專利名稱:基板處理方法、成膜方法、成膜裝置和計(jì)算機(jī)程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體基板上形成銅(Cu)膜的基板處理方法、成膜方法、成膜裝置和計(jì)算機(jī)程序。
背景技術(shù):
例如,為了適應(yīng)半導(dǎo)體裝置的高速化和配線圖案的微細(xì)化等,比鋁導(dǎo)電性高并且耐電遷移性等也好的Cu,作為配線材料而受到關(guān)注。作為Cu的成膜方法,公知的有通過含Cu的原料氣體的熱分解反應(yīng)或利用該原料氣體的還原性氣體的還原反應(yīng),在基板上形成Cu膜的CVD(化學(xué)氣相沉積)法。通過這樣的CVD法形成的Cu膜覆蓋性能好、在細(xì)長而且深的圖案內(nèi)成膜帶來的埋入特性好,適用于形成微細(xì)的配線圖案。
在采用CVD法的各種薄膜的成膜處理中,作為提高成膜速度的方法,提出了使基板溫度升高的方案(例如參照日本特開2002-151488號公報(bào)(0002、0003等段落)??墒牵谝纬蒀u膜的情況下,一旦使基板溫度升高,就會產(chǎn)生引起Cu膜的凝聚的問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況,本發(fā)明的目的在于提供一種不使Cu凝聚,可以提高Cu膜的成膜速度的基板處理方法,以及提供一種使用該基板處理方法的Cu膜的成膜方法。此外,本發(fā)明的目的在于提供一種用于進(jìn)行上述成膜方法的成膜裝置和用于控制該成膜裝置的計(jì)算機(jī)程序。
本發(fā)明的基板處理方法是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜之前,對該基板進(jìn)行的基板處理方法,包括準(zhǔn)備形成有Cu膜的基板的準(zhǔn)備工序;和對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使得上述基板的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的處理工序。
根據(jù)本發(fā)明,通過在成膜處理前預(yù)先對基板實(shí)施規(guī)定的處理,使用于形成Cu膜的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性,能夠提高在該基底材料上形成Cu膜時的成膜速度。并且也能夠提高Cu膜與基底材料的貼合性。
優(yōu)選上述處理工序利用加熱處理、激光照射處理、等離子體處理中的任一種進(jìn)行。
此外,優(yōu)選在上述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使上述基板的基底材料表面的結(jié)晶性顯示出相對于Cu的(111)面(用密勒指數(shù)表示的晶格面,以下相同)的晶格不匹配性小的取向性。
此外,優(yōu)選上述基底材料是Ru、Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu、Ti、Zn中的任一種。
在基底材料是密排六方晶格結(jié)構(gòu)的Ru、Ti、Zn中的任一種的情況下,優(yōu)選在上述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使上述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?001)面或(002)面。此外,在基底材料是面心立方晶格結(jié)構(gòu)的Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu中的任一種的情況下,優(yōu)選在上述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使上述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?111)面。
此外,本發(fā)明涉及一種成膜方法,其特征在于,包括準(zhǔn)備在基底材料的表面上形成有Cu膜的基板的準(zhǔn)備工序;對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使得上述基板的基底材料的表面結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的處理工序;在上述處理工序后,在上述基板的基底材料的表面形成Cu膜的成膜工序。
