專利名稱：基板吸附裝置和基板搬送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板吸附裝置和基板搬送裝置，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及即 使是存在彎曲、翹曲的半導(dǎo)體晶片等薄基板也能夠可靠地吸附、保持 的基板吸附裝置和基板搬送裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的這種基板搬送裝置裝配在半導(dǎo)體晶片等基板的處理裝置 上。因此，作為處理裝置以半導(dǎo)體晶片的檢查裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。這種檢查裝置具有進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的電氣特性檢查的探測(cè)針(probe)室， 和與探測(cè)針室鄰接的裝載(loader)室。探測(cè)針室具備載置半導(dǎo)體晶 片的可移動(dòng)的載置臺(tái)；配置在載置臺(tái)的上方的探測(cè)針卡；和對(duì)探測(cè)針 卡的多個(gè)探測(cè)針和半導(dǎo)體晶片的多個(gè)電極墊進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，在 半導(dǎo)體晶片的對(duì)準(zhǔn)后，使半導(dǎo)體晶片與探測(cè)針卡的探測(cè)針電連接從而 進(jìn)行規(guī)定的檢查。裝載室以如下方式構(gòu)成，即，具有以盒單位收納多 個(gè)半導(dǎo)體晶片的收納部，和具有在盒與探測(cè)針室之間搬送半導(dǎo)體晶片 的鑷子(tweezers)的基板搬送裝置(以下稱為"晶片搬送裝置")，利 用鑷子將盒內(nèi)的半導(dǎo)體晶片一枚一枚地取出，進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)后，向探測(cè)針 室搬送，將檢査完畢的半導(dǎo)體晶片從探測(cè)針室向盒內(nèi)的原來(lái)的地方搬 送。鑷子作為吸附保持半導(dǎo)體晶片的吸附體而構(gòu)成。作為這種吸附體， 例如已知有真空吸附半導(dǎo)體晶片的真空吸盤、在專利文獻(xiàn)1中記載的 利用伯努利(Bernoulli)原理吸附保持半導(dǎo)體晶片的伯努利吸盤。真空 吸盤以從下面吸附半導(dǎo)體晶片的方式構(gòu)成，伯努利吸盤以從上面吸附 半導(dǎo)體晶片的方式構(gòu)成。但是，半導(dǎo)體晶片其傾向是變得越來(lái)越薄，容易發(fā)生彎曲、翹曲， 所以如果例如圖5所示那樣將盒1內(nèi)的多枚半導(dǎo)體晶片在上下方向以 規(guī)定間隔收納，則存在在半導(dǎo)體晶片的翹曲上下相反的狀態(tài)下收納的情況。在這種情況下，如果使用現(xiàn)有的鑷子2，則由于在上下的半導(dǎo)體 晶片之間沒(méi)有縫隙而無(wú)法插入鑷子2，所以無(wú)法取出上下的半導(dǎo)體中的任意一個(gè)。此外，雖然沒(méi)有圖示，在敏置臺(tái)上能夠出沒(méi)地設(shè)置有例如3根銷，在多個(gè)銷從載置面突出的狀態(tài)下在載置臺(tái)與鑷子之間進(jìn)行半導(dǎo) 體晶片的交接，因此如果在利用鑷子從載置臺(tái)接收半導(dǎo)體晶片時(shí)半導(dǎo) 體晶片向下方彎曲，則在鑷子為真空吸盤的情況下存在不能將鑷子插 入半導(dǎo)體晶片與載置面之間的情況。在這種情況下，必須使銷變長(zhǎng)， 確保將鑷子插入半導(dǎo)體晶片與載置面之間的間隙。專利文獻(xiàn)1:日本特愿平8-203984 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種能夠 根據(jù)半導(dǎo)體晶片等基板的大的彎曲或翹曲的情況，選擇基板的上面和 下面中的任一面作為吸附面從而可靠地吸附保持并搬送基板的基板吸 附裝置和基板搬送裝置。本發(fā)明第一方面的基板吸附裝置，具有在搬送基板時(shí)吸附保持上述基板的吸附體，其特征在于，上述吸附體包括根據(jù)伯努利原理從 上面吸附保持上述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附上述基板 的第二吸附單元。