專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其制造方法，特別涉及將薄膜晶體管(TFT: Thin Film Transistor)用作像素的開關(guān)(switching)元件的有源矩 陣型液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，在使用了半導(dǎo)體器件的顯示裝置的領(lǐng)域中，以節(jié)能、節(jié)省 空間為特長(zhǎng)的液晶顯示裝置代替以往的CRT (Cathode-Ray Tube)正在 迅速普及。在該液晶顯示裝置中，在透明絕緣襯底上設(shè)置多個(gè)電極或布 線以及元件。具體地說，將具有掃描布線或信號(hào)布線、柵電極或源極漏 極電極的TFT作為開關(guān)元件而設(shè)置為矩陣狀并且對(duì)各顯示像素施加獨(dú) 立于電極的影像信號(hào)的有源矩陣型液晶顯示裝置被廣泛應(yīng)用。另一方面，作為該有源矩陣型液晶顯示裝置的制造，如專利文獻(xiàn)1 所公開的那樣， 一般是實(shí)施5次光刻工藝(photolithography process )的 制造方法(以下，稱為5 4文掩才莫工藝(mask process))。在所述5枚掩模工藝中，作為對(duì)TFT的源電極布線進(jìn)行構(gòu)圖的方法， 存在利用藥液的濕法刻蝕和利用反應(yīng)性氣體(gas)的干法刻蝕(dry etching)。濕法刻蝕在細(xì)微加工或加工形狀的控制這點(diǎn)上，劣于干法刻 蝕，但是，在制造裝置價(jià)格或者操作成本(running cost)等的成本方面 是優(yōu)良的。在使用濕法刻蝕的情況下，若在作為刻蝕對(duì)象的源電極布線用金屬 膜和其下層之間存在微小的間隙，則藥液從該間隙浸透，存在源電極布線斷線的可能。該斷線不良在源電極布線用金屬膜的下層存在臺(tái)階差的 情況下容易產(chǎn)生。此外，在下層是非晶硅等半導(dǎo)體層的情況下，容易在 其上殘留前一步驟的抗蝕劑殘?jiān)?，容易由于該殘?jiān)a(chǎn)生斷線不良。即， 在下層是半導(dǎo)體層、并且具有臺(tái)階差的情況下，最容易產(chǎn)生斷線不良。 為了防止所述斷線，在專利文獻(xiàn)2中，公開了圖8所示的液晶顯示 裝置。圖8所示的液晶顯示裝置具有柵電極布線2、源極布線6a、源電 極6b、漏電極7以及半導(dǎo)體層10，半導(dǎo)體層10形成為島狀，位于源極布線6a之下的該半導(dǎo)體層10的整體被源極布線6a覆蓋。由此，能夠防 止刻蝕液的浸透。另一方面，在專利文獻(xiàn)3或?qū)＠墨I(xiàn)4中，公開了為 了抑制光電流而形成為島狀的半導(dǎo)體層。專利文獻(xiàn)1 特開平10-268353號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2001-125140號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 特開2003-303973號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 特開平2-830號(hào)公報(bào)但是，為了對(duì)應(yīng)于最近的液晶顯示裝置的高分辨率化，要求高開口 率化。因此，需要使源極布線進(jìn)一步細(xì)線化，但是，在專利文獻(xiàn)2所記 載的結(jié)構(gòu)中，對(duì)源極布線進(jìn)行細(xì)線化存在限度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于所述問題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種可靠性、生 產(chǎn)性優(yōu)良并且高分辨率的有源矩陣型液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置具有形成在透明絕緣襯底上的柵電極以及 柵極布線、覆蓋所述柵電極以及柵極布線的柵極絕緣膜、形成在所述柵 極絕緣膜上的半導(dǎo)體層、形成在所述半導(dǎo)體層上的源電極、源極布線以 及漏電極、與所述漏電極連接的像素電極，其特征在于在所迷半導(dǎo)體 層中，構(gòu)成TFT的TFT部、形成在所述源才及布線與所述4冊(cè)極布線交叉 的區(qū)域上的源極柵極交叉部、連接所述TFT部與源極柵極交叉部的連接 部一體地形成，由所述源電極以及源極布線覆蓋所述半導(dǎo)體層的連接部 全部以及源斗及柵極交叉部的連接部側(cè)的 一部分。