專利名稱：去磁方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將外部激勵(lì)串聯(lián)共振電路的交變磁場中的鐵磁元件去 磁的方法，具有關(guān)聯(lián)共振頻率的所述外部激勵(lì)串聯(lián)共振電路包括至少一個(gè)具 有非負(fù)載電感的去磁線圈，所述去磁線圈串聯(lián)至少一個(gè)具有關(guān)聯(lián)電容的第一 電容器，并聯(lián)能夠提供具有可調(diào)節(jié)激勵(lì)頻率和固定電壓幅度的電源電壓的電 壓源。
背景技術(shù)：
通過拉長線圈將待去磁材料連續(xù)輸送時(shí)，拉長線圈用于將鐵磁部分去
磁。線圈連接到頻率和幅度恒定的AC電壓，AC電壓通常直接從電力網(wǎng) (mains)引出。在實(shí)體進(jìn)入線圈時(shí)，待去磁材料承受交變方向的磁通量不斷 增加，直到在線圈中心磁場達(dá)到最大值。所述材料被磁場交替地循環(huán)貫通。 已知的方式是，達(dá)到最大值后交變磁場的幅度逐漸減小，從而產(chǎn)生去磁效應(yīng)。
貫通線圈的磁場在線圈中感應(yīng)出電壓，這個(gè)電壓與提供的電源電壓相 抵。根據(jù)磁感應(yīng)定律，這個(gè)反饋表現(xiàn)為與提供的頻率成比例。此外它還是線 圈中鐵磁材料質(zhì)量的函數(shù)。由于電感的增加相關(guān)地受到被影響材料的磁飽和 的限制，所以這個(gè)作用是非線性的。
因此，線圈代表可變電感，電感的值是待去磁材料裝入量(charging) 的函數(shù)。與之相關(guān)的兩個(gè)問題是本發(fā)明想要解決的問題。
第一個(gè)問題是由于電感與線圈的功能有直接關(guān)系。為了獲得與特定磁場 強(qiáng)度相應(yīng)的特定電流，與通過直流電供電相比，線圈的電源電壓應(yīng)根據(jù)頻率 明顯更高。在交流電的術(shù)語中被稱為視在功率的、由供電電源提供的功率比 被稱為有效功率的、高效的有效功率高得多。因此，電壓源應(yīng)當(dāng)提供的、關(guān) 于電壓和電流(與頻率成比例)的功率比用直流電產(chǎn)生相應(yīng)的磁場必須提供 的功率高得多。
對于視在功率約達(dá)到5 kVA的小型去磁線圈，通常直接從電力網(wǎng)電壓供電。用像在其它電感用電設(shè)備中一樣的已知設(shè)備對連接小型去磁線圈的無功 電流的消耗進(jìn)行補(bǔ)償。功率越高，經(jīng)變換器供電的線圈的頻率越低，例如為
20 Hz。因此對電壓和視在功率的要求降低。由于去磁過程要求特定次數(shù)的 振蕩來延遲磁場，所以頻率越低，它持續(xù)的時(shí)間相應(yīng)地越長。作為降低所需 視在功率的措施，降低頻率相應(yīng)地會(huì)導(dǎo)致降低產(chǎn)量。
第二種方案包括給線圈添加電容器，形成串聯(lián)共振電路，如圖2所示。 與線圈串聯(lián)連接的電容器設(shè)置為使得在供電頻率時(shí)發(fā)生共振。由電容器提供 由于磁場的反饋而產(chǎn)生的感應(yīng)電壓。供電電源只提供與線圈的歐姆電阻相應(yīng) 的有效功率(如圖l所示)。因此，線圈的功率要求變?yōu)榕c頻率無關(guān)，現(xiàn)在 只要考慮去磁過程本身來選擇頻率。但是，如果線圈的電感保持恒定(這在 裝入材料時(shí)不能保證)，這個(gè)方案只能在固定頻率下進(jìn)行。因此，該方案需 要特別措施來適應(yīng)供電頻率。