此外，本發(fā)明的第二方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第一 方面的發(fā)明中，上述第一吸附單元具有在上述吸附體的下面形成的 多個(gè)凹陷部，和在這些凹陷部的內(nèi)周面開(kāi)口并且向上述凹陷部?jī)?nèi)噴出 氣體而在上述凹陷部?jī)?nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流的噴出孔。此外，本發(fā)明的第三方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第二 方面的發(fā)明中，在上述吸附體的下面具有與上述基板之間形成間隙的 接觸部件，在上述間隙中形成水平氣流。此外，本發(fā)明的第四方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第一 第三方面的任何一項(xiàng)的發(fā)明中，上述吸附體構(gòu)成為能夠根據(jù)基板的大 小進(jìn)行切換。本發(fā)明的第五方面的基板搬送裝置，其具備具有吸附保持基板的 吸附體的基板吸附裝置，使上述吸附體移動(dòng)來(lái)搬送基板，其特征在于，上述吸附體包括根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持上述基板的第一吸 附單元，和從下面真空吸附上述基板的第二吸附單元。本發(fā)明的第六方面的基板搬送裝置，其特征在于，包括對(duì)保持 在筐體內(nèi)的多個(gè)基板以及各自的中央部的向上下方向的變位進(jìn)行檢測(cè) 的檢測(cè)裝置；根據(jù)上述檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果對(duì)上述基板的變位的方向 進(jìn)行判別的判別單元；和具有吸附保持上述基板的吸附體的基板吸附 裝置，該基板搬送裝置根據(jù)上述判別單元的判別結(jié)果使上述吸附體移 動(dòng)從而搬送上述筐體內(nèi)的基板，其中，上述吸附體具有根據(jù)伯努利 原理從上面吸附保持上述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附上 述基板的第二吸附單元，當(dāng)利用上述吸附體搬送上述基板時(shí)，根據(jù)上 述判別單元的判別結(jié)果自動(dòng)選擇上述第一吸附單元或者上述第二吸附 單元。此外，本發(fā)明的第七方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第五 或第六方面的發(fā)明中，上述第一吸附單元具有在上述吸附體的下面 形成的多個(gè)凹陷部，和在這些凹陷部的內(nèi)周面開(kāi)口并且向上述凹陷部 內(nèi)噴出氣體，在上述凹陷部?jī)?nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流的噴出孔。此外，本發(fā)明的第八方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第七 方面的發(fā)明中，在上述吸附體的下面具有與上述基板之間形成間隙的 接觸部件，在上述間隙中形成水平氣流。此外，本發(fā)明的第九方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第五 第八方面的任何一項(xiàng)的發(fā)明中，上述吸附體構(gòu)成為能夠根據(jù)基板的大 小進(jìn)行切換。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠根據(jù)半導(dǎo)體晶片等基板的大的彎 曲或翹曲的情況，選擇基板的上面和下面中的任一面作為吸附面而可 靠地吸附保持并搬送基板的基板吸附裝置和基板搬送裝置。


圖1 (a)、 (b)是分別表示適用本發(fā)明的基板搬送裝置的一個(gè)實(shí)施 方式的檢查裝置的圖，(a)是其平面圖，(b)是表示(a)所示的檢查 裝置的基板搬送裝置與盒的關(guān)系的結(jié)構(gòu)圖。圖2 (a)、 (b)是分別表示圖l所示基板搬送裝置的吸附體的圖，(a) 是表示其下面的平面圖，(b)是將(a)所示主要部分沿水平方 向切斷后的截面圖。
