專利名稱：倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜用于保護芯片形工件(如半導(dǎo)體芯片)的背面并增強強度。此外，本發(fā)明涉及使用具有所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體器件和生產(chǎn)所述器件的方法。
背景技術(shù)：
近年來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中將半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板的那些(即，通過倒裝芯片接合生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片，或倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)。在此類半導(dǎo)體器件等中，在一些情況下半導(dǎo)體芯片 (芯片形工件)的背面用保護膜保護，以防止半導(dǎo)體芯片的損壞(參見，例如，專利文獻1至
10)。
專利文獻1 JP--A--2008--166451
專利文獻2 JP--A--2008- 06386
專利文獻3 JP--A--2007--261035
專利文獻4 JP--A--2007--250970
專利文獻5 JP--A--2007--158026
專利文獻6 JP--A--2004--221169
專利文獻7 JP--A--2004--214288
專利文獻8 JP--A--2004--142430
專利文獻9 JP--A--2004- 72108
專利文獻10JP-A-2004[-06355
發(fā)明內(nèi)容
然而，在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件中，存在期望的用于保護半導(dǎo)體芯片背面的背面保護膜， 所述背面保護膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠以優(yōu)良的拾取性將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從基材剝離，并且即使當將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。此外，用于保護半導(dǎo)體芯片背面的背面保護膜粘貼至通過在切割步驟中切割半導(dǎo)體晶片獲得的半導(dǎo)體芯片的背面導(dǎo)致增加該粘貼步驟，因此步驟數(shù)量增加并且成本等增加。此外，由于近年來的薄型化，在切割步驟后半導(dǎo)體芯片的拾取步驟中在一些情況下可能損壞半導(dǎo)體芯片。因而，期望增強半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片直到拾取步驟?？紤]到前述問題設(shè)計本發(fā)明，其目的是提供如下倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠以優(yōu)良的拾取性將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從基材剝離，并且即使當將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。 此外，其目的是提供從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。此外，本發(fā)明的另一目的是提供如下的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力， 在切割步驟后的拾取步驟中能夠以優(yōu)良的拾取性將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從基材剝離，并且即使將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體，以及在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示優(yōu)良的激光標識性和外觀性。用于解決問題的方案作為為解決上述常規(guī)問題進行深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)當將具有包括各自具有特定彈性模量的層的多層結(jié)構(gòu)的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜層壓在具有基材和壓敏粘合劑層的切割帶的壓敏粘合劑層上從而以集成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜時，從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用其中以集成形式形成切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的層壓體(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)，以及在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠以優(yōu)良的拾取性將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，此外，即使當將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體，此外，在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示優(yōu)良的激光標識性和優(yōu)良的外觀性，由此完成本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物上的半導(dǎo)體元件的背面上，其中所述膜包括晶片粘合層和激光標識層，和其中所述晶片粘合層的彈性模量(在50°C下)為IOMPa以下，所述激光標識層的彈性模量(在50°C下)為IOOMPa以上。此外，本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和具有上述構(gòu)造和特性的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以所述激光標識層層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上的方式形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜以倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜與包括基材和壓敏粘合劑層的切割帶集成的形式形成，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層結(jié)構(gòu)，并且所述晶片粘合層和激光標識層各自具有特定彈性模量。因此，在切割晶片(半導(dǎo)體晶片)時，通過利用晶片粘合層將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至工件(半導(dǎo)體晶片)，工件能夠在保持的同時有效地切割。此外，在將工件切割以形成芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)后，通過將芯片形工件與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，能夠容易地獲得背面受保護的芯片形工件。此外，由于芯片形工件含有具有特定彈性模量的晶片粘合層和具有特定彈性模量的激光標識層，因此即使當將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。此外，由于在芯片形工件背面上激光標識層成為最外層，因此能夠以優(yōu)良的激光標識性在芯片形工件的背面(即，激光標識層)上進行激光標識。此外， 能夠有效地增強外觀性等。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，由于如上所述切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成方式形成，因此在切割步驟前當將切割帶粘貼至半導(dǎo)體晶片背面時也粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，因而不需要僅粘貼倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的步驟(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼步驟)。此外，在隨后的切割步驟和拾取步驟中，由于將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼在半導(dǎo)體晶片背面或通過切割形成的半導(dǎo)體芯片背面上，因此能夠有效地保護半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片，因而在切割步驟或隨后的步驟(拾取步驟等)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片的損壞。在本發(fā)明中，優(yōu)選將晶片粘合層和激光標識層兩者均著色。當將倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜著色時，不僅能夠改進激光標識性，而且能夠?qū)⑶懈顜Ш偷寡b芯片型半導(dǎo)體背面用膜彼此容易地區(qū)分開，因此能夠增強加工性等。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可適合用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明還提供生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將工件粘貼至上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層上，切割所述工件以形成芯片形工件，將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。此外，本發(fā)明進一步提供倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片粘貼至支承體。此外，由于切割帶和倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以集成形式形成以及倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜具有包含具有特定彈性模量的晶片粘合層和具有特定彈性模量的激光標識層的多層結(jié)構(gòu)，因此從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠利用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。具體地，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中能夠顯示優(yōu)良的保持力，在切割步驟后的拾取步驟中能夠以優(yōu)良的拾取性將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，即使當將其背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護的半導(dǎo)體芯片放置在支承體上時，在拾取步驟后也能夠抑制或防止半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體，以及在半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟后能夠顯示優(yōu)良的激光標
5識性和優(yōu)良的外觀性。此外，在倒裝芯片接合步驟等中，由于半導(dǎo)體芯片的背面用倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜保護，因此能夠有效抑制或防止半導(dǎo)體芯片的破壞(breakage)、碎裂 (chipping)和翹曲(warp)等。自然，在除半導(dǎo)體芯片的切割步驟至倒裝芯片接合步驟的步驟之外的步驟中，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜能夠有效地顯示其功能。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的橫截面示意圖。
圖2A-2D為示出使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一-個實施方案的橫截面示意圖。
附圖標記說明
1半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜
2倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜
21激光標識層
22晶片粘合層
3切割帶
31基材
32壓敏粘合劑層
4半導(dǎo)體晶片(工件)
5半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)
51在半導(dǎo)體芯片5的電路面形成的凸塊(bump)
6被粘物