第二個(gè)問題在于線圈的電感是待去磁材料及其裝入量的函數(shù)。供應(yīng)恒定 的電壓和頻率時(shí)，作為線圈裝入量的函數(shù)，線圈的吸收電流下降，導(dǎo)致去磁 過程的條件改變。實(shí)際上，直接由電力網(wǎng)供電的去磁線圈因此只得到弱的利 用，也就是說，與線圈的尺寸比較，只有小部分材料橫截面被利用。另一方 面，在歐洲專利申請05 027 030.5中所述的方法提供一種經(jīng)由變換器和串聯(lián) 電容器的供電，頻率自動(dòng)跟蹤串聯(lián)共振電路的共振頻率。這樣，通過自動(dòng)跟 蹤頻率，考慮去磁線圈的不同電感，上述兩個(gè)問題都得到解決，但是電路的 費(fèi)用不菲。
DE3005927使用改進(jìn)的調(diào)節(jié)技術(shù)，使得提供給共振電路(包括電容器和 去磁線圈)的電源電壓的頻率被調(diào)節(jié)為連續(xù)跟蹤共振電路的共振頻率。這些 改進(jìn)只有通過改善調(diào)節(jié)技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，對共振頻率的調(diào)節(jié)導(dǎo)致通過去磁線圈 的電流量可能達(dá)到最大值，進(jìn)而使交變磁場達(dá)到最大值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種相對于現(xiàn)有技術(shù)顯然更簡單的電路，該電路一方面滿足 了對去磁線圈視在功率的高要求，另一方面以這樣的方式考慮它的可變電
感提供了去磁過程的可復(fù)制條件，并且與載入量無關(guān)。
通過這種方法，可在基本上恒定的處理?xiàng)l件下以從0到將近100%的填充程度運(yùn)行去磁線圈，不需要以填充/空心線圈的控制/調(diào)節(jié)電路或者開/關(guān)序 列的形式的附加技術(shù)費(fèi)用。因此，以最佳可能方式利用去磁線圈的磁通量。 去磁線圈可緊密包圍材料，保持相對較小的尺寸。這樣能夠獲得關(guān)于能量效 率的最佳去磁。
本發(fā)明的另一目的是提供一種故障保護(hù)和幾乎免維修的去磁方法。 權(quán)利要求1的技術(shù)特征包括實(shí)現(xiàn)上述目的的方法。根據(jù)本發(fā)明方法的優(yōu)
選實(shí)施例由從屬權(quán)利要求得到，這些從屬權(quán)利要求的特點(diǎn)如參照附圖的以下
說明書所述。


下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明。
圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的串聯(lián)共振電路的電流/頻率特性以及阻抗/頻率
特性；而
圖2示出用于根據(jù)本發(fā)明方法的串聯(lián)共振電路的示意圖； 圖3示出具有空心去磁線圈的串聯(lián)共振電路的電流/頻率曲線中工作范 圍的位置；以及
圖4示出對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的方法，在由電源電壓外部激勵(lì)的串聯(lián)共振 電路中可獲得的交變電流幅度以及線圈電路中的交變電流幅度作為填充程 度的函數(shù)；
圖5示出流動(dòng)交變電流、關(guān)聯(lián)的總電感變化以及電源電壓的變化作為彼 此相關(guān)的時(shí)間的函數(shù)。
具體實(shí)施例方式
