狀態(tài)的俯視圖。圖31是表示具備本發(fā)明的第八實(shí)施方式的三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)的概要圖。圖32是表示本發(fā)明的變形例的半導(dǎo)體激光裝置中，在隔著膜狀的密封劑的狀態(tài)下將密封用部件與基部接合的狀態(tài)的立體圖。圖33是沿著圖32所示的半導(dǎo)體激光裝置的寬度方向的中心線的縱截面圖。
具體實(shí)施例方式以下基于

本發(fā)明的實(shí)施方式。(第一實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)D1和圖2，對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置100包括具有約405nm的振蕩波長(zhǎng)的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，和將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20密封的封裝體90。封裝體90具有用于安裝藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的基部10 ；和安裝于基部10，從上方(C2側(cè))和 前方(Al側(cè))這兩個(gè)方向覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封用部件30。這里，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”的一例?；?0如圖1所示，具有由聚酰胺樹(shù)脂形成的厚度為tl(C方向)的平板狀的基部主體10a。并且，在平板狀的基部主體IOa的前方的大致一半的區(qū)域，形成有向著下方 (Cl側(cè))凹陷厚度tl的大致一半的深度的凹部10b。而且，在基部主體IOa的前方的前壁部10c，在寬度方向(B方向)的中央部設(shè)置有寬度為W3的大致矩形狀的開(kāi)口部10d。于是， 在凹部10b，設(shè)置有在上表面IOi開(kāi)口的大致矩形狀的開(kāi)口部IOe和在前方開(kāi)口的開(kāi)口部IOd0此外，凹部IOb包括前壁部IOc ；從前壁部IOc的兩側(cè)端部起向后方(A2側(cè))大致平行地延伸的一對(duì)側(cè)壁部IOf ；與側(cè)壁部IOf的后方側(cè)(A2側(cè))的端部連接的內(nèi)壁部IOg ；和在下部與前壁部10c、一對(duì)側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg連接的底面。此外，在基部10，由金屬制的引線框架構(gòu)成的引線端子11、12和13配置成在相互絕緣的狀態(tài)下從前方向后方貫通基部主體10a。而且，從俯視來(lái)看，引線端子11貫通基部主體IOa的B方向的大致中心，并且引線端子12和13分別配置在引線端子11的寬度方向的外側(cè)(B2側(cè)和Bl側(cè))。此外，引線端子11、12和13的向各自的后方延伸的后端區(qū)域，均從基部主體IOa的后方的后壁部IOh露出。此外，引線端子11、12和13的前方的前端區(qū)域lla、12a和13a分別從基部主體IOa 的內(nèi)壁部IOg露出，前端區(qū)域Ila 13a共同配置在凹部IOb的底面上。而且引線端子11 的前端區(qū)域Ila在凹部IOb的底面上在B方向上擴(kuò)展。

另外，在引線端子11，一體形成有與前端區(qū)域Ila連接的一對(duì)散熱部lid。一對(duì)散熱部Ild以引線端子11為中心大致對(duì)稱地配置在B方向的兩側(cè)。此外，散熱部Ild從前端區(qū)域Ila延伸，并從基部主體IOa的側(cè)面向Bl方向和B2方向貫通，露出于基部10的外部。 于是，工作的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20所發(fā)出的熱，傳遞到次基臺(tái)(submoimt) 40和兩側(cè)的散熱部lld，向半導(dǎo)體激光裝置100的外部散熱。密封用部件30由鋁箔形成。密封用部件30如圖1所示，具有頂面部30a和在頂面部30a的一側(cè)(Al側(cè))的端部向下彎折而延伸的正面部30b，該頂面部30a具有約50 μ m 的厚度t2和寬度Wl (B方向)，該正面部30b具有厚度t2和寬度W2 (W2 ( Wl)。此外，由于頂面部30a和正面部30b形成為相互大致正交的狀態(tài)，所以密封用部件30的A方向的側(cè)截面具有大致L字形狀。此外，正面部30b的寬度W2比開(kāi)口部IOd的B方向的開(kāi)口長(zhǎng)度W3 大(W2 > W3)。另外，如圖2所示，在密封用部件30的內(nèi)側(cè)面(內(nèi)表面30c)上的大致整個(gè)區(qū)域， 涂布有具有約0. 2mm的厚度t3的密封劑15。此處，密封劑15使用作為EVOH樹(shù)脂的易包樂(lè) (注冊(cè)商標(biāo)，可樂(lè)麗(kuraray)制易包樂(lè)F104B)。EVOH樹(shù)脂是氣障性優(yōu)異的材料，主要作為多層膜使用于食品包裝材料等。此外，在正面部30b的大致中央部，設(shè)置有在厚度方向上貫通密封用部件30的一個(gè)孔部34(窗部)。而且，以從正面部30b的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部34的方式，設(shè)置具有約 0. 25mm的厚度的由硅酸硼玻璃構(gòu)成的具有透光性的透光部35。此時(shí)，透光部35通過(guò)涂布于孔部34周圍的具有約0. Imm的厚度的密封劑15粘貼于正面部30b。于是，孔部34被通過(guò)密封劑15安裝的透光部35完全封閉。另外，在透光部35的Al側(cè)和A2側(cè)的表面上，形成有具有防反射層的作用的由Al2O3構(gòu)成的電介質(zhì)膜31。此處，透光部35是本發(fā)明的“窗用部件”的一例。在該狀態(tài)下，密封用部件30和基部10通過(guò)密封劑15接合。S卩，密封用部件30， 在上表面IOi的開(kāi)口部IOe的周邊(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域和一對(duì)側(cè)壁部IOf以及前壁部 IOc的各自的上表面)、前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al側(cè)))的開(kāi)口部IOd的周邊，通過(guò)密封劑15安裝于基部10。并且，基于上述密封劑15的接合區(qū)域形成為環(huán)狀。由此，開(kāi)口部 IOd和IOe被密封用部件30完全封閉，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20被封裝體90密封。于是， 在半導(dǎo)體激光裝置100中，在封裝體90的內(nèi)部的光出射面不產(chǎn)生或不容易產(chǎn)生由揮發(fā)成分生成的附著物等。另外，如圖2所示，密封用部件30通過(guò)規(guī)定的壓接力與基部10接合，所以頂面部30a的內(nèi)表面30c與基部主體IOa的上表面IOi的接合區(qū)域處的密封劑15的厚度t4比接合區(qū)域以外的密封劑15的厚度t3小。另外，例如接合后的密封劑15中比接合區(qū)域(厚度t4)微靠?jī)?nèi)側(cè)(封裝體90的內(nèi)部側(cè))的部分可能會(huì)呈圓角狀堆起而具有厚度 t5(t5 > t4)。此外，這種堆起的形狀有可能會(huì)沿著密封用部件30和基部10的接合區(qū)域的內(nèi)側(cè)和外側(cè)形成。此外，在引線端子11的前端區(qū)域Ila的上表面大致中央，隔著具有導(dǎo)電性的次基臺(tái)40安裝有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20具有約100 μ m的厚度(高度(C方向))。此處，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20使光出射面向著前方，以PN結(jié)側(cè)向上 (junction-up)方式安裝。此外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的一對(duì)共振器端面中射出的激光的光強(qiáng)度相對(duì)較大的一個(gè)端面為光出射面，相對(duì)較小的一個(gè)端面為光反射面，激光向Al方向出射。另外，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面和光反射面，通過(guò)制造工藝中的端面鍍膜處理，形成由AlN膜或Al2O3膜等構(gòu)成的多層電介質(zhì)膜(未圖示)。此外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上表面的ρ側(cè)電極21，與由Au等構(gòu)成的金屬線91的一端引線接合(wire bonding)，而金屬線91的另一端與前端區(qū)域12a連接。 另外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的下表面的η側(cè)電極22，經(jīng)由次基臺(tái)40與前端區(qū)域 Ila電連接。此外，在次基臺(tái)40的后方的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面?zhèn)?，用于監(jiān)視激光強(qiáng)度的光電二極管(PD)42以光接受面向著上方的方式配置。而且，平板狀的PD42的下表面(η型區(qū)域)通過(guò)由Ag膏等構(gòu)成的導(dǎo)電性粘接層5與前端區(qū)域Ila電連接，并且PD42 的上表面(P型區(qū)域)與由Au等構(gòu)成的金屬線92的一端引線接合，金屬線92的另一端與前端區(qū)域13a連接。此外，如圖1和圖2所示，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的各部件的表面，涂布有由EVOH樹(shù)脂構(gòu)成的具有規(guī)定厚度的被覆劑16。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，被覆劑16連續(xù)地覆蓋凹部IOb 的內(nèi)側(cè)面(前壁部10c、一對(duì)側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的內(nèi)側(cè)面以及凹部IOb的底面)、與次基臺(tái)40和PD42接合的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面、前端區(qū)域12a和13a的表面。此時(shí)，導(dǎo)電性粘接層5從PD42的下部露出的部分的表面也被被覆劑16覆蓋。于是，位于封裝體90的密封空間內(nèi)的樹(shù)脂制的基部主體IOa和引線端子11 13等的表面，被被覆劑16 完全覆蓋。此外，如圖1所示，封裝體90內(nèi)的次基臺(tái)40的一側(cè)(Bi側(cè))的前端區(qū)域Ila上， 隔著被覆劑16設(shè)置有由硅膠構(gòu)成的氣體吸收劑49。另外，氣體吸收劑49形成為以底面往下的大致半球狀，球面的頂部以與密封用部件30的內(nèi)側(cè)面(內(nèi)表面30c)的密封劑15接觸的方式固定。這樣，構(gòu)成半導(dǎo)體激光裝置100。接著，參照?qǐng)D1 圖7，對(duì)第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置100的制造工藝進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖3所示，通過(guò)將由鐵或銅等的帶狀的薄板構(gòu)成的金屬板蝕刻來(lái)形成引線框架104，該引線框架104是通過(guò)在橫向方向上將散熱部Ild與前端區(qū)域Ila形成為一體的引線端子11、和配置在引線端子11的兩側(cè)的引線端子12、13反復(fù)圖案化而成。此時(shí)，各引線端子12和13圖案化成由在橫向方向上延伸的連結(jié)部101和102連結(jié)的狀態(tài)。此外， 各散熱部Ild圖案化成由在橫向方向上延伸的連結(jié)部103連結(jié)的狀態(tài)。之后，如圖4所示，使用樹(shù)脂成型裝置在引線框架104成型基部10 (參照?qǐng)D1)，該基部10包括被一組引線端子11 13貫通的基部主體10a，和使各端子的前端區(qū)域Ila 13a露出于底面上的凹部10b。此時(shí)，基部主體IOa以各引線端子11 13的前端區(qū)域Ila 13a共同配置在凹部IOb內(nèi)的方式模制成型。此外，使用規(guī)定的制造工藝，制作藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、PD42和次基臺(tái)40。然后，使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)在次基臺(tái)40的一個(gè)表面(上表面)上接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的芯片。此時(shí)，η側(cè)電極22側(cè)與次基臺(tái)40的上表面接合。之后，如圖4所示，通過(guò)導(dǎo)電性粘接層(未圖示)，在前端區(qū)域1 Ia的上表面大致中央(橫向方向)的上表面上接合次基臺(tái)40。此時(shí)，沒(méi)有與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20接合的次基臺(tái)40的下表面?zhèn)扰c前端區(qū)域Ila的上表面接合。接著，在次基臺(tái)40的后方并且是在前端區(qū)域Ila與內(nèi)壁部IOg之間，使用導(dǎo)電性粘接層5接合PD42的下表面。此時(shí)，PD42的 η型區(qū)域側(cè)與引線端子11接合。然后，如圖1所示，使用金屬線91連接ρ側(cè)電極21和前端區(qū)域12a。并使用金屬線92連接PD42的ρ型區(qū)域(上表面)和前端區(qū)域13a。