根據(jù)本發(fā)明,通過在成膜處理前預(yù)先對基板實(shí)施規(guī)定的處理,使用于形成Cu膜的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性,能夠提高在該基底材料上形成Cu膜時的成膜速度。并且能夠提高Cu膜與基底材料的貼合性能。
優(yōu)選上述成膜工序利用CVD法進(jìn)行。可是也可以利用鍍膜法或?yàn)R射法等的PVD法進(jìn)行。
此外,本發(fā)明涉及一種成膜裝置,是在基板的基底材料表面上形成Cu膜的成膜裝置,其特征在于,包括對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使上述基板的基底材料的表面結(jié)晶性顯示出與Cu膜的晶格不匹配小的取向性的基板處理機(jī)構(gòu);和在利用上述基板處理機(jī)構(gòu)的處理結(jié)束后的上述基板的基底材料的表面形成Cu膜的Cu成膜機(jī)構(gòu)。
優(yōu)選上述基板處理機(jī)構(gòu)是加熱板(hot plate)裝置、激光照射處理裝置、等離子體處理裝置中的任一種。此外,優(yōu)選上述Cu成膜機(jī)構(gòu)是利用CVD法形成Cu膜的CVD裝置。
此外,本發(fā)明涉及一種計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,實(shí)現(xiàn)下述控制利用對在基板的基底材料表面上形成Cu膜的成膜裝置進(jìn)行控制的計(jì)算機(jī)運(yùn)行,對該基板實(shí)施規(guī)定的基板處理,使上述基板的基底材料的表面結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性,并且在該基板處理后,在上述基板的基底材料的表面上形成Cu膜。
圖1是表示用于實(shí)施本發(fā)明一個實(shí)施方式的成膜方法的成膜裝置的簡要截面圖。
圖2是Cu膜的成膜方法的流程圖。
圖3是表示實(shí)施退火處理的Ru膜和不實(shí)施退火處理的Ru膜的X射線衍射強(qiáng)度的圖。
圖4是表示相對于實(shí)施退火處理的Ru膜和不實(shí)施退火處理的Ru膜成膜后的Cu膜的厚度的曲線。
圖5是表示圖1的成膜裝置的變形例的圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1是表示用于實(shí)施本發(fā)明一個實(shí)施方式的成膜方法(包括基板處理方法)的成膜裝置100的簡要截面圖。
如圖1所示,成膜裝置100具有構(gòu)成氣密狀態(tài)的大體為圓筒形的腔室1。在腔室1中設(shè)置用于水平支撐作為被處理體的晶片W的基座2。基座2利用圓筒狀的支撐部件3支撐。在基座2的外邊緣部設(shè)置有用于導(dǎo)向晶片W的導(dǎo)向環(huán)4。此外,在基座2內(nèi)埋有加熱器5。加熱器5與加熱器電源6連接。加熱器5通過由加熱器電源6供電,將晶片W加熱到規(guī)定溫度。此外,在接受器2上設(shè)置有接地的下部電極2a。
在腔室1的頂壁1a上隔著絕緣部件9設(shè)置有噴淋頭10。該噴淋頭10由上段塊體10a、中段塊體10b、下段塊體10c構(gòu)成。
在下段塊體10c上交替形成有分別噴出不同氣體的第一噴出孔17和第二噴出孔18。
在上層塊體10a的上面形成有第一氣體導(dǎo)入口11、第二氣體導(dǎo)入口12。第一氣體導(dǎo)入口11和第二氣體導(dǎo)入口12與后述的氣體供給機(jī)構(gòu)20的氣體管路25、28連接。在上段塊體10a中,從第一氣體導(dǎo)入口11分成多個氣體通路13,并且從第二氣體導(dǎo)入口12分成多個氣體通路14。
在中段塊體10b上分別形成有與上述氣體通路13連通的氣體通路15,和與上述氣體通路14連通的氣體通路16。氣體通路15與下段塊體10c的噴出孔17連通,氣體通路16與下段塊體10c的噴出孔18連通。
氣體供給機(jī)構(gòu)20具有例如供給Cu(TFAA)2、Cu(hfac)TMVS、Cu(hfac)atms等的Cu原料的Cu原料供給源21、供給作為載體氣體和還原性氣體的H2氣的H2氣體供給源23、和供給作為調(diào)整腔室1內(nèi)氛圍的氣體的Ar氣的Ar氣供給源24。
氣體管路25與Cu原料供給源21連接,與氣體管路25匯合的氣體管路27與H2氣供給源23連接,氣體管路28與Ar氣供給源24連接。