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，具有如下步驟在透明絕緣襯 底上形成第一金屬膜，對(duì)該第一金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成柵電極以及柵極 布線；依次形成覆蓋所迷柵電極的柵極絕緣膜以及半導(dǎo)體層之后，對(duì)該 半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述半導(dǎo)體層上形成第二金屬膜，利用濕法刻蝕 對(duì)該第二金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成源電極、源才及布線以及漏電;f及，其中，在所述半導(dǎo)體層的刻蝕中，構(gòu)成TFT的TFT部、形成在所述源極布線 和所述柵極布線交叉的區(qū)域上的源極柵極交叉部、連接所迷TFT部和源 極柵極交叉部的連接部一體地形成，在所述第二金屬膜的構(gòu)圖中，由所 述源電極以及源極布線覆蓋所述半導(dǎo)體層的連接部全部以及源極柵極 交叉部的連接部側(cè)的 一部分。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可靠性、生產(chǎn)性優(yōu)良并且高分辨率的有 源矩陣型液晶顯示裝置。


圖1是實(shí)施方式1的TFT陣列襯底的平面圖。 圖2是圖1的X-X'剖面圖。 圖3是圖1的Y-Y'剖面圖。 圖4是圖1的Z-Z'剖面圖。圖5是表示實(shí)施方式2的TFT陣列襯底的平面圖。 圖6是表示實(shí)施方式2的TFT陣列襯底的平面圖。 圖7是表示實(shí)施方式2的TFT陣列襯底的平面圖。 圖8是以往的TFT陣列村底的平面圖。
具體實(shí)施方式
以下，對(duì)本發(fā)明的液晶顯示裝置所使用的有源矩陣型T F T陣列村底 的實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明并不限于以下的實(shí)施方式。此外， 為了使說明明確，以下的記載以及附圖被適當(dāng)?shù)厥÷砸约昂?jiǎn)化。實(shí)施方式1圖1是本實(shí)施方式1的有源矩陣型TFT陣列襯底的TFT形成區(qū)域 附近的平面圖。圖2是圖1的X-X'剖面圖，圖3是圖1的Y-Y'剖面圖， 圖4是圖1的Z-Z'剖面圖。本實(shí)施方式的有源矩陣型TFT陣列襯底如圖2所示，具有透明絕緣 襯底l、柵電極布線2、柵極絕緣膜3、半導(dǎo)體有源膜4、歐姆接觸膜5、 源電極6b、漏電極7、鈍化(passivation)膜8、像素電極9。此處，將 半導(dǎo)體有源膜4和歐姆接觸膜5合稱為半導(dǎo)體層10。并且，詳細(xì)地如后 所述，半導(dǎo)體層IO具有源極柵極交叉部10a、 TFT部10b、連接部10c。作為透明絕緣襯底l，可使用玻璃(galass)襯底、石英玻璃等透明 的絕緣襯底。絕緣襯底1的厚度可以是任意的，但是，為了使液晶顯示 裝置的厚度變薄，優(yōu)選是l.lmm的厚度以下。若絕緣襯底1過于薄，則 由于工藝的熱履歷而產(chǎn)生襯底的畸變，所以，構(gòu)圖精度降低。因此，絕 緣襯底1的厚度需要考慮所使用的工藝來選擇。此外，在絕緣襯底1由 玻璃等脆性材料構(gòu)成的情況下，為了防止來自端面的碎屑引起的異物的混入，優(yōu)選對(duì)襯底的端面進(jìn)行倒角。并且，為了指定各工藝中的襯底處 理的方向，在透明絕緣襯底1的一部分上設(shè)置缺口，這在工藝管理上是 優(yōu)選的。柵電極布線2形成在透明絕緣襯底1上。作為柵電極布線2，可使 用將厚度為100~ 500nm左右的Al、 Mo、 Cr、 Ta、 Ti、 Cu等作為主要 成分的金屬膜。柵極絕緣膜3以覆蓋透明絕緣襯底1上的柵電極布線2的方式形成。 作為柵極絕緣膜3，可使用厚度為300 ~ 600nm左右的氮化硅膜(SiNx)、 氧化硅膜(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)或者它們的層疊膜。在膜厚較 薄的情況下，容易在柵極布線和源極布線的交叉部產(chǎn)生短路，所以，優(yōu) 選為柵電極布線2的膜厚以上。另一方面，在膜厚較厚的情況下，TFT 的導(dǎo)通電流變小，顯示特性降低。