圖3 (a) (c)是表示圖2所示吸附體的圖，(a)是其長(zhǎng)邊方向 的截面圖，(b)、 (c)是分別擴(kuò)大表示主要部分的截面圖。
圖4 (a)、 (b)是分別表示吸附體的其它實(shí)施方式的下面?zhèn)鹊钠矫鎴D。
圖5是部分地表示收納在盒內(nèi)的半導(dǎo)體晶片的正面圖。
符號(hào)說(shuō)明
10檢查裝置
10A控制裝置
10B判別部
17鑷子(吸附體、基板吸附裝置)
17C測(cè)量(mapping)傳感器(檢測(cè)裝置)
18晶片搬送裝置(基板搬送裝置)
171第一吸附單元
171A凹陷部
171B噴出孔
171D接觸體(接觸部件) W 半導(dǎo)體晶片(基板)
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)圖1 圖4所示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。其中， 在各圖中，圖].的(a)、 (b)是分別表示適用本發(fā)明的基板搬送裝置 的一個(gè)實(shí)施方式的檢查裝置的圖，(a)是其平面圖，(b)是表示(a) 所示檢查裝置的基板搬送裝置與盒的關(guān)系的結(jié)構(gòu)圖，圖2的(a)、 (b) 是分別表示圖1所示基板搬送裝置的吸附體的圖，(a)是表示其下面 的平面圖，(b)是將(a)所示主要部位沿水平方向切斷后的截面圖， 圖3的(a) (c)是表示圖2所示吸附體的圖，(a)是其長(zhǎng)邊方向的 截面圖，(b)、 (c)是分別擴(kuò)大表示主要部位的截面圖，圖4的(a)、
(b) 是分別表示吸附體的其它實(shí)施方式的下面?zhèn)鹊钠矫鎴D。 本實(shí)施方式的檢査裝置10，例如如圖1的(a)所示，具備進(jìn)行基板(例如，半導(dǎo)體晶片)W的電氣特性檢查的探測(cè)針室11，和與探測(cè)
針室11鄰接并搬送半導(dǎo)體晶片W的裝載室12，以在控制裝置10A的 控制下對(duì)探測(cè)針室11和裝載室12各自的各種機(jī)器進(jìn)行控制的方式構(gòu) 成。
如圖1的(a)、 (b)所示，探測(cè)針室11具備在X、 Y和Z方向 能夠自由移動(dòng)的載置半導(dǎo)體晶片W的主吸盤13;配置在該主吸盤13
的上方的探測(cè)針卡14;和對(duì)該探測(cè)針卡14的多個(gè)探測(cè)針(未圖示)與
主吸盤13上的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)15，如上上述，以 在控制裝置10A的控制下進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的檢查的方式構(gòu)成。對(duì)準(zhǔn) 機(jī)構(gòu)15具有:對(duì)主吸盤13上的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行攝影的照相機(jī)15A; 安裝有照相機(jī)15A的對(duì)準(zhǔn)橋(alignment bridge) 15B;和將對(duì)準(zhǔn)橋15B 在初期位置與探測(cè)針中心(探測(cè)針卡的中心的正下方)之間移動(dòng)引導(dǎo) 的一對(duì)導(dǎo)軌15C，該對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)15與附設(shè)在主吸盤13上的照相機(jī)(未 圖示)協(xié)同動(dòng)作，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W和探測(cè)針的對(duì)準(zhǔn)。
此外，如圖1的(a)所示，裝載室12具備用來(lái)容納收納有多 個(gè)半導(dǎo)體晶片的盒C的前后兩個(gè)第一、第二裝載舟16、 16，和具有配 置在第一、第二裝載舟16、 16之間的吸附體(鑷子)17的基板搬送裝 置(以下，稱為"晶片搬送裝置"。)18，以在控制裝置10A的控制下 對(duì)晶片搬送裝置18等各種機(jī)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方式構(gòu)成。并且，第一、第 二裝載舟16、 16具有同樣的結(jié)構(gòu)。