這里提出的去磁方法利用貫通電流的去磁線圈2的交變磁場，具有無負(fù) 載電感L0的去磁線圈2是串聯(lián)共振電路1的一部分，串聯(lián)至少一個(gè)具有電 容C的第一電容器4。去磁線圈2包括多個(gè)繞組，優(yōu)選地盡可能密集地纏繞， 以獲得高磁場強(qiáng)度，并且，根據(jù)本實(shí)施例可具有圓柱形或矩形結(jié)構(gòu)。去磁線 圈2具有中空的內(nèi)腔，待去磁元件在內(nèi)腔中可沿著線圈的縱軸方向移動(dòng)。在 其它實(shí)施例中，去磁線圈2可由多個(gè)單獨(dú)纏繞的去磁線圈2構(gòu)成，這些去磁 線圈2相互連接使得它們的集合體形成磁場。在這些實(shí)施例中，待去磁的鐵磁元件相應(yīng)地通過已有去磁線圈2的集合體的內(nèi)腔。
己知串聯(lián)共振電路1具有阻抗Z，這可以通過各元件和供電線路的歐姆 電阻R、由空心去磁線圈2的無負(fù)載電感L0和附加電感確定的總電感L、以 及串聯(lián)共振電路1的總電容、第一電容器4的電容C和起作用的附加電容計(jì) 算得出。通常，串聯(lián)共振電路1的總歐姆電阻象征性地用電阻R表示。
提供具有可調(diào)節(jié)激勵(lì)頻率f的恒定AC電壓(即電源電壓U)的電壓源3 與去磁線圈2并聯(lián)連接，從而連接去磁線圈2的一極和第一電容器4的一極。 由于本方法不需要主動(dòng)調(diào)節(jié)，所以對電壓源3的要求不高。電壓源3必須提 供恒定的峰到峰(peaktopeak)電壓幅度，并且電源電壓的激勵(lì)頻率必須在 大約1 Hz至100Hz的頻率范圍內(nèi)可任意地調(diào)節(jié)到一個(gè)恒定值，以在1 Hz至 100 Hz的激勵(lì)頻率f下將電壓源3用于期望的去磁過程。在2 Hz至50 Hz 的激勵(lì)頻率f下的實(shí)驗(yàn)已給出最佳結(jié)果。
圖1示出串聯(lián)共振電路1的已知電流/頻率曲線K，根據(jù)對激勵(lì)頻率f的
選擇獲得流動(dòng)交變電流I?？汕宄乜闯龉舱耦l率fK，因?yàn)樵趂二fR處阻抗達(dá)
到最小值，所以串聯(lián)共振電路l的流動(dòng)電流I取電流最大值In。共振頻率fR 與無負(fù)載電感LO乘以電容C得到的乘積的倒數(shù)(inverse)成比例。已知用
這個(gè)計(jì)算方法能夠估計(jì)出共振頻率fR。
如果將元件通過去磁線圈2的內(nèi)腔，則去磁線圈2的內(nèi)腔被填充到一定 的程度，使得由空心去磁線圈2的非負(fù)載電感L0和補(bǔ)充元件的輔助電感L1 組成的總電感L因此而增加，導(dǎo)致串聯(lián)共振電路l的共振頻率fk下降，這可 以在電流/頻率曲線K的移位中看出。因?yàn)樵谌ゴ胚^程中補(bǔ)充元件的輔助電 感L1也在變化，所以這個(gè)效應(yīng)導(dǎo)致去磁過程中共振頻率fR的動(dòng)態(tài)移位。
當(dāng)達(dá)到這一點(diǎn)所使用的去磁設(shè)備已經(jīng)將激勵(lì)頻率f準(zhǔn)確、連續(xù)地調(diào)節(jié)到 變化的共振頻率fR，以獲得通過去磁線圈2的最大可能電流(即電流最大值 IR)時(shí)，這里所述的方法按照另一途徑。在整個(gè)去磁過程中，將激勵(lì)頻率f 保持在工作范圍5內(nèi)低于共振頻率fk的一個(gè)恒定值。
只要激勵(lì)頻率f在工作范圍5內(nèi)，就達(dá)不到電流最大值lR，從而達(dá)不到 磁場最大值。實(shí)驗(yàn)表明，達(dá)到這一點(diǎn)所使用的去磁方法中出現(xiàn)的電流最大值
lK對于獲得良好的去磁效果并非絕對必要，在較低的磁場強(qiáng)度下元件可能就