61粘合至被粘物6的連接墊(connecting pad)的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于該實施方案。圖1為示出采用根據(jù)本發(fā)明的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜的根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖1中，1為半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜(下文中有時也稱作“切割帶集成的半導(dǎo)體背面保護膜”、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護膜”)；2為倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜(下文中有時也稱作“半導(dǎo)體背面用膜”或“半導(dǎo)體背面保護膜”)；21為激光標識層；22為晶片粘合層；3為切割帶；31為基材；32為壓敏粘合劑層。此外，在本說明書的附圖中，沒有給出不需要描述的部分，為了容易描述，存在通過放大、縮小等示出的部分。如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有包括以下的構(gòu)造在具有基材31 和在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3的壓敏粘合劑層32上，以壓敏粘合劑層 32與激光標識層21接觸的形式，形成具有包括激光標識層21和晶片粘合層22的多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體背面用膜2。激光標識層21具有彈性模量(在50°C下)為IOOMPa以上的特性。 此外，晶片粘合層22具有彈性模量(在50°C下)為IOMPa以下的特性。此外，在直至將半導(dǎo)體背面用膜2的正面(要粘貼至晶片背面的表面；即，晶片粘合層22的表面)粘貼至晶片背面的期間內(nèi)，將其用隔離體等保護。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有在切割帶的壓敏粘合劑層的整個表面上形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造，或者可以具有部分形成半導(dǎo)體背面用膜的構(gòu)造。例如，如圖 1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以具有如下構(gòu)造在切割帶的壓敏粘合劑層上，僅在預(yù)將半導(dǎo)體晶片粘貼至其的部分上形成半導(dǎo)體背面用膜。(倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜具有膜形狀。如上所述，由于半導(dǎo)體背面用膜具有包含在50°C下的彈性模量為IOMPa以下的晶片粘合層和在50°C下的彈性模量為IOOMPa以上的激光標識層的多層結(jié)構(gòu)，因此在將粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上(即，晶片粘合層上)的工件(半導(dǎo)體晶片)切斷為芯片形的切斷-加工步驟(切割步驟)中，半導(dǎo)體背面用膜具有支承緊密粘合至該半導(dǎo)體背面用膜的工件的功能，因而能夠顯示緊密粘合性從而使切斷件不會飛散。此外，在切割步驟后的拾取步驟中，通過切割而個體化的芯片形工件能夠與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶容易地剝離。此外，在拾取步驟后(在通過切割而個體化的芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶剝離后)，即使當將其背面用半導(dǎo)體背面用膜保護的芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)放置(貯存)在支承體(即，載帶)上時，在此時(例如，在以將該膜放置在支承體上的狀態(tài)運輸?shù)葧r)，芯片形工件也從不或幾乎不通過半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體(例如，載帶的頂帶或底帶等)，并且在利用芯片形工件時，可容易地從支承體取下。 此外，在拾取步驟后，半導(dǎo)體背面用膜可具有保護芯片形工件背面的功能。此外，由于激光標識層變?yōu)樾酒喂ぜ趁鎮(zhèn)壬系淖钔鈱?，因此半?dǎo)體背面用膜具有顯示優(yōu)良的激光標識性的功能。此外，由于將晶片粘合層以優(yōu)良的緊密粘合性粘貼至芯片形工件的背面上，因此沒有觀察到由于不足的粘合導(dǎo)致的浮起等，因此芯片形工件能夠顯示優(yōu)良的外觀性。因而， 由于半導(dǎo)體背面用膜具有優(yōu)良的激光標識性，所以能夠通過半導(dǎo)體背面用膜(即半導(dǎo)體背面用膜的激光標識層)，借助利用激光標識法進行激光標識，以將各種信息例如文字信息和圖形信息賦予至芯片形工件或使用芯片形工件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)上的面。此外，在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜中，優(yōu)選將激光標識層著色，此外，適合將晶片粘合層和激光標識層兩者均著色。因而，在半導(dǎo)體背面用膜中，當將激光標識層(優(yōu)選地，晶片粘合層和激光標識層)著色時，能夠顯示更加優(yōu)良的激光標識性。通過控制著色的顏色，能夠以優(yōu)良可見度觀察通過標識而賦予的信息(例如文字信息和圖形信息)。特別地，由于半導(dǎo)體背面用膜相對于半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片具有優(yōu)良的緊密粘合性，因此沒有觀察到浮起等。此外，由于半導(dǎo)體背面用膜能夠顯示優(yōu)良的外觀性，因此能夠獲得具有優(yōu)良的增值外觀性的半導(dǎo)體器件。例如，作為半導(dǎo)體器件，能夠通過使用不同的顏色將其產(chǎn)品分類。此外，通過將晶片粘合層和激光標識層著色，切割帶和半導(dǎo)體背面用膜能夠彼此容易地區(qū)分，因此能夠提高加工性等。如上所述，半導(dǎo)體背面用膜不用于將半導(dǎo)體芯片模片接合至被粘物例如基板，而用于保護將要倒裝芯片安裝(或已經(jīng)倒裝芯片安裝)的半導(dǎo)體芯片的背面(非電路面)，并且該半導(dǎo)體背面用膜具有最適合的功能和構(gòu)造。在這點上，用于將半導(dǎo)體芯片強烈地粘合至被粘物例如基板上的用途的模片接合膜為粘合劑層并用封裝材料封裝，因此該膜不具有
7激光標識層也不具有激光標識性。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜具有不同于模片接合膜的功能或構(gòu)造，因而不適合將該膜用作模片接合膜。(晶片粘合層)晶片粘合層為顯示對晶片(半導(dǎo)體晶片)的優(yōu)良緊密粘合性的層并且是與晶片背面接觸的層。作為晶片粘合層相對于晶片的緊密粘合力(粘合力)，在將半導(dǎo)體背面用膜以晶片粘合層與晶片表面接觸的形式通過利用熱層壓法在50°C下粘貼至厚度為0. 6mm的半導(dǎo)體晶片后，當使其在23°C的氣氛下靜置20分鐘時在23°C下晶片粘合層相對于晶片的粘合力(剝離角:180°，拉伸速率:300mm/min)優(yōu)選ΙΝ/lOmm-寬度以上(例如，ΙΝ/lOmm-寬度至10N/10mm-寬度)，更優(yōu)選2N/10mm_寬度以上(例如，2N/10mm-寬度至10N/10mm-寬度)，還更優(yōu)選4N/10mm-寬度以上(例如，4N/10mm_寬度至10N/10mm-寬度)。當晶片粘合層相對于晶片的粘合力(剝離角180°，拉伸速率300mm/min)為ΙΝ/lOmm-寬度以上時， 顯示作為晶片粘合層的優(yōu)良粘合性。在這點上，晶片粘合層相對于晶片的粘合力以下列方式測量。具體地，將壓敏粘合帶(商品名“BT315”，由Nitto Denko Corporation制造)粘貼至包含晶片粘合層和激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜的激光標識層側(cè)的面上，從而增強背面。然后，通過使2Kg的輥在 50°C下往復(fù)一次，將厚度為0. 6mm的晶片(半導(dǎo)體晶片)粘貼至長度為150mm和寬度為IOmm 的背面增強的半導(dǎo)體背面用膜的正面上。其后，將層壓體在熱盤(50°C)上靜置2分鐘，然后將其在常溫(約23°C)下靜置20分鐘。靜置后，在溫度23°C下，在剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的條件下，通過使用剝離試驗機(商品名“AUTOGRAPH AGS-J”，由Siimadzu Corporation制造)，將背面增強的半導(dǎo)體背面用膜剝離。此時，剝離力(N/10mm-寬度)通過在晶片粘合層和晶片之間的界面處剝離來測量。本發(fā)明中的粘合力包括壓敏粘合力和剝離力。晶片粘合層相對于晶片的粘合力能夠通過構(gòu)成樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及填料的種類和含量等來控制。此外，晶片粘合層具有在50°C下的彈性模量為IOMPa以下的性質(zhì)。因而，由于片粘合層具有在50°C下的彈性模量為IOMPa以下的性質(zhì)，晶片粘合層顯示對晶片的良好緊密粘合性并且在切割步驟中能夠有效地顯示晶片的保持力。在本發(fā)明中，晶片粘合層的彈性模量(在50°C下)不特別限定，只要彈性模量為 IOMPa以下即可，但優(yōu)選8MPa以下(更優(yōu)選6MPa以下)，進一步優(yōu)選5MPa以下(特別地 3MPa以下)。晶片粘合層的彈性模量(在50°C下)的下限不特別限定，但優(yōu)選IMPa以上， 更優(yōu)選1. 2MPa以上(進一步優(yōu)選1. 5MPa以上)。因此，晶片粘合層的彈性模量(在50°C 下)例如可選自1至IOMPa的范圍。此外，在晶片粘合層由包含如下所述的熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下， 熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在50°C下的彈性模量為在熱固性樹脂為未固化或部分固化的狀態(tài)下的在50°C下的彈性模量。晶片粘合層在50°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')通過如下測定制備不層壓至切割帶上的晶片粘合層或激光標識層，并使用由!Geometries Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(50°C )下，在氮氣氣氛中，在樣品寬度10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，將測量的彈性模量作為得到的拉伸貯能彈性模量E’的值。晶片粘合層的彈性模量可通過樹脂組分(熱塑性樹脂、熱固性樹脂)的種類和含量以及填料如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。晶片粘合層通常用隔離體保護，但是，當剝離隔離體時，該層變?yōu)榘雽?dǎo)體背面用切割帶集成膜的一面上的最外層，并在將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至晶片時使用。晶片粘合層能夠由樹脂組合物形成。作為用于形成晶片粘合層的樹脂組合物(下文有時稱作"晶片粘合層用樹脂組合物")，能夠適當使用包含熱塑性樹脂組分和熱固性樹脂組分的樹脂組合物。在晶片粘合層用樹脂組合物中，作為熱塑性樹脂組分，可使用在以下(熱塑性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱塑性樹脂等。另一方面，作為熱固性樹脂組分，可使用在以下(熱固性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱固性樹脂等。此外，在本發(fā)明中，如下所述，丙烯酸類樹脂適合作為在晶片粘合層用樹脂組合物中的熱塑性樹脂組分。另一方面，作為在晶片粘合層用樹脂組合物中的熱固性樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂是適合的。因此，作為晶片粘合層用樹脂組合物，包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物是適合的。由于這些樹脂組分僅包含少量離子性雜質(zhì)并具有高耐熱性，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。在晶片粘合層用樹脂組合物中，從對半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性的角度，熱塑性樹脂組分的比例優(yōu)選為小于30重量％ (例如，0重量％以上至小于30重量％ )，更優(yōu)選觀重量％以下(進一步優(yōu)選25重量％以下)，相對于樹脂組分的總量。在這點上，在晶片粘合層用樹脂組合物中，當熱塑性樹脂組分的比例過小時，降低成膜性。從成膜性的角度，晶片粘合層用樹脂組合物的熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分總量的比例的下限優(yōu)選為5重量％ 以上，更優(yōu)選10重量％以上(進一步優(yōu)選15重量％以上)。因此，在晶片粘合層用樹脂組合物中熱塑性樹脂組分的比例能夠例如在5重量％至小于30重量％ (優(yōu)選10重量％至小于30重量％，更優(yōu)選15重量％至小于30重量％ )的范圍內(nèi)選擇。當然，在晶片粘合層用樹脂組合物中熱固性樹脂組分的比例為通過從100重量％ 中減去熱塑性樹脂組分的比例獲得的余數(shù)，100重量％為樹脂組分的總量的比例。在熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分的總量的比例為0重量％的情況下，晶片粘合層用樹脂組合物變?yōu)閮H包含熱固性樹脂組分作為樹脂組分(不包含熱塑性樹脂組分)的樹脂組合物(熱固性樹脂組合物)。除樹脂組分之外，晶片粘合層用樹脂組合物還可以包含除了交聯(lián)劑和著色劑之外的添加劑例如填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕集劑，增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。作為交聯(lián)劑，例如，可使用在以下(交聯(lián)劑)部分中描述(或示例)的交聯(lián)劑等。例如，作為著色劑，可使用以下(著色劑)部分中描述(或示例)的著色劑等。在這點上，通過使用交聯(lián)劑，能夠提高高溫下的緊密粘合性并且能夠改進耐熱性。 在本發(fā)明中，為了使用交聯(lián)劑交聯(lián)樹脂組分，優(yōu)選將能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團在樹脂組分的聚合物分子鏈末端等引入樹脂組分的聚合物中。晶片粘合層例如可通過利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹脂組分例如環(huán)氧樹脂和/或熱塑性樹脂組分例如丙烯酸類樹脂以及任選地溶劑和其它添加劑混合從而制備樹脂組合物，并將其成形為膜狀層。具體地，例如，作為膜狀層的晶片粘合層能夠通過以下方法形成包括將樹脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層上形成的激光標識層上的方法；包括將樹脂組合物施涂至適當?shù)母綦x體(例如，剝離紙)上以形成樹脂層， 然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至激光標識層上的方法；等等。晶片粘合層的厚度沒有特別限定，但是其例如優(yōu)選1-100 μ m，更優(yōu)選2_80 μ m，進一步優(yōu)選3-50 μ m,甚至更優(yōu)選5-40 μ m。當晶片粘合層的厚度過小時，存在激光標識時暴露半導(dǎo)體晶片表面的可能性。另一方面，當該厚度過大時，存在在熱固化后半導(dǎo)體晶片翹曲的可能性。在這點上，晶片粘合層可為單層形式和多層形式中的任意形式。(激光標識層)激光標識層為顯示優(yōu)良的激光標識性的層和在半導(dǎo)體芯片的背面上激光標識時使用的層。即，激光標識層為具有良好的激光加工性的層。關(guān)于激光標識層的激光加工性，重要的是用激光器[波長532nm;激光產(chǎn)生設(shè)備(商品名“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在強度為1. Off的條件下照射激光標識層時加工深度(深度)為2 μ m 以上。加工深度的上限沒有特別限定，可以為與激光標識層的厚度相同的值。具體地，激光標識層的激光加工深度能夠在例如在2-25 μ m的范圍，優(yōu)選3 μ m以上(3_20 μ m)，更優(yōu)選 5μπι以上(5-15 μ m)的范圍內(nèi)選擇。當作為激光標識層的激光加工性指數(shù)的加工深度[波長532nm ；激光產(chǎn)生設(shè)備(商品名“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在強度為 1. Off的條件下為2 μ m以上時，顯示優(yōu)良的激光標識性。在這一點上，當激光標識層的激光加工深度為與激光標識層的厚度相同的值時，通過用激光器照射激光也到達層壓至激光標識層的晶片粘合層，因而在一些情況下還加工了晶片粘合層。此外，通過用激光器照射加工激光標識層，加工方法的實例包括其中灼燒有機組分等從而使組成改變的加工方法。此外，作為激光標識層的激光加工性指數(shù)的加工深度為通過以下而測定的值用激光器[波長:532nm ；激光產(chǎn)生設(shè)備，(商品名:“MD_S9900”，由Keyence Corporation制造)]在強度為1. OW的條件下照射激光標識層(其可以為與晶片粘合層的層壓體)并測量通過該激光器照射獲得的加工深度。激光標識層的激光加工性能夠通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及填料的種類和含量等來控制。此外，激光標識層具有在50°C下的彈性模量為IOOMPa以上的性質(zhì)。因而，由于激光標識層具有在50°C下的彈性模量為IOOMPa以上的性質(zhì)，所以在將芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜(具有晶片粘合層和激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜)一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離后，在當將其背面用半導(dǎo)體背面用膜保護的芯片形工件放置在支承體(即，載帶)上以進行運輸?shù)葧r，也能夠有效抑制或防止變?yōu)橛冒雽?dǎo)體背面用膜保護的芯片形工件最外層的激光標識層粘貼至支承體(即，載帶的頂帶或底帶等)。在本發(fā)明中，激光標識層的彈性模量(在50°C下)不特別限定，只要彈性模量為 IOOMPa以上即可，但優(yōu)選500MPa以上(更優(yōu)選IGPa以上)，進一步優(yōu)選2GPa以上(進一步優(yōu)選3GPa以上)。激光標識層的彈性模量(在50°C下)的上限不特別限定，但優(yōu)選50GPa 以下(更優(yōu)選30GPa以下)，進一步優(yōu)選20GPa以下(進一步優(yōu)選IOGPa以下)。因此，激光標識層的彈性模量(在50°C下)可選自例如IOOMPa至50GPa的范圍。此外，在激光標識層由包含如下所述的熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下， 熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此激光標識層在50°C下的彈性模量通常為在熱固性樹脂為未固化或部分固化的狀態(tài)下在50°C下的彈性模量。
10
激光標識層在50°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')通過如下測定制備不層壓至晶片粘合層上的激光標識層，并使用由!Geometries Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備“Solid Analyzer RS A2”，于規(guī)定溫度(50°C )下，在氮氣氣氛下，在樣品寬度 10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，將測量的彈性模量作為得到的拉伸貯能彈性模量E’的值。激光標識層的彈性模量可通過樹脂組分(熱塑性樹脂、熱固性樹脂)的種類和含量，填料如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，將激光標識層粘貼至切割帶的壓敏粘合劑層，但在切割步驟后拾取的半導(dǎo)體芯片中，激光標識層變?yōu)榘雽?dǎo)體芯片背面?zhèn)鹊淖钔鈱印＜す鈽俗R層能夠由樹脂組合物形成。作為用于形成激光標識層的樹脂組合物(有時稱作"激光標識層用樹脂組合物")，能夠適當使用包含熱塑性樹脂組分和熱固性樹脂組分的樹脂組合物。在激光標識層用樹脂組合物中，作為熱塑性樹脂組分，可使用在以下 (熱塑性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱塑性樹脂等。另一方面，作為熱固性樹脂組分，可使用在以下(熱固性樹脂組分)部分中描述(或示例)的熱固性樹脂等。此外，在本發(fā)明中，如下所示，丙烯酸類樹脂適合作為在激光標識層用樹脂組合物中的熱塑性樹脂組分。另一方面，作為在激光標識層用樹脂組合物中的熱固性樹脂組分，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂是適合的。因此，作為激光標識層用樹脂組合物，包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物是適合的。由于這些樹脂組分僅包含少量離子性雜質(zhì)并具有高耐熱性，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。在激光標識層用樹脂組合物中，從激光標識性的角度，熱塑性樹脂組分的比例優(yōu)選為30重量％以上(例如，30重量％以上至100重量％以下)，相對于樹脂組分的總量。 在激光標識層用樹脂組合物中，當熱塑性樹脂組分的比例過大時，耐熱性能降低。因此，從耐熱性的角度，在激光標識層用樹脂組合物中熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分總量的比例的上限優(yōu)選為90重量％以下，更優(yōu)選80重量％以下，進一步優(yōu)選60重量％以下(甚至更優(yōu)選50重量％以下)。因此，在激光標識層用樹脂組合物中熱塑性樹脂組分的比例能夠例如在30重量％以上至90重量％以下(優(yōu)選30重量％以上至80重量％以下，更優(yōu)選30重量％以上至60重量％以下，進一步優(yōu)選30重量％以上至50重量％以下)的范圍內(nèi)選擇。當然，在激光標識層用樹脂組合物中熱固性樹脂組分的比例為通過從100重量％ 中減去熱塑性樹脂組分的比例獲得的余數(shù)，100重量％為樹脂組分的總量的比例。在熱塑性樹脂組分相對于樹脂組分的總量的比例為100重量％的情況下，激光標識層用樹脂組合物變?yōu)閮H包含熱塑性樹脂組分作為樹脂組分(不包含熱固性樹脂組分)的樹脂組合物(熱塑性樹脂組合物)。作為除樹脂組分之外的組分，激光標識層用樹脂組合物除了交聯(lián)劑和著色劑之外還可以包含添加劑例如填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子捕集劑、增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。例如，作為交聯(lián)劑，可使用在以下(交聯(lián)劑)部分中描述(或示例)的交聯(lián)劑等。例如，作為著色劑，可使用在以下(著色劑)部分中描述(或示例)的著色劑等。在這點上，通過使用交聯(lián)劑，能夠提高高溫下的緊密粘合性并且能夠改進耐熱性。 在本發(fā)明中，為了用交聯(lián)劑交聯(lián)樹脂組分，重要的是將能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團在樹脂組分的聚合物分子鏈末端等引入樹脂組分的聚合物中。
激光標識層例如可通過利用包括以下步驟的常用方法形成將熱固性樹脂組分例如環(huán)氧樹脂和/或熱塑性樹脂組分例如丙烯酸類樹脂以及任選地溶劑和其它添加劑混合從而制備樹脂組合物，并將其成形為膜狀層。具體地，例如，作為膜狀層的激光標識層能夠通過以下方法形成包括將樹脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層上的方法；包括將樹脂組合物施涂至適當?shù)母綦x體(例如，剝離紙)上以形成樹脂層，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至切割帶的壓敏粘合劑層上或晶片粘合層上的方法；等等。激光標識層的厚度沒有特別限定，但是例如優(yōu)選1-100 μ m,更優(yōu)選2_80 μ m,進一步優(yōu)選3-50 μ m,甚至更優(yōu)選5-40 μ m。當激光標識層的厚度過小時，存在激光標識時暴露半導(dǎo)體晶片表面的可能性。另一方面，當該厚度過大時，存在熱固化后半導(dǎo)體晶片翹曲的可能性。在這點上，激光標識層可為單層形式和多層形式中的任意形式。(熱塑性樹脂組分)在晶片粘合層用樹脂組合物和激光標識層用樹脂組合物中，熱塑性樹脂組分的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、 聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、飽和聚酯樹脂如PET (聚對苯二甲酸乙二酯)和PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟碳樹脂。熱塑性樹脂組分可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。在這些熱塑性樹脂組分中，優(yōu)選僅包含少量離子性雜質(zhì)、具有高耐熱性和能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂。丙烯酸類樹脂不特別限定，其實例包括包含一種或兩種以上具有30個以下碳原子，優(yōu)選4至18個碳原子的直鏈或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有還包括甲基丙烯酸類樹脂的寬的含義。所述烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體(除具有30個以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒有特別限制，其實例包括含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、 丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸(crotonic acid)；酸酐單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、 (甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯和(4-羥甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸單體如 2-羥乙基丙烯酰磷酸酯 O-hydroxyethylacryloyl phosphate)。該樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。(熱固性樹脂組分)在晶片粘合層用樹脂組合物和激光標識層用樹脂組合物中，熱固性樹脂組分的實例包括環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂以及氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。熱固性樹脂組分可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。作為熱固性樹脂組分，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是合適的。此外，優(yōu)選將酚醛樹脂用作環(huán)氧樹脂的固化劑。環(huán)氧樹脂沒有特別限定，例如，可使用雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂如雙酚A 型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、可溶可熔酚醛(phenol novolak)型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚可溶酚醛(o-cresol novolak)型環(huán)氧樹脂、 三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂或四羥苯基乙烷(tetraphenylolethane)型環(huán)氧樹脂，或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，在以上示例的那些中，可溶可熔酚醛型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂和四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂是優(yōu)選的。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應(yīng)性，且耐熱性等優(yōu)異。該環(huán)氧樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。此外，酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，其實例包括可溶可熔型酚醛樹脂如可溶可熔酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚可溶酚醛樹脂、叔丁基可溶可熔酚醛樹脂和壬基可溶可熔酚醛樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚對氧苯乙烯。酚醛樹脂可單獨或以其兩種以上組合使用。在這些酚醛樹脂中，可溶可熔酚醛樹脂和苯酚芳烷基樹脂是優(yōu)選的。這是因為可提高半導(dǎo)體器件的連接可靠性。該酚醛樹脂可根據(jù)已知方法合成或可使用商購可得產(chǎn)品。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基變?yōu)?. 5至2. 0當量，基于每當量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團。其更優(yōu)選0.8至1.2當量。S卩，當混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r，固化反應(yīng)不能充分進行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進催化劑沒有特別限定，可適當選自已知的熱固化促進催化劑并使用。熱固化促進催化劑可單獨或以其兩種以上的組合使用。作為熱固化促進催化劑，例如，可使用胺類固化促進催化劑、磷類固化促進催化劑、咪唑類固化促進催化劑、硼類固化促進催化劑或磷-硼類固化促進催化劑。(交聯(lián)劑)在晶片粘合層用樹脂組合物和激光標識層用樹脂組合物中可使用的交聯(lián)劑沒有特別限定，可以適當選自已知的交聯(lián)劑。具體地，交聯(lián)劑的實例不僅包括異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，而且還包括脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián)劑是適合的。交聯(lián)劑可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯例如1，2_亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。此外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N,N,N' ,N'-四縮水甘油基-間-苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基-三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚，以及在分子中具有兩個以上的環(huán)氧基團的環(huán)氧類樹脂 。交聯(lián)劑的用量不特別限定，可依賴于交聯(lián)程度適當選擇。具體地，優(yōu)選交聯(lián)劑的用量為例如0. 05至7重量份，基于100重量份樹脂組分(聚合物組分)(特別地，在分子鏈末端具有官能團的聚合物)。當交聯(lián)劑的量基于100重量份樹脂組分為0. 05至7重量份時， 能夠高水平地顯示緊密粘合性和內(nèi)聚特性。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外線等照射進行交聯(lián)處理。(著色劑)在本發(fā)明中，優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。具體地，優(yōu)選將晶片粘合層和激光標識層的至少之一著色。特別地，更優(yōu)選將至少激光標識層著色，進一步優(yōu)選將晶片粘合層和激光標識層二者均著色。在本發(fā)明中，在將晶片粘合層和激光標識層二者均著色的情況下，晶片粘合層和激光標識層可用相同的顏色著色或可用不同的顏色著色。如上所述，在將半導(dǎo)體背面用膜著色的情況(該膜既不是無色的也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色沒有特別限定，但例如優(yōu)選暗色如黑色、藍色或紅色，黑色是特別優(yōu)選的。在本發(fā)明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，優(yōu)選50以下(0至50)，更優(yōu)選40 以下(ο至40)的在LW顏色空間中定義的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，優(yōu)選30以下(0至30)，更優(yōu)選25以下(0至25)的在LW顏色空間中定義的L*的黑色系顏色。在這點上，在黑色中，在LW 顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*的值適當選擇。例如，a*和b*兩者均在-10至10， 更優(yōu)選_5至5，進一步優(yōu)選-3至3 (特別地0或約0)的范圍內(nèi)。在本發(fā)明中，在LW顏色空間中定義的ΙΛ f和b*可通過用色差計(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差計)測量來確定。LW顏色空間為在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建議的顏色空間，是指稱為 CIE 1976(LW)顏色空間的顏色空間。此外，在日本工業(yè)標準(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定義了 L*a*b* 顏色空間。在晶片粘合層或激光標識層著色時，根據(jù)目標顏色，可使用著色劑(著色試劑)。 作為該著色劑，可適當使用各種暗色著色劑如黑色著色劑、藍色著色劑和紅色著色劑，黑色著色劑是更適合的。著色劑可為任意顏料和染料。著色劑可單獨使用或以其兩種以上組合使用。在這點上，作為染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、 分散染料和陽離子染料。此外，同樣關(guān)于顏料，其形式不特別限制，可在已知顏料中適當選擇和使用。特別地，當將染料用作著色劑時，染料變?yōu)橥ㄟ^溶解于半導(dǎo)體背面用膜中均勻或幾乎均勻分散的狀態(tài)，因此能夠容易地生產(chǎn)具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當將染料用作著色劑時，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻或幾乎均勻的顏色濃度并能夠提高標識性和外觀性。

黑色著色劑不特別限定，例如，可適當選自無機黑色顏料和黑色染料。此外，黑色著色劑可為其中將青色著色劑(藍_綠著色劑)、品紅色著色劑(紅_紫著色劑)和黃色著色劑(黃著色劑)混合的著色劑混合物。黑色著色劑可單獨使用或以其兩種以上的組合使用。當然，黑色著色劑可與除黑色之外顏色的著色劑組合使用。黑色著色劑的具體實例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨 (黑鉛(black lead))、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(例如，偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機黑色顏料。作為黑色著色劑，可使用黑色染料如C. I.溶劑黑3、7、22、27、29、34、43、70， C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料如C. I.顏料黑1、7 ；等等。作為該黑色著色劑，例如，商品名〃 Oil Black BY"、商品名"Oil Black BS"、 商品名"Oil Black HBB“、商品名"Oil Black803"、商品名"Oil Black 860"、商品名〃 Oil Black 5970〃、商品名〃 Oil Black 5906〃、商品名〃 Oil Black 5905〃(由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)等是商購可得的。除了黑色著色劑之外的著色劑的實例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。青色著色劑的實例包括青色染料如C. I.溶劑藍25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性藍 6 和 45 ；青色顏料如 C. I.顏料藍 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、 17:1、18、22、25、56、60、63、65、66 ;C. I.甕藍 4、60 ；C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、24、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料如 C. I.顏料橙 31,43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。 各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨使用或以其兩種以上的組合使用。在這點上，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限定，可根據(jù)各著色劑的種類和目標顏色等適當選擇。此外，在將通過混合青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑形成的著色劑混合物用作黑色著色劑的情況下，這些著色劑可單獨使用或以其兩種以上的組合使用。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在混合墨組合物中的混合比(或共混比)沒有特別限定， 只要能夠顯示黑色系顏色(例如，具有在上述范圍內(nèi)的在LW顏色空間中定義的L*、a*和 b*的黑色系顏色)即可，可根據(jù)各著色劑的類型等適當選擇。青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑在混合墨組合物中的含量例如可在以下范圍內(nèi)適當選擇相對于著色劑總量， 青色著色劑/品紅色著色劑/黃色著色劑=10重量％ -50重量％ /10重量％ -50重量％ /10重量％ -50重量％ (優(yōu)選20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重量％ /20重量％ -40 重量％ )。著色劑的含量可適當選自在形成晶片粘合層或激光標識層的樹脂組合物(排除溶劑)中0. 1至10重量％的范圍，優(yōu)選0. 5至8重量％，更優(yōu)選1至5重量％。(其它添加劑)在本發(fā)明中，如上所述，在晶片粘合層用樹脂組合物和激光標識層用樹脂組合物中，根據(jù)需要可適當共混其它添加劑。作為其它添加劑，除了填料、阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑和離子捕集劑之外，還能夠使用添加劑如增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可為任意無機填料和有機填料，但無機填料是合適的。