技術(shù)編號:7001665
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種功率模塊組件,具體的說是一種半橋功率模塊。 背景技術(shù)功率模塊IGBT(絕緣柵極雙極晶體管)模塊廣泛用于變頻器、焊機、UPS、太陽能和風(fēng)能領(lǐng)域。在傳統(tǒng)的大功率模塊封裝中,為了達到高可靠性,需要回流焊接功率端子,信號走線需要繞線,需要灌環(huán)氧樹脂。但這種功率模塊,存在工藝較復(fù)雜,生產(chǎn)成本較高的缺點ο發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是設(shè)計出一種大功率的半橋功率模塊。本發(fā)明要解決的是現(xiàn)有功率模塊存在的生產(chǎn)工藝較復(fù)雜,生產(chǎn)成本較高的問題。為實現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明采...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。