之后，在將基部10加熱到約230°C的狀態(tài)下，以連續(xù)地覆蓋凹部IOb的內(nèi)側(cè)面(前壁部10c 、一對(duì)側(cè)壁部IOf和內(nèi)壁部IOg的內(nèi)側(cè)面以及凹部IOb的底面)、接合有次基臺(tái)40 和PD42的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面、前端區(qū)域12a和13a的表面的方式涂布被覆劑 16。由此，金屬線91和92的引線端子側(cè)的端部附近也涂布被覆劑16。在將基部10冷卻后，如圖4所示，將其沿分離線180和190切斷，從而切斷并除去連結(jié)部101、102和103。之后，將氣體吸收劑49載置在次基臺(tái)40的一側(cè)(Bi側(cè))的前端區(qū)域Ila上。另一方面，如圖5所示，將具有約17 μ m的厚度t2的片狀的鋁箔130加熱到約 220°C，并在此狀態(tài)下在背面130b上的整個(gè)面涂布約0. 2mm的厚度t3的密封劑15。之后， 在鋁箔130的規(guī)定區(qū)域隔開(kāi)規(guī)定間隔形成多個(gè)孔部34。此處，鋁箔130是本發(fā)明的“金屬箔”的一例。然后，如圖6所示，在加熱到約220°C的鋁箔130的上表面130a上的各個(gè)孔部34 的周圍，圓環(huán)狀地涂布密封劑15。在通過(guò)加熱使密封劑15熔融的狀態(tài)下，將形成有電介質(zhì)膜31的大致圓盤(pán)狀的透光部35以將孔部34上封閉的方式壓接。然后，冷卻鋁箔130，由此通過(guò)密封劑15將透光部35粘貼于鋁箔130。另外，在冷卻的作用下，涂布在背面130b上的密封劑15也會(huì)固化，所以在呈板狀的密封用部件30產(chǎn)生規(guī)定大小的剛性。之后如圖7所示，將鋁箔130剪切成密封用部件30展開(kāi)在平面上的形狀。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，將未彎折的狀態(tài)的密封用部件30與基部10的上表面熱壓接，并且，以使正面部30b相對(duì)于頂面部30a處于垂直的方向的方式， 沿著前壁部IOc彎折密封用部件30，同時(shí)將其與前壁部IOc的前表面熱壓接。此時(shí)，對(duì)于密封用部件30來(lái)說(shuō)，由于密封劑15因周圍的熱而開(kāi)始熔融，所以鋁箔130為能夠變形的狀態(tài)。之后，通過(guò)將基部10冷卻，使密封用部件30安裝于基部10。在該密封用部件30安裝時(shí)，由于前端區(qū)域Ila和密封用部件30的背面的密封劑15在熔融的狀態(tài)下與氣體吸收劑49接觸，所以冷卻后氣體吸收劑49能夠粘著于前端區(qū)域Ila和密封用部件30的背面的密封劑15。由此，密封用部件30形成為圖2所示的形狀。從而形成半導(dǎo)體激光裝置100。如上所述，基部10、密封用部件30和透光部35各自相互通過(guò)由EVOH樹(shù)脂構(gòu)成的密封劑15接合，所以能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等透過(guò)密封劑15浸入封裝體90內(nèi)。而且，從EVOH樹(shù)脂不容易產(chǎn)生上述揮發(fā)成分，所以抑制了在激光出射端面形成附著物。其結(jié)果是，能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，上述EVOH樹(shù)脂由于具有通過(guò)加熱(約220°C)而熔融的性質(zhì)，所以能夠容易地涂布于密封用部件30與透光部35的接合部分，和密封用部件30與基部10 (基部主體 IOa)的接合部分。另外，利用伴隨著除溫(冷卻)的密封劑15的固化，能夠容易地進(jìn)行上述部件彼此的接合。由此，不需要復(fù)雜的制造工藝，就能夠?qū)⒒?0、密封用部件30和透光部35相互接合，將封裝體90密封。另外，位于封裝體90的密封空間(由基部10和密封用部件30包圍的封閉空間) 內(nèi)的樹(shù)脂制的基部主體10a、PD42的外周部和金屬制的引線端子11 13等的表面被被覆劑16完全覆蓋。由此，即使在從基部10的材料(聚酰胺樹(shù)脂)或?qū)щ娦哉辰觿? (Ag膏) 等產(chǎn)生揮發(fā)性有機(jī)氣體的情況下，也能夠利用被覆劑16阻隔揮發(fā)性的有機(jī)氣體漏出到封裝體90的密封空間內(nèi)。另外，即使存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等透過(guò)封裝體90的構(gòu)成部件，也能夠利用被覆劑16抑制其浸入封裝體90內(nèi)。另外，由于從EVOH樹(shù)脂不容易產(chǎn)生上述揮發(fā)成分，所以封裝體90內(nèi)的半導(dǎo)體激光元件20不會(huì)暴露在有機(jī)氣體等中。其結(jié)果，能夠抑制在激光出射端面形成附著物， 所以能夠更有效地抑制半導(dǎo)體激光元件20的劣化。

另外，通過(guò)使用聚酰胺樹(shù)脂來(lái)形成基部10，與現(xiàn)有的使用金屬材料來(lái)形成封裝體的情況相比，能夠簡(jiǎn)化制造工藝。從材料成本和制造工藝得到簡(jiǎn)化的方面來(lái)看，能夠低價(jià)地制造半導(dǎo)體激光裝置100。此處，為了確認(rèn)使用EVOH樹(shù)脂作為密封劑15和被覆劑16的可用性，進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)。首先，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20安裝到具有9mm的直徑(外徑)的金屬制的主干 (stem)(基部)上，并且在金屬制的蓋部(帶玻璃窗)的內(nèi)側(cè)面放入有切削成約5mg的EVOH 樹(shù)脂的顆粒(pellet)的狀態(tài)下，蓋上蓋部進(jìn)行密封。然后，在70°C的條件下，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20將由自動(dòng)光量控制(APC)調(diào)整為IOmW的輸出的激光出射250小時(shí)，進(jìn)行工作試驗(yàn)。其結(jié)果，即使在經(jīng)過(guò)250小時(shí)后，半導(dǎo)體激光裝置的工作電流也沒(méi)有發(fā)生顯著變化。此外，作為比較例，對(duì)于在未放入EVOH樹(shù)脂的狀態(tài)下密封的半導(dǎo)體激光裝置進(jìn)行工作試驗(yàn)。與經(jīng)過(guò)250小時(shí)后的比較例進(jìn)行比較，工作電流也觀察不到顯著差異。根據(jù)該結(jié)果， 能夠確認(rèn)EVOH樹(shù)脂極不容易產(chǎn)生有機(jī)氣體等，確認(rèn)了使用EVOH樹(shù)脂作為密封劑15和被覆劑16的可用性。此外，密封用部件30以覆蓋半導(dǎo)體激光元件的方式安裝于基部10，密封用部件30 與透光部35通過(guò)密封劑15接合。由此，在利用密封劑15將密封用部件30和透光部35接合時(shí)，能夠通過(guò)具有透光性的透光部35確認(rèn)密封劑15的接合狀態(tài)，所以能夠不使氣泡等混入密封劑15中，可靠地將密封用部件30與透光部35接合。其結(jié)果，能夠提高接合部位處的密封用部件30與透光部35的密合性。此外，透光部35設(shè)置在遠(yuǎn)離金屬制91和92的位置，所以不容易受到金屬制91和92的軟釬焊融化時(shí)的熱的影響。從EVOH樹(shù)脂具有熱塑性的方面考慮，本發(fā)明的密封劑15在不容易受到熱的影響的透光部35的接合中使用是有效的。此外，由EVOH樹(shù)脂構(gòu)成的密封劑15，形成在側(cè)截面彎折成大致L字形狀的密封用部件30的整個(gè)內(nèi)表面30c上，所以，即使由于是薄膜狀而通常情況下不能滿足作為封裝體 90的構(gòu)成部件的強(qiáng)度的鋁箔130，也能夠通過(guò)設(shè)置在整個(gè)內(nèi)表面30c上的密封劑15來(lái)提高物理強(qiáng)度(剛性)。其結(jié)果，即使使用廉價(jià)的金屬箔也能夠容易地構(gòu)成具有規(guī)定的剛性的密封用部件30。此外，通過(guò)提高剛性，能夠防止制造工序上的不需要的變形。并且，若預(yù)先在密封用部件30形成密封劑15，則僅通過(guò)推壓到加熱后的基部10進(jìn)行冷卻就能夠?qū)崿F(xiàn)密封，所以制造工序方面的處理也變得容易。此外，密封劑15沿著基部10與密封用部件30的接合區(qū)域和密封用部件30與透光部35的接合區(qū)域分別無(wú)間隙地形成。由此，能夠利用無(wú)間隙的密封劑15來(lái)可靠地將封裝體90的密封空間與封裝體90的 外部隔離，能夠可靠地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。此外，密封劑15從基部10與密封用部件30的接合區(qū)域和密封用部件30與透光部35的接合區(qū)域分別露出到封裝體90的密封空間內(nèi)，密封劑15的露出到密封空間內(nèi)的部分的厚度t5，比密封劑15的接合區(qū)域的厚度t4大。由此，不僅能夠防止存在于半導(dǎo)體激光裝置100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等，透過(guò)基部10與密封用部件30的接合區(qū)域和密封用部件30與透光部35的接合區(qū)域處的密封劑15的部分浸入封裝體90內(nèi)，還能有效地抑制上述氣體透過(guò)厚度比該接合區(qū)域大的部分浸入封裝體90內(nèi)。此外，密封劑15的露出到密封空間內(nèi)的部分，將密封空間內(nèi)的接合區(qū)域附近的基部主體IOa的表面(前壁部IOc和內(nèi)壁部IOg)局部覆蓋，所以能夠增大密封劑15與基部主體IOa的接觸面積。由此，能夠進(jìn)一步提高封裝體90內(nèi)部的氣密性。此外，透光部35通過(guò)密封劑15與封裝體90的外側(cè)的密封用部件30的正面部30b 接合。由此，能夠使密封用部件30的安裝于前壁部IOc的一側(cè)(封裝體內(nèi)部的密封空間側(cè))的表面為沒(méi)有突出物的平坦的表面，所以能夠容易地將密封用部件30安裝于凹狀的基部10。此外，通過(guò)在封裝體90內(nèi)設(shè)置氣體吸收劑49，能夠使氣體吸收劑49吸收由基部主體IOa產(chǎn)生的揮發(fā)性的有機(jī)氣體。由此，能夠使封裝體90內(nèi)的有機(jī)氣體濃度減小。其結(jié)果，能夠更可靠地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。此外，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20密封在封裝體90的內(nèi)部。像這樣，對(duì)于振蕩波長(zhǎng)短、且要求高輸出的氮化物類半導(dǎo)體激光元件來(lái)說(shuō)，由于容易在半導(dǎo)體激光元件的激光出射端面形成附著物，所以使用密封劑15這一點(diǎn)，在抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化方面是非常有效的。此外，在將因加熱而熔融的密封劑15圓環(huán)狀地涂布于鋁箔130的上表面130a后， 以封閉孔部34的方式熱壓接透光部35，并將剪切成規(guī)定的形狀的鋁箔130與基部10熱壓接來(lái)形成密封用部件30。由此，即使對(duì)于基部10的具有復(fù)雜形狀的接合區(qū)域，也能夠容易地涂布熔融的密封劑15，所以能夠容易地接合基部10和密封用部件30。此外，能夠容易地將封閉孔部34的透光部35接合于密封用部件30。
(第一實(shí)施方式的變形例)接著，對(duì)第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置105進(jìn)行說(shuō)明。如圖8所示，該半導(dǎo)體激光裝置105使用具有約50 μ m的厚度的鋁箔來(lái)形成密封用部件30。此時(shí)，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的密封用部件30的內(nèi)表面30c上不涂布密封劑15，鋁箔的表面露出于密封空間內(nèi)。另一方面，以包圍圖1所示的開(kāi)口部IOe和IOd的周圍的方式，在基部主體IOa的上表面IOi的開(kāi)口部IOe的周邊區(qū)域(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域和一對(duì)側(cè)壁部IOf 和前壁部IOc的各自的上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面(Al側(cè)))的開(kāi)口部IOd 的周邊區(qū)域上，涂布具有規(guī)定厚度的密封劑15。在該狀態(tài)下，密封用部件30的頂面部30a 和正面部30b的內(nèi)表面30c的外緣部附近與密封劑15密接，安裝于基部10。另外，由于密封劑15只涂布于基部主體IOa的接合區(qū)域，所以在密封用部件30通過(guò)規(guī)定的壓接力與基部10接合的情況下，密封劑15的一部分露出到封裝體90的內(nèi)部側(cè)。此外，第一實(shí)施方式的第一變形例的半導(dǎo)體激光裝置105的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，在半導(dǎo)體激光裝置 105的制造工藝中，與第一實(shí)施方式同樣地，對(duì)下表面 130b上沒(méi)有涂布密封劑15的鋁箔130 (參照?qǐng)D5)粘貼透光部35。在制作了與第一實(shí)施方式同樣的密封用部件30后，以使透光部35位于外側(cè)的方式，將正面部30b的部分向與頂面部30a垂直的方向彎折。由此，密封用部件30與第一實(shí)施方式不同，在與基部10熱壓接之前就預(yù)先成型為圖8所示的形狀。之后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，以包圍基部10的開(kāi)口部IOe和IOd 的周圍的方式涂布密封劑15，以將上表面IOi的開(kāi)口部IOe的周邊(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域和一對(duì)側(cè)壁部IOf和前壁部IOc的各自的上表面)和前表面(前壁部IOc的外側(cè)面)的開(kāi)口部IOd的周邊上連續(xù)地覆蓋。