通過共混填料如無機填料，能夠?qū)崿F(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進半導(dǎo)體背面用膜的導(dǎo)熱性、控制半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量等。在這點上，半導(dǎo)體背面用膜可為導(dǎo)電性的或非導(dǎo)電性的。無機填料的實例包括由以下組成的各種無機粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸鈣，硫酸鋇，氧化鋁， 氧化鈹，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。特別地，填料適合為二氧化硅，更適合為熔凝二氧化硅。無機填料的平均粒徑優(yōu)選在0.1至80 μ m的范圍內(nèi)。無機填料的平均粒徑可通過激光衍射型粒徑分布測量設(shè)備來測量。填料(例如無機填料)的共混量優(yōu)選為80重量份以下(0重量份至80重量份)， 更優(yōu)選為0重量份至70重量份，基于100重量份有機樹脂組分的總量。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括β-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。離子捕集劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕集劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。半導(dǎo)體背面用膜的厚度(包括晶片粘合層和激光標識層的整個膜的厚度)不特別限定，但例如可適當選自約2至200um的范圍。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度優(yōu)選約4至160 μ m，更優(yōu)選約6至100 μ m，進一步優(yōu)選10至80 μ m。此外，半導(dǎo)體背面用膜在晶片粘合層和激光標識層之間可具有其它一層(或多層)作為層。在這點上，在半導(dǎo)體背面用膜中，在晶片粘合層和/或激光標識層由包含熱固性樹脂例如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的情況下，半導(dǎo)體背面用膜處于在將該膜施涂至半導(dǎo)體晶片前的階段熱固性樹脂為未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將它施涂至半導(dǎo)體晶片之后(具體地，通常，當在倒裝芯片接合步驟中將封裝材料固化時)，半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層中的熱固性樹脂完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層包含熱固性樹脂組分時，所述層也處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層的凝膠分數(shù)沒有特別限定，但能夠例如在50重量％以下(0重量％ -50重量％ )的范圍內(nèi)選擇，并優(yōu)選30重量％以下(0重量％ -30重量％ )，更優(yōu)選10重量％以下(0重量％ -10重量％ )。半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和 /或激光標識層的凝膠分數(shù)能夠以下述測量方法測量?！茨z分數(shù)測量方法〉從半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層或激光標識層中取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹在網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將它在室溫下在約50ml甲苯中浸漬1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶性物質(zhì)(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時，將干燥后的溶劑不溶性物質(zhì)稱重(浸漬并干燥后的重量)，然后根據(jù)下述表達式(a)計算凝膠分數(shù)(重量％ )。凝膠分數(shù)(重量％) = {(浸漬并干燥后的重量)/(樣品重量)}X100 (a)此外，半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層或激光標識層的凝膠分數(shù)能夠通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及加熱溫度和加熱時間等來控制。作為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜(具有晶片粘合層和激光標識層、特別地激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜)，在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')優(yōu)選為IGPa 以上，更優(yōu)選2GPa以上，進一步優(yōu)選3GPa以上。當半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量(特別地，激光標識層的彈性模量)為IGPa以上時，在當將芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離，然后將半導(dǎo)體背面用膜放置在支承體(例如載帶)上以進行輸送等時，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體(例如，載帶中的頂帶或底帶)。 在該點上，在 如上所述半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，熱固性樹脂通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的彈性模量(具有晶片粘合層和激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量，特別地，激光標識層的彈性模量)為處于熱固性樹脂未固化或部分固化的狀態(tài)的在23°C下的彈性模量。半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的彈性模量(拉伸貯能彈性模量E')通過以下方式測定制備由晶片粘合層和激光標識層形成但不層壓至切割帶上的半導(dǎo)體背面用膜，并使用由Rheometrics Co. , Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備〃 Solid Analyzer RS A2"，在規(guī)定溫度(23 °C )下，在氮氣氣氛下，在樣品寬度10mm、樣品長度22. 5mm、樣品厚度0. 2mm、頻率IHz和升溫速率10°C /min的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將測量的彈性模量作為得到的拉伸貯能彈性模量E'的值。
半導(dǎo)體背面用膜的彈性模量能夠通過晶片粘合層的樹脂組分的種類和含量、激光標識層(熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂)的種類和含量以及填料例如二氧化硅填料的種類和含量等來控制。半導(dǎo)體背面用膜在可見光區(qū)域(波長400nm-800nm)的透光率(可見光透過率) 沒有特別限定，但例如，優(yōu)選在不大于20% (0% -20% )的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在不大于10% (0%-10%)的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選不大于5% (0%-5%)的范圍內(nèi)。當半導(dǎo)體背面用膜在可見光區(qū)域中的透光率為不大于20%時，可見光透過半導(dǎo)體背面用膜并到達半導(dǎo)體芯片， 從而能夠減少對半導(dǎo)體芯片的不利影響。半導(dǎo)體背面用膜的可見光透過率(％ )能夠通過構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜的樹脂組分的種類和含量、著色劑(例如，顏料和染料)的種類和含量以及填料的種類和含量等來控制?？梢姽馔高^率(％)能夠例如以以下方式計算。即，制備厚度(平均厚度)為20 μ m 的半導(dǎo)體背面用膜，而不將其層壓至切割帶上。接著，將半導(dǎo)體背面用膜使用“ABSORPTION SPECTRO PHOTOMET ER" (Shimadzu Corporation的商品名)用可見光照射?？梢姽饩哂?400nm-800nm的波長。通過該照射透過半導(dǎo)體背面用膜的可見光的光強度能夠根據(jù)以下表達式計算。可見光透過率(％)=[(透過半導(dǎo)體背面用膜后的可見光的光強度)/(可見光的初始光強度)]X100透光率(％ )的前述計算方法還能夠應(yīng)用于厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜的透光率(％ )的計算。具體地，根據(jù)朗伯_比爾定律(Lambert-Beer law)，在厚度為20 μ m 的情況下吸光度A2tl能夠如下計算。A20 = α XL20XC (1)(在該式中，L2tl為光程長度，α為吸收系數(shù)(absorbanceindex)，C為樣品濃度。)此外，在厚度為Χ(μπι)的情況下的吸光度A5Jg夠如下計算。Ax = α XLxXC (2)此外，在厚度為20 μ m的情況下的吸光度A2tl能夠如下計算。A20 = -Iog10T20 (3)(在該式中，T2tl為在厚度為20μ m的情況下的透光率。)從上述式(1)_(3)，吸光度Ax可以由下式表示。Ax = A20X (Lx/L20) = -[Iog10 (T20) ] X (Lx/L20)因此，在厚度為Xym的情況下的透光率Tx(% )能夠如下計算。Tx = 1(ΓΑχ其中Ax = -[Iog10(T20)] X (Lx/L20)。此外，在透光率(％)的前述計算方法中半導(dǎo)體背面用膜的厚度調(diào)整為20 μ m的事實并不特別限定本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜的厚度?！?0 μ m"的值是為了在測量時方便起見而采用的厚度。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有低的吸濕度。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜，當使該膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時的吸濕度優(yōu)選1重量％ 以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。通過將半導(dǎo)體背面用膜(在溫度851和濕度85%冊的氣氛下靜置168小時后)的吸濕度調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標識性。此外，例如， 在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止空隙的產(chǎn)生。半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度能夠例如通過改變有機填料的添加量來調(diào)整。半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度(重量％)為由當將該膜在溫度85°C和濕度85% RH的氣氛下靜置168小時時的重量變化計算的值(參見下述表達式)。在半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，半導(dǎo)體背面用膜的吸濕度為由當將該膜在熱固化后在溫度85°C和濕度 85% RH的氣氛下靜置168小時時的重量變化計算的值。 吸濕度(重量％ ) = [{(使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置后的重量)_(使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置前的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用有色膜靜置前的重量)]X100此外，在本發(fā)明中，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選具有小比例的揮發(fā)性物質(zhì)。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜，在溫度250°C下加熱1小時后的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選2重量％以下，更優(yōu)選1重量％以下，還更優(yōu)選0.8重量％以下。通過將半導(dǎo)體背面用膜(在溫度250°C下加熱1小時后)的重量減少率調(diào)整至2重量％以下，能夠提高激光標識性。此夕卜，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止封裝中裂紋的產(chǎn)生。半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率能夠例如通過在無鉛焊料再流時添加能夠降低裂紋產(chǎn)生的無機物質(zhì)例如無機填料如二氧化硅或氧化鋁來調(diào)整。