專利名稱：半導(dǎo)體硅晶片的微波雜化和等離子體快速熱處理的制作方法
半導(dǎo)體硅晶片的微波雜化和等離子體快速熱處理 相關(guān)申請交叉參照
根據(jù)35 U. S. C. §119 (e)，該申請要求于2007年1月25日提交的美國 臨時專利申請No. 60/897,450的權(quán)益，在此將該申請的內(nèi)容并入作為參考。
關(guān)于聯(lián)邦政府發(fā)起的研究或開發(fā)的陳述
N/A
本發(fā)明的背景
每分鐘幾百度加熱速度的快速熱處理(RTP)被應(yīng)用于優(yōu)選低熱預(yù)算的 半導(dǎo)體工業(yè)中。例如，在超小IC生產(chǎn)過程中希望低熱預(yù)算來防止摻雜劑再 分布。同樣，在電子工業(yè)，RTP在超大規(guī)模集成電路工藝中也有應(yīng)用，其 中超薄柵氧化物的生長以及注入的離子種類的激活退火通常都是通過RTP 進(jìn)行的。在光伏(PV)行業(yè)，RTP被用于很多不同的目的，例如Si晶片的 摻雜磷(P)，表面上生長鈍化氧化物，隧道氧化物，鍍金屬，等。
RTP能夠進(jìn)行常規(guī)加熱程序(例如石英管爐)不能進(jìn)行的快速熱循環(huán)。 使用常規(guī)爐，不能達(dá)到每分鐘幾百度的快速加熱速度。通常，RTP裝置中 的處理時間在1(TM()i秒的范圍內(nèi)，這包括加熱，濕透(soaking),和冷卻 持續(xù)時間。為了達(dá)到這么快的加熱速度，通常，RTP裝置使用一個輻射源 例如激光，紅外，或電子/離子束源，或者鎢絲鹵素?zé)簟Ｈ绻褂脝蜗蜉?射源來加熱，則厚度為"d"的硅晶片的中間的溫度由下列式子表示
其中，T。是晶片表面上所測量的溫度，Dth是硅的熱擴(kuò)散率，并且t是 熱響應(yīng)時間。本發(fā)明的簡述
微波能被用作快速熱處理半導(dǎo)體晶片和其他能夠吸收微波的基片的輻 射源。
一方面，由微波調(diào)制器材料形成的雜化材料被用來在晶片上提供溫度 均勻性，并且避免晶片由于熱應(yīng)力的發(fā)展而導(dǎo)致的破裂。雜化材料還被用 來避免由于微波沿著邊緣衍射而導(dǎo)致的邊緣過熱。
在該方法的一個實施方案中，待加熱的基片被設(shè)置在空腔中。包括微 波調(diào)制器材料的雜化材料根據(jù)基片定位來在到達(dá)至少一部分基片之前削弱 微波輻射。微波輻射被引入到空腔中來加熱該基片。至少一部分微波輻射 在到達(dá)基片之前被雜化材料削弱，以至于該雜化材料使得熱量更均勻地分 布到基片上。
另一方面，微波產(chǎn)生的大氣壓力等離子體被用來直接或間接地加熱該 晶片。例如，金屬材料的外殼防止晶片與等離子接觸，特別是在邊緣接觸。
在該方法的一個實施方案中，待加熱基片被至少部分地封閉在包括導(dǎo) 熱材料的外殼中。封閉在外殼中的基片被設(shè)置在空腔中。空腔中的氣體受 到微波輻射的影響而產(chǎn)生加熱基片的等離子體，該基片通過在空腔中形成 等離子體而被加熱。
附圖的描述
通過結(jié)合附圖所進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明將被更充分地理解，其中


圖1是雜化微波快速熱處理裝置的示意圖； 圖2是微波調(diào)制的示意圖3是使用圖1所示裝置對晶片進(jìn)行雜化微波加熱的時間-溫度循環(huán)圖； 圖4是發(fā)生微波的等離子體快速熱處理裝置的示意圖； 圖5是使用圖4所示的裝置對晶片發(fā)生微波等離子加熱的時間-溫度循 環(huán)圖6A是與圖4的裝置一起使用的具有連續(xù)頂板的外殼的平面圖； 圖6B是與圖4的裝置一起使用的具有頂板的外殼的平面圖，其中頂板 上具有幾個開口；
圖6C是與圖4的裝置一起使用的具有頂板的外殼的平面圖，其中頂板
7上具有一個比較大的開口。 本發(fā)明的詳細(xì)描述