半導(dǎo)體有源膜4形成在柵極絕緣膜3上。作為半導(dǎo)體有源膜4，可 使用厚度為100 300nm左右的非晶硅(a-Si)膜或多晶硅(p-Si)膜。 在膜較薄的情況下，在后述的歐姆接觸膜5的干法刻蝕時(shí)，容易發(fā)生消 失。另一方面，在膜較厚的情況下，TFT的導(dǎo)通電流變小。并且，在使用a-Si膜作為半導(dǎo)體有源膜4的情況下，柵極絕緣膜3 的與a-Si膜的界面成為SiNx或SiOxNy,這從TFT成為導(dǎo)通狀態(tài)的作為 柵極電壓的TFT的閾值電壓(Vth)的控制性以及可靠性的觀點(diǎn)看是優(yōu) 選的。另一方面，在使用p-Si膜作為半導(dǎo)體有源膜4的情況下，柵極絕 緣膜3的與p-Si膜的界面成為SiOx或SiOxNy,這從TFT的Vth的控制 性以及可靠性的觀點(diǎn)看是優(yōu)選的。歐姆接觸膜5形成在半導(dǎo)體有源膜4上。作為歐姆接觸膜5，可使 用微量地在厚度為20 70nm左右的a-Si或p-Si中摻雜P后的n型a-Si 膜、n型p-Si膜。此處，半導(dǎo)體有源膜4以及歐姆接觸膜5即半導(dǎo)體層10如圖1所 示那樣，具有在源極布線6a和柵極布線2平面地交叉的區(qū)域所形成的 源極柵極交叉部10a、構(gòu)成TFT的TFT部10b以及連接源極柵極交叉部 10a和TFT部10b的區(qū)域即連接部10c這三個(gè)區(qū)域。并且，當(dāng)然，如圖 1所示，在TFT的溝道部，歐姆接觸膜5被除去，所以，半導(dǎo)體層10 只具有半導(dǎo)體有源膜4。源電極6b以及漏電極7形成在歐姆接觸膜5上> 分別通過其與半導(dǎo)體有源膜4連接。此外，源電極6b如圖l所示，在源極布線6a和柵 極布線2平面地交叉的區(qū)域上，從源極布線6a分支而形成。源極布線 6a以與柵電極布線2大致正交的方式延伸設(shè)置到源極端子(未圖示)。 源極布線6a、源電極6b以及漏電極7由相同的金屬膜構(gòu)成。作為該金 屬膜，可使用將厚度為100 500nm左右的Al、 Mo、 Cr、 Ta、 Ti、 Cu 等作為主要成分的金屬膜。此處，如圖l所示，源極布線6a以及源電極6b覆蓋半導(dǎo)體層的源 極柵極交叉部10a的連接部10c側(cè)的一部分以及連接部10c整體。在圖 3中示出圖1的Y-Y，剖面圖。如圖3所示，在柵電極布線2上，除了柵 極絕緣膜3之外，還形成半導(dǎo)體有源膜4以及歐姆接觸膜5即半導(dǎo)體層 的源極柵極交叉部10a，所以，層間的絕緣性提高。此外，在圖4中示出圖1的Z-Z，剖面圖。如圖4所示，半導(dǎo)體層的 源極柵極交叉部10a的連接部10c側(cè)的一部分被源極布線6a覆蓋。更具 體地說，半導(dǎo)體層的源極柵極交叉部10a的連接部10c側(cè)的端面整體4皮 源才及布線6a覆蓋，另一方面，相反側(cè)的端面未^L源極布線6a覆蓋。才艮 據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)源極布線6a的細(xì)線化。此外，例如在源極布 線6a和半導(dǎo)體層IO之間，即使刻蝕液從圖中的右側(cè)浸入，不希望的刻 蝕也不會(huì)進(jìn)行到源極布線6a的圖中左端，能夠防止源極布線6a的斷線。 因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠防止源電極布線的斷線，可實(shí)現(xiàn)源極布線的細(xì) 線化。并且，在圖3所示的污染部11上容易殘留刻蝕殘?jiān)?，因此，?蝕液容易從污染部11浸透。此外，如圖1以及圖2所示那樣，在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層的TFT 部10b形成在柵電極布線2的正上方。換言之，在從絕緣村底1的主面 的法線方向觀察的情況下，半導(dǎo)體層的TFT部10b的形成區(qū)域包含在柵 電極布線2的形成區(qū)域。即，因?yàn)榘雽?dǎo)體層的TFT部10b形成在柵極絕 緣膜3的平坦的區(qū)域，所以，刻蝕液難以從半導(dǎo)體層的TFT部10b和漏 電極7之間浸透，可防止漏電極7的斷線。鈍化膜8形成在源極布線6a、源電極6b、漏電極7等之上。作為 鈍化膜8,可使用與柵極絕緣膜3相同的材料。像素電極9形成在鈍化膜8上。像素電極9通過形成在鈍化膜8上 的接觸孔12與漏電極7電連接。作為像素電極9，可使用以ITO為代表 的透明導(dǎo)電膜。