專利名稱：晶圓貼膜方法及晶圓貼膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓貼膜方法及晶圓貼膜裝置。
背景技術(shù)：
通常將晶圓電路面，即完成芯片功能的那一面稱為正面，另外一面即為背面。晶圓 加工過程中，為各種用途，常需要在晶圓表面貼一層薄膜。有一種薄膜是為了在切割晶圓時 保護晶圓的，稱為切割膜，切割膜貼覆在晶圓背面。有的薄膜是在其它工序中起保護作用。 晶圓切割時需要使用框架，框架為中間設(shè)置通孔的薄片。晶圓位于框架通孔內(nèi)，兩者粘貼在 同一張薄膜上。為晶圓貼切割膜時，需要將晶圓和框架一同貼到切割膜上?？蚣芎颓懈钅?共同起保護晶圓作用，切割膜也可以稱為保護膜。最簡單的切割膜貼膜方式是將晶圓正面朝下放在臺盤上，正面與臺盤的上表面 緊密貼合?？蚣芊旁诨?，晶圓位于框架的通孔內(nèi)。將切割膜放置在晶圓和框架上表面， 利用滾輪滾壓，將切割膜貼覆在晶圓背面與框架上。此時，晶圓和框架均粘附在切割膜上。 此方法中使用的臺盤是一實心圓臺或圓柱。但對于某些特定功能的晶圓，貼膜時要求晶圓正面不能同臺盤接觸，需采用非接 觸式貼膜。如光學(xué)感光芯片，采用凸點工藝封裝的芯片等都要求采用非接觸式貼膜?，F(xiàn)有技術(shù)中為避免晶圓與臺盤的大面積接觸，采用減小晶圓與臺盤接觸面積的方 法及裝置來實現(xiàn)，即在臺盤中部挖出一些凹槽，雖然可以解決一些問題，但其仍存在以下缺占.
^ \\\ ·1、在薄晶圓貼膜時容易導(dǎo)致晶圓破裂。因為需要使用滾輪將切割膜牢固貼覆在晶 圓上，必然要求滾輪在切割膜上施加一定的壓力。這種壓力會被傳遞到晶圓上，而晶圓大部 分又是懸空安放在臺盤上，晶圓將在受滾輪按壓時向下彎曲成為弧狀。如果晶圓比較厚， 由于其自身的剛性，可以承受滾輪的壓力而不至于輕易折斷，順利完成貼膜。如果晶圓比 較薄，其剛性降低，受到很小的壓力時也很容易向下彎曲，當(dāng)彎曲程度超過晶圓的承受范圍 時，晶圓就會破裂。利用現(xiàn)有技術(shù)中的方法和裝置貼膜，晶圓的最小厚度為200um ；厚度小 于200um時，利用現(xiàn)有裝置貼膜會導(dǎo)致晶圓破片率大大升高。由于各領(lǐng)域使用的芯片正越 變越薄，傳統(tǒng)的晶圓貼膜方法及裝置已經(jīng)成為阻礙晶圓生產(chǎn)工藝發(fā)展的瓶頸。2、由于晶圓受力向下凹，而切割膜貼覆在上表面，因此容易在晶圓與切割膜之間 形成氣腔。切割膜貼完后會將氣體密封在晶圓與切割膜之間，形成氣泡。這在貼膜工藝中 是不允許出現(xiàn)的。形成氣泡后，必須將切割膜撕除重新貼覆，不僅會造成原材料浪費，也會 增加工序，降低生產(chǎn)效率。3、不同厚度的晶圓，能夠承受的壓力也不同。使用一套貼膜裝置為不同厚度的晶 圓貼膜時，要避免滾輪壓壞晶圓，要么是調(diào)整滾輪可施加的壓力大小，要么是調(diào)整對晶圓的 支撐力以抵消滾輪的壓力。但是，由于滾輪和臺盤的安裝都比較固定，滾輪壓力的調(diào)整非常 困難；而且現(xiàn)有技術(shù)中的方法也無法調(diào)整對晶圓的支撐力，尤其是在臺盤與晶圓接觸面積 比較小的時候。
4、現(xiàn)有技術(shù)中的貼膜裝置只能適用于一種尺寸的晶圓，當(dāng)為不同尺寸的晶圓貼膜 時，需要更換相應(yīng)尺寸的臺盤，增加了操作步驟，降低了生產(chǎn)效率。另外，以上所描述的方法并不是真正意義上的非接觸式貼膜。晶圓與支撐裝置發(fā) 生了接觸，即使接觸面積較小，仍將影響晶圓的品質(zhì)，降低芯片的良品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可避免晶圓與臺盤接觸的 晶圓貼膜方法。為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)晶圓貼膜方法，其特征在于，向晶圓與臺盤之間吹入氣體，利用吹入的氣體支撐晶 圓，然后在晶圓表面貼膜。優(yōu)選地是，利用真空吸力將晶圓邊緣吸附固定在臺盤上。優(yōu)選地是，所述的氣體穿過臺盤吹至臺盤與晶圓之間。