在氣體管路25上設(shè)置有質(zhì)量流量控制器30,在該質(zhì)量流量控制器30的下游側(cè)設(shè)置有閥29。在氣體管路27上也設(shè)置有質(zhì)量流量控制器30,在該質(zhì)量流量控制器30的上游側(cè)和下游側(cè)分別設(shè)置有閥29,將該質(zhì)量流量控制器夾在中間,在氣體管路28上也設(shè)置有質(zhì)量流量控制器30,在該質(zhì)量流量控制器30的上游側(cè)和下游側(cè)分別設(shè)置有閥29,將該質(zhì)量流量控制器夾在中間。
Cu原料供給源21和與其連接的氣體管路25利用加熱器22加熱并保持在規(guī)定的溫度(例如200℃以下,優(yōu)選在150℃以下)。Cu原料在常溫下是固體或液體,而通過用加熱器22對Cu原料供給源21和氣體管路25進(jìn)行加熱,再通過后述的對腔室1內(nèi)的減壓,能夠使該Cu原料以氣態(tài)供給至腔室1內(nèi)。
從Cu原料供給源21延伸的氣體管路25通過絕緣體31a與第一氣體導(dǎo)入口11連接。此外,從Ar原料供給源24延伸的氣體管路28通過絕緣體31b與第二氣體導(dǎo)入口12連接。
因此,在Cu膜的成膜處理時,從Cu原料供給源21供給的含Cu原料氣體搭載在從H2氣供給源23通過氣體管路27供給的H2氣中,通過氣體管路25,從噴淋頭10的第一氣體導(dǎo)入口11到達(dá)噴淋頭10內(nèi),經(jīng)過氣體通路13和15,從第一噴出孔17噴向腔室1內(nèi)。此外,在圖1中,從與氣體管路25連接的氣體管路27供給作為載體氣體且是還原性氣體的H2氣,但也可以采用在Cu原料供給源21中設(shè)置載體氣體管路,供給H2氣的方式。
另一方面,從Ar氣供給源24供給的Ar氣,通過氣體管路28從噴淋頭10的第二氣體導(dǎo)入口12到達(dá)噴淋頭10內(nèi),經(jīng)過氣體通路14和16,從第二噴出孔18噴向腔室1內(nèi)。
高頻電源33通過匹配器32與噴淋頭10連接。高頻電源33向噴淋頭10和下部電極2a之間供給高頻電力。由此,可以使通過噴淋頭10供給至腔室1內(nèi)的H2氣等離子體化。此外如后所述,在Cu膜的成膜工序中,不是總要產(chǎn)生等離子體。
此外,排氣管37與腔室1的底壁1b連接。排氣裝置38與該排氣管37連接。通過使排氣裝置38動作,能夠使腔室1內(nèi)減壓到規(guī)定的真空度。
此外,在腔室1的側(cè)壁上設(shè)置有閘閥39。在閘閥39打開的狀態(tài)下,晶片W在與外部之間搬入搬出。
成膜裝置100的各構(gòu)成部與控制部(過程控制器)95連接,利用該控制部95進(jìn)行控制。在控制部95上連接有用戶接口96和存儲部97,其中,用戶接口96包括工序管理者為了對成膜裝置100(的各構(gòu)成部)進(jìn)行管理而進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤、將成膜裝置100(的各構(gòu)成部)的工作狀況可視化顯示的顯示器等;存儲部97存儲有用于通過控制部96的控制實(shí)現(xiàn)在成膜裝置100中實(shí)行的各種處理的控制程序(例如,用于對應(yīng)于處理?xiàng)l件在成膜裝置100的各構(gòu)成部實(shí)行處理的程序)、存有處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案。
根據(jù)需要,按照來自用戶接口96的指示,從存儲部97調(diào)出任意的方案,由控制部95執(zhí)行。由此,在控制部95的控制下,在成膜裝置100中進(jìn)行所希望的處理。
上述方案,除了存儲在硬盤或半導(dǎo)體存儲器等中之外,還可以存儲在CD-ROM、DVD-ROM等可移動的存儲介質(zhì)中(這些存儲介質(zhì),只要安裝在存儲部97的規(guī)定位置可讀即可)。
下面,對利用如上所述構(gòu)成的成膜裝置100,在晶片W上形成Cu膜的成膜方法進(jìn)行說明。
圖2是表示本實(shí)施方式的Cu膜的成膜方法的流程圖。如圖2所示,開始時打開閘閥39,將晶片W搬送到腔室1內(nèi),載置在基座2上(步驟1)。
此處,在晶片W的表面,預(yù)先形成Ta膜或TaN膜等的阻擋膜。并且,在該阻擋膜的表面上,應(yīng)該提高與在其上形成的Cu膜之間的貼合性,預(yù)先形成有Ru薄膜。其中,該Ru膜可以利用例如濺射等的PVD法形成。
接著,關(guān)閉閘閥39,從Ar氣供給源24向腔室1內(nèi)供給Ar氣,通過用排氣裝置38對腔室1內(nèi)進(jìn)行排氣,例如將腔室1內(nèi)保持在1.33~2660Pa(步驟2)。
此后,利用加熱器5,將晶片W在100~500℃保持10秒~1800秒(步驟3)。該步驟3是對在晶片W上形成的Ru膜進(jìn)行退火處理,用于提高該Ru膜的結(jié)晶性的工序。