在本方面的一個方面，參照圖1概括地描述了加熱晶片(例如，Si晶片) 的雜化微波快速熱處理(RTP)方法。待被加熱的晶片12放在具有微波輻射 源(例如，2.45 GHz)的微波空腔14中來加熱該晶片。該晶片與由合適的微 波調(diào)制器材料如SiC形成的雜化材料18熱交流。雜化材料將熱均勻地分布 到晶片，防止了熱沖擊，該熱沖擊能夠在加熱和冷卻期間引起晶片裂紋或 斷裂。如果有必要防止雜化材料擴(kuò)散到晶片和/或基座上，則將緩沖器或 絕緣層20放置在雜化材料與晶片之間或者支撐基座下面。例如，來自雜化 材料的SiC能夠擴(kuò)散出C進(jìn)入Si晶片中。石英形成了合適的緩沖器，這是 因為其不吸收微波或熱能，所以其不影響熱處理。
如上所述的，雜化材料18將熱量均勻地分布到晶片12上以防止由于 內(nèi)部熱應(yīng)力的發(fā)展所導(dǎo)致的晶片裂縫或斷裂。雜化調(diào)節(jié)器材料優(yōu)選是與晶 片相比具有調(diào)制微波吸收特性的室溫二級微波感受器。雜化材料削弱了到 達(dá)晶片的微波輻射22并且也可通過傳導(dǎo)將熱量轉(zhuǎn)移到晶片。另外，來自晶 片邊緣的微波衍射現(xiàn)象可能導(dǎo)致不希望得到的邊緣過熱。這樣，還優(yōu)選調(diào) 制器材料沿著晶片的邊緣周圍延伸來使邊緣過剩的熱量減小或消除?？紫?率為20-30%的有孔的、部分燒結(jié)的SiC是合適的調(diào)制器材料，這是因為其 可以被加熱和冷卻很多次而不裂縫或斷裂開。還可以使用一些磁性鐵氧體。
更具體地，平面厚樣品的微波吸收可以通過命名為滲透深度Dp的參數(shù) 來表征。在均相陶瓷材料中微波的滲透深度是通過下列方程式給出的
在2.45 GHz的頻率下，自由空間波長、=122.4pm。 tan5和^分別是所 考慮雜化材料的正切損耗因子以及介電常數(shù)值，這可以通過技術(shù)文獻(xiàn)獲得。 在使用室溫感受器作為調(diào)節(jié)器的裝置中，上述方程式可以用來計算調(diào)節(jié)器 內(nèi)的微波衰減。調(diào)制器材料中衰減的概念示意性地描述于圖2中，圖2描 述了微波輻射22在到達(dá)試樣工件26之前透過調(diào)制器材料24傳輸。
例如，當(dāng)圍繞Si晶片放置的時候，SiC是合適的調(diào)制器材料。使用上
8式計算的Dp顯示了，在室溫下，微波從每個邊滲入SiC約10mm的深度。 這樣，20mm厚的SiC片能夠完全阻止微波在給定的邊上到達(dá)晶片。在 500°C， SiC中的滲透深度值降低到約5mm并且在該溫度，10mm的SiC材 料的塊狀片(bulk piece)就能夠阻止微波到達(dá)晶片。如果微波從晶片上被 完全阻止，則晶片加熱主要是通過SiC板的簡單熱傳遞機(jī)構(gòu)加熱的。另一 方面，厚度低于lmm的SiC可以允許過量的微波能到達(dá)晶片，導(dǎo)致了由于 "衍射效應(yīng)"所導(dǎo)致的邊緣加熱。因此，優(yōu)選選擇調(diào)制器的厚度來保持調(diào)制器 衰減少于50%，以至于至少50%的微波能能夠達(dá)到晶片。類似地，調(diào)制器 材料不應(yīng)該完全封閉晶片，否則的話將有太少的微波能到達(dá)晶片。例如， 調(diào)制器材料通常不需要覆蓋晶片的頂面而使該頂面暴露于微波。
在大的工業(yè)系統(tǒng)中，該工藝越來越成為體積現(xiàn)象并且調(diào)制器和晶片裝 置可以具有很多構(gòu)型。例如，在一個這樣的裝置中，調(diào)制器可以與晶片相 距很遠(yuǎn)的距離。該布置主要通過輻射熱傳遞機(jī)理提供熱量，沒有過傳導(dǎo)的 部分熱量。另外，調(diào)制器材料可以具有不同的構(gòu)型，例如板狀或多個薄桿。 可以配置坩堝狀調(diào)制器來與晶片的形狀匹配，例如用于圓形晶片的圓柱坩 堝。如果晶片是方形或者矩形的話，可以相應(yīng)地成形柑堝。不管調(diào)制器是 如何排列的，都要考慮調(diào)制器與晶片之間的上述能量平衡。