優(yōu)選地是，首先利用從臺盤吹出的氣體支撐住晶圓使晶圓與臺盤保持一定的距 離，再利用真空吸力將晶圓邊緣固定在臺盤上；利用吹至晶圓與臺盤之間的氣體支撐住晶 圓，將薄膜覆蓋在晶圓表面，利用壓緊裝置按壓使薄膜牢固貼覆在晶圓表面。該距離大小可根據(jù)實際情況確定，既要能使晶圓與臺盤不接觸，又要使真空吸力 的作用能夠?qū)⒕A邊緣吸附固定在臺盤上。優(yōu)選地是，所述臺盤與晶圓直徑相同，晶圓放置于臺盤上表面上。優(yōu)選地是，采用多個直徑不同的臺盤依次套裝，通過調(diào)節(jié)各臺盤表面的相對位置 為不同尺寸的晶圓貼膜。本發(fā)明的另一個目的是提供一種晶圓貼膜裝置，包括第一臺盤，其特征在于，所述 第一臺盤設(shè)置有多個第一氣孔和多個第二氣孔；第一氣孔與氣源裝置聯(lián)通，第二氣孔與抽 真空裝置聯(lián)通；第二氣孔設(shè)置在第一氣孔外側(cè)使得抽真空裝置可通過第二氣孔將晶圓邊緣 吸附固定在第一臺盤上后，氣源裝置可通過第一氣孔將氣體垂直晶圓與第一臺盤之間。優(yōu)選地是，所述第一氣孔設(shè)置有兩圈以上，兩圈以上的第一氣孔間隔設(shè)置；每一圈 第一氣孔數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向排列；第二氣孔設(shè)置有兩圈以上，兩圈以上的第二氣 孔間隔設(shè)置；每一圈第二氣孔數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向排列。優(yōu)選地是，第一臺盤外套裝有第二臺盤；第二臺盤上設(shè)置有與第一臺盤上的分布 方式相同的第一氣孔和第二氣孔。優(yōu)選地是，第一臺盤與第二臺盤可相對移動地安裝。優(yōu)選地是，所述的第一臺盤與第二臺盤，分別受相互獨立的升降裝置驅(qū)動。優(yōu)選地是，還包括基座，基座上表面設(shè)置有第一凹槽，第一臺盤可運動地安裝于第 一凹槽內(nèi)。優(yōu)選地是，還包括可調(diào)節(jié)第一臺盤上表面與基座上表面的相對高度的第一高度調(diào) 節(jié)裝置，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置與第一臺盤連接。優(yōu)選地是，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置為往復(fù)驅(qū)動裝置。優(yōu)選地是，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置為氣缸。優(yōu)選地是，所述第一臺盤上表面設(shè)置有第二凹槽，第二臺盤可運動地安裝在第二
5凹槽內(nèi)。優(yōu)選地是，還包括可調(diào)節(jié)第一臺盤上表面與第二臺盤上表面的相對高度的第二高 度調(diào)節(jié)裝置，第二高度調(diào)節(jié)裝置與第二臺盤連接。優(yōu)選地是，所述第二高度調(diào)節(jié)裝置為往復(fù)驅(qū)動裝置。優(yōu)選地是，所述第二高度調(diào)節(jié)裝置包括絲桿，絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝于基座上，絲桿與 內(nèi)螺紋套筒螺紋配合，內(nèi)螺紋套筒與第二臺盤連接。優(yōu)選地是，所述基座上表面設(shè)置有第三凹槽，第二高度調(diào)節(jié)裝置還包括旋鈕，旋鈕 設(shè)置在第三凹槽內(nèi)，連桿一端與旋鈕固定連接，連桿穿過基座并可轉(zhuǎn)動地安裝于基座上，連 桿另一端與絲桿傳動連接。優(yōu)選地是，所述的連桿與絲桿通過傳動帶傳動連接。優(yōu)選地是，所述基座下方安裝有固定架，絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝在固定架上。優(yōu)選地是，所述固定架設(shè)置有第三通孔，第三通孔內(nèi)安裝有軸承，絲桿與軸承的內(nèi) 圈相配合將絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝在固定架上。