在密封劑15因加熱而熔融的狀態(tài)下，將密封用部件30 與基部10熱壓接。然后，通過(guò)冷卻基部10，使密封用部件30安裝于基部10。另外，其他的工藝與第一實(shí)施方式的制造工藝大致相同。并且，第一實(shí)施方式的變形例的效果與第一實(shí)施方式相同。(第二實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置200進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置200如圖9和圖10所示，封裝體90具有基部10 ；和安裝于基部10，從上方(C2側(cè)) 和前方(Al側(cè))分別覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封用部件45和窗用部件46。另夕卜，半導(dǎo)體激光裝置200中，在凹部IOb內(nèi)沒(méi)有設(shè)置氣體吸收劑49 (參照?qǐng)D1)但也可以在凹部IOb內(nèi)設(shè)置氣體吸收劑49?；恐黧wIOa從上表面IOi側(cè)看來(lái)，具有以寬度(B方向)從后方(A2方向)向著前端部210c變小的方式前端變細(xì)的外形形狀。密封用部件45由具有約15 4!11的厚度丨6的銅鎳鋅合金等Cu合金箔片材構(gòu)成。 另外，密封用部件45具有與基部主體IOa的平面形狀大致相同的平面形狀，后方的寬度為 W21，前方的寬度為W22。并且，在密封用部件45的背面45c上的大致整個(gè)區(qū)域，涂布有具有約0. 2mm的厚度t3的密封劑15。窗用部件46采用由硅酸硼玻璃(硬質(zhì)玻璃)構(gòu)成的平板狀的玻璃板形成。此夕卜，窗用部件46具有約0. 25mm的厚度t5 (A方向)、寬度W2 (B方向)和與凹部IOb的深度(tl/2)大致相同的高度W23 (C方向)，安裝在開(kāi)口部IOd內(nèi)。此時(shí)，在窗用部件46和基部主體IOa之間，涂布有具有規(guī)定厚度的將開(kāi)口部IOd的內(nèi)側(cè)面(開(kāi)口部IOd處的、引線端子 11的前端區(qū)域Ila的上表面和一對(duì)側(cè)壁部IOf的各個(gè)內(nèi)側(cè)面)連續(xù)覆蓋的密封劑15。在該狀態(tài)下，窗用部件46以下表面46a和兩側(cè)面46c與密封劑15密接的狀態(tài)被安裝。此外， 窗用部件46的表面(Al側(cè)和A2側(cè))上形成有電介質(zhì)膜31。另外，密封用部件45從開(kāi)口部IOe的上方安裝到基部10。即，密封用部件45，在基部主體IOa的上表面IOi上(內(nèi)壁部IOg的附近區(qū)域，和一對(duì)側(cè)壁部IOf的各自的上表面上)和密封用部件46的上表面46b上，通過(guò)密封劑15安裝于基部10。此外，在次基臺(tái)40的后方(A2側(cè))的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面?zhèn)龋?PD42以光接受面向著上方(C2方向)的方式配置。而且，PD42的下表面(η型區(qū)域)與次基臺(tái)40電連接。另外，半導(dǎo)體激光裝置200的其它結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，在半導(dǎo)體激光裝置200的制造工藝中，首先，在形成將長(zhǎng)度(Α方向)比散熱部Ild小的散熱部211d和引線端子11 13 —起反復(fù)圖案化而成的引線框后，使用樹(shù)脂成型裝置，模制成型基部主體10a。此外，基部主體IOa以前端部210c與引線端子11的前端區(qū)域Ila的前端面211e位于同一面上的方式成型。之后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，在開(kāi)口部IOd的內(nèi)側(cè)面(開(kāi)口部IOd 的前端區(qū)域Ila的上表面和一對(duì)側(cè)壁側(cè)IOf的各自的內(nèi)側(cè)面)上涂布密封劑15(參照?qǐng)D 9)。在密封劑15因加熱而熔融的狀態(tài)下，將窗用部件46嵌入開(kāi)口部10d，并且在熱壓接的同時(shí)進(jìn)行 安裝。由此，窗用部件46，在下表面46a和兩側(cè)面46c通過(guò)密封劑15與前端區(qū)域 Ila的上表面和側(cè)壁部IOf的內(nèi)側(cè)面密接的狀態(tài)下，安裝在基部主體10a。之后，對(duì)基部10進(jìn)行UV清洗處理或在真空中進(jìn)行約200°C的加溫處理。由此，將附著于凹部IOb的制造工藝中的污垢或聚酰胺樹(shù)脂中所含的水分、溶劑蒸發(fā)而除去。之后，使用導(dǎo)電性粘接層(未圖示)將接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和PD42 的次基臺(tái)40與前端區(qū)域Ila的上表面大致中央(橫向方向)接合。此時(shí)，使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面向著窗用部件46側(cè)，并使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面和 PD42向著內(nèi)壁部IOg側(cè)配置。之后，使用金屬線91將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極21和引線端子12的前端區(qū)域12a連接。并使用金屬線92將PD42的上表面與引線端子13的前端區(qū)域13a連接。另外，關(guān)于密封用部件45，通過(guò)下述方式形成在加熱到約220°C的狀態(tài)下，將背面45c上的整個(gè)面涂布約0. 2mm的厚度的密封劑15 (EV0H樹(shù)脂)，在冷卻后將銅鎳鋅合金片材剪切，以使之具有與基部主體IOa的平面形狀大致相同的平面形狀(參照?qǐng)D9)。然后，在將基部10加熱到約220°C的狀態(tài)下，以覆蓋開(kāi)口部IOd的方式，將密封用部件45熱壓接到上表面IOi上和上表面46b上。由此，密封用部件45以背面45c通過(guò)密封劑15密接在上表面IOi上和上表面46b上的狀態(tài)，安裝于基部主體10a。另外，其它的工藝與第一實(shí)施方式中的制造工藝大致相同。第二實(shí)施方式中，如上所述，將基部主體IOa的開(kāi)口部IOd通過(guò)密封劑15利用窗用部件46密封，并將基部主體IOa和開(kāi)口部IOe通過(guò)密封劑15利用密封用部件45密封。使用密封劑15，能夠更加無(wú)間隙且強(qiáng)固地將窗用部件46和密封用部件45安裝到基部主體 10a，所以能夠可靠地密封封裝體90。由此，能夠抑制封裝體90內(nèi)部的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。此外，將從基部主體IOa的上表面IOi開(kāi)口到前端部210c的開(kāi)口部IOd和10e， 利用密封用部件45和窗用部件46分別密封，所以在開(kāi)口部IOe的上表面IOi側(cè)和開(kāi)口部 IOd的前端部210c側(cè)的邊界部分不容易產(chǎn)生間隙。由此，能夠可靠地密封封裝體90，所以能夠可靠地抑制封裝體90內(nèi)部的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。(第三實(shí)施方式)接著對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置300進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置300中，如圖11和圖12所示，代替第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置200中的樹(shù)脂制的基部10，具有金屬制的基部310。此外，在圖12中，在沿著半導(dǎo)體激光裝置300的寬度方向(B 方向)的中心線的縱截面圖的一部分，還一并記載了表示引線端子12(13)與基部310的安裝結(jié)構(gòu)的截面圖。 基部310使用了由具有約0. 4mm的厚度的磷青銅構(gòu)成的金屬板。此外，基部310 中，將在寬度方向(B方向)上擴(kuò)大的引線端子11的前端區(qū)域Ila沿長(zhǎng)度方向(A)方向彎折，形成槽狀的凹部310b。在凹部310b的內(nèi)底面310c上，固定有次基臺(tái)40。另外，在基部 310的凹部310b的內(nèi)側(cè)面，沒(méi)有涂布被覆劑16，金屬表面露出于封裝體90的密封空間內(nèi)。 此處，引線端子11是本發(fā)明的“第一引線端子”的一例。另外，凹部310b具有在基部310的上表面IOi開(kāi)口的開(kāi)口部310e和在前方(Al 側(cè))開(kāi)口的開(kāi)口部310d。基部310包括在凹部310b的內(nèi)底面310c的寬度方向的兩側(cè) (B2側(cè)和Bl側(cè))從開(kāi)口部310d向后方大致平行地延伸的一對(duì)側(cè)壁部310f，和在各側(cè)壁部 310f的上端部在寬度方向(Bi側(cè)和B2側(cè))延伸的安裝部310k。此夕卜，以將基部310的后方的大致矩形形狀的開(kāi)口封閉的方式，設(shè)置有由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17。而且，在密封用部件17的凹部310b側(cè)(Al側(cè))的內(nèi)表面17a上，涂布有具有約0. 5mm的厚度的密封劑15。此處，密封用部件17是本發(fā)明的“絕緣部件”的一例。另外，如圖11所示，引線端子12和13，在通過(guò)密封用部件17而相互絕緣的狀態(tài)下，以將密封劑15和密封用部件17從前方向后方貫通的方式配置。此時(shí)，引線端子12和 13保持在與引線端子11 (前端區(qū)域Ila)不同的高度方向(C方向)的平面上。此外，利用密封用部件17，也能夠?qū)崿F(xiàn)引線端子12和13與內(nèi)底面310c (引線端子11)的絕緣。另外， 引線端子12和13是本發(fā)明的“第一引線端子”的一例。窗用部件46與第二實(shí)施方式相同地，通過(guò)涂布于開(kāi)口部310d內(nèi)的密封劑15固定。而密封用部件45安裝在基部310的安裝部310k的上表面、窗用部件46的上表面46b 和密封用部件17的上表面17b。此外，半導(dǎo)體激光裝置300的其它的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第二實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，在半導(dǎo)體激光裝置300的制造工藝中，首先，與第一實(shí)施方式相同地，通過(guò)將由磷青銅構(gòu)成的帶狀的金屬板蝕刻來(lái)形成在橫方向上反復(fù)將引線端子11圖案化而成的引線框架。此時(shí)，參照?qǐng)D3，不進(jìn)行引線端子12、13和散熱部Ild的圖案化。之后，如圖13所示，在以引線端子11為中心只離開(kāi)規(guī)定距離的寬度方向(B方向)的兩側(cè)，沿著前后方向(A方向)將前端區(qū)域Ila切斷，由此獲得形成彎折前的平板狀的引線框。之后，使用未圖示的沖壓機(jī)等，將前端區(qū)域Ila的一部分相對(duì)于引線框的上表面向上方彎折。由此形成基部310，該基部310具有與引線端子11在同一平面連接的內(nèi)底面 310c、在內(nèi)底面310c的兩端向上方彎折的側(cè)壁部310f和從側(cè)壁部310f的端部(B2側(cè)和Bl 側(cè))再次向橫向方向(B方向)彎折的安裝部310k。之后，使用未圖示的樹(shù)脂成型裝置，如圖14所示，將凹部310b的引線端子11側(cè) (A2偵彳)的開(kāi)口用由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17封閉。此時(shí)，以引線端子12和13在引線端子11的上方貫通密封用部件17的方式配置引線端子12和13，并在此狀態(tài)下使環(huán)氧樹(shù)脂固化。之后，在將基部310加熱到約220°C的狀態(tài)下，在密封用部件17的內(nèi)表面17a上涂布密封劑15。然后，與半導(dǎo)體激光裝置200的制造工藝大致相同地，以封閉基部310的開(kāi)口部 310d的方式，將窗用部件46通過(guò)密封劑15熱壓接，同時(shí)進(jìn)行安裝。之后，以封閉基部310 的開(kāi)口部310e的方式，將密封用部件45通過(guò)密封劑15熱壓接，同時(shí)進(jìn)行安裝。另外，其它的工藝與第二實(shí)施方式的制造工藝大致相同。第三實(shí)施方式中，如上所述，由于基部310由金屬板構(gòu)成，所以不會(huì)從基部310產(chǎn)生揮發(fā)性的有機(jī)氣體。由此，封裝體90內(nèi)不會(huì)充滿揮發(fā)性的有機(jī)氣體等，所以能夠可靠地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，由于利用由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17將基部310的后方的大致矩形狀的開(kāi)口封閉，所以密封用部件17能夠兼作基部310(凹部310b)的后表面，所以能夠容易地形成將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20密封的封裝體90。另外，由于密封用部件17的內(nèi)表面17a上涂布有密封劑15，所以能夠抑制由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17所產(chǎn)生的揮發(fā)性的有機(jī)氣體透過(guò)密封劑15浸入封裝體90內(nèi)。其結(jié)果，能夠更可靠地抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。另外，第三實(shí)施方式的其它效果與第一實(shí)施方式相同。