如圖l的(a)、 (b)所示，本實(shí)施方式的晶片搬送裝置18具備 具有用于搬送半導(dǎo)體晶片W的鑷子17的晶片吸附裝置；使鑷子17在 基臺(tái)18A上沿水平方向移動(dòng)的同時(shí)使鑷子17與基臺(tái)18A —起沿上下 方向移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)18B;和對(duì)收納在盒C內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體晶片W進(jìn) 行測(cè)量的同時(shí)，光學(xué)地檢測(cè)半導(dǎo)體晶片W的翹曲、彎曲的測(cè)量傳感器 18C。鑷子17能夠處理大小不同的半導(dǎo)體晶片W，例如以能夠搬送6 英寸和8英寸的半導(dǎo)體晶片W的雙方的方式構(gòu)成。測(cè)量傳感器18C例 如設(shè)置在晶片搬送裝置18的一部分上，例如同圖的(b)所示那樣設(shè) 置在基臺(tái)18A的前端部。此夕卜，在基臺(tái)18A上設(shè)置有子吸盤(sub-chuck) 19，通過(guò)子吸盤19進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的預(yù)對(duì)準(zhǔn)。
此外，如圖2的(a)、 (b)和圖3的(a) (c)所示，本實(shí)施方式的晶片吸附裝置的鑷子17包括形成在下側(cè)的基板(以下，稱為"第 一基板")上并根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持半導(dǎo)體晶片W的第一 吸附單元171，和形成在上側(cè)的基板(以下，稱為"第二基板")上并 利用外部空氣的吸引從下面吸附保持上述基板的第二吸附單元172，其 中，第一、第二基板形成為同一形狀并相互接合，由此構(gòu)成上述鑷子
17。第一吸附單元171主要在半導(dǎo)體晶片W向下方翹曲或者向下方彎 曲，利用第二吸附單元172不能吸附保持半導(dǎo)體晶片W時(shí)使用。
此外，如圖2的(a)和圖3的(a)所示，鑷子17由外徑形成為 比半導(dǎo)體晶片W小并且內(nèi)徑形成為比子吸盤19的外徑大的環(huán)狀部
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在環(huán)狀部17A的前端側(cè)(左側(cè))沿寬度方向隔著規(guī)定間隔連接設(shè)置的 2個(gè)地方的突出部17C所構(gòu)成，以在環(huán)狀部17A能夠吸附保持半導(dǎo)體 晶片W的方式形成。在鑷子的基部17B的下面安裝有晶片傳感器17D， 利用該晶片傳感器17D對(duì)通過(guò)第一吸附單元171吸附在鑷子17的下面 的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行檢測(cè)。該鑷子17以能夠根據(jù)半導(dǎo)體晶片W的大 小，例如在6英寸與8英寸之間切換使用的方式構(gòu)成。
如圖2的(a)、 (b)和圖3的(a)、 (b)所示，第一吸附單元171 具有在第一基板的環(huán)狀部17A的下面沿周方向隔著相等間隔形成的 多個(gè)(在本實(shí)施方式中為6個(gè))凹陷部171A;在這些凹陷部171A的 內(nèi)周面在沿周方向隔著180°的2個(gè)地方開(kāi)口并且向凹陷部171A內(nèi)噴 出氣體(例如空氣)從而在凹陷部171A內(nèi)形成如圖3的(a)、 (b)所 示那樣的旋轉(zhuǎn)氣流的噴出孔171B;與這些噴出孔171B連通并且沿環(huán) 狀部17A形成的第一氣體流路171C;和向第一氣體流路171C供給高 壓空氣的高壓空氣源(未圖示)。
在環(huán)狀部17A的下面的附近在4個(gè)地方設(shè)置有與半導(dǎo)體晶片W接 觸的接觸體171D。 2個(gè)接觸體171D在基部17B的寬度方向隔著規(guī)定 間隔安裝。此外，剩余的接觸體171D安裝在突出部17C上。這些接 觸體171D均由橡膠等彈性部件形成，與半導(dǎo)體晶片W彈性接觸，在 與環(huán)狀部17A的下面之間形成間隙。