半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率(重量％)為由當將膜在250°C下加熱1小時時的重量變化計算的值(參見下述表達式)。在半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層和/或激光標識層由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，半導(dǎo)體背面用膜的重量減少率為由當將膜在熱固化后在溫度250°C下加熱1小時時的重量變化計算的值。重量減少率(重量％) = [{(使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)_(使半導(dǎo)體背面用膜靜置后的重量)} / (使半導(dǎo)體背面用膜靜置前的重量)]X100半導(dǎo)體背面用膜(優(yōu)選晶片粘合層)優(yōu)選通過隔離體(剝離襯墊，在圖中未示出) 保護。隔離體具有作為保護半導(dǎo)體背面用膜(優(yōu)選晶片粘合層)直至其實際使用的保護材料的功能。此外，隔離體能夠進一步用作在當將半導(dǎo)體背面用膜轉(zhuǎn)移至在切割帶的基材上的壓敏粘合劑層時的支承基材。當將工件粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上時，剝離隔離體。作為隔離體，能夠使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及其表面用脫模劑例如氟類脫模劑或長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離體可通過常規(guī)已知的方法形成。此外，隔離體的厚度等沒有特別限定。此外，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜具有包括晶片粘合層和激光標識層的多層結(jié)構(gòu)，但在晶片粘合層和激光標識層之間可包含其它層(例如，中間層、遮光層、補強層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)，只要晶片粘合層與晶片背面接觸以及激光標識層粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的切割帶的壓敏粘合劑層并且此外激光標識層變?yōu)樵谇懈畈襟E后拾取的半導(dǎo)體芯片中半導(dǎo)體芯片背面?zhèn)鹊淖钔鈱蛹纯?。切割帶切割帶包括基材和形成于基材上的壓敏粘合劑層。因而，切割帶充分具有層壓基材和壓敏粘合劑層的?gòu)造。基材(支承基材)能夠用作壓敏粘合劑層等的支承材料。作為基材，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)； 金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料類基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體 (foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[塑料類材料與其它基材的層壓體，塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使用塑料類基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實例包括烯鍵式樹脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯_乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯_(甲基) 丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺類樹脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。此外，作為基材的材料，也可以使用聚合物如各上述樹脂的交聯(lián)體。這些原料可以單獨使用或兩種以上組合使用。 在將塑料基材用作基材的情況下，變形性如伸長度(elongation degree)可通過拉伸處理等控制?；牡暮穸炔惶貏e限制，可依賴于強度、屈撓性、預(yù)期的使用目的等適當選擇。例如，厚度通常為1000 μ m以下(例如1至1000 μ m)，優(yōu)選10至500 μ m,進一步優(yōu)選20至 300 μ m,進一步優(yōu)選約30至200 μ m,但不限于此。在這點上，基材可具有單層形式和層壓層形式的任何形式。為了提高與鄰接層的緊密粘合性、保持性等，可在基材的表面上實施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)氧化處理或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)的涂布處理。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。壓敏粘合劑層由壓敏粘合劑形成并具有壓敏粘合性。該壓敏粘合劑沒有特別限定，可在已知壓敏粘合劑中適當選擇。具體地，作為壓敏粘合劑，具有上述特性的壓敏粘合劑可在例如以下的已知壓敏粘合劑中適當選擇并使用丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯_ 二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑，和其中將具有約200°C以下熔點的熱熔融性樹脂混入這些壓敏粘合劑中的蠕變特性改進的壓敏粘合劑(參見例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、 JP-A-56-13040等，將其每一個引入此處以作參考)。此外，作為壓敏粘合劑，也可使用照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)或熱膨脹性壓敏粘合劑。壓敏粘合劑可單獨或以兩種以上的組合使用。在本發(fā)明中，作為壓敏粘合劑，可適當使用丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘合劑，特別地，丙烯酸類壓敏粘合劑是適合的。作為丙烯酸類壓敏粘合劑，可提及其中將使用一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)用作基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。在上述丙烯酸類壓敏粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯的實例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基) 丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、 (甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，含有具有4至18個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是適合的。此外，(甲基) 丙烯酸烷基酯的烷基可為線性或支化的。
為了改善內(nèi)聚力、耐熱性及交聯(lián)性等目的，上述丙烯酸類聚合物可包含與(甲基) 丙烯酸烷基酯可聚合的其它單體組分(共聚性單體組分)對應(yīng)的單元。此類共聚性單體組分的實例包括含羧基單體如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；含酸酐基團單體如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基團單體如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、 2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和 (甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基團單體如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺類單體如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲基) 丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯類單體如丙烯腈和甲基丙烯腈；含環(huán)氧基丙烯酸類單體如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯類單體如苯乙烯和α -甲基苯乙烯；乙烯基酯類單體例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烴類單體如異戊二烯、丁二烯和異丁烯； 乙烯基醚類單體例如乙烯基醚；含氮單體如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、 乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來酰亞胺類單體如 N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、N-月桂基馬來酰亞胺和N-苯基馬來酰亞胺； 衣康酰亞胺類單體如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺和N-月桂基衣康酰亞胺； 琥珀酰亞胺類單體如N-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺和Ν-(甲基)丙烯?；?8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯單體如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有雜環(huán)、商原子或 原子等的丙;I；希酸酯類單體，如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine (meth) acrylate) 和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能單體如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯等。這些共聚性單體組分可單獨或以兩種以上的組合使用。在將照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)用作壓敏粘合劑的情況下，照射固化型壓敏粘合劑(組合物)的實例包括其中在聚合物側(cè)鏈或主鏈中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物用作基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部照射固化型壓敏粘合劑，及其中將 UV固化型單體組分或低聚物組分共混入壓敏粘合劑中的照射固化型壓敏粘合劑等。此外， 在將熱膨脹性壓敏粘合劑用作壓敏粘合劑的情況下，可提及包含壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別地，熱膨脹性微球)等的熱膨脹性壓敏粘合劑作為熱膨脹性壓敏粘合劑。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，壓敏粘合劑層可包含各種添加劑 (例如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。交聯(lián)劑沒有特別限定，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，還提及脲類交聯(lián)齊 、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是合適的。 異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑的具體實例包括在關(guān)于半導(dǎo)體背面用膜的段落中具體示例的化合物(具體實例)。交聯(lián)劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。此外，交聯(lián)劑的量沒有特別限定。在本發(fā)明中，代替使用交聯(lián)劑或與使用交聯(lián)劑一起，也可以通過用電子束或紫外線照射進行交聯(lián)處理。壓敏粘合劑層例如可通過利用包括混合壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑， 然后將該混合物成形為片狀層的通常使用的方法形成。具體地，壓敏粘合劑層例如可通過以下方法形成，所述方法為包括將包含壓敏粘合劑和任選的溶劑及其它添加劑的混合物施涂至基材上的方法；包括施涂上述混合物至適當隔離體(如剝離紙)上以形成壓敏粘合劑層，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材上的方法；等等。壓敏粘合劑層的厚度沒有特別限定，例如，優(yōu)選為約5至300 μ m,更優(yōu)選5至 200 μ m,進一步優(yōu)選5至100 μ m，甚至更優(yōu)選7至50 μ m。當壓敏粘合劑層的厚度在上述范圍內(nèi)時，能夠有效地顯示適當?shù)膲好粽澈狭?。壓敏粘合劑層可為單層或多層。此外，切割帶的厚?包括基材和壓敏粘合劑層的整個帶的厚度)可選自例如6 至1300 μ m、優(yōu)選15至700 μ m、更優(yōu)選25至400 μ m、進一步優(yōu)選37至250 μ m的范圍。此外，在本發(fā)明中，可使半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌亩搪酚捎谠谄渚o密粘合時(粘合時)和在剝離時靜電能的產(chǎn)生或由于工件(半導(dǎo)體晶片等)通過靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過適當?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM行添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材、壓敏粘合劑層和半導(dǎo)體背面用膜的方法，或在基材上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選其中難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風(fēng)險的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實例包括銀、 鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐巍⑨樞位虮∑谓饘俜勰?；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點，半導(dǎo)體背面用膜優(yōu)選非導(dǎo)電性 的。