其中,圖3表示步驟3的Ru膜在300℃進(jìn)行30分鐘的退火處理的情況下,在該退火處理的前后的Ru膜的(100)面、(002)面、(101)面的各X射線衍射強(qiáng)度的變化(衍射像)。在圖3中,沒有退火處理的Ru膜(下圖)的衍射強(qiáng)度用進(jìn)行了退火處理的Ru膜(上圖)的衍射強(qiáng)度的4倍的大小(刻度)表示。
此外,關(guān)于步驟3的退火處理前后的Ru膜,表1表示了(100)面和(002)面的X射線衍射強(qiáng)度比(圖3所示的衍射峰的面積比)和(101)面和(002)面的X射線衍射強(qiáng)度比。此外,為了對比,表1中示有Ru粉末的(100)面和(002)面的X射線衍射強(qiáng)度比、以及(101)面和(002)面的X射線衍射強(qiáng)度比。
表1
由于Ru是多晶體,所以Ru粉末的X射線衍射強(qiáng)度對應(yīng)沒有取向性的狀態(tài)。在該狀態(tài)下如表1所示,(100)面和(101)面的衍射強(qiáng)度比(002)面的衍射強(qiáng)度大(表1的比值大于1)。與此相反,在晶片W上形成的Ru膜中,如表1和圖3所示,與該Ru膜的基底的阻擋膜(在此例子中為Ta膜或TaN膜等)的結(jié)晶面的狀態(tài)有關(guān),相對于(100)面和(101)面的衍射強(qiáng)度,(002)面的衍射強(qiáng)度非常大(表1的比值比1小)。并且還認(rèn)識到,在晶片W上形成的Ru膜中,由于退火處理實(shí)際上(100)面和(101)面的衍射峰消失,可以使Ru膜的表面優(yōu)先取向?yàn)?002)面。
再返回到圖2的流程圖的說明。Ru膜的退火處理后,根據(jù)需要改變晶片W的溫度和腔室1內(nèi)的壓力,調(diào)整到規(guī)定溫度和規(guī)定壓力。此后,例如利用CVD法在經(jīng)過退火處理的Ru膜上形成Cu膜(步驟4)。
更具體地說,從Cu原料供給源21供給的Cu原料氣體搭載在從H2氣供給源23供給的H2氣中,供給、噴至腔室1內(nèi)。由此,Cu原料在Ru膜表面被H2氣體還原,Cu析出,進(jìn)行Cu的成膜。
在此,對實(shí)施了退火處理的Ru膜和沒有實(shí)施退火處理的Ru膜,分別實(shí)施上述步驟4的處理。使用Cu(hfac)TMVS作為Cu原料,處理?xiàng)l件為Cu原料氣體流量274mg/min、H2氣流量150ml/min、腔室壓力66.7Pa、晶片溫度150℃、成膜時間30分鐘。圖4表示此時形成的Cu膜的厚度。
如圖4所示,相對于在不進(jìn)行步驟3的退火處理的Ru膜上形成Cu膜,在通過步驟3的退火處理提高了取向性的Ru膜上形成Cu膜時,能夠形成約3倍厚度的Cu膜,即,可以確認(rèn)步驟3的退火處理使Cu的成膜速度提高約3倍。
其中測定了在進(jìn)行了步驟3的退火處理的Ru膜上形成的Cu膜的X射線衍射強(qiáng)度,確認(rèn)了(111)面的強(qiáng)度非常大。由此可以認(rèn)為因在Ru膜的表面上,優(yōu)先取向?yàn)?002)面,相對于Cu的(111)面的晶格不匹配小,促進(jìn)具有(111)面的Cu膜生長。
再返回到圖2的流程圖的說明。Cu成膜完成后,通過向腔室1內(nèi)導(dǎo)入Ar氣并對腔室1內(nèi)進(jìn)行排氣,排出殘留在腔室1內(nèi)的氣體。此后打開閘閥39,將晶片W從腔室1內(nèi)取出(步驟5)。此時,可以將下一個要處理的晶片W搬入到腔室1內(nèi)。
使Cu膜的成膜速度提高的Ru膜表面不限于(002)面,也可以是(001)面。因?yàn)镽u的(001)面相對于Cu的(111)面的晶格的不匹配也小。此外,用于形成Cu膜的基底材料也不限于Ru,也可以是Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu、Ti、Zn等的金屬膜。其中,在基底材料是Ti或Zn的情況下,通過使它的表面優(yōu)先取向?yàn)?001)面或(002)面,可以使與Cu的(111)面的晶格不匹配小。另一方面,在基底材料是Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu中的任一個的情況下,通過使它的表面優(yōu)先取向?yàn)?111)面,可以使與Cu的(111)面的晶格不匹配小。這樣,可以使Cu膜的成膜速度加快。