優(yōu)選地是，所述的絲桿上螺紋安裝有限位螺母，所述限位螺母設(shè)置于第三通孔內(nèi)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中的晶圓貼膜方法和晶圓貼膜裝置，利用氣體支撐晶圓， 既無實體裝置與晶圓接觸，又可以為晶圓提供支撐力，可以實現(xiàn)真正意義上的非接觸式貼 膜。在實際使用時，晶圓都會切割為長方形或正方形，晶圓的邊緣部分不會使用。貼膜過 程中，臺盤僅在邊緣部分與晶圓有接觸。因此，僅有邊緣部分與臺盤接觸不會影響晶圓的質(zhì) 量。臺盤與需要使用的晶圓正面無任何接觸，也就不會損壞晶圓正面，減小了損壞晶圓正面 的風(fēng)險。由于在滾輪按壓時，可以利用氣體支撐晶圓，以此可以抵消滾輪的壓力，滾輪不會 輕易將晶圓壓破或壓碎。使用本發(fā)明中的裝置貼膜，可以貼膜的晶圓最小厚度為50um，遠(yuǎn)低 于使用現(xiàn)有技術(shù)貼膜的最小厚度200um。在貼膜時，由于晶圓下方有力支撐，即使受到滾輪按壓也不會向下凹，因此，切割 膜與晶圓之間不容易形成氣腔，切割膜貼覆后也不會出現(xiàn)氣泡，減少了重新貼膜的風(fēng)險，貼
膜效率高。氣體支撐力大小容易調(diào)節(jié)，因此，在為不同厚度的晶圓貼膜時，可以方便地根據(jù)晶 圓厚度調(diào)整支撐力的大小，節(jié)省能源。本發(fā)明還適于為不同尺寸的晶圓貼覆切割膜，為不同 尺寸的晶圓貼覆切割膜時，無需更換臺盤，僅需簡單調(diào)整即可選擇需要使用的臺盤，為不同 尺寸的晶圓貼覆切割膜。調(diào)整切換方便、快捷，耗時短，效率高。臺盤高度可調(diào)整，使其更方 便地適合不同尺寸的晶圓貼覆，拓寬了臺盤的使用范圍，確保貼覆效果能夠達(dá)到要求，從而 提高工作效率。本發(fā)明中的晶圓貼膜裝置既可以用于非接觸式貼膜，也可以用于接觸式貼 膜，提高了裝置的通用性，有利于降低采購成本。


圖1為本發(fā)明實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實施例1中的第一臺盤俯視圖；圖3為圖2中A-A方向表示的第一臺盤剖視圖。圖4為本發(fā)明實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為實施例2中的晶圓貼膜裝置仰視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為圖5中的晶圓貼膜裝置剖視圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細(xì)的描述實施例1如圖1所示，晶圓貼膜裝置，包括基座1?；?的下表面安裝有四個座腿(圖中 示出了兩個座腿121，12 ，用于支撐基座1?；?的上表面11設(shè)置有第一凹槽(圖中未 示出)，用于容納第一臺盤2。如圖1所示，第一臺盤2為圓形。第一臺盤2的上表面21設(shè)置有多圈第一氣孔 22，其圈數(shù)可根據(jù)第一臺盤2直徑大小確定。每圈第一氣孔22數(shù)目為兩個以上，沿圓周方 向均勻分布，具體數(shù)目可根據(jù)圓周長確定。第一氣孔22自第一臺盤2的上表面向下表面延 伸。第一氣孔22均與空氣壓縮機(圖中未示出)聯(lián)通。第一氣孔22的外側(cè)設(shè)置有兩圈 第二氣孔23。第二氣孔23自第一臺盤2的上表面21向下表面延伸。每圈第二氣孔23沿 圓周方向均勻分布，具體個數(shù)可依圓周長確定。第二氣孔23與真空發(fā)生器(圖中未示出) 聯(lián)通。圖2為實施例1中的第一臺盤俯視圖。圖3為圖2中A-A方向表示的第一臺盤剖 視圖，圖3僅示出了部分第一氣孔與空氣壓縮機的聯(lián)通原理圖，所有第一氣孔與空氣壓縮 機的連通方式相同。第一氣孔和空氣壓縮機的聯(lián)通方式與第二氣孔和真空發(fā)生器的聯(lián)通方 式相同。如圖2、圖3所示，第一臺盤2包括上蓋M和下蓋25。上蓋M上設(shè)置有多個第一 氣孔22，圖中僅標(biāo)出了兩個。第一氣孔22自上表面21向下表面延伸。