在本發(fā)明中，切割帶可如上所述制備并使用，或可使用商購可得產(chǎn)品。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過隔離體保護半導(dǎo)體背面用膜的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。在這點上，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可由基材、在基材的一個表面上形成的壓敏粘合劑層、在壓敏粘合劑層上形成的半導(dǎo)體背面用膜，和在基材的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的厚度(包括晶片粘合層和激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜的厚度以及包括基材和壓敏粘合劑層的切割帶的厚度的總厚度)可選自例如 8至1500 μ m的范圍內(nèi)，其優(yōu)選20至850 μ m、更優(yōu)選31至500 μ m、進一步優(yōu)選47 μ m至 330 μ m的范圍內(nèi)。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于切割帶的壓敏粘合劑層的厚度的比沒有特別限定，但例如，可在以(半導(dǎo)體背面用膜的厚度)/(切割帶的壓敏粘合劑層的厚度)的比例計為150/5至3/100的范圍內(nèi)適當選擇。該比例優(yōu)選100/5至 3/50，更優(yōu)選60/5至3/40。當半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于在切割帶中的壓敏粘合劑層的厚度的比例在前述范圍內(nèi)時，能夠顯示適當?shù)膲好粽澈狭Γ⒛軌蝻@示優(yōu)良的切割性和拾取性。此外，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中，半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于切割帶的厚度(基材和壓敏粘合劑層的總厚度)的比例沒有特別限定，但例如，可在以(半導(dǎo)體背面用膜的厚度)/(切割帶的厚度)的比例計為150/50至3/500的范圍內(nèi)適當選擇，并優(yōu)選100/50至3/300，更優(yōu)選60/50至3/150。當半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于切割帶的厚度的比例在150/50至3/500范圍內(nèi)時，拾取性良好并能夠抑制或防止切割時橫向殘余物 (lateral residue)的產(chǎn)生。如上所述，通過控制在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于切割帶的壓敏粘合劑層的厚度的比例或半導(dǎo)體背面用膜的厚度相對于切割帶的厚度 (基材和壓敏粘合劑層的總厚度)的比例，在切割步驟時的切割性和在拾取步驟時的拾取性等能夠得到改進，并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效地利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1為例描述。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實例包括壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在嚴格密閉體系中的膨脹擠出法、T-膜擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，壓敏粘合劑層32通過以下形成將壓敏 粘合劑組合物施涂至基材31上， 接著干燥(根據(jù)需要，在加熱下交聯(lián))。施涂方法的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在這點上，壓敏粘合劑組合物可直接施涂至基材31上以在基材31上形成壓敏粘合劑層32，或可將壓敏粘合劑組合物施涂至表面已進行剝離處理的剝離紙等上以形成壓敏粘合劑層，然后將其轉(zhuǎn)移至基材31上，從而在基材31上形成壓敏粘合劑層32。因而，切割帶3通過在基材31上形成壓敏粘合劑層32來制備。 另一方面，晶片粘合層22可通過以下形成將作為用于形成晶片粘合層22的形成材料的樹脂組合物(晶片粘合層用樹脂組合物)施涂至剝離紙上以在干燥后具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進一步將其干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進行加熱處理和干燥)。隨后，激光標識層21通過以下形成將作為用于形成激光標識層21的形成材料的樹脂組合物(激光標識層用樹脂組合物)施涂至晶片粘合層22上以在干燥后具有規(guī)定厚度，并在規(guī)定條件下進一步將其干燥(在需要熱固化的情況下，根據(jù)需要進行加熱處理和干燥)，從而制造具有激光標識層21和晶片粘合層22的層壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體背面用膜2。通過將半導(dǎo)體背面用膜2以激光標識層21與壓敏粘合劑層32接觸的形式轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32上，從而在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。在這點上，也能夠通過在壓敏粘合劑層32上施涂激光標識層用樹脂組合物以形成激光標識層21，并在激光標識層21上進一步施涂晶片粘合層用樹脂組合物以形成晶片粘合層22而在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。因此，獲得根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2形成時進行熱固化的情況下，重要的是進行熱固化至其處于部分固化狀態(tài)的程度，但優(yōu)選不進行熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜能夠在包括倒裝芯片接合步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)時適當使用。即，在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)時使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，因此以將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的條件或形式生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，將本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(處于通過倒裝芯片接合法將半導(dǎo)體芯片固定于被粘物如基板的狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體器件)。(半導(dǎo)體晶片)工件(半導(dǎo)體晶片)不特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法)用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件的方法沒有特別限定，只要其為使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法即可。例如，可提及包括以下步驟的生產(chǎn)方法等將工件粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上(即，半導(dǎo)體背面用膜的晶片粘合層上)的步驟(安裝步驟)；切割工件以形成芯片形工件的步驟(切割步驟)；將芯片形工件與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層剝離的步驟(拾取步驟)；和通過倒裝芯片接合將芯片形工件固定至被粘物的步驟(倒裝芯片接合步驟)。更具體地，作為半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，例如，半導(dǎo)體器件可以如下在適當剝離任選地設(shè)置于半導(dǎo)體背面用膜上的隔離體后使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)。下文中，參考圖2A至2D，使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1作為實例描述該方法。圖2A-2D為示出使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個實施方案的橫截面示意圖。在圖2A至2D中，如上所述，4為工件(半導(dǎo)體晶片)， 5為芯片形工件(半導(dǎo)體芯片)，51為在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K，6為被粘物，61為粘合至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料，1、2、21、22、3、31和32分別為半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜、半導(dǎo)體背面用膜、激光標識層、晶片粘合層、切割帶、基材和壓敏粘合劑層。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將半導(dǎo)體晶片(工件)4粘貼(壓接)至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中的半導(dǎo)體背面用膜2的晶片粘合層上，以通過緊密粘合和保持來固定半導(dǎo)體晶片(安裝步驟)。通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進行本步驟。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片(芯片形工件)5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路面?zhèn)冗M行。另外，本步驟可采取例如形成達到半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)的稱作充分切斷的切斷方法。在本發(fā)明中，重要的是在切割步驟中將工件充分切斷(完全切斷)。在此情況下，重要的是在將半導(dǎo)體背面用膜完全切斷的同時將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割。即，重要的是本步驟為通過將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割形成芯片形工件的步驟。在這點上，在將工件與半導(dǎo)體背面用膜一起切割時，切割可以以其中在切割帶上沒有形成切口的形式或以其中也在切割帶上至少部分地形成切口(優(yōu)選部分地，以致未切斷切割帶)的形式進行。用于本步驟的切割設(shè)備沒有特別限定， 可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘合并固定，可抑制芯片破裂和切屑飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。在這點上，當半導(dǎo)體背面用膜2 (激光標識層和晶片粘合層)由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即使當將其通過切割切斷時，也能夠抑制或防止在切斷面處發(fā)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可進一步方便地進行以下要描述的拾取。在擴展半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的情況下，擴展(expansion)可使用常規(guī)已知的擴展設(shè)備進行。