如圖2的(b)和圖3的(a)、 (b)所示，第一氣體流路17—C在 第一基板的基部17B上面形成為槽狀，該槽與包圍凹陷部171A的深的環(huán)狀槽相連而形成為一體，通過(guò)與第二基板接合將槽和環(huán)狀槽密封
而形成。凹陷部171A的各噴出孔171B分別如圖2的(a)所示，以從 環(huán)狀槽在與凹陷部171A的內(nèi)周面形成的圓環(huán)狀的壁隔著180°的位置 上相互平行的方式貫通，從各自的噴出孔171B向凹陷部171A的內(nèi)周 面噴射高壓空氣從而在凹陷部171A內(nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流。
因此，在鑷子17在下面隔著接觸體171D與半導(dǎo)體晶片W接觸的 狀態(tài)下，如果從高壓空氣源向第一氣體流路171C供給高壓空氣，則空 氣就從6個(gè)地方的凹陷部171A的各噴出孔171B向凹陷部171A的內(nèi) 周面高速噴出，通過(guò)該內(nèi)周面的作用，形成如圖3的(a)、 (b)中箭 頭A所示那樣的旋轉(zhuǎn)氣流，同時(shí)從與半導(dǎo)體晶片W的間隙向外部噴出。 此時(shí)，如圖3的(a)、 (b)所示，在凹陷部171A內(nèi)根據(jù)伯努利原理在 空氣的旋轉(zhuǎn)氣流的內(nèi)側(cè)形成減壓空間，同時(shí)在凹陷部171A的外側(cè)通過(guò) 從凹陷部171A向與半導(dǎo)體晶片W的間隙噴出的水平氣流，使間隙比 半導(dǎo)體晶片W的下面低壓，所以能夠在圖3的(a)所示的鑷子17的 下面吸附保持半導(dǎo)體晶片W。
此外，如圖3的(a)、 (c)所示，第二吸附單元172具有在第 二基板的環(huán)狀部17A的上面相互隔著180。的位置安裝的2個(gè)吸附墊 172A;以與這些吸附墊172A的孔連通的方式形成在第二基板內(nèi)的第 二氣體流路172B;和連接在第二氣體流路172B上的真空泵(未圖示)， 由此構(gòu)成現(xiàn)在公知的抽真空的吸附部。2個(gè)吸附墊172具有以下位置關(guān) 系，即連接它們的接線與通過(guò)鑷子17的基部17B的寬度方向的中心的 直線正交。
在圖2和圖3中，對(duì)鑷子17是一個(gè)整體的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也 可以如圖4的(a)、 (b)所示那樣，構(gòu)成為被分割成2部分的鑷子17'。 該鑷子17'如該圖的(a)、 (b)所示，作為形成為左右對(duì)稱的一對(duì)分割 鑷子17'A而形成，各分割鑷子17'A，基端部通過(guò)棒狀的引導(dǎo)部件17'B 可伸縮地連接。并且，左右的分割鑷子17，A按照引導(dǎo)部件17，B維持 左右對(duì)稱，同時(shí)以與半導(dǎo)體晶片W的尺寸一致能夠伸縮的方式構(gòu)成。 當(dāng)一對(duì)分割鑷子17'A保持小直徑的半導(dǎo)體晶片Wl時(shí)，如該圖(a) 所示，左右的分割鑷子17'A關(guān)閉，當(dāng)一對(duì)分割鑷子17'A保持大直徑 的半導(dǎo)體晶片W2時(shí)，如該圖(b)所示，左右的分割鑷子17'A打開(kāi)。在關(guān)閉的一對(duì)分割鑷子17'A晶片吸附部的中央形成有比子吸盤19大
的直徑的孔。通過(guò)該孔，在對(duì)半導(dǎo)體晶片W1、 W2進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)時(shí)，鑷 子17，以子吸盤19的載置面為基準(zhǔn)上下升降，在與子吸盤19之間能夠 進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的交接。
此外，鑷子17，與上述鑷子17同樣，在下側(cè)具有第一吸附單元171，， 在上側(cè)具有第二吸附單元(未圖示)。第一、第二吸附單元171，實(shí)質(zhì)上 均具有與上述鑷子17同樣的結(jié)構(gòu)。
此外，子吸盤19與現(xiàn)有技術(shù)一樣，構(gòu)成為將半導(dǎo)體晶片W真空 吸附在載置面的真空吸盤。該子吸盤19與上述鑷子17同樣，也能夠