上蓋M與下蓋25 之間設(shè)置有多個氣腔，每一個氣腔沿第一臺盤2的圓周方向設(shè)置，圖中僅標(biāo)出了氣腔221。 兩個第一氣孔22均延伸至與氣腔221貫通。設(shè)置在氣腔221外側(cè)的0型圈241和設(shè)置在 氣腔內(nèi)側(cè)的0型圈M2，將氣腔221兩側(cè)密封，可防止漏氣。下蓋25下表面上安裝有氣管 222。氣管222 —端與氣腔221聯(lián)通，另一端與空氣壓縮機(圖中未示出)聯(lián)通。采用同樣 的聯(lián)通方式，所有的第一氣孔與空氣壓縮機聯(lián)通，兩圈第二氣孔23與真空發(fā)生器聯(lián)通。實際使用時，首先由空氣壓縮機提供壓縮空氣，通過第一氣孔22吹出，再將晶圓 (圖中未示出)放置在第一臺盤2的上方。從第一氣孔22吹出的空氣可以支撐住晶圓，使 晶圓與第一臺盤2保持合適的距離。真空發(fā)生器運轉(zhuǎn)，真空吸力通過第二氣孔23將晶圓 邊緣吸附在第一臺盤2上，晶圓邊緣與第一臺盤2邊緣緊密貼合。繼續(xù)向晶圓與第一臺盤 2之間吹入空氣，吹至晶圓與第一臺盤2之間的空氣具有一定的氣壓，可在晶圓下方為晶圓 提供向上的支撐力，將晶圓托住。將薄膜覆蓋在晶圓上表面，使用滾輪在薄膜上滾動按壓薄 膜，使薄膜緊密貼附在晶圓的上表面。貼膜時，除被吸附在第一臺盤上的邊緣部位外，晶圓 其余部位與第一臺盤不接觸。圓形晶圓在使用時，需要切割為正方形或長方形，因此，圓形 晶圓的邊緣部位不會使用。因此，使用本發(fā)明中的裝置可實現(xiàn)非接觸式貼膜，而且邊緣部位 與臺盤接觸并不會影響晶圓的質(zhì)量。實施例2
圖4為本發(fā)明實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，晶圓貼膜裝置，包括基座1，基 座1的下表面安裝有四個座腿，用于支撐基座1。圖4中僅示出了兩個座腿(121，122)。基座1的上表面11設(shè)置有第一凹槽(圖中未示出)。第一凹槽用于容納第一臺 盤2。第一臺盤2的結(jié)構(gòu)及使用方式與實施例1相同。第一臺盤2尺寸與12寸晶圓相當(dāng)。 12英寸的晶圓邊緣可通過第二氣孔23被吸附固定在第一臺盤2上。壓縮空氣可通過第一 氣孔22被吹至12英寸的晶圓與第一臺盤2之間，為12英寸晶圓提供支撐力。第一臺盤2的上表面21設(shè)置有第二凹槽(圖中未示出)。第二凹槽用于容納第二 臺盤3。第二臺盤3可運動地設(shè)置在第二凹槽內(nèi)。第二臺盤3的結(jié)構(gòu)及使用方式與實施例 1中的第一臺盤2相同。第二臺盤3的直徑與8英寸的晶圓相當(dāng)。8英寸的晶圓邊緣可被 吸附固定在第二臺盤3上，壓縮空氣可被吹至晶圓與第二臺盤3之間支撐住8英寸晶圓。圖5為實施例2中的晶圓貼膜裝置仰視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，基座1包括蓋 板12和底板13。還包括第一傳動裝置4。第一傳動裝置4用于將驅(qū)動力傳遞至第二臺盤 3，以驅(qū)動第二臺盤3上下移動。向上移動是指使第二臺盤3的上表面高于第一臺盤2的上 表面。向下移動是指使第二臺盤3的上表面在高于第一臺盤2的上表面的位置回復(fù)至與第 一臺盤2的上表面21持平的位置。圖6為圖5中的晶圓貼膜裝置剖視圖。如圖6所示，蓋板12的下表面安裝有四個 氣缸。四個氣缸沿第一臺盤2的圓周方向均勻分布。圖中僅示出了兩個氣缸(31，32)。每 個氣缸的活塞桿均與第一臺盤2連接。氣缸用于驅(qū)動第一臺盤2向上或向下移動。第一高度調(diào)節(jié)裝置4包括旋鈕41、連桿42、第一皮帶輪43、傳動皮帶44、第二皮帶 輪45、絲桿46、軸承47及內(nèi)螺紋套筒48。旋鈕41安裝在連桿42的一端，并可轉(zhuǎn)動地設(shè)置 在第三凹槽13內(nèi)。連桿42貫穿蓋板12和底板13，并可轉(zhuǎn)動地安裝在蓋板12和底板13 上。連桿42的另一端安裝有第一皮帶輪43，第一皮帶輪43位于底板13下方。傳動皮帶 44套裝在第一皮帶輪43和第二皮帶輪45上，使第一皮帶輪43和第二皮帶輪45傳動連接。 第二皮帶輪45安裝在絲桿46的一端。