(第三實(shí)施方式的變形例)接著，對(duì)第三實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置305進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置305中，如圖15所示具有通過(guò)沖壓加工而在大致矩形形狀的平坦的金屬板形成有凹部 315b的基部315。另外，圖16中，在沿著半導(dǎo)體激光裝置305的寬度方向(B方向)的中心線的縱截面圖的一部分，還一并記載了表示引線端子12(13)與基部315的安裝結(jié)構(gòu)的截面圖。凹部315b包括包圍藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的周圍的四個(gè)側(cè)壁部316、317、 318和319 ；和用于安裝次基臺(tái)40的內(nèi)底面310c。凹部315b具有在基部315的上表面IOi 側(cè)開(kāi)口的開(kāi)口部315e。而在基部315，設(shè)置有沿著開(kāi)口部315e的外緣部向外側(cè)方向(A方向和B方向)延伸的框狀的安裝部315k。此外，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的前方(Al側(cè))的側(cè)壁部316的大致中央部設(shè)置有 孔部34。并且，以從側(cè)壁部316的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部34的方式，通過(guò)密封劑15粘貼有窗用部件46。另外，如圖16所示，引線端子11以在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的后方(A2側(cè)) 的側(cè)壁部317的下端部附近與側(cè)壁部317導(dǎo)通的方式安裝。另外，引線端子12和13分別貫通形成于側(cè)壁部317的孔部36。此時(shí)，在孔部36的內(nèi)周面與引線端子12或13的間隙以及側(cè)壁部317的外側(cè)(A2側(cè))的表面上，設(shè)置有由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17a。另外， 在引線端子12和13露出的側(cè)壁部317的內(nèi)側(cè)(Al側(cè))的表面上，以覆蓋孔部36的緣部和引線端子12或13的外周面的方式，設(shè)置有密封劑15。由此，實(shí)現(xiàn)引線端子12和13各自與基部315的絕緣。另外，基部315和密封用部件45通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面(安裝部315k和密封用部件45的外緣部)，以及基部315和窗用部件46通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面(安裝部 315k的下表面的一部分和凹部315b的背面?zhèn)鹊囊徊糠?，被由透濕度比密封劑15小的材料構(gòu)成的被覆劑18覆蓋。在該被覆劑18使用由透濕度低的環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的光固化或熱固化性樹(shù)脂。此處，被覆劑18是本發(fā)明的“由透濕度小的材料構(gòu)成的樹(shù)脂”的一例。另外，第三實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置305的其它的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第三實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，在半導(dǎo)體激光裝置305的制造工藝中，對(duì)由磷青銅構(gòu)成的大致矩形形狀的金屬板實(shí)施沖壓加工，形成具有凹部315b的基部315。之后，在側(cè)壁部316設(shè)置一個(gè)孔部 34，并在側(cè)壁部317設(shè)置二個(gè)孔部36。然后，將引線端子11安裝到側(cè)壁部317的下端部，并在引線端子11的上方(C2側(cè))使引線端子12和13將各自對(duì)應(yīng)的孔部36貫通，在此狀態(tài)下利用密封用部件17a進(jìn)行固定。之后，在側(cè)壁部317的內(nèi)側(cè)，將密封劑15堆積于引線端子12和13貫通孔部36的部分。然后，在基部315和密封用部件45通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面，以及基部315和窗用部件46通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面堆積被覆劑18。此外，其它的工藝與第三實(shí)施方式的制造工藝大致相同。

第三實(shí)施方式的變形例中，如上所述，在引線端子12和13露出的側(cè)壁部317的內(nèi)側(cè)的表面上，以覆蓋孔部36的緣部和引線端子12或13的外周面的方式設(shè)置有密封劑15。 由此，能夠抑制從由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用部件17a產(chǎn)生的揮發(fā)性的有機(jī)氣體透過(guò)密封劑 15浸入封裝體90內(nèi)。另外，基部315和密封用部件45通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面，以及基部315和窗用部件46通過(guò)密封劑15接合的側(cè)面，由被覆劑18覆蓋。由此，能夠利用被覆劑18來(lái)可靠地抑制存在于外部(大氣中)的濕氣(水分)等從上述接合部經(jīng)由密封劑15浸入封裝體90 內(nèi)部。(第四實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置400進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置400中，如圖17和圖18所示，由金屬制的基部410和金屬制的蓋部430構(gòu)成封裝體 90。此處，蓋部430是本發(fā)明的“密封用部件”的一例?；?10由表面實(shí)施了鍍Au的柯伐(KOVAR)構(gòu)成。基部410包括形成為大致圓盤(pán)狀的具有規(guī)定厚度(A方向)的主干部410a，和形成于主干部410a的前表面410c的下部區(qū)域(Cl側(cè))，以具有半月形狀的截面(寬度方向(B方向))的狀態(tài)向前方(激光出射方向 (Al方向))突出的臺(tái)座部410b。另外，在基部410，設(shè)置有與主干部410a導(dǎo)通的引線端子11，和分別在通過(guò)柯伐玻璃等低熔點(diǎn)玻璃419密閉而與引線端子11絕緣的狀態(tài)下，以從前方向后方(A2側(cè))貫通主干部410a的方式配置的引線端子12和13。另外，引線端子11 13各自的向后方延伸的后端區(qū)域，分別從主干部410a的后方的后表面410h露出。此外，在臺(tái)座部410b的上表面大致中央，隔著次基臺(tái)40安裝有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。而且，在與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面(A2側(cè))相對(duì)的位置處的主干部 410a的前表面410c上，以光接受面向著前方的方式配置有PD42。另外，PD42的下表面(η 型區(qū)域)通過(guò)導(dǎo)電性粘接層5與主干部410a電連接。并且，以覆蓋PD42的除了光接受面以外的外周部、沿著該外周部露出的導(dǎo)電性粘接層5的表面和導(dǎo)電性粘接層5的周圍的主干部410a的表面的方式，周狀地涂布有被覆劑16。蓋部430的主體由表面實(shí)施了鍍Ni的柯伐形成，包括形成為大致圓筒狀的側(cè)壁部 430a和將側(cè)壁部430a的一側(cè)(Al側(cè))封閉的底部430b。另外，在蓋部430的側(cè)壁部430a 開(kāi)口的一側(cè)(A2側(cè))，周狀地形成有安裝部430g。此外，在安裝部430g的端面430h，形成有電阻焊接時(shí)使用的突起部430i。此外，在蓋部430的底部430b的大致中央部，設(shè)置有孔部34。而且，以從底部430b 的外側(cè)(Al側(cè))覆蓋孔部34的方式，設(shè)置有形成為矩形形狀的硅酸硼玻璃制的透光部35。 此時(shí)，透光部35通過(guò)涂布在孔部34的周圍的具有約0. Imm的厚度的密封劑15，粘貼于底部 430b。此外，如圖18所示，沿著透光部35的外緣部， 以與底部430b、密封劑15和透光部 35接觸的方式，周狀地堆積有被覆劑18。即，將底部430b和透光部35接合的密封劑15的側(cè)面(外側(cè)面)，被被覆劑18覆蓋，防止密封劑15與外部氣體直接接觸。不過(guò)，在蓋部430 的內(nèi)表面430c并沒(méi)有涂布被覆劑16。此外，半導(dǎo)體激光裝置400的其它的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第一實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，在半導(dǎo)體激光裝置400的制造工藝中，首先如圖17所示，使用導(dǎo)電性粘接層 (未圖示)，將接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺(tái)40接合在設(shè)置有引線端子11 13的基部410的臺(tái)座部410b上。接著，在次基臺(tái)40的后方的臺(tái)座部410b的上方的前表面 410c上，使用導(dǎo)電性粘接層5接合PD42的下表面(η型區(qū)域)。之后，按照使以覆蓋PD42的外周部的方式預(yù)先切割成框狀的被覆材料16(EV0H樹(shù)脂)的膜，不與光接受面接觸的方式從PD42的上方覆蓋。在該狀態(tài)下，通過(guò)將基部410加熱到約200°C，使被覆材料16熔融，以將PD42的除了光接受面以外的外周部、沿著該外周部露出的導(dǎo)電性粘接層5的表面和導(dǎo)電性粘接層5的周圍的主干部410a的表面周狀地覆蓋。 在將主干部410a冷卻后，進(jìn)行金屬線91和92的引線接合。另一方面，使用規(guī)定的沖模裝置，將在底部430b的大致中心部具有孔部34的蓋部 430成型。之后，在將蓋部430加熱到約220°C的狀態(tài)下，從底部430b的外側(cè)在孔部34的周圍涂布密封劑15。在密封劑15因加熱而熔融的狀態(tài)下，以覆蓋孔部34上的方式通過(guò)密封劑15壓接透光部35，然后將蓋部430冷卻。之后，以將沿著透光部35的外緣部露出的密封劑15覆蓋的方式堆積被覆劑18。由此，形成蓋部430。最后，沿著圖17所示的箭頭P(A2方向)，將蓋部430安裝到基部410。此時(shí)，使用蓋封機(jī)，在將安裝部430g的端面430h周狀地與主干部410a的外緣部附近抵接的狀態(tài)下， 通過(guò)電阻焊接進(jìn)行安裝。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20被氣密密封。此外，其它的工藝與第一實(shí)施方式的制造工藝大致相同。由此，形成半導(dǎo)體激光裝置400。
第四實(shí)施方式中，如上所述，蓋部430形成為具有底部430b的筒狀形狀，所以能夠以由在蓋部430的長(zhǎng)邊方向(筒形狀延伸的方向(A方向))上延伸的側(cè)壁部430a的內(nèi)側(cè)面來(lái)周狀地包圍藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的狀態(tài)，將封裝體90密封。此外，即使使用由上述方法制造的蓋部430，也能夠使用一直以來(lái)使用的蓋封機(jī)， 通過(guò)電阻焊接將蓋部430安裝到主干部410a，因此，能夠不增加制造成本，使用已有的制造設(shè)備容易地制造半導(dǎo)體激光裝置400。此外，第四實(shí)施方式的其它的效果與第一實(shí)施方式相同。(第四實(shí)施方式的變形例)接著對(duì)第四實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置405中，如圖19所示，以從蓋部430的底部430b的內(nèi)側(cè)(A2側(cè))覆蓋孔部34的方式，通過(guò)密封劑15粘貼透光部35。此外，在從內(nèi)側(cè)安裝有透光部35的孔部34的內(nèi)側(cè)面附近，以與孔部34、密封劑15和透光部35接觸的方式，周狀地堆積被覆劑18。S卩，將底部430b和透光部35接合的密封劑15的側(cè)面(內(nèi)側(cè)面)，被被覆劑18覆蓋。此外，第四實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405的其它的結(jié)構(gòu)與第四實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第四實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，第四實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光裝置405的制造工藝中，在從沖壓成型的蓋部430的內(nèi)側(cè)通過(guò)密封劑15熱壓接透光部35之后，以覆蓋露出到孔部34的內(nèi)側(cè)面?zhèn)鹊拿芊鈩?5的方式堆積被覆劑18。此外，其它的工藝與第四實(shí)施方式的制造工藝大致相同。并且，第四實(shí)施方式的變形例的效果與第四實(shí)施方式相同。