本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式,可以進(jìn)行各種變化。例如,提高用于形成Cu膜的基底材料的取向性的基板處理方法不限于退火處理(加熱處理),也可以用激光照射處理或等離子體處理。此外,Cu膜的成膜方法不限于熱CVD法,可以用CVD法之一的ALD法(Atomic Layer Deposition原子層沉積)或PEALD(PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition等離子體增強(qiáng)原子層沉積)進(jìn)行。此外,Cu膜的成膜不限于上述的CVD法,也可以使用濺射法等的PVD法、電解鍍法等。
例如,在使用ALD法的Cu成膜中,成膜裝置100變成圖5所示的成膜裝置100’,可以使用Cu(TFAA)2、Cu(dibm)2、Cu(hfac)2、Cu(edmdd)2等的二價的Cu的原料作為Cu原料。在該成膜裝置100’中,Cu原料氣體搭載于Ar氣,H2氣直接通過噴淋頭10供給至腔室1內(nèi)(成膜裝置100的氣體供給機(jī)構(gòu)20變成供氣機(jī)構(gòu)20’)。
使用圖5的成膜裝置100’的成膜處理工序簡要如下。即,氣化的Cu原料用Ar氣搭載,供給至腔室1內(nèi),吸附在被加熱到規(guī)定溫度的晶片W的整個面上。然后,停止供給原料氣體,將剩余的原料氣體從腔室1內(nèi)排氣去除。接著,將H2氣導(dǎo)入腔室1內(nèi),并且從高頻電源33供給高頻電力,H2氣被等離子體化,生成氫自由基(H2*),利用該氫自由基(H2*)還原吸附在晶片W表面上的Cu原料,析出Cu。此后,停止供給H2氣和高頻電力,從腔室1內(nèi)排出H2氣。通過使這樣的一系列工序反復(fù)規(guī)定的次數(shù),可以形成Cu膜。
此外,在圖5的成膜裝置100’中,也可以進(jìn)行利用熱CVD法的Cu成膜。此外,在成膜裝置100’中,也可以采用將Ar氣直接供給至Cu原料供給源21的結(jié)構(gòu)。此外,還原性氣體不限于是H2氣,也可以使用NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH等。此外,載體氣體也不限于Ar氣,也可以使用He氣、N2氣等惰性氣體。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法,是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前對該基板實(shí)施的基板處理方法,其特征在于,包括準(zhǔn)備形成有Cu膜的基板的準(zhǔn)備工序;和對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的處理工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其特征在于,所述處理工序通過加熱處理、激光照射處理、等離子體處理中的任一種進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性顯示出相對于Cu的(111)面的晶格不匹配性小的取向性。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,所述基底材料是Ru、Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu、Ti、Zn中的任一種。
5.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,所述基底材料是Ru、Ti、Zn中的任一種,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?001)面或(002)面。
6.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,所述基底材料是Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu中的任一種,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?111)面。
7.一種成膜方法,其特征在于,包括準(zhǔn)備在基底材料表面上形成有Cu膜的基板的準(zhǔn)備工序;對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的處理工序;和在所述處理工序后,在所述基板的基底材料表面上形成Cu膜的成膜工序。
8.如權(quán)利要求7所述的成膜方法,其特征在于,所述處理工序通過加熱處理、激光照射處理、等離子體處理中的任一種進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求7或8所述的成膜方法,其特征在于,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性顯示出相對于Cu的(111)面的晶格不匹配性小的取向性。