絲桿46穿過底板13且可轉(zhuǎn)動地安裝在底板13上。 絲桿46僅能轉(zhuǎn)動，無法上下移動。絲桿46另一端連接有內(nèi)螺紋套筒49，內(nèi)螺紋套筒49與 絲桿46螺紋配合。內(nèi)螺紋套筒49連接在第二臺盤3上。由于絲桿46無法上下移動，在絲 桿46旋轉(zhuǎn)過程中，與其螺紋配合的內(nèi)螺紋套筒49將上下移動。根據(jù)絲桿46旋向不同，內(nèi) 螺紋套筒49可向上或向下移動。以此可驅(qū)動第二臺盤3上下移動。本實施例既可以用于12英寸和8英寸的晶圓非接觸式貼膜，也可以用于12英寸 和8英寸接觸式貼膜。需要為12英寸晶圓非接觸式貼膜時，第一臺盤2的上表面與第二臺盤3的上表面 持平。將12英寸的晶圓放置在第一臺盤2和第二臺盤3的上表面上。開啟與第一臺盤2 的第二氣孔23相連通的真空發(fā)生器，可將晶圓邊緣吸附在第一臺盤2上。此時，與第二臺 盤3相連通的真空發(fā)生器不運轉(zhuǎn)。開啟與第一臺盤2的第一氣孔22相連通的空氣壓縮機 及與第二臺盤3的氣孔相連通的空氣壓縮機，向第一臺盤1上表面、第二臺盤3上表面與晶 圓之間吹入壓縮空氣，利用壓縮空氣的壓力為晶圓提供支撐力，可防止在滾輪按壓晶圓時 壓碎晶圓。采用非接觸式為8英寸晶圓貼膜時，則只使用第二臺盤3而無需使用第一臺盤2 即可。使用方法與上述方法相同。
設(shè)置第一高度調(diào)節(jié)裝置4和氣缸，使得本發(fā)明中的晶圓貼膜裝置還可以用于接觸 式貼膜，并且可使用一套設(shè)備為不同尺寸的晶圓貼膜。在未開始使用之前，基座1的上表面 11、第一臺盤2的上表面21和第二臺盤3的上表面31位于同一水平面上。以先為8英寸 晶圓貼覆切割膜，再為12英寸晶圓貼覆切割膜為例說明。首先旋轉(zhuǎn)旋鈕41，帶動連桿42和 第一皮帶輪43轉(zhuǎn)動。進而通過傳動皮帶44帶動第二皮帶輪45和絲桿46旋轉(zhuǎn)。絲桿46 轉(zhuǎn)動使內(nèi)螺紋套筒49推動第二臺盤3向上移動。以此調(diào)整第二臺盤3的上表面31的高 度，使其比基座1的上表面11和第一臺盤2的上表面21高出0.8mm。將一個厚度為1.2mm 的適用于8寸晶圓的框架放置在基座1和第一臺盤2的上表面上。將一個厚度為0. 5mm 的8寸晶圓放置在第二臺盤3上表面31上。此時，8寸晶圓的上表面比框架的上表面高出 0. 8+0. 5-1. 2 = 0. 1mm。啟動與第二臺盤3上的氣孔聯(lián)通的真空發(fā)生器，將晶圓邊緣吸附在 第二臺盤3的上表面。將薄膜覆蓋在晶圓和框架的上表面上，使用壓輪往復(fù)運動按壓薄 膜，使薄膜牢固粘附在晶圓和框架上，即可完成貼膜。為8英寸晶圓的貼膜后，移走貼膜完成的晶圓。啟動氣缸使其推動第一臺盤2向上 運動，直至第二凹槽的槽底受第二臺盤3阻擋而無法繼續(xù)向上移動，此時第一臺盤2的上表 面21與第二臺盤3的上表面31位于同一水平面，兩者均比基座1的上表面11高出0. 8mm。 將一個厚度為1. 2mm的適用于12寸晶圓的框架放置在基座1的上表面上。將一個厚度為 0. 5mm的12寸晶圓放置在第一臺盤2和第二臺盤3上，此時，12英寸晶圓的上表面比框架 的上表面高出0. 8+0. 5-1. 2 = 0. 1mm。啟動與第一氣孔22聯(lián)通的真空發(fā)生器，將晶圓邊緣 吸附在第一臺盤2和第一臺盤3的上表面。將薄膜覆蓋在晶圓和框架的上表面上，使用壓 輪往復(fù)運動滾壓薄膜，使薄膜牢固粘附在晶圓和框架上，即可完成貼膜。本實施例中，使用氣缸作為第二高度調(diào)節(jié)裝置，可以方便地往復(fù)調(diào)整第一臺盤的 高度，使其可以適用于多種不同厚度的晶圓。而且本發(fā)明中的第一高度調(diào)整裝置的旋鈕位 于基座的上表面，使用者無需側(cè)身、彎腰即可調(diào)整第二臺盤的高度，使用更方便。本發(fā)明在第一臺盤上設(shè)置第二凹槽，并將第二臺盤設(shè)置在第二凹槽內(nèi)，既可以方 便地使第一臺盤的上表面與第二臺盤的表面保持在第一水平面上；又可以方便地調(diào)整兩者 的位置。由于第一臺盤2向上移動過程中會受到第二臺盤3的阻擋并自動停止在其上表面 與第二臺盤上表面持平的位置，因此，第二驅(qū)動裝置可采用結(jié)構(gòu)較為簡單的氣缸。第二驅(qū) 動裝置只需能夠往復(fù)驅(qū)動第一臺盤向上和向下移動即可，無需第二驅(qū)動裝置控制移動的距