任何合適的微波輻射源16都可以用來產(chǎn)生微波，例如磁控管、速調(diào)管、 或任何其他的微波能量源。微波輻射源可以通過一個或多個波導(dǎo)28直接微 波輻射到空腔14中，或者其可以與空腔直接相連，而不用波導(dǎo)?？涨?4 可以是單級模式或者多級模式。對于大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用，多級微波空腔比尺 寸限制的單級模式空腔更合適。用于測量晶片溫度的高溫計32可以通過視 口34提供于空心墻中。為了更好的微波吸收，晶片優(yōu)選被支撐于空腔的中 心。不吸收微波輻射或者熱能的材料如纖維狀氧化鋁構(gòu)成的基座36是合適 的。與微波輻射源和其他部件相連的合適控制器(沒有顯示)優(yōu)選用來控 制該工藝。
晶片還可以被設(shè)置在空腔內(nèi)的內(nèi)室38中，例如，防止晶片的污染或者 含有可能被引入的氣體。該室適合由石英構(gòu)成，其不阻礙晶片視覺效果并 且不吸收微波或者熱能。空腔14可以是絕緣的以達(dá)到高加熱速度。該工藝 可以同時對多個晶片進(jìn)行處理。另外，雖然該工藝被描述為批量加工，但是其還適合于連續(xù)工藝。
在一個示例性的實施方案中，待加熱的晶片12被夾在兩個干凈的構(gòu)成 緩沖器20的石英板之間。頂板可以是實心的或者在其厚度上包括穿孔。頂 板防止或者減小了晶片與周圍環(huán)境的直接接觸，從而減小或者避免了傳送 性的熱損失，這有助于保持晶片的高加熱速度。該裝置被放置在柱形坩堝 內(nèi)部，該坩堝由調(diào)制器材料18制得。坩堝的高度正好等于或者稍微高于石 英與晶片夾層裝置。這樣的設(shè)置可以用來快速加熱平的大晶片。
使用圖1中所示的具有SiC調(diào)制器材料坩堝和石英緩沖器的裝置，對 在多級模式微波空腔中的Si晶片微波加熱進(jìn)行了測試。通過在這里所描述 的雜化微波程序?qū)崿F(xiàn)了快速加熱到IOO(TC及以上接下來快速冷卻到室溫而 晶片不破裂。圖3描述了時間-溫度循環(huán)，其中使用圖1所示的裝置對Si 晶片加熱。時間-溫度循環(huán)與現(xiàn)有的RTP方法具有可比性并且顯示了可能低 的熱量預(yù)算(t-T曲線下的面積)。使用與不使用調(diào)制器在微波環(huán)境中加熱 Si晶片的對比顯示了當(dāng)存在調(diào)制器材料的時候，相當(dāng)大地減小了邊緣加熱 的強(qiáng)度。
該工藝在節(jié)電方面是有利的，這是因為加熱過程僅僅發(fā)生在晶片上。 例如，在所進(jìn)行的試驗中，微波輸入功率不超過800W來加熱小尺寸試樣。
參照圖4的描述，在基于微波的快速熱處理的另一個方面，微波能首 先被用來在晶片表面上產(chǎn)生大氣壓力等離子體，并且等離子體反過來快速 加熱晶片。等離子體的微波產(chǎn)生通常是已知的。參見例如US公開專利申請 No. US 2005-0233091 ，在此將該申請的內(nèi)容并入作為參考。
將待加熱的晶片42封閉在由頂和底板46，48所形成的金屬外殼44中， 用任何合適的方式，例如用一對螺絲56將他們固定在一起，其中晶片夾在 這頂板和底板之間。外殼中的晶片被設(shè)置在微波空腔50中，空腔50具有 微波輻射源52來產(chǎn)生加熱晶片的等離子體54。外殼44將熱傳導(dǎo)到晶片同 時保護(hù)晶片不與等離子體54接觸，等離子體在一些情況下將與晶片反應(yīng)或 熔融。
在一個實施方案中，金屬外殼44的頂板46是連續(xù)的(參見圖6A)， 覆蓋了整個晶片表面，防止了等離子體與晶片接觸同時依然將熱量傳導(dǎo)到 晶片。在邊緣附近提供了螺絲56的孔58。在這種情況下，來自等離子體的
10加熱間接地作為輻射熱源。在一些情況下，等離子體與晶片的某些接觸也 是可以接受的，以增加由于離子沖擊的加熱。然而太大的等離子體體積不 應(yīng)該與表面直接接觸，這是因為不管提供了多高的加熱速度，通過濺射也 能蝕刻磷表面。在這種情況下，可以使用沖孔頂板。然而，外殼應(yīng)該覆蓋