然后，對(duì)本實(shí)施方式1的有源矩陣型TFT陣列襯底的制造方法進(jìn)行 說明。并且，以下所說明的例子是典型的例子，只要與本發(fā)明的宗旨一 致，當(dāng)然可以采用其他的制造方法。在對(duì)表面進(jìn)行清洗后的絕緣襯底1上，以濺射、真空蒸鍍等方法形 成用于形成柵電極布線2的第一金屬膜。然后，在第一光刻工藝(照相步驟)中對(duì)所述第一金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖， 形成柵電極布線2。光刻工藝如下。對(duì)形成有第一金屬膜的絕緣襯底1 進(jìn)行清洗后，對(duì)感光性抗蝕劑進(jìn)行涂敷、干燥。然后，通過形成有預(yù)定 圖形的掩模圖形進(jìn)行曝光、顯影，由此，以照相制版地在絕緣襯底1上 形成轉(zhuǎn)印有掩模圖形的抗蝕劑。并且，在使感光性抗蝕劑加熱固化后， 對(duì)第一金屬膜進(jìn)行刻蝕。然后，剝離感光性抗蝕劑。在感光性抗蝕劑和 第 一金屬膜的濕潤性較差的情況下，在涂敷前進(jìn)行UV清洗或HMSEX六 甲基二硅胺烷)的蒸汽涂敷等處理。此外，感光性抗蝕劑和第一金屬膜之間的粘合性較差，在產(chǎn)生剝離 的情況下，適當(dāng)進(jìn)行加熱固化溫度的高溫化或加熱固化時(shí)間的長(zhǎng)時(shí)間化 等處理。所述第一金屬膜可利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕。此外，對(duì)于該第一金 屬膜的刻蝕來說，圖形邊緣(pattern edge)成為錐形(taper)形狀，這 在防止與其它的布線的臺(tái)階差處的短路上是優(yōu)選的。此處，錐形形狀是 指，對(duì)圖形邊緣進(jìn)行刻蝕，以使剖面成為梯形形狀。然后，利用等離子體CVD法連續(xù)地形成用于形成由SiNx、 SiOx、 SiOxNy等構(gòu)成柵極絕緣膜3、由a-Si或者p-Si構(gòu)成的半導(dǎo)體有源膜4、 由n型a-Si或者n型p-Si構(gòu)成的歐姆接觸膜5的薄膜。使用a-Si膜作為 半導(dǎo)體有源膜4的情況下，使柵極絕緣膜3的界面附近的成膜速度較'J 、， 使上層部的成膜速度較大，由此，能夠在較短的成膜時(shí)間內(nèi)得到遷移率 較大、截止時(shí)的漏電流較小的TFT。所述SiNx膜、SiOx膜、SiOxNy 膜、a-Si膜、p-Si膜、n型a-Si膜、n型p-Si膜是使用公知的氣體(SiH4、 NH3、 H2、 N02、 PH3、 N2或這些的混合氣體)利用干法刻蝕進(jìn)行圖形形 成。然后，在第二光刻工藝中，在至少形成有TFT部的部分上，對(duì)半導(dǎo) 體有源膜4以及歐姆接觸膜5進(jìn)行構(gòu)圖。柵極絕緣膜3在整體上殘留。 半導(dǎo)體有源膜4以及歐姆接觸膜5的刻蝕能夠由公知的氣體組成(例如， SF6和02的混合氣體或者CF4和02的混合氣體)進(jìn)行干法刻蝕。然后，以濺射等方法形成用于形成源電極6b以及漏電極7的第二 金屬膜。利用第三光刻工藝由第二金屬膜形成源極布線6a(參照?qǐng)D1)、 源極端子(未圖示)、源電極6b、以及漏電極7。作為第二金屬膜的刻 蝕方法，使用濕法刻蝕。例如，在第二金屬膜由Cr構(gòu)成的情況下，可 以使用以硝酸鈰銨(Cerium Ammonium Nitrate)為主要成分的刻蝕液。然后，進(jìn)行歐姆接觸膜5的刻蝕。利用該工藝，除去TFT部的歐姆 接觸膜5的中央部，半導(dǎo)體有源膜4露出。歐姆接觸膜5的刻蝕可使用 公知的氣體組成(例如，SF6和02的混合氣體或者CF4和02的混合氣 體)進(jìn)行干法刻蝕。然后，以等離子體CVD法形成用于形成由SiNx、 SiOx、 SiOxNy 等構(gòu)成的鈍化膜8的膜。利用第四光刻工藝由該膜形成鈍化膜8。使用 對(duì)與圖1所示的接觸孔12對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行開口后的遮光掩模(未圖示) 均勻地進(jìn)行爆光。所迷曝光步驟之后，使用顯影液進(jìn)行顯影。然后，在 對(duì)應(yīng)于接觸孔12的區(qū)域上利用刻蝕步驟形成開口部，漏電極7等露出。然后，利用濺射法、真空蒸鍍法、涂敷法形成用于形成像素電極9 的透明導(dǎo)電膜。利用第五光刻工藝由透明導(dǎo)電膜形成像素電極9。這樣制造的有源矩陣型TFT陣列襯底與具有濾色片或?qū)χ秒姌O的 對(duì)置襯底(未圖示)隔著隔離物作為一對(duì)襯底進(jìn)行貼合，在其間隙中注 入液晶。