(第五實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置500進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置500中，如圖20所示，使用具有約20 μ m的厚度的銅鎳鋅合金片材來(lái)形成蓋部530，并利用該蓋部530將封裝體90密封。此外，第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置500的其它的結(jié)構(gòu)與第四實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第四實(shí)施方式的變形例相同的符號(hào)來(lái)圖示。此處，蓋部530是本發(fā)明的“密封用部件”的一例。蓋部530的主體由銅鎳鋅合金形成，在除去孔部34的內(nèi)表面530c的大致整個(gè)區(qū)域和安裝部430g的端面430h上，涂布有約0. 3mm的厚度的密封劑15。在該狀態(tài)下，蓋部 530和主干部410a在安裝部430g通過(guò)密封劑15接合。此外，第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置500的制造工藝中，首先，如圖21所示，準(zhǔn)備形成有孔部34的銅鎳鋅合金片材131。然后，在將銅鎳鋅合金片材131加熱到約220°C 的狀態(tài)下，在下表面(背面)131b上的整個(gè)面涂布約0. 2mm的厚度的密封劑15，在冷卻之后，形成孔部34。之后，在可動(dòng)上模具501和固定下模具502之間，以密封劑15成為下表面 (Cl側(cè))的方式設(shè)置銅鎳鋅合金片材131，在此狀態(tài)下將可動(dòng)上模具501相對(duì)于固定下模具 502嵌入。此時(shí)，在形成為大致圓盤(pán)狀的玻璃制的透光部35載置于固定下模具502的上表面(C2側(cè))的狀態(tài)下，進(jìn)行銅鎳鋅合金片材131的成型。此外，在可動(dòng)上模具501的內(nèi)側(cè)面和固定下模具502的外側(cè)面設(shè)置有拔模斜度。由此，成型后的蓋部530中，安裝部430g附近的外徑(內(nèi)表面530c的內(nèi)徑)比底部430b附近的側(cè)壁部430a的外徑(內(nèi)表面530c的內(nèi)徑)比稍大。此外，通過(guò)蓋部530的成型，在成為具有底部的大致圓筒狀的銅鎳鋅合金片材131 (側(cè)壁部430a和安裝部430g)的外側(cè)面(內(nèi)側(cè)面)，形成有皺褶(未圖示)。
之后，如圖22所示，以保留下安裝部430g的方式，將從模具露出的銅鎳鋅合金片材131的部分沿分離線590周狀地切斷。如此，形成蓋部530。此處，銅鎳鋅合金片材131 是本發(fā)明的“金屬箔”的一例。最后，沿圖20所示的方向(A2方向)，將蓋部530安裝到基部410。此時(shí)，在將主干部410a加熱到約200°C的狀態(tài)下，將安裝部430g的端面430h周狀地與主干部410a的外緣部附近抵接同時(shí)進(jìn)行熱壓接。此外，其它的工藝與第四實(shí)施方式的制造工藝大致相同。第五實(shí)施方式中，如上所述，組合銅鎳鋅合金片材131和密封劑15形成蓋部530。 艮口，在制造工藝上，利用部件容易彎折成規(guī)定的形狀的特點(diǎn)，能夠同時(shí)制作蓋部530的側(cè)壁部430a和底部430b。此外，第五實(shí)施方式的其它效果與第一實(shí)施方式相同。(第六實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置600進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置600中，如圖23所示，由樹(shù)脂制的基部610和使用鋁箔成型的蓋部630構(gòu)成封裝體90。 此處，蓋部630是本發(fā)明的“密封用部件”的一例。 基部610由環(huán)氧樹(shù)脂形成。基部610包括具有外徑Dl的大致圓柱狀的頭部610a， 和頭部610a的前表面610c的下側(cè)約一半向前方(Al方向)延伸的臺(tái)座部610b。此外，如圖24所示，在基部610的外周面610k與前表面610c和610e相交的緣部610g，周狀地實(shí)施了倒角。此外，在引線端子11，一體形成有與前端區(qū)域Ila連接的一對(duì)散熱部611d。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在引線端子11，形成有從前端區(qū)域Ila的寬度方向(B2側(cè)和Bl側(cè))的兩端部分別向后方(A2方向)延伸的連接部611c。此外，連接部611c分別在比引線端子12和13更靠外側(cè)的區(qū)域(B2側(cè)或者Bl側(cè))從前端區(qū)域Ila向后方延伸，并在從基部610的前表面610c 隱藏入頭部610a后，貫通后表面610h。這樣，散熱部611d與從基部610的后表面610h露出的連接部611c的后端區(qū)域連接。此外，散熱部611d從與連接部611c連接的位置向前方 (Al方向)延伸。于是，如圖23所示，一對(duì)散熱部611d分別相對(duì)于基部610的外周面610k 隔開(kāi)寬度W6的間隔，與外周面610k大致平行地延伸。蓋部630從第五實(shí)施方式的蓋部530除去了安裝部430g。此外，蓋部630的內(nèi)徑 D2與頭部610a的外徑Dl相等或稍小。在該狀態(tài)下，半導(dǎo)體激光裝置600如圖24所示，以頭部610a相對(duì)于蓋部630從A2 側(cè)向Al側(cè)滑動(dòng)嵌入的方式構(gòu)成。S卩，頭部610a的外周面610k與蓋部630的內(nèi)表面530c 通過(guò)密封劑15周狀地嵌合。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20被氣密密封于封裝體90內(nèi)。此外，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的各部件的表面涂布有被覆劑16。具體而言，被覆劑16將頭部610a的臺(tái)座部610b、前表面610c、前表面610e和緣部610g、接合有次基臺(tái)40的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面、前端區(qū)域12a和13a的表面連續(xù)地覆蓋。于是，位于封裝體90的密封空間(由頭部610和蓋部630包圍的封閉空間)內(nèi)的樹(shù)脂制的基部610的引線接合有金屬線的前端區(qū)域12a和13a的表面，被被覆劑16完全覆蓋。不過(guò)， 金屬部件的表面并不必需被被覆劑16覆蓋。此外，在基部610的外周面610k與其兩側(cè)的散熱部611d之間，形成有具有比蓋部 630的側(cè)壁部530a的厚度tl大的寬度W6的間隙(切口部)。于是，在將蓋部630與基部 610嵌合的狀態(tài)下，散熱部611d不與蓋部630的側(cè)壁部530a發(fā)生干涉(接觸)地配置在蓋部630的外側(cè)。此外，第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置600的其它的結(jié)構(gòu)與第五實(shí)施方式大致相同，在圖中標(biāo)注與第五實(shí)施方式相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置600的制造工藝中，在成型上述形狀的頭部610a的蓋部630后，將基部610加熱到約200°C，并在此狀態(tài)下將基部610向著蓋部630 直線地滑動(dòng)來(lái)進(jìn)行嵌合，由此將封裝體90密封。此外，在密封封裝體90之前，在基部610 的臺(tái)座部610b、前表面610c、前表面610e和緣部610g、接合有次基臺(tái)40的部分以外的前端區(qū)域Ila的表面以及前端區(qū)域12a和13a的表面，涂布了被覆劑16。此外，其它的工藝與第五實(shí)施方式的制造工藝大致相同。第六實(shí)施方式中如上所述，通過(guò)將基部610與蓋部630嵌合來(lái)密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，由此，能夠容易地使蓋部630的內(nèi)表面530c與基部610的外周面610k密接， 所以能夠容易地將封裝體90內(nèi)密封。即，由于無(wú)需另外使用用于密封的粘接劑等，所以能夠抑制有機(jī)氣體的產(chǎn)生。此外，第六實(shí)施方式的其它效果與第五實(shí)施方式相同。(第七實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝 置700進(jìn)行說(shuō)明。該半導(dǎo)體激光裝置700中，如圖25所示，封裝體90包括基部750 ；安裝于基部750，從側(cè)方(A方向和B 方向)包圍藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的Si (100)基板710 ；和安裝于Si (100)基板710，從上方(C2側(cè))覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的密封玻璃760。此處，Si (100)基板710和密封玻璃760分別是本發(fā)明的“密封用部件”和“窗用部件”的一例。此外，圖25是圖26的沿著790-790線的截面圖。基部750由作為絕緣體的光致阻焊層(photo solder resist)構(gòu)成。此處，光致阻焊層是絕緣用膜，使用了僅使感光的部分的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化以使之不再溶于溶劑等的感光性樹(shù)脂。另外，基部750將具有在厚度方向(C方向)上貫通的貫通孔701 (參照?qǐng)D27)的 Si(IOO)基板710的一側(cè)(Cl側(cè))的開(kāi)口部701b (參照?qǐng)D27)封閉。此時(shí)，基部750通過(guò)設(shè)置在Si (100)基板710的下表面710b的粘接樹(shù)脂751被接合。由此，由基部750和Si (100) 基板710構(gòu)成具有在上方開(kāi)口的開(kāi)口部711a的凹部711。而藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，以上表面20b處于Si (100)基板710的上表面710a的下方(Cl側(cè))的狀態(tài)載置于次基臺(tái)40 上。此外，板狀(平板狀)的密封玻璃760，由具有約500 μ m的厚度的硅酸硼玻璃(硬質(zhì)玻璃)構(gòu)成。并且，密封玻璃760通過(guò)密封劑15安裝在Si (100)基板710的上表面710a 上。即，密封玻璃760覆蓋在上表面710a上，將凹部711的開(kāi)口部711a封閉，載置在凹部 711的底面716上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，被氣密密封在封裝體90內(nèi)。此外，密封玻璃760的平面形狀與Si(IOO)基板710大致相同。此外，如圖25所示，在后述的制造工藝中，對(duì)具有相對(duì)于大致(100)面傾斜約 9.7°的主表面(上表面710a)的Si (100)基板710，進(jìn)行各向異性蝕刻，由此在Si (100) 基板710形成由Si (111)面構(gòu)成的4個(gè)內(nèi)側(cè)面712、713、714和715。通過(guò)使用具有該傾斜約9. 7°的主表面的Si (100)基板710，內(nèi)側(cè)面712以相對(duì)于基部750的上表面750a(底面 716)具有大致45°的傾斜角度α的方式傾斜，并且內(nèi)側(cè)面713以相對(duì)于上表面750a(底面716)具有大致64. 4°的傾斜角度β的方式傾斜地形成。此外，內(nèi)側(cè)面714和715 (參照?qǐng)D26)均以相對(duì)于上表面750a(底面716)具有大致54. V的傾斜角度的方式傾斜。
此外，由4個(gè)內(nèi)側(cè)面712、713、714和715，以及形成在基部750的上表面(C2側(cè)的表面)上的粘接樹(shù)脂751，構(gòu)成凹部711。此處，粘接樹(shù)脂751用于Si (100)基板710與基部750的接合，如圖25所示，凹部711的底面716實(shí)質(zhì)上由粘接樹(shù)脂751的上表面的一部分構(gòu)成。另外，Si(IOO)基板710具有高電阻率(絕緣性)，從上表面710a到下表面710b 具有約500 μ m的厚度。此外，在基部750 (粘接樹(shù)脂751)的上表面中的露出凹部711內(nèi)的區(qū)域(作為凹部711的底面716的區(qū)域)，形成有用于與次基臺(tái)40引線接合(接合)的由Cu等構(gòu)成的配線電極731。由此，次基臺(tái)40的背面(C2側(cè)的表面)，在凹部711內(nèi)的從大致中央靠近Al 側(cè)(內(nèi)側(cè)面712側(cè))的位置上，通過(guò)導(dǎo)電性粘接層(未圖示)與配線電極731的表面接合。 此外，露出在凹部711內(nèi)的配線電極731具有比次基臺(tái)40大的平面面積，次基臺(tái)40載置在形成有配線電極731的區(qū)域內(nèi)。此外，配線電極731具有從載置有次基臺(tái)40的位置起沿Al 方向延伸的引出配線部731a。另外，在內(nèi)側(cè)面712中的與光出射面相對(duì)的區(qū)域，在內(nèi)側(cè)面712的表面上形成有金屬反射膜761。由此，半導(dǎo)體激光裝置700中，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光出射面沿 Al方向出射的激光，在凹部711的內(nèi)側(cè)面712 (金屬反射膜761)向上方反射，然后透過(guò)密封玻璃760向外部出射。此處，內(nèi)側(cè)面712和金屬反射膜761，構(gòu)成用于使激光向外部反射的反射機(jī)構(gòu)。此外，如圖26所示，在凹部711的底面716中的未形成有配線電極731的區(qū)域，形成有具有矩形形狀(約IOOymX約IOOym大小)的引線接合用的配線電極732和733。 即，配線電極732在由次基臺(tái)40和內(nèi)側(cè)面713所夾著的區(qū)域中靠近內(nèi)側(cè)面714(Β2側(cè))的區(qū)域露出，而配線電極733在靠近內(nèi)側(cè)面715(Β 1側(cè))的區(qū)域露出。此外，配線電極732和 733具有沿Α2方向延伸的引出配線部732a和733a。于是，在形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上表面的ρ側(cè)電極21，引線接合有金屬線91的一端，金屬線91的另一端與配線電極732連接。