晶片的周圍來防止晶片邊緣的過量加熱。圖6B和6C中顯示了兩個沖孔外 殼頂板的實施方案。圖6B顯示了其中具有幾個開口 62的頂板46'。圖6C 顯示了具有單個較大開口 64的頂板46"。開口的尺寸和數(shù)量是基于防止表 面蝕刻的需要選擇的。
某些金屬是外殼的合適材料，這是因為它們能夠快速地將熱量傳導(dǎo)到 晶片并且是相對便宜的。該金屬具有足夠高的熔融溫度，例如高于100(TC， 以至于其不在空腔中熔融。外殼的表面優(yōu)選具有拋光處理表面以與晶片很
好地接觸。合適的金屬包括奧氏體鎳基超耐熱合金，例如，INCONEL , 和不銹鋼。
任何合適的微波輻射源52都可以用來產(chǎn)生微波，例如磁控管，速調(diào)管， 或任何其它微波能源。微波輻射源可以通過一個或多個波導(dǎo)66直接將微波 輻射導(dǎo)入空腔，或者其可以直接連接到空腔，而省略波導(dǎo)?？涨豢梢允菃?級或多級模式的。對于大規(guī)模的工業(yè)申請，多極模式微波空腔比尺寸受限 的單級模式的空腔更加合適。合適的絕緣可以提供到空腔上來增加加熱速 度。用于測量晶片溫度的高溫計68可以通過視口 72提供于空心墻中。為 了更好的加熱，晶片優(yōu)選被支撐于空腔的中心。不吸收微波輻射或者熱能 的材料如纖維狀氧化鋁構(gòu)成的基座74是合適的。
晶片優(yōu)選設(shè)置于內(nèi)室或者容器76中來包含等離子體54?？涨换蛉萜魍?過管線和控制閥(沒有顯示)與一個或多個氣體源(例如氬氣，氮氣、氙 氣、氪氣源等)連接。進(jìn)入空腔或者容器的微波輻射78點燃內(nèi)部的等離子 體?？梢韵蚩涨换蛘呷萜髦屑尤肴芜x的被動(passive)或活性等離子體催 化劑來點燃、調(diào)節(jié)和保持等離子體。
優(yōu)選使用與微波輻射源、氣體源和其它部件相連的合適的控制器(沒 有顯示)來控制該工藝。該工藝可以一次處理多個晶片，只要等離子體被 合適地限制。另外，雖然該工藝被描述為批量工藝，但是其可以應(yīng)用于連 續(xù)的工藝，同樣只要等離子體被合適地限制。
ii使用圖4中所顯示的裝置，通過用INCONEL⑧金屬外殼封閉晶片進(jìn)行 試驗來測試多級模式微波空腔中Si晶片的等離子體微波加熱。通過該工藝， 達(dá)到了快速加熱到90(TC及以上的溫度，接下來快速冷卻到室溫而晶片不破 裂。在該試驗中獲得的時間一溫度曲線顯示于圖5中。該時間一溫度循環(huán) 與現(xiàn)有的RTP方法是相當(dāng)?shù)模⑶绎@示了通過等離子體微波加熱工藝可能 達(dá)到低的熱預(yù)算。
使用四探針電阻率程序測試了晶片的電阻。根據(jù)雜化微波和等離子體 微波RTP處理的試樣的值與使用現(xiàn)有的RTP程序處理的試樣的值是相當(dāng) 的，這表明雜化和等離子微波處理工藝都形成了由淺到深的p-n節(jié)。
與現(xiàn)有的RTP設(shè)備和工藝相比，所描述的雜化和等離子體微波RTP工 藝具有幾方面優(yōu)點。大多數(shù)現(xiàn)有的RTP機(jī)器可以以單晶片反應(yīng)器獲得。雜 化的和等離子體微波RTP設(shè)備可以為具有較高生產(chǎn)量的大面積開發(fā)。
在目前使用鉤絲鹵素?zé)糇鳛槟芰吭吹腞TP機(jī)中，能量轉(zhuǎn)移機(jī)理作為兩 步驟工藝出現(xiàn)。首先，在晶片開始吸收光能之前，鹵素源中的鎢絲被電加 熱到2000-3000K。雖然與常規(guī)的熔爐工藝(CFP)相比，燈加熱是能量有 效的，但是該效率依然沒有所描述的微波加熱技術(shù)的效率高。
燈加熱是有方向的，并且與底表面相比，晶片暴露表面更加有效。因 此，除了幾個燈源外，鍍金反射器對于有效的體積加熱也是需要的。相反， 微波加熱本身就是體積加熱工藝。
光吸收是厚度依賴性的，并且不均勻的加熱對于大表面晶片來說通常 是一個問題。本發(fā)明的雜化和等離子體微波加熱對大表面晶片提供了更均 勻的加熱。