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接著，對(duì)動(dòng)作加以說(shuō)明。首先，如圖1的(a)、 (b)所示，在晶 片搬送裝置18的鑷子17通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)18B進(jìn)行升降期間，通過(guò)測(cè)量 傳感器18C對(duì)盒C內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)對(duì)各半導(dǎo)體W 的翹曲、彎曲進(jìn)行檢測(cè)，并將檢測(cè)結(jié)果存儲(chǔ)在控制裝置10A的存儲(chǔ)部。 在控制裝置10A中，判別部10B根據(jù)測(cè)量傳感器18C的檢測(cè)結(jié)果對(duì)半 導(dǎo)體晶片W的翹曲方向是向上還是向下進(jìn)行判別。此外，根據(jù)該判別 結(jié)果，利用鑷子17的第一、第二吸附單元171、 172中的任一個(gè)吸附 半導(dǎo)體晶片W。
例如，當(dāng)在盒C內(nèi)半導(dǎo)體晶片W向下方彎曲，利用第二吸附單元 172不能從下面真空吸附半導(dǎo)體晶片W時(shí)，或者下側(cè)的半導(dǎo)體晶片W 向上方翹曲而在其上側(cè)的半導(dǎo)體晶片W彎曲從而導(dǎo)致沒(méi)有插入鑷子17 的間隙時(shí)，根據(jù)測(cè)量傳感器18C的檢測(cè)結(jié)果在控制裝置10A的判別部 10B對(duì)其目的進(jìn)行判別，將晶片搬送裝置18的鑷子17從作為目標(biāo)的 上側(cè)的半導(dǎo)體晶片W的上方的間隙進(jìn)入盒C內(nèi)，利用第一吸附單元171 吸附半導(dǎo)體晶片W。在這種情況下，鑷子17在進(jìn)入的間隙中下降并通 過(guò)接觸體171D與半導(dǎo)體晶片W的上面接觸，同時(shí)從高壓空氣源供給 高壓空氣。
高壓空氣經(jīng)由第一空氣流路171C從各凹陷部171A的噴出孔171B 向凹陷部171A的內(nèi)周面噴射，在凹陷部171A內(nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流，通過(guò) 接觸體171D經(jīng)由與半導(dǎo)體晶片W間形成的間隙作為水平氣流向外部 噴出。此時(shí)，鑷子17，根據(jù)伯努利原理在凹陷部171A內(nèi)在旋轉(zhuǎn)氣流
ii的內(nèi)側(cè)形成減壓空間，此外，在凹陷部171A的外側(cè)利用與半導(dǎo)體晶片
w的間隙的水平氣流使半導(dǎo)體晶片w的上面?zhèn)缺认旅鎮(zhèn)葰鈮旱?，從?br> 從上面吸附保持半導(dǎo)體晶片W。如果利用鑷子17吸附保持半導(dǎo)體晶片 W，則晶片傳感器17D就檢測(cè)出該半導(dǎo)體晶片W，并且鑷子17從盒C 內(nèi)取出半導(dǎo)體晶片W。接著，在晶片搬送裝置18的基臺(tái)18A上的子 吸盤19上進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的識(shí)別，同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的預(yù)對(duì) 準(zhǔn)。
之后，鑷子17在其前端朝向探測(cè)針室11后，到達(dá)探測(cè)針室ll內(nèi) 的主吸盤13的正上方，在將半導(dǎo)體晶片W從鑷子17載置在主吸盤13 的載置面的同時(shí)，主吸盤13真空吸附半導(dǎo)體晶片W。之后，停止從高 壓空氣源向鑷子17的第一吸附單元171供給高壓空氣，從鑷子17放 開(kāi)半導(dǎo)體晶片W之后，鑷子17返回到裝載室12內(nèi)，在探測(cè)針室11 內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片W的檢查。
如果在探測(cè)針室11內(nèi)完成對(duì)半導(dǎo)體晶片W的檢查，則鑷子17就 從裝載室12進(jìn)入探測(cè)針室11內(nèi)，對(duì)于半導(dǎo)體晶片W，從主吸盤13的 載置面在原有的狀態(tài)下利用第一吸附單元171從上面吸附保持半導(dǎo)體 晶片W，將其送回到裝載室12內(nèi)的盒C內(nèi)的原來(lái)的地方。對(duì)于彎曲或 翹曲較大的半導(dǎo)體晶片W，在檢查后從主吸盤13取出時(shí)即使利用3根 銷將半導(dǎo)體晶片W舉起，也由于半導(dǎo)體晶片W向下方彎曲，從而導(dǎo) 致鑷子17不能從半導(dǎo)體晶片W的下側(cè)進(jìn)入。因此，不使用如上上述 的銷，利用鑷子17的第一吸附單元171從主吸盤13的載置面直接吸 附保持半導(dǎo)體晶片W，并送回到裝載室12內(nèi)的盒C內(nèi)。