此外，在PD42的上表面(ρ型區(qū)域)引線接合有金屬線92的一端，金屬線92的另一端與配線電極733連接。此外，通過(guò)在上下方向(C方向)上貫通次基臺(tái)40的電極36，PD42的下表面(η型區(qū)域)與配線電極731 導(dǎo)通。此外，在引出配線部731a、732a和733a的各個(gè)端部，形成有由Au-Sn焊錫構(gòu)成的焊球 724。此外，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的各部件的表面，涂布有規(guī)定厚度的被覆劑 16。具體來(lái)說(shuō)，被覆劑16連續(xù)地覆蓋凹部711內(nèi)的粘接樹(shù)脂751的表面、接合有次基臺(tái)40 和PD42的部分以外的配線電極731的表面、配線電極732和733的表面。于是，位于封裝體90的密封空間內(nèi)的基部750和配線電極731 733等的表面被被覆劑16完全覆蓋。此夕卜，第七實(shí)施方式的其它的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式大致相同。接著，參照?qǐng)D25 圖29，對(duì)第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置700的制造工藝進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖27所示，準(zhǔn)備具有約500μπι的厚度D3，且具有相對(duì)于大致(100)面傾斜約9. 7°的主表面(上表面710a)的晶片狀態(tài)的Si(IOO)基板710。然后，對(duì)在上表面 710a上形成有具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)的Si (100)基板710，使用TMAH 等蝕刻液進(jìn)行濕式蝕刻(各向異性蝕刻)，形成從上表面710a向下表面710b貫通的貫通孔701。由此，在晶片狀態(tài)的Si(IOO)基板710，形成多個(gè)具有開(kāi)口部701a和701b的貫通孔 701。此時(shí)，通過(guò)進(jìn)行與Si的晶體定向相應(yīng)的蝕刻，在貫通孔701形成有4個(gè)不同的內(nèi)側(cè)面712、713、714和715。其中，內(nèi)側(cè)面712是相對(duì)于上表面710a傾斜大致45° (角度 α )的蝕刻面(傾斜面)，內(nèi)側(cè)面713是相對(duì)于上表面710a傾斜大致64. 4° (角度β )的蝕刻面(傾斜面)。而內(nèi)側(cè)面714和715(參照?qǐng)D26)，均是相對(duì)于Si(IOO)基板710的上表面710a傾斜大致54. 7°的蝕刻面。之后，在內(nèi)側(cè)面712中的與載置有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的狀態(tài)下的光出射面 (參照?qǐng)D25)相對(duì)的區(qū)域上，使用蒸鍍法或?yàn)R射法等形成金屬反射膜761。另一方面，如圖28所示，準(zhǔn)備具有約100 μ m的厚度的平板狀的銅板703。在銅板 703的上表面上形成具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)后，使用氯化鐵溶液等蝕刻液對(duì)銅板703進(jìn)行濕式蝕刻。由此，銅板703被從上表面和下表面蝕刻，平坦部具有約60 μ m 的厚度，并且在上表面(C2側(cè)的表面)形成了具有約20 μ m的突起高度的突起部703a。

然后，使用輥壓層壓機(jī)或熱壓機(jī)來(lái)進(jìn)行層壓加工，將熱固化環(huán)氧樹(shù)脂類的粘接樹(shù)脂751粘貼在銅板703的上表面上。此時(shí)，在粘接樹(shù)脂751不會(huì)完全固化的約100°C以下的溫度下進(jìn)行粘貼。之后，通過(guò)02等離子體處理或研磨處理等除去覆蓋突起部703a的粘接樹(shù)脂751的部分。之后，如圖28所示，將銅板703通過(guò)粘接樹(shù)脂751粘貼到具有貫通孔701的 Si(IOO)基板710的下表面710b，將Si (100)基板710和銅板703在約200°C和約IMPa的溫度壓力條件下加熱壓接約5分鐘，使二者接合。由此，Si(IOO)基板710的開(kāi)口部701b(參照?qǐng)D27)被封閉，形成了凹部711。此外，Si (100)基板710的開(kāi)口部701a作為凹部711的上方的開(kāi)口部711a殘留。然后，將預(yù)先接合有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的次基臺(tái)40接合在配線電極731 的表面上。之后，使用金屬線91將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的ρ側(cè)電極21和配線電極 732連接，并使用金屬線92將PD42的ρ型區(qū)域35b與配線電極733連接。此外，使用金屬線93將焊盤(pán)電極32和焊盤(pán)電極31連接(參照?qǐng)D26)。另外，在將金屬線91和92引線接合到配線電極732和733上之前，也可以在配線電極732和733的表面上形成由Au等構(gòu)成的金屬膜。之后，在將Si (100)基板710加熱到約230°C的狀態(tài)下，在凹部711內(nèi)的上述說(shuō)明了的部件的表面涂布被覆劑16。之后，如圖29所示，對(duì)Si (100)基板710的凹部711，從上方通過(guò)熱壓接將具有約 500 μ m的厚度的密封玻璃760粘貼。此時(shí)，使用密封劑15將Si (100)基板710和密封玻璃 760在約200°C以上約220°C以下的溫度條件下進(jìn)行接合。由此，在包圍凹部711的開(kāi)口部 711a的上表面710a，密封玻璃760通過(guò)密封劑15與Si (100)基板710接合，從而凹部711 內(nèi)部被氣密密封。之后，為了形成配線圖案，對(duì)銅板703的下表面?zhèn)冗M(jìn)行蝕刻。由此，使突起部703a 以外的銅板703的厚度為約20 μ m。此外，在銅板703的下表面上形成具有規(guī)定的掩模圖案的蝕刻掩模(未圖示)后，使用氯化鐵對(duì)銅板703進(jìn)行濕式蝕刻，由此形成由引出配線部 73la、732a和733a構(gòu)成的具有規(guī)定的配線圖案的配線電極731 733 (參照?qǐng)D29)。此外， 此時(shí)粘接樹(shù)脂751的一部分從被除去的銅板703下露出。
然后，如圖29所示，為了將配線電極731 733的下表面覆蓋，在配線電極731 733和露出的粘接樹(shù)脂751的下表面?zhèn)?，形成具有約30 μ m的厚度的光致阻焊層。此時(shí)，光致阻焊層可以將膜狀的光致阻焊材料層壓處理粘貼而成，也可以涂布液狀的光致阻焊材料而成。之后，將光致阻焊層的下表面?zhèn)鹊囊徊糠殖?，在從光致阻焊層露出的引出配線部 731a、732a和733a(參照?qǐng)D26)的端部形成焊球724。由此，形成基部750。最后，在形成有凹部711的區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，使用金剛石刀片，沿圖29所示的分離線790，將密封玻璃760和Si (100)基板710沿厚度方向(C方向)一起切斷(進(jìn)行切割)。由此，形成圖26所示的第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置700。第七實(shí)施方式中，如上所述，包括形成有在厚度方向上貫通的貫通孔701的 Si(IOO)基板710 ；安裝于Si(IOO)基板710的上表面710a，將貫通孔701的開(kāi)口部 701a(711a)密封的密封玻璃760 ；安裝于Si (100)基板710的下表面710b，將貫通孔701 的開(kāi)口部701b密封的基部750 ；和隔著次基臺(tái)40，載置在露出于開(kāi)口部701b內(nèi)的基部750 上形成的配線電極731的表面上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。由此，由于載置在露出于開(kāi)口部701b內(nèi)的配線電極731的表面上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的上表面20b，不會(huì)突出到貫通孔701的開(kāi)口部701a(71 la)的外側(cè)(圖25的C2側(cè))，所以能夠在被基部750和密封玻璃760氣密密封于貫通孔701的內(nèi)部的狀況下，使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20工作。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20不受大氣中的水分或存在于半導(dǎo)體激光裝置700的周邊的有機(jī)物的影響，所以能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的可靠性降低。此外，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20出射的激光，在被形成于貫通孔701的內(nèi)側(cè)面 712上的金屬反射膜761反射后，透過(guò)密封玻璃760向外部出射。由此，在隔著次基臺(tái)40載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的基部750上固定的Si (100)基板710的貫通孔701的一部分即內(nèi)側(cè)面712，能夠兼用作激光的反射機(jī)構(gòu)。即，被形成在內(nèi)側(cè)面712上的金屬反射膜761 反射的激光的光軸精度，僅依賴于在形成于基部750的配線電極731的表面上隔著次基臺(tái) 40載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20時(shí)的安裝誤差，所以引起光軸偏離的要素減少，相應(yīng)地能夠降低光軸偏離的大小。此外，包括形成有貫通孔701的Si (100)基板710 ；安裝于Si (100)基板710的下表面710b，將貫通孔701的開(kāi)口部701b密封的基部750 ；和載置在露出于開(kāi)口部701b內(nèi)的配線電極731的表面上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。由此，能夠使用與Si (100)基板710 不同的材料作為其它的部件形成載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的支承基體，所以能夠進(jìn)一步確保半導(dǎo)體激光裝置700的強(qiáng)度。此外，在制造工藝上，形成有貫通孔701的Si (100) 基板710和平板狀的基部750通過(guò)粘接樹(shù)脂751接合，由此能夠容易地形成用于在內(nèi)部載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝體90。此外，在對(duì)Si (100)基板710進(jìn)行濕式蝕刻時(shí)，由于形成貫通Si (100)基板710 的貫通孔701來(lái)形成內(nèi)側(cè)面712、713、714和715，所以當(dāng)在基板內(nèi)部停止?jié)袷轿g刻時(shí)，也不會(huì)產(chǎn)生蝕刻深度的偏差。此外，能夠以安裝精度良好的狀態(tài)，將載置在基部750(銅板703)上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置到凹部331的內(nèi)部。由此，在制造工藝上，能夠有效地抑制因藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的載置角度(相對(duì)于振蕩器方向或?qū)挾确较虻纳舷路较虻慕嵌?導(dǎo)致激光的光軸偏離或從光出射面到金屬反射膜761的距離產(chǎn)生偏差。此外，由于在導(dǎo)熱率良好的配置電極731 (銅板703)上隔著次基臺(tái)40載置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，所以能夠?qū)⑺{(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)熱經(jīng)由配線電極731 (銅板 703)高效地散熱。此外，通過(guò)使用具有相對(duì)于大致(100)面傾斜約9. 7°的主表面的Si (100)基板 710，當(dāng)利用濕式蝕刻在Si (100)基板710形成貫通孔701時(shí)，能夠在蝕刻的同時(shí)形成4個(gè)內(nèi)側(cè)面712 715。其結(jié)果能夠簡(jiǎn)化制造工藝，所以能夠高效地制造半導(dǎo)體激光裝置700。此外，通過(guò)對(duì)晶片狀態(tài)的Si(IOO)基板701同時(shí)形成多個(gè)貫通孔701，能夠通過(guò)一次蝕刻同時(shí)形成多個(gè)貫通孔701，能夠相應(yīng)地更高效地制造半導(dǎo)體激光裝置700。此外，對(duì)于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20載置于多個(gè)凹部711的各自的底面716上的狀態(tài)下的晶片(在Si (100)基板710接合有基部750的晶片)，通過(guò)熱壓接來(lái)接合晶片狀態(tài)的密封玻璃760以將凹部711密封，由此，能夠通過(guò)一片密封玻璃760的接合工序來(lái)同時(shí)將多個(gè)凹部711氣密密封，因此，能夠高效地制造半導(dǎo)體激光裝置700。此外，第七實(shí)施方式的其它效果與第一實(shí)施方式相同。(第八實(shí)施方式)接著，對(duì)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的光拾取裝置800進(jìn)行說(shuō)明。此處，光拾取裝置 800是本發(fā)明的“ 光學(xué)裝置”的一例。