這些工藝是結(jié)合Si晶片描述的。其它晶片材料也可以通過該工藝加熱， 例如，GaAs (砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaN (氮化鎵)、Ge (鍺)、InP (磷化 銦)、ZnO (氧化鋅)、SiC (碳化硅)、CdSe (硒化鎘)、CdTe (碲化鎘)、ZnS (硫 化鋅)、ZnSe(硒化鋅)和ZnTe(碲化鋅)晶片，以及本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其 它材料。
除了由所附的權(quán)利要求書所述的范圍外，本發(fā)明不受具體顯示和描述 的限制。
1權(quán)利要求
1.一種用于快速熱處理基片的雜化微波方法，其包括將待加熱的基片設(shè)置在空腔中；提供包括微波調(diào)制器材料的雜化材料，該雜化材料根據(jù)基片來設(shè)置，從而在微波輻射達(dá)到至少一部分基片之前調(diào)節(jié)微波輻射；并且向空腔中引入微波輻射來加熱基片，在到達(dá)基片前通過雜化材料來調(diào)節(jié)至少一部分微波輻射，其中雜化材料使得熱更均勻地分布到基片上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 的微波能到達(dá)晶片的厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 的微波能到達(dá)晶片的構(gòu)型。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 片邊緣的微波輻射。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 個表面和邊緣熱傳導(dǎo)接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料具有允許至少50% 其中所述雜化材料具有允許至少50% 其中所述雜化材料設(shè)置為削弱到達(dá)基 其中所述雜化材料設(shè)置為與基片的一 其中所述雜化材料包括板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料包括多個棒。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料包括坩堝，該坩堝 具有構(gòu)造為與基片匹配的底表面和邊緣。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料與基片相隔開。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料包括碳化硅。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述雜化材料包括磁性鐵氧體材料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在基片和雜化材料之間 設(shè)置緩沖器，該緩沖器包括基本不吸收微波輻射的材料。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述緩沖器材料包括石英。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述緩沖器包括頂板和底板， 所述基片夾在頂板和底板之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述緩沖器的頂板是連續(xù)實心的。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述緩沖器的頂板是穿孔的。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括將基片設(shè)置在空腔內(nèi)的 內(nèi)室中。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基片包括半導(dǎo)體晶片。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基片包括硅、砷化鎵、磷 化鎵、氮化鎵、鍺、磷化銦、氧化鋅、碳化硅、硒化鎘、碲化鎘、硫化鋅、 硒化鋅或碲化鋅晶片材料。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述空腔是單級模式或多級模式 空腔。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述空腔是絕緣的。