此外，當(dāng)半導(dǎo)體晶片W的彎曲較小，能夠利用第二吸附單元172 從下面真空吸附半導(dǎo)體晶片W時(shí)，鑷子17進(jìn)入目標(biāo)的半導(dǎo)體晶片W 的下側(cè)的間隙，通過(guò)第二吸附單元172的吸附墊172A從下面吸附保持 半導(dǎo)體晶片W并從盒C內(nèi)取出，載置到探測(cè)針室ll內(nèi)的主吸盤13。 在這種情況下，主吸盤13的3根銷從載置面突出，通過(guò)3根銷將半導(dǎo) 體晶片W載置到載置面。當(dāng)將檢査后的半導(dǎo)體晶片W送回盒C內(nèi)時(shí) 也利用第二吸附單元172從下面吸附保持半導(dǎo)體晶片W。
如上上述，鑷子17根據(jù)測(cè)量傳感器18C的檢測(cè)結(jié)果，在控制裝置 10A的判別部10B對(duì)半導(dǎo)體晶片W的翹曲或彎曲的方向自動(dòng)地進(jìn)行判別，根據(jù)該判別結(jié)果自動(dòng)切換第一吸附單元171和第二吸附單元172，
從上面吸附或從下面吸附半導(dǎo)體晶片w，能夠不損壞盒c內(nèi)的半導(dǎo)體
晶片W就可靠地進(jìn)行檢査。
根據(jù)如上所述的本實(shí)施方式，因?yàn)榫崴脱b置]8包括具有鑷子 17的晶片吸附裝置，鑷子17具有根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持半導(dǎo) 體晶片W的第一吸附單元171，和從下面真空吸附半導(dǎo)體晶片W的第 二吸附單元172，所以能夠根據(jù)盒C內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W的翹曲、彎曲 的情況自動(dòng)選擇第一、第二吸附單元171、 172中的合適的一方，從而 能夠?qū)雽?dǎo)體晶片W可靠地吸附保持并搬送。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，晶片搬送裝置18進(jìn)一步具有對(duì)收納在 盒C內(nèi)的多個(gè)半導(dǎo)體晶片W以及各自的中央部的向上下方向的變位 (翹曲以及/或者彎曲)進(jìn)行檢測(cè)的測(cè)量傳感器18C;和根據(jù)測(cè)量傳感 器18C的檢測(cè)結(jié)果對(duì)半導(dǎo)體晶片W的翹曲或者彎曲的方向進(jìn)行判別的 判別部IOB，在利用鑷子17搬送半導(dǎo)體晶片W時(shí)，能夠根據(jù)判別部 10B的判別結(jié)果，自動(dòng)選擇第一吸附單元171或者第二吸附單元172， 從而可靠地搬送半導(dǎo)體晶片W。
此外，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)榈谝晃絾卧?71具有在鑷子17的 下面形成的6個(gè)凹陷部171A，和在這些凹陷部171A的內(nèi)周面開(kāi)口并 且向凹陷部171A內(nèi)噴出空氣而在凹陷部171A內(nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流的噴出 孔171B，所以能夠在凹陷部171A內(nèi)可靠地形成減壓空間。此外，在 鑷子17的下面具有與半導(dǎo)體晶片W之間形成間隙的接觸體171D，因 為在該間隙中形成水平氣流，所以能夠使半導(dǎo)體晶片W的上面?zhèn)缺认?面?zhèn)鹊蛪?，從而能夠?qū)雽?dǎo)體晶片W從上面可靠地吸附保持并搬送。
此外，本發(fā)明不受上述實(shí)施方式的任何限制，根據(jù)需要能夠適當(dāng) 地變更各構(gòu)成要素。雖然在上述實(shí)施方式中作為基板以半導(dǎo)體晶片W 為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明也能夠適用于吸附保持半導(dǎo)體晶片W以 外的薄基板的情況。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明能夠適當(dāng)?shù)乩糜诎崴桶雽?dǎo)體晶片等基板的基板搬送裝置中。