己經(jīng)獲得充分的飽和。在這里提出的去磁方法中，對于具有已知無負(fù)載電感L0的給定去磁線 圈2和具有已知電容C的至少一個(gè)第一電容器4，將激勵(lì)頻率f設(shè)定為使得 激勵(lì)頻率f (Hz)乘以無負(fù)載電感L0 (亨利)的乘積大小滿足
如果使用電源電壓U和在工作范圍5內(nèi)的激勵(lì)頻率f從外部激勵(lì)串聯(lián)共 振電路，使得/*^0大于或等于0.22[他*//]，那么即使去磁線圈2的內(nèi)腔被充 滿，可能的交變電流幅度I也達(dá)不到電流最大值In。結(jié)果為通過圖3的激勵(lì) 頻率f的工作范圍5中的串聯(lián)振蕩電流1的穩(wěn)定電流通量，圖3的激勵(lì)頻率 f小于圖1的電流/頻率曲線的電感范圍中的共振頻率fR。
只要所選擇的激勵(lì)頻率f與無負(fù)載電感LO相乘得到乘積滿足 /*丄(^0.22[他*//]，則該激勵(lì)頻率的值處于工作范圍5內(nèi)，因此即使去磁線 圈2的內(nèi)腔被填充至90%，該激勵(lì)頻率仍然小于共振頻率fR，因此即使提供 最大電源電壓，也不能獲得電流最大值In。因?yàn)闆]有達(dá)到電流最大值lR，所 以該串聯(lián)共振電路1中的電壓源3在最佳工作點(diǎn)運(yùn)行。
如果將電壓源3的電壓幅度以及電源電壓U的激勵(lì)頻率f設(shè)定為與乘積 /*￡^).22[搶*用相應(yīng)的期望值，則電壓源3連續(xù)運(yùn)行，將恒定的AC電壓提 供給串聯(lián)共振電路l，從而在串聯(lián)共振電路l中產(chǎn)生交變電流I，交變電流I 在通過去磁線圈2時(shí)產(chǎn)生交變磁場。在開始去磁前除了將激勵(lì)頻率f調(diào)節(jié)到 工作范圍5內(nèi)，不需要對串聯(lián)共振電路1進(jìn)行其它調(diào)節(jié)，也就是說不需要主 動(dòng)調(diào)節(jié)和改變電子元件，因此可實(shí)現(xiàn)故障保護(hù)和幾乎免維修的運(yùn)行。
如果用電壓源3從外部激勵(lì)串聯(lián)共振電路1，則去磁線圈2的內(nèi)腔被連 續(xù)填充到約90%的填充程度。為此，將待去磁的鐵磁元件從一端沿軸向放入 去磁線圈2，或相應(yīng)地放入多個(gè)去磁線圈2。在它們穿過內(nèi)腔后，元件再次 離開去磁線圈2。可將元件放在輸送工具上自動(dòng)地、單個(gè)地通過至少一個(gè)去 磁線圈2的內(nèi)腔，或者用環(huán)形輸送工具將元件多次地通過至少一個(gè)去磁線圈 2的內(nèi)腔。也可以人工地輸送待去磁元件。
去磁過程中，去磁線圈2的磁場貫通元件的多少在很大程度上取決于元 件的壁厚。元件內(nèi)的單元磁鐵對應(yīng)于外部磁場交替變向。
圖4中繪出串聯(lián)共振電路1的電流/填充程度曲線，用RLC表示，示出 填充程度約50%時(shí)可達(dá)到的交變電流幅度最大值。曲線的上升可解釋為由于共振曲線因總電感L的增加而向左移位，因此電流的大小增加。如果根據(jù) /*丄^0.22[他*//]來選擇激勵(lì)頻率f，則不會(huì)因填充程度的增加而實(shí)現(xiàn)共振。 由于所提供元件的輔助電感L1因去磁過程而不斷減小，所以共振曲線和/或 共振頻率進(jìn)一步右移到更高的頻率。
作為與串聯(lián)共振電路的比較，圖4中示出沒有電容器的線圈電路的電流 /填充程度曲線RL。由于總電感L因放入去磁線圈2內(nèi)腔的元件而增加，按 照這種線圈電路的阻抗公式，電阻明顯增加，所以流動(dòng)交變電流幅度在10 %的填充程度時(shí)明顯下降。這些測量結(jié)果清楚地表明具有至少一個(gè)電容器4 的串聯(lián)共振電路1的作用，這種串聯(lián)共振電路1在填充程度約10%至50% 的范圍內(nèi)提供最佳去磁效果。