10.如權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,所述基底材料是Ru、Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu、Ti、Zn中的任一種。
11.如權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,所述基底材料是Ru、Ti、Zn中的任一種,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?001)面或(002)面。
12.如權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,所述基底材料是Al、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Ir、Cu中的任一種,在所述處理工序中,對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性取向?yàn)?111)面。
13.如權(quán)利要求7~12中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,所述成膜工序利用CVD法進(jìn)行。
14.一種成膜裝置,用于在基板的基底材料表面形成Cu膜,其特征在于,包括對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的基板處理機(jī)構(gòu);和在由所述基板處理機(jī)構(gòu)的處理完成后的所述基板的基底材料表面形成Cu膜的成膜機(jī)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的成膜裝置,其特征在于,所述基板處理機(jī)構(gòu)是加熱板裝置、激光照射處理裝置、等離子體處理裝置中的任一種。
16.如權(quán)利要求14或15所述的成膜裝置,其特征在于,所述Cu成膜機(jī)構(gòu)是利用CVD法形成Cu膜的CVD裝置。
17.一種計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,其通過控制在基板的基底材料的表面上形成Cu膜的成膜裝置的計(jì)算機(jī)而被實(shí)施,實(shí)現(xiàn)下述控制實(shí)施對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料的表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性,并在該基板處理后,在所述基板的基底材料表面形成Cu膜。
18.如權(quán)利要求17所述的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,其通過控制在基板的基底材料的表面上形成Cu膜的成膜裝置的計(jì)算機(jī)而被實(shí)施,實(shí)現(xiàn)利用加熱處理、激光照射處理、等離子體處理中的任一種實(shí)施所述基板處理的控制。
19.如權(quán)利要求17或18所述的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,其通過控制在基板的基底材料的表面上形成Cu膜的成膜裝置的計(jì)算機(jī)而被實(shí)施,實(shí)現(xiàn)利用CVD法形成所述Cu膜的控制。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基板處理方法,是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前對該基板實(shí)施的基板處理方法,其特征在于,包括準(zhǔn)備形成有Cu膜的基板的準(zhǔn)備工序;對該基板進(jìn)行規(guī)定的處理,使所述基板的基底材料表面的結(jié)晶性顯示出與該Cu膜的晶格不匹配小的取向性的處理工序。
文檔編號H01L21/285GK101053072SQ200680001098
公開日2007年10月10日 申請日期2006年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月23日
發(fā)明者吉井直樹, 松澤興明, 小島康彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社