權(quán)利要求
1.一種基板吸附裝置，其具有在搬送基板時(shí)吸附保持所述基板的吸附體，其特征在于所述吸附體包括根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板吸附裝置，其特征在于 所述第一吸附單元具有在所述吸附體的下面形成的多個(gè)凹陷部，和在這些凹陷部的內(nèi)周面開(kāi)口并且向所述凹陷部?jī)?nèi)噴出氣體而在所述 凹陷部?jī)?nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流的噴出孔。
3. 如權(quán)利要求2所述的基板吸附裝置，其特征在于 在所述吸附體的下面具有與所述基板之間形成間隙的接觸部件，在所述間隙中形成水平氣流。
4. 如權(quán)利要求1 3的任何一項(xiàng)所述的基板吸附裝置，其特征在于所述吸附體構(gòu)成為能夠根據(jù)基板的大小進(jìn)行切換。
5. —種基板搬送裝置，其具備具有吸附保持基板的吸附體的基板吸附裝置，使所述吸附體移動(dòng)來(lái)搬送基板，其特征在于所述吸附體包括根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一 吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元。
6. —種基板搬送裝置，其特征在于，包括對(duì)保持在筐體內(nèi)的多個(gè)基板以及各自的中央部的向上下方向的變 位進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)裝置；根據(jù)所述檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果對(duì)所述基板的變位的方向進(jìn)行判別的判別單元；和具有吸附保持所述基板的吸附體的基板吸附裝置， 該基板搬送裝置根據(jù)所述判別單元的判別結(jié)果使所述吸附體移動(dòng)來(lái)搬送所述筐體內(nèi)的基板，其中所述吸附體具有根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一 吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元，當(dāng)利用所述吸附體搬送所述基板時(shí)，根據(jù)所述判別單元的判別結(jié) 果自動(dòng)選擇所述第一吸附單元或者所述第二吸附單元。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的基板搬送裝置，其特征在于 所述第一吸附單元具備在所述吸附體的下面形成的多個(gè)凹陷部；和在這些凹陷部的內(nèi)周面開(kāi)口并且向所述凹陷部?jī)?nèi)噴出氣體而在所述 凹陷部?jī)?nèi)形成旋轉(zhuǎn)氣流的噴出孔。
8. 如權(quán)利要求7所述的基板搬送裝置，其特征在于 在所述吸附體的下面具有與所述基板之間形成間隙的接觸部件，在所述間隙中形成水平氣流。
9. 如權(quán)利要求5 8的任何一項(xiàng)所述的基板搬送裝置，其特征在于所述吸附體構(gòu)成為能夠根據(jù)基板的大小進(jìn)行切換。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板吸附裝置和基板搬送裝置，其能夠根據(jù)導(dǎo)體晶片等基板的大的彎曲、翹曲情況選擇基板的上面和下面的任一面作為吸附面從而可靠地吸附保持并搬送基板。本發(fā)明的晶片吸附裝置的鑷子(17)包括根據(jù)伯努利原理從上面吸附保持半導(dǎo)體晶片(W)的第一吸附單元(171)，和利用外部空氣的吸引從下面吸附保持半導(dǎo)體晶片(W)的第二吸附單元(172)。
文檔編號(hào)H01L21/683GK101295661SQ20081008055
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月24日
發(fā)明者小笠原郁男, 長(zhǎng)坂旨俊 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社