由于鐵磁特性，元件具有增加了總電感L的輔助電感L1。當(dāng)電源電壓U 連續(xù)工作時(shí)，交變電流流過去磁線圈2產(chǎn)生交變電流，交變電流產(chǎn)生磁場貫 通元件，從而降低輔助電感L1。根據(jù)瞬時(shí)流動(dòng)交變電流I的大小，當(dāng)鐵磁元 件達(dá)到最大貫通時(shí)，總電感L降低到可能的最小無負(fù)載電感LO。對于將元 件填充去磁線圈2內(nèi)腔的簡單時(shí)間周期，圖5中示出該周期性過程。
一旦將元件移出去磁線圈2，起作用的磁場就降低，從而使元件的剩磁 降低到零。
根據(jù)上述實(shí)施例，可將元件沿著與一個(gè)或多個(gè)方向相同的去磁線圈2的 縱軸平行的輸送方向放入，使元件通過去磁線圈2。實(shí)驗(yàn)表明，元件的輸入 方向與至少一個(gè)去磁線圈2的縱軸有一個(gè)不為零的夾角也可以獲得良好的去 磁效果。
在根據(jù)本發(fā)明的方法中，將去磁線圈2添加具有特定電容C的第一電容 器4來形成串聯(lián)共振電路1 (如圖2所示)，并使用具有固定電源電壓U和 激勵(lì)頻率f的電壓源3來連續(xù)運(yùn)行電路。將待去磁部分單個(gè)地、成組地、或 者以特定速度連續(xù)地流動(dòng)通過去磁線圈2。串聯(lián)共振電路1 (如圖3所示) 被設(shè)定為等于提供的激勵(lì)頻率f，使得串聯(lián)共振電路1沒有裝入待去磁材料 時(shí)的固有頻率或者共振頻率fR比提供的激勵(lì)頻率f高一個(gè)特定的絕對值。
利用作為本發(fā)明特點(diǎn)的這種特殊調(diào)節(jié)， 一方面，電路可在高效率下運(yùn)行， 即視在功率的多余量低，另一方面，電路可利用與材料產(chǎn)量無關(guān)的去磁過程 的條件來運(yùn)行。這是基于下列效應(yīng)的相互作用。根據(jù)共振點(diǎn)周圍串聯(lián)共振電路的視在電阻曲線，去磁線圈2的電壓U和電流I隨著它受待去磁材料的穿 入而增加。其原因是由于總電感L隨著材料的穿入而增加，導(dǎo)致固有頻率fR 下降，從而導(dǎo)致串聯(lián)共振電路l的共振點(diǎn)接近提供的激勵(lì)頻率f。
恒定電壓供電時(shí)，線圈電流隨著負(fù)載(待去磁材料)的增加而下降，與 之不同的是，電壓和電流隨著負(fù)載的增加而上升，直到大約50%的填充程度 (如圖4所示)。這種上升一方面受共振曲線本身的限制，另一方面受放入 材料的磁飽和的限制。在待去磁材料更大程度上填充去磁線圈2的情況下起 決定作用的第二個(gè)效應(yīng)同時(shí)保證剩磁最小的理想去磁過程。
如果以根據(jù)本發(fā)明的方法運(yùn)行去磁線圈2，并填充以鐵磁材料，則交變 電流I、電感Lo以及電源電壓U取圖5所示的形狀。電感U對應(yīng)于空氣線 圈的電感。電感Li對應(yīng)于作為未飽和鐵磁材料結(jié)果的電感增加。
當(dāng)激勵(lì)頻率f為50 Hz，磁場的貫通深度充分時(shí)，如果將頻率調(diào)節(jié)到自 由振蕩的串聯(lián)共振電路1 (去磁線圈2未被穿入)的固有頻率fR (在70 Hz 范圍內(nèi))，則可直接將第一電容器4串聯(lián)連接到去磁線圈2。