光拾取裝置800如圖31所示，包括三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805、對(duì)從三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805出射的激光進(jìn)行調(diào)整的光學(xué)系統(tǒng)820和接收激光的光檢測(cè)部830。三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805如圖30所示，在封裝體90內(nèi)的次基臺(tái)40上載置有 藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 ；和與藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20相鄰，具有約650nm的振蕩波長(zhǎng)的紅色半導(dǎo)體激光元件50和具有約780nm的振蕩波長(zhǎng)的紅外半導(dǎo)體激光元件55形成為單片(monolithic)的雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件60。此處，三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光裝置”的一例，紅色半導(dǎo)體激光元件50、紅外半導(dǎo)體激光元件55和雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件60是本發(fā)明的“半導(dǎo)體激光元件”的一例。此外，在基部10，設(shè)置有由金屬制的引線框構(gòu)成的引線端子11、72、73、74和75。該引線端子11和引線端子72 75，在通過(guò)樹(shù)脂模制成型而相互絕緣的狀態(tài)下，以從前方(Al 方向)向后方(A2方向)貫通基部10的方式配置。并且，向基部10的外部(A2側(cè))延伸的后端區(qū)域，分別與未圖示的驅(qū)動(dòng)電路連接。此外，引線端子11和引線端子72 75的向前方延伸的前端區(qū)域lla、72a、73a、74a和75a分別從內(nèi)壁部IOg露出，一起配置在凹部IOd 的底面上。此外，ρ側(cè)電極21與金屬線91的一端引線接合，而金屬線91的另一端與引線端子 74的前端區(qū)域74a連接。此外，形成于紅色半導(dǎo)體激光元件50的上表面的ρ側(cè)電極51與金屬線92的一端引線接合，而金屬線92的另一端與引線端子73的前端區(qū)域73a連接。此夕卜，形成于紅外半導(dǎo)體激光元件55的上表面的ρ側(cè)電極56與金屬線93的一端引線接合， 而金屬線93的另一端與引線端子72的前端區(qū)域72a連接。此外，形成于藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的下表面的η側(cè)電極(未圖示)和形成于雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件60的下表面的 η側(cè)電極(未圖示)，經(jīng)由次基臺(tái)40與引線端子11的前端區(qū)域Ila電連接。此外，PD42的上表面與金屬線94的一端引線接合，而金屬線94的另一端與引線端子75的前端區(qū)域75a連接。此外，與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置100相比，由于基部10的截面在寬度方向(B方向)上拉長(zhǎng)，所以基部主體IOa具有最大寬度W81(W81 >W1)。由此，前方側(cè)的凹部IOb的開(kāi)口部IOd也在B方向上擴(kuò)展。此外，三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805的其它的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式大致，在圖中對(duì)于與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)來(lái)圖示。此外，關(guān)于三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805的制造工藝，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20 和雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件60在橫向方向(圖30的B方向)上并列地通過(guò)次基臺(tái)40接合。 之后，將各激光元件20和60的ρ側(cè)電極21、54、56和PD42的上表面，與引線端子72、73、74 和75的前端區(qū)域72a、73a、74a和75a，分別引線接合。其它的制造工藝與第一實(shí)施方式的制造工藝大致相同。此外，光學(xué)系統(tǒng)820具有偏振分束器(PBS)821、準(zhǔn)直透鏡822、擴(kuò)束器823、λ/4片 824、物鏡825、圓柱透鏡826和光軸修正元件827。此外，PBS821使從三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805出射的激光全部透射，并使從光盤(pán) 835返回的激光全部反射。準(zhǔn)直透鏡822將透過(guò)PBS821的來(lái)自三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805 的激光變換成平行光。擴(kuò)束器823由凹透鏡、凸透鏡和致動(dòng)器(未圖示)構(gòu)成。致動(dòng)器具有下述功能，即，根據(jù)來(lái)自后述的伺服電路的伺服信號(hào)使凹透鏡與凸透鏡的距離變化，以修正從三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805出射的激光的波前狀態(tài)。

此外，λ /4片824將被準(zhǔn)直透鏡822變換成大致平行光的直線偏振的激光變換成圓偏振光。此外，λ/4片824將從光盤(pán)835返回的圓偏振的激光變換成直線偏振光。此時(shí)的直線偏振光的偏振方向，與從三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805出射的激光的直線偏振光的方向正交。由此，從光盤(pán)835返回的激光被PBS821大致全部反射。物鏡825將透過(guò)λ/4片 824的激光聚焦到光盤(pán)835的表面(記錄層)上。此外，物鏡825能夠在物鏡致動(dòng)器(未圖示)的作用下，根據(jù)來(lái)自后述的伺服電路的伺服信號(hào)(跟蹤伺服信號(hào)、聚焦伺服信號(hào)和傾斜伺服信號(hào))，在聚焦方向、跟蹤方向和傾斜方向上移動(dòng)。此外，以沿著被PBS821全反射的激光的光軸的方式，配置有圓柱透鏡826、光軸修正元件827和光檢測(cè)部830。圓柱透鏡826對(duì)入射的激光附加像散作用。光軸修正元件827 由衍射光柵構(gòu)成，以使透過(guò)圓柱透鏡826的藍(lán)紫色、紅色和紅外的各激光的0級(jí)衍射光的光斑在后述的光檢測(cè)部830的檢測(cè)區(qū)域上一致的方式配置。此外，光檢測(cè)部830基于接收到的激光的強(qiáng)度分布輸出再現(xiàn)信號(hào)。此處，光檢測(cè)部 830具有規(guī)定的圖案的檢測(cè)區(qū)域，以除了獲得再現(xiàn)信號(hào)外，還能獲得聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)。如此，構(gòu)成具有三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805的光拾取裝置800。在光拾取裝置800中，三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805對(duì)弓|線端子11和引線端子72 74之間分別獨(dú)立地施加電壓，由此能夠從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件 50和紅外半導(dǎo)體激光元件55獨(dú)立地出射藍(lán)紫色、紅色和紅外的激光。此外，從三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805出射的激光，如上所述，在通過(guò)PBS821、準(zhǔn)直透鏡822、擴(kuò)束器823、λ/4片 824、物鏡825、圓柱透鏡826和光軸修正元件827調(diào)整后，照射到光檢測(cè)部830的檢測(cè)區(qū)域上。此處，當(dāng)對(duì)記錄在光盤(pán)835上的信息進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，能夠以使從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件50和紅外半導(dǎo)體激光元件55出射的各自的激光功率變得一定的方式進(jìn)行控制，同時(shí)對(duì)光盤(pán)835的記錄層照射激光，并獲得從光檢測(cè)部830輸出的再現(xiàn)信號(hào)。此外，根據(jù)同時(shí)輸出的聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)，能夠?qū)U(kuò)束器823的致動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡825的物鏡致動(dòng)器分別進(jìn)行反饋控制。此外，當(dāng)對(duì)光盤(pán)835記錄信息時(shí)，在基于要記錄的信息來(lái)控制從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和紅色半導(dǎo)體激光元件50 (紅外半導(dǎo)體激光元件55)出射的激光功率的同時(shí)，對(duì)光盤(pán)835照射激光。由此，能夠在光盤(pán)835的記錄層記錄信息。此外，與上述情況相同地，根據(jù)從光檢測(cè)部830輸出的聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)，能夠?qū)U(kuò)束器823 的致動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡825的物鏡致動(dòng)器分別進(jìn)行反饋控制。由此，使用具有三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805的光拾取裝置800，能夠?qū)獗P(pán)835進(jìn)行記錄和再現(xiàn)。光拾取裝置800具有上述三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805。即，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件 20和雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光元件60被可靠地密封在封裝體90的內(nèi)部。由此，能夠獲得半導(dǎo)體激光元件不容易發(fā)生劣化，可經(jīng)受長(zhǎng)時(shí)單使用的可靠性高的光拾取裝置800。此外，三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置805的效果與第一實(shí)施方式相同。此外，本次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有方面都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是例示而非限制。本發(fā)明的范圍并不由上述實(shí)施方式的說(shuō)明限定，而是由權(quán)利要求的范圍表示，還包括與權(quán)利要求的范圍意義相當(dāng)?shù)淖兏头秶鷥?nèi)的所有變更。例如，第一 第三和第五 第七實(shí)施方式的制造工藝中，例示了在本發(fā)明的“密封用部件”或“基部 ”的任一者的表面涂布了具有厚度t3(約0. 2mm)的密封劑15后，將另一部件熱壓接來(lái)密封封裝體的例子。但本發(fā)明并不限定于此。也可以代替涂布密封劑15，將預(yù)先形成為薄膜狀(膜狀)的密封劑15a切割成“密封用部件”與“基部”的接合區(qū)域的大小，使用它來(lái)進(jìn)行接合。例如，像圖32所示的變形例那樣，對(duì)于半導(dǎo)體激光裝置105a，在制造工藝中，在未涂布密封劑15的狀態(tài)的密封用部件30的背面(下表面)和基部10的上表面IOi之間，夾入切割成密封用部件30的外形形狀的膜狀的密封劑15a，在此狀態(tài)下進(jìn)行熱壓接。此時(shí)，密封劑15a只要僅配置在密封用部件30與基部10的接合區(qū)域即可。于是，對(duì)于接合后密封用部件30露出在密封空間內(nèi)的部分，優(yōu)選預(yù)先切除。如此，如圖33所示，密封用部件30先在開(kāi)口部IOe的周邊區(qū)域通過(guò)密封劑15a接合后，正面部30b的部分被向著箭頭P方向彎折，與開(kāi)口部IOd的周邊區(qū)域接合。此外，膜狀的密封劑15a的厚度t7比涂布熔融的密封劑15時(shí)的厚度t3(參照?qǐng)D 2)小(t7<t3)。此處，接合后的接合區(qū)域的密封劑15a的厚度t8越薄，密封性(氣密性) 越好，并且越能夠抵制封裝體90的整體的高度(厚度)。不過(guò)，在過(guò)薄的情況下，容易受到被接合部件所具有的翹曲或接合面的凹凸的影響，不容易獲得均勻的接合狀態(tài)。此外，從膜的成型性(擠壓成型性)良好地進(jìn)行接合的方面考慮，密封劑15a的厚度t7也存在合適的范圍。此時(shí)，接合后的密封劑15a的接合區(qū)域的厚度t8，優(yōu)選在約5 μ m以上約50 μ m以下， 更優(yōu)選在約5μπι以上約30 μ m以下。此時(shí)，膜狀的密封劑15a的熱壓接前的厚度t7，優(yōu)選在約5μπ 以上約50μπ 以下，更優(yōu)選在約5μπ 以上約30 μ m以下。此外，在使用膜狀的密封劑15a進(jìn)行接合的情況下，如圖33所示，也與半導(dǎo)體激光裝置100 (參照?qǐng)D2)相同，在密封劑15a的接合區(qū)域的內(nèi)側(cè)和外側(cè)可能會(huì)呈圓角狀堆起。不過(guò)，該呈圓角狀堆起的部分的厚度t9，比半導(dǎo)體激光裝置100中密封劑15堆起的部分的厚度t5(參照?qǐng)D2)小得多(t9 < t5)。此外，從接合區(qū)域露出的部分的密封劑15a會(huì)因加熱而凝集從而略微縮小，所以露出到封裝體90的密封空間內(nèi)的量減少。