所述擴展設(shè)備具有能夠推動半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴展步驟， 可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進行半導(dǎo)體芯片5的拾取以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。 拾取方法沒有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。在這點上，拾取的半導(dǎo)體芯片5在背面(也稱為無電路面、無電極形成面等)已用包括激光標識層21和晶片粘合層22的半導(dǎo)體背面用膜2保護。(倒裝芯片接合步驟)如圖2D所示，拾取的半導(dǎo)體芯片5通過倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物如基材。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半導(dǎo)體芯片5的電路面處形成的凸塊51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上。在這點上，在將半導(dǎo)體芯片 5固定至被粘物6時，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙預(yù)先洗滌，然后將封裝材料(如封裝樹脂)填充入該間隙中。 作為被粘物，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜]有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合中，凸塊的材料和導(dǎo)電性材料沒有特別限定，其實例包括焊料 (合金)如錫_鉛類金屬材料、錫_銀類金屬材料、錫_銀_銅類金屬材料、錫_鋅類金屬材料和錫-鋅-鉍類金屬材料，以及金類金屬材料和銅類金屬材料。此外，在本步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面處的凸塊和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時的溫度通常為約260°C (例如，250°C 至300°C )。通過形成具有環(huán)氧樹脂等的半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。此外，在倒裝芯片接合中在洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對面(電極形成面)以及間隙時使用的洗滌液沒有特別限定，該液體可為有機洗滌液或可為水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對洗滌液的耐溶劑性，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過任何常規(guī)方法而無需任何特別的洗滌液實現(xiàn)該洗滌。在本發(fā)明中，在封裝半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙時使用的封裝材料沒有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知封裝材料如封裝樹脂中適當選擇和使用。封裝樹脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。封裝樹脂的實例包括含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的封裝樹脂，除了環(huán)氧樹脂之外，還可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂 (如酚醛樹脂)或熱塑性樹脂。此外，可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為該酚醛樹脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。在用封裝樹脂的封裝步驟中，封裝樹脂通常通過加熱來固化以實現(xiàn)封裝。在很多情況下，封裝樹脂的固化通常在175°C下進行60至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C的溫度下進行幾分鐘。在半導(dǎo)體背面用膜(晶片粘合層和/或激光標識層)由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，在固化該封裝樹脂時構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜的熱固性樹脂可完全或幾乎完全固化。此外，半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間間隙的距離通常為約30至約300 μ m。在使用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)中，由于包括具有特定彈性模量的晶片粘合層和具有特定彈性模量的激光標識層的半導(dǎo)體背面用膜以激光標識層變?yōu)樽钔鈱拥男问秸迟N至芯片形工件背面上， 可以以優(yōu)良的可見度實施激光標識。特別地，激光標識能夠以優(yōu)良的對比度實施，因而可以觀察通過具有良好可見度的激光標識實施的各種信息(文字信息、圖形信息等)。在激光標識時，可利用已知激光標識設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl 激光器、XeF激光器等)是合適的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如Nd: YAG激光器)和YVO4激光器是合適的。由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當采用倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動電話”和“PHS”，小型計算機[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個人計算機”，所謂的“Net Book (商標)，，和所謂的“可穿戴計算機”等]，具有“移動電話”和計算機集成形式的小型電子器件，所謂的 "Digital Camera(商標)”，所謂的“數(shù)碼攝像機”，小型電視機，小尺寸游戲機，小型數(shù)字音頻播放機，所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端，移動電子器件(可攜帶電子器件)如小型數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計算機”、薄型電視機、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤錄像機(hard disk recorders)、DVD播放機等)、投影儀和微型機等。此外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件不特別限制，其實例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲器”、硬盤等)的構(gòu)件。實施例 以下將詳細地示例性描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，在這些實施例中描述的材料和共混量等不意欲將本發(fā)明的范圍僅限制于此，除非另外說明，它們僅為說明性實例。此夕卜，除非另外說明，在各實施例中的份為重量標準。(生產(chǎn)例1)基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名“PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)， 將21份環(huán)氧樹脂(商品名:"EPIC0AT 1004”，由JER Co. ,Ltd.制造)、22份酚醛樹脂(商品名:"MILEX XLC-4L，，，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、77 份球形二氧化硅(商品名:“S0-25R，，，由 Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒徑0. 5 μ m)、4 份染料 1 (商品名:“0IL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和4份染料2 (商品名“0IL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液(有時稱作“樹脂組合物溶液A")。(生產(chǎn)例2)基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作為主要組分的丙烯酸酯類聚合物(商品名"PARACRON W-197CM，，，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)， 將113份環(huán)氧樹脂(商品名,EPIC OAT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛樹脂 (商品名:"MILEX XLC-4L，，，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246 份球形二氧化硅(商品名:"S0-25R，，，由 Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒徑0. 5 μ m)、5 份染料 1 (商品名:‘‘0IL GREEN502，，，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2 (商品名‘‘0ILBLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制備固體濃度為23. 6重量％的樹脂組合物溶液(有時稱作"樹脂組合物溶液B")。(晶片粘合性的評價)關(guān)于源自生產(chǎn)例1和2中制備的樹脂組合物溶液A和樹脂組合物溶液B的樹脂層， 通過以下粘合力的測量方法測量對于晶片的粘合力，并根據(jù)以下粘合性的評價標準評價各樹脂層是否具有作為晶片粘合層的適當粘合力。評價或測量結(jié)果示于表1中?！凑澈狭Φ臏y量方法〉將聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度38μπι;有時稱作〃 PET膜〃)粘貼至源自生產(chǎn)例1和2中制備的樹脂組合物溶液A和樹脂組合物溶液B的各樹脂層的一面上，從而獲得粘貼樹脂層的PET膜。將硅晶片(厚度0. 6mm)作為晶片放置在熱盤上并在規(guī)定溫度(50°C ) 下通過使2kg的輥往復(fù)一次以使粘貼樹脂層的PET膜的樹脂層與晶片接觸的形式粘貼于其上。其后，將層壓體在熱盤(50°C)上靜置2分鐘，然后將其在常溫(約23°C)下靜置20 分鐘。靜置后，在溫度23°C下在剝離角為180°和拉伸速率為300mm/min的條件下通過使用剝離試驗機(商品名“AUT0GRAPH AGS-J，，，由Shimadzu Corporation制造)將粘貼樹脂層的PET膜剝離(在樹脂層和晶片之間的界面處剝離)。測量剝離時載荷的最大載荷(從其中除去測量開始時峰頂?shù)妮d荷的最大值)，將該最大載荷作為樹脂層和晶片之間的粘合力(樹脂層相對于晶片的粘合力)時確定樹脂的粘合力(N/10mm-寬度)。(粘合性的評價標準)良好相對于晶片的粘合力為1N/I0mm-寬度以上；差相對于晶片的粘合力為小于1N/I0mm-寬度。在該粘合力的測量方法中，樹脂層用PET膜增強，但是即使當使用壓敏粘合帶(商品名“BT315”，由Nitto Denko Corporation制造)代替PET膜時，也可獲得近似的粘合力值。表 權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導(dǎo)體元件的背面上，其中所述膜包括晶片粘合層和激光標識層，和其中所述晶片粘合層的彈性模量(在50°C下)為IOMPa以下，和所述激光標識層的彈性模量(在50°C下)為IOOMPa以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中將所述晶片粘合層和所述激光標識層兩者均著色。
3.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以所述激光標識層層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上的方式形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
5.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將工件粘貼至根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層上，切割所述工件以形成芯片形工件，將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。
6.一種倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導(dǎo)體元件的背面上，所述膜包括晶片粘合層和激光標識層，其中所述晶片粘合層的彈性模量(在50℃下)為10MPa以下，所述激光標識層的彈性模量(在50℃下)為100MPa以上。
文檔編號H01L21/68GK102153961SQ20101062181
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者志賀豪士, 松村健, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社