實(shí)驗(yàn)表明，如果去磁線圈2的品質(zhì)Q優(yōu)選在范圍0.04〈Q〈0.4[H/Ohm]中 時(shí)，可獲得良好的去磁效果，其中，品質(zhì)Q通過計(jì)算空心去磁線圈2的無負(fù) 載電感(單位為亨利)除以串聯(lián)共振電路l的歐姆電阻R (單位為歐姆)的 商得到。如果用銅或鋁作為去磁線圈2的線圈材料，則品質(zhì)Q在0.005至0.4 H/Ohm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.005至0.2 H/Ohm的范圍內(nèi)。
數(shù)值實(shí)例
典型的RL結(jié)構(gòu)包括并聯(lián)的線圈和AC電壓源線圈的電感L。二44mH， 歐姆電阻為0.7歐姆，工作電壓為130VAC (有效值)，工作頻率為25Hz。 在不裝入待去磁材料的情況下，流過線圈的電流為18.7A，并產(chǎn)生相應(yīng)的磁 場。
裝入鐵磁材料至 7.5%的填充程度時(shí)，電流和相應(yīng)的磁場下降到U.15 A (有效值)。
裝入鐵磁材料至 82%的填充程度時(shí)，電流和相應(yīng)的磁場下降到3.9 A (有效值)。根據(jù)本發(fā)明，如果用。=330 uF的電容器4串聯(lián)連接線圈，則 得到以下數(shù)值不裝入待去磁材料的線圈的電感L()-44mH，歐姆電阻為0.7歐姆，工作電壓為232VAC (有效值)，工作頻率為25Hz，流過線圈的電 流為18.7 A (有效值)。
裝入鐵磁材料至 7.5%的填充程度時(shí)，電流和相應(yīng)的磁場上升到21.9 A (有效值)。
裝入鐵磁材料至 82%的填充程度時(shí)，電流和相應(yīng)的磁場下降到16.1 A (有效值)。
附圖標(biāo)記列表
1串聯(lián)共振電路 Z共振電路的阻抗 fR共振頻率 R歐姆電阻
IR電流最大值，最大電流 2去磁線圈
L0空心去磁線圈的無負(fù)載電感 Ll所提供元件的輔助電感 L總電感(L=L0+L1) K電流/頻率曲線 3電壓源
f電源電壓的激勵(lì)頻率 I交變電流 U電源電壓 4第一電容器
c電^^ 5工作范圍
RLC串聯(lián)共振電路1的電流/填充程度曲線 RL外部激勵(lì)線圈電路的電流/填充程度曲線
權(quán)利要求
1、一種將外部激勵(lì)電串聯(lián)共振電路(1)的交變磁場中的鐵磁元件去磁的方法，具有關(guān)聯(lián)共振頻率(fR)的所述外部激勵(lì)電串聯(lián)共振電路(1)包括至少一個(gè)具有無負(fù)載電感(L0)的去磁線圈(2)，所述去磁線圈(2)與至少一個(gè)具有關(guān)聯(lián)電容(C)的第一電容器(4)串聯(lián)，且與所述電壓源(3)并聯(lián)；所述電壓源(3)能夠提供具有可調(diào)節(jié)激勵(lì)頻率(f)和固定電壓幅度的電源電壓(U)，所述方法的特征在于a)將所述激勵(lì)頻率(f)設(shè)定為使得單位為Hz的所述激勵(lì)頻率(f)乘以單位為亨利的所述無負(fù)載電感(L0)的乘積滿足f*L0≥0.22[Hz*H]，從而使所述激勵(lì)頻率(f)被限制在小于所述共振頻率(fR)的工作范圍(5)內(nèi)，之后b)將所述電壓源(3)以恒定電壓幅度和固定激勵(lì)頻率(f)運(yùn)行，以及c)將待去磁的多個(gè)元件連續(xù)移動(dòng)通過所述去磁線圈(2)，所述多個(gè)元件在所述去磁線圈(2)中必須處于限定的填充程度范圍內(nèi)。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述去磁線圈(2)的品質(zhì)優(yōu) 選為0.04<Q<0.4，其中Q=L0/R[H/Ohm]。