此外，對(duì)于膜狀的密封劑15a，不只用于上述密封用部件30與基部10的接合，還能夠用于密封用部件30與密封孔部34的透光部35的接合。即，在與孔部34的周圍對(duì)應(yīng)的密封用部件30的正面部30b和大致圓盤(pán)狀的透光部35之間，夾入切割成圓環(huán)狀的密封劑 15a，在此狀態(tài)下將部件彼此熱壓接，由此能夠利用透光部35將孔部34封閉。此外，為了確認(rèn)使用膜狀的密封劑15a的可用性，對(duì)于半導(dǎo)體激光裝置105a，在與半導(dǎo)體激光裝置100相同的上述的條件下，進(jìn)行基于APC的工作試驗(yàn)。其結(jié)果，對(duì)于激光元件的工作電流的歷時(shí)變化，即使工作開(kāi)始后經(jīng)過(guò)1500小時(shí)，實(shí)施例與比較例間也不產(chǎn)生顯著的差異。因此確認(rèn)，能夠使用膜狀的密封劑15a將部件彼此接合，來(lái)代替涂布形成。此外，上述密封劑15a使用的是忠實(shí)地對(duì)應(yīng)著密封用部件30與基部10的接合區(qū)域而切下的膜，但不限于此，除了配置使激光透過(guò)的窗用部件的部分外，也可以不將膜的內(nèi)側(cè)切除。此外，第二實(shí)施方式中，例示了在密封用部件45的背面45c的大致整個(gè)面涂布密封劑15的例子，但本發(fā)明不限于此，也可以與第一實(shí)施方式的變形例同樣地，在位于封裝體90的密封空間內(nèi)的密封用部件45的背面45c上不涂布密封劑15，使銅鎳鋅合金 板的表面露出到密封空間內(nèi)。此外，第二 第七實(shí)施方式中，在封裝體90內(nèi)沒(méi)有設(shè)置氣體吸收劑49，但本發(fā)明不限于此，也可以與第一實(shí)施方式同樣地設(shè)置氣體吸收劑49。氣體吸收劑49除了硅膠外， 也可以使用例如合成沸石、氧化鈣類吸收材料或活性炭等。對(duì)于合成沸石，將粒狀(圓柱狀)的合成沸石按規(guī)定的大小切割，然后固定到封裝體90的密封空間內(nèi)即可。此外，第一、第五和第六實(shí)施方式中，例示了使用鋁箔構(gòu)成密封用部件的例子，但本發(fā)明中，作為鋁箔以外的金屬箔，也能夠使用例如Cu箔、銅鎳鋅合金等Cu合金箔、Sn箔或不銹鋼箔等來(lái)形成密封用部件。此外，對(duì)于密封用部件，為了容易將來(lái)自半導(dǎo)體激光元件的發(fā)熱向外部散熱，優(yōu)選使用散熱性高的金屬板。此外，第一和第六實(shí)施方式中，例示了在密封用部件的背面形成有密封劑15的狀態(tài)下將基部密封的例子，但本發(fā)明中，也可以使用金屬以外的例如聚酰胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等形成密封用部件，通過(guò)配置于背面的密封劑15安裝到基部。在密封用部件使用上述樹(shù)脂材料的情況下，能夠利用富于氣障性的EVOH樹(shù)脂(密封劑15)來(lái)更加有效地抑制低分子硅氧烷、揮發(fā)性的有機(jī)氣體等浸入封裝體90的內(nèi)部。此外，第二和第三實(shí)施方式中，例示了使用銅鎳鋅合金板構(gòu)成密封用部件的例子， 但本發(fā)明中，也可以使用銅鎳鋅合金板以外的例如鋁板，Cu板，Sn.Ni.Mg等的合金板，或不銹鋼板，陶瓷板等來(lái)形成密封用部件。此外，第四實(shí)施方式中，使用表面實(shí)施了鍍M的柯伐來(lái)形成蓋部430，但本發(fā)明不限于此，也可以使用表面實(shí)施了鍍Ni的Fe等來(lái)形成蓋部。此外，在第四 第六實(shí)施方式中，也可以在窗用部件的表面上作為氣障層形成 Al203、Si02、&O2等多層的金屬氧化膜(電介質(zhì)膜)。并且也可以形成Al、Ni、Pt、Au等的金屬膜。另外，在第一、第二和第六實(shí)施方式的引線框樹(shù)脂部件的表面上也可以形成金屬膜。此外，在第一、第二、第三、第五和第六實(shí)施方式的制造工藝中，例示了在加熱到約 220°C的狀態(tài)下，在密封用部件的單個(gè)面上涂布密封劑15的例子，但本發(fā)明中，也可以在將 EVOH樹(shù)脂溶于溶劑的情況下，將溶劑與EVOH樹(shù)脂的混合物涂布于密封用部件，然后將密封用部件加熱來(lái)除去溶劑。此外，第一和第二實(shí)施方式中，例示了使用聚酰胺樹(shù)脂形成基部主體IOa的例子， 但本發(fā)明中，也可以使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂(PPS)、液晶聚合物(LCP)等來(lái)形成基部。 此外，從比上述其它樹(shù)脂的吸水率小這一點(diǎn)看來(lái)，LCP適于基部用的模制樹(shù)脂材料。另外，此時(shí)能夠以在樹(shù)脂材料中按規(guī)定比例混入氣體吸收劑的混合物的狀態(tài)成型基部主體10a。此夕卜，氣體吸收劑優(yōu)選具有數(shù)十μ m以上數(shù)百μ m以下粒徑的粒子狀的吸收劑。此外，第一和第二實(shí)施方式中，例示了使基部10的凹部IOb的深度為基部主體IOa 的厚度tl的大致一半的例子，但不限定于此，例如凹部IOb的深度可以形成得比厚度tl/2 深，也可以形成得比厚度tl/2淺。此外，第三實(shí)施方式的變形例中，例示了利用被覆劑18覆蓋將基部315、密封用部件45和窗用部件46接合的密封劑15的側(cè)面的例子，而在第四實(shí)施方式及其變形例中，例示了利用被覆劑18覆蓋將蓋部430和透光部35接合的密封劑15的側(cè)面的例子，但本發(fā)明不限于此，也可以用被覆劑18覆蓋其它實(shí)施方式中的將密封用部件和窗用部件接合的密封劑15的側(cè)面。另外，作為透濕度小的材料，除了環(huán)氧樹(shù)脂以外，能夠使用例如Si02、Al203 等的氧化膜，Al、Ni、Pb或Au等的金屬薄膜。此外，第一、第二、第四 第七實(shí)施方式中，例示了對(duì)位于封裝體90的密封空間內(nèi)的部件的表面涂布被覆劑16的例子，但本發(fā)明中也可以不涂布被覆劑16。此外，第八實(shí)施方式中例示了光拾取裝置800，但本發(fā)明不限于此，本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置也能夠 適用于CD、DVD、或BD等進(jìn)行光盤(pán)的記錄或再現(xiàn)的光盤(pán)裝置。另外，也可以使用紅色半導(dǎo)體激光元件、綠色半導(dǎo)體激光元件和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件來(lái)構(gòu)成RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，并將該RGB三波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置適用于投影裝置等光學(xué)裝置中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于，具有 半導(dǎo)體激光元件；和將所述半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體，所述封裝體具有用于安裝所述半導(dǎo)體激光元件的基部、密封用部件和使從所述半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件，所述半導(dǎo)體激光元件由所述基部、所述密封用部件和所述窗用部件密封， 所述基部、所述密封用部件和所述窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件與所述窗用部件通過(guò)所述密封劑接合。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件是金屬制的。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件是玻璃制的。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封用部件由金屬箔構(gòu)成，并且在接合區(qū)域通過(guò)所述密封劑與所述基部接合， 所述密封劑延伸到所述密封用部件的所述接合區(qū)域以外的表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述基部具有從上表面開(kāi)口到前表面的開(kāi)口部，所述密封用部件由從所述上表面到所述前表面彎折成側(cè)截面呈大致L字形狀的所述金屬箔構(gòu)成，并且所述密封劑設(shè)置在與所述封裝體的密封空間面對(duì)的所述密封用部件的表面的大致整個(gè)面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封劑，在所述基部、所述密封用部件和所述窗用部件中的至少二個(gè)部件彼此的接合區(qū)域整體以無(wú)間隙的方式設(shè)置。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封劑具有從所述接合區(qū)域露出到所述封裝體的密封空間內(nèi)的部分， 所述露出的部分的厚度大于所述密封劑在所述接合區(qū)域的厚度。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封劑的露出到所述密封空間內(nèi)的部分，將所述接合區(qū)域附近的所述基部的表面覆蓋。
10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述窗用部件，通過(guò)所述密封劑，接合在所述封裝體的密封空間中的所述密封用部件的表面、或者與所述密封空間相反一側(cè)的所述封裝體的外側(cè)的所述密封用部件的表面。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于所述密封劑的側(cè)面，被由透濕度比所述密封劑小的材料構(gòu)成的樹(shù)脂覆蓋。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封用部件為具有底部的筒狀。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述基部由金屬板構(gòu)成并且包含第一引線端子，所述基部在所述第一引線端子以外的所述金屬板具有凹部， 在所述凹部的內(nèi)底面安裝有所述半導(dǎo)體激光元件。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述第一引線端子與所述內(nèi)底面導(dǎo)通，還具有將在激光出射方向處于所述半導(dǎo)體激光元件后方的所述凹部的后表面貫通，且通過(guò)絕緣部件與所述內(nèi)底面絕緣的第二引線端子，在所述第二引線端子的安裝到所述封裝體的密封空間內(nèi)的至少絕緣部件的安裝部分附近，設(shè)置有所述密封劑。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述密封劑的厚度為5 μ m以上50 μ m以下。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體激光元件是氮化物類半導(dǎo)體激光元件。
17.一種半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，包括 將半導(dǎo)體激光元件安裝到基部的工序；和接合工序，將基部、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑熱壓接而相互接合，以將所述半導(dǎo)體激光元件密封。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于 所述接合工序包括在將熔融的所述密封劑涂布于所述密封用部件后，將所述密封用部件通過(guò)所述密封劑與所述基部和所述窗用部件中的至少一方壓接的工序。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于 所述接合工序包括在所述密封用部件與所述基部和所述窗用部件的至少一方之間以隔著形成為薄膜狀的所述密封劑的狀態(tài)進(jìn)行壓接的工序。
20.一種光學(xué)裝置，其特征在于，包括具有半導(dǎo)體激光元件和將所述半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體的半導(dǎo)體激光裝置；和控制所述半導(dǎo)體激光裝置的出射光的光學(xué)系統(tǒng)，所述封裝體具有用于安裝所述半導(dǎo)體激光元件的基部、密封用部件和使從所述半導(dǎo)體激光元件出射的光向外部透射的窗用部件，所述半導(dǎo)體激光元件由所述基部、所述密封用部件和所述窗用部件密封， 所述基部、所述密封用部件和所述窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體激光裝置、半導(dǎo)體激光裝置的制造方法和光學(xué)裝置。該半導(dǎo)體激光裝置具有半導(dǎo)體激光元件和將半導(dǎo)體激光元件密封的封裝體。封裝體具有用于安裝半導(dǎo)體激光元件的基部、密封用部件和窗用部件。半導(dǎo)體激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封?；?、密封用部件和窗用部件中的至少二個(gè)部件相互通過(guò)由乙烯-聚乙烯醇共聚物構(gòu)成的密封劑接合。
文檔編號(hào)H01S5/022GK102244364SQ20111013478
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
發(fā)明者吉川秀樹(shù), 岡山芳央, 後藤壯謙, 德永誠(chéng)一, 林伸彥, 藏本慶一, 野村康彥 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社