1 O實施例3本實施例與實施例2的不同之處在于，未設(shè)置第一臺盤2及氣缸。第二臺盤3設(shè) 置在基座1的第一凹槽內(nèi)，第一凹槽的大小與第二臺盤3的直徑相適應(yīng)。其余結(jié)構(gòu)與實施 例2相同。本實施例僅適用于為一種尺寸的晶圓貼膜，但既可以采用非接觸式貼膜，也可以 采用接觸式貼膜。本發(fā)明中的實施例僅用于對本發(fā)明進行說明，并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制， 本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實質(zhì)上等同的替代，均在本發(fā)明保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.晶圓貼膜方法，其特征在于，向晶圓與臺盤之間吹入氣體，利用吹入的氣體支撐晶 圓，然后在晶圓表面貼膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜方法，其特征在于，利用真空吸力將晶圓邊緣吸附 固定在臺盤上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜方法，其特征在于，所述的氣體穿過臺盤吹至臺盤 與晶圓之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜方法，其特征在于，首先利用從臺盤吹出的氣體支 撐住晶圓使晶圓與臺盤保持一定的距離，再利用真空吸力將晶圓邊緣固定在臺盤上；利用 吹至晶圓與臺盤之間的氣體支撐住晶圓，將薄膜覆蓋在晶圓表面，利用壓緊裝置按壓使薄 膜牢固貼覆在晶圓表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓貼膜方法，其特征在于，所述臺盤與晶圓直徑相同，晶圓 放置于臺盤上表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的晶圓貼膜方法，其特征在于，采用多個直徑不同的臺盤依 次套裝，通過調(diào)節(jié)各臺盤表面的相對位置為不同尺寸的晶圓貼膜。
7.晶圓貼膜裝置，包括第一臺盤，其特征在于，所述第一臺盤設(shè)置有多個第一氣孔和多 個第二氣孔；第一氣孔與氣源裝置聯(lián)通，第二氣孔與抽真空裝置聯(lián)通；第二氣孔設(shè)置在第 一氣孔外側(cè)使得抽真空裝置可通過第二氣孔將晶圓邊緣吸附固定在第一臺盤上后，氣源裝 置可通過第一氣孔將氣體垂直晶圓與第一臺盤之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第一氣孔設(shè)置有兩圈以上， 兩圈以上的第一氣孔間隔設(shè)置；每一圈第一氣孔數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向排列；第二 氣孔設(shè)置有兩圈以上，兩圈以上的第二氣孔間隔設(shè)置；每一圈第二氣孔數(shù)目為兩個以上，沿 圓周方向排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，第一臺盤外套裝有第二臺 盤；第二臺盤上設(shè)置有與第一臺盤上的分布方式相同的第一氣孔和第二氣孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，第一臺盤與第二臺盤可相對移 動地安裝。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述的第一臺盤與第二臺盤， 分別受相互獨立的升降裝置驅(qū)動。