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述多個(gè)元件分別沿著與所述去磁線圈(2)的縱軸平行的方向移進(jìn)和移出所述去磁線圈(2)。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述多個(gè)元件的輸入方向與所述去磁線圈(2)的縱軸有一個(gè)不為零的夾角。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述電源電壓(U)的激勵(lì)頻率(f)在1 Hz至100 Hz的頻率范圍內(nèi)。
6、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述電源電壓(U)的激勵(lì)頻率(f)優(yōu)選在2 Hz至50 Hz的頻率范圍內(nèi)。
7、 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于所述填充程度 大于10%。
8、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述填充程度優(yōu)選為約等 于50%。
9、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述方法在所述激勵(lì)頻率(f)固定、且所述電源電壓(u)保持恒定后，不通過調(diào)節(jié)和控制，在連續(xù)運(yùn)行中執(zhí) 行。
10、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于用輸送工具將所述多個(gè)待 去磁元件自動(dòng)地、單個(gè)地通過至少一個(gè)所述去磁線圈(2)的內(nèi)腔，或者用環(huán)形輸送工具將所述多個(gè)待去磁元件多次地通過至少一個(gè)所述去磁線圈(2)的內(nèi)腔。
11、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于將待去磁的所述多個(gè)元件 人工地通過至少一個(gè)所述去磁線圈(2)的內(nèi)腔。
全文摘要
提出一種將外部激勵(lì)電串聯(lián)共振電路的交變磁場中的鐵磁元件去磁的方法。具有激勵(lì)頻率(f)的電源電壓設(shè)置為與串聯(lián)共振電路的具有無負(fù)載電感的去磁線圈并聯(lián)，因此交變電流(I)流過所述串聯(lián)共振電路(1)，從而產(chǎn)生交變磁場。在適當(dāng)?shù)剡x擇激勵(lì)頻率(f)，使得單位為Hz的所述激勵(lì)頻率(f)乘以單位為亨利的所述非負(fù)載電感(L0)的乘積滿足f＊L0≥0.22[Hz＊H]的情況下，所述激勵(lì)頻率(f)處于工作范圍(5)內(nèi)，可用該串聯(lián)共振電路(1)將通過去磁線圈(2)內(nèi)腔形成一定填充程度的元件去磁，而不需要其它調(diào)節(jié)技術(shù)。如果這樣選擇激勵(lì)頻率(f)，就可能實(shí)現(xiàn)連續(xù)運(yùn)行，即使在填充程度高的時(shí)候所述串聯(lián)共振電路(1)也不會(huì)達(dá)到共振頻率(f_R)。
文檔編號(hào)H01F13/00GK101286405SQ200810080529
公開日2008年10月15日 申請日期2008年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月21日
發(fā)明者阿爾貝特·莫伊雷爾, 馬雷克·羅納 申請人:阿爾貝特·莫伊雷爾