22. —種用于快速熱處理基片的等離子體微波方法，其包括將待加熱的基片至少部分地封閉在包括導(dǎo)熱材料的外殼中； 將封閉在外殼中的基片設(shè)置在空腔中；通過使空腔中的氣體接收微波輻射而在空腔中形成等離子體來加熱基 片，從而使等離子體加熱基片。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述外殼至少封閉了基片的邊緣。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述外殼包括頂板和底板，基 片夾在頂板和底板之間。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述外殼的頂板是連續(xù)實心的。
26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述外殼的頂板是穿孔的。
27. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述外殼包括金屬。
28. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述外殼包括奧氏體鎳-基超耐 熱合金或不銹鋼。
29. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進(jìn)一步包括在空腔中提供等離子 體催化劑來點燃、調(diào)節(jié)和保持等離子體。
30. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述等離子體在大氣壓下形成。
31. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其進(jìn)一步包括將基片設(shè)置在空腔內(nèi) 的內(nèi)室中。
32. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述基片包括半導(dǎo)體晶片。
33. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述基片包括硅、砷化鎵、磷 化鎵、氮化鎵、鍺、磷化銦、氧化鋅、碳化硅、硒化鎘、碲化鎘、硫化鋅、 硒化鋅或碲化鋅晶片材料。`
34. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述空腔是單級模式或多級模 式空腔。
35. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述空腔是絕緣的。
全文摘要
微波能被用作快速熱處理半導(dǎo)體硅晶片的輻射源。一方面，由微波調(diào)制器材料形成的雜化材料被用來在硅晶片上提供溫度均勻性，并且避免由于熱應(yīng)力的發(fā)展而導(dǎo)致硅晶片的裂縫或斷裂。另一方面，所產(chǎn)生的微波大氣壓力等離子體被用來直接或間接地加熱該硅晶片。
文檔編號H01L21/00GK101669191SQ200880004818
公開日2010年3月10日 申請日期2008年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者D·A·賽科姆, D·庫馬爾, M·K·赫斯特, M·德姆查克, R·皮拉姆杜, S·庫馬爾, 黃宗猷 申請人:Btu國際公司