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，還包括基座，基座上表面設(shè)置 有第一凹槽，第一臺盤可運動地安裝于第一凹槽內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，還包括可調(diào)節(jié)第一臺盤上表 面與基座上表面的相對高度的第一高度調(diào)節(jié)裝置，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置與第一臺盤連 接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置為往 復(fù)驅(qū)動裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第一高度調(diào)節(jié)裝置為氣缸。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第一臺盤上表面設(shè)置有 第二凹槽，第二臺盤可運動地安裝在第二凹槽內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，還包括可調(diào)節(jié)第一臺盤上表 面與第二臺盤上表面的相對高度的第二高度調(diào)節(jié)裝置，第二高度調(diào)節(jié)裝置與第二臺盤連 接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第二高度調(diào)節(jié)裝置為往 復(fù)驅(qū)動裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述第二高度調(diào)節(jié)裝置包括 絲桿，絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝于基座上，絲桿與內(nèi)螺紋套筒螺紋配合，內(nèi)螺紋套筒與第二臺盤連 接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述基座上表面設(shè)置有第三 凹槽，第二高度調(diào)節(jié)裝置還包括旋鈕，旋鈕設(shè)置在第三凹槽內(nèi)，連桿一端與旋鈕固定連接， 連桿穿過基座并可轉(zhuǎn)動地安裝于基座上，連桿另一端與絲桿傳動連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述的連桿與絲桿通過傳動 帶傳動連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述基座下方安裝有固定架， 絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝在固定架上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述固定架設(shè)置有第三通孔， 第三通孔內(nèi)安裝有軸承，絲桿與軸承的內(nèi)圈相配合將絲桿可轉(zhuǎn)動地安裝在固定架上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶圓貼膜裝置，其特征在于，所述的絲桿上螺紋安裝有限 位螺母，所述限位螺母設(shè)置于第三通孔內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓貼膜方法，其特征在于，向晶圓與臺盤之間吹入氣體，利用吹入的氣體支撐晶圓，然后在晶圓表面貼膜。使用本發(fā)明中的晶圓貼膜方法及貼膜裝置，實現(xiàn)了非接觸貼膜，減小了損壞晶圓正面的風(fēng)險。由于在滾輪按壓時，可以利用氣體支撐晶圓，以此可以抵消滾輪的壓力，滾輪不會輕易將晶圓壓破或壓碎；因此，使用本發(fā)明中的方法及裝置進行非接觸貼膜，可以貼膜的晶圓最小厚度為50μm，遠(yuǎn)低于使用現(xiàn)有技術(shù)貼膜的最小厚度200μm。
文檔編號H01L21/00GK102103987SQ20101060399
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者張明星 申請人:上海技美電子科技有限公司