將夾持該液晶層的液晶面板安裝在背光單元上，由此，制造液 晶顯示裝置。實(shí)施方式2然后，對(duì)和實(shí)施方式l的有源矩陣型TFT陣列襯底不同的實(shí)施方式 進(jìn)行說明。并且，在以下的說明中，與所述實(shí)施方式1相同的構(gòu)成構(gòu)件 付以相同符號(hào)適當(dāng)省略其說明。并且，以下在圖5~7中，示出柵電極 布線2、源極布線6a、源電極6b、漏電極7以及半導(dǎo)體層10的形成位 置關(guān)系，其以外的結(jié)構(gòu)要素省略。圖5是實(shí)施方式2的有源矩陣型TFT陣列襯底的TFT形成區(qū)域附 近的平面圖。在實(shí)施方式I中，如圖1所示，在從絕緣襯底1的主面的 法線方向觀察的情況下，半導(dǎo)體層的TFT部10b形成在柵電極布線2的 形成區(qū)域內(nèi)。另一方面，在本實(shí)施方式2中，在從絕緣襯底l的主面的 法線方向觀察的情況下，半導(dǎo)體層的TFT部10b的一部分在漏電極7之 下從柵電極布線2的形成區(qū)域突出地形成這點(diǎn)不同。但是，從絕緣襯底1的主面的法線方向觀察，與實(shí)施方式1相同地，半導(dǎo)體層的TFT部10b 的形成區(qū)域的外周和漏電極7的形成區(qū)域的外周交叉的兩點(diǎn)存在于柵電 極布線2的形成區(qū)域內(nèi)。因此，刻蝕液難以從半導(dǎo)體層的TFT部10b與 漏電極7之間浸透，能夠防止漏電極7的斷線。此外，圖6以及圖7所示，從絕緣襯底1的主面的法線方向看，半 導(dǎo)體層的TFT部10b的形成區(qū)域的外周和漏電及7的形成區(qū)域的外周交 叉的兩點(diǎn)中的至少一點(diǎn)若存在于柵電極布線2的形成區(qū)域內(nèi)，能夠防止 漏電才及7的斷線。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具有形成在透明絕緣襯底上的柵電極布線；覆蓋所述柵電極布線的柵極絕緣膜；形成在所述柵極絕緣膜上的半導(dǎo)體層；形成在所述半導(dǎo)體層上的源電極、源極布線以及漏電極；與所述漏電極連接的像素電極，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層中，構(gòu)成TFT的TFT部、在所述源極布線和所述柵極布線交叉的區(qū)域所形成的源極柵極交叉部、連接所述TFT部和源極柵極交叉部的連接部一體地形成，由所述源電極以及源極布線覆蓋所述半導(dǎo)體層的連接部全部以及源極柵極交叉部的連接部側(cè)的一部分。
2. 如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo) 體層的TFT部的形成區(qū)域的外周與所述漏電極的形成區(qū)域的外周交叉 的兩個(gè)交點(diǎn)中的至少一個(gè)存在于所述柵電極布線的形成區(qū)域內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求2的液晶顯示裝置，其特征在于，在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo) 體層的TFT部的形成區(qū)域的外周與所述漏電極的形成區(qū)域的外周交叉 的兩個(gè)交點(diǎn)的任意一個(gè)存在于所述柵電極布線的形成區(qū)域內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其特征在于， 在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo)體層的TFT部的形成區(qū)域包含于所述柵電才及布線的形成區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求1 ~4的任意一項(xiàng)的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層具有半導(dǎo)體有源膜以及歐姆接觸膜。
6. —種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 具有如下步驟在透明絕緣襯底上形成第一金屬膜，對(duì)該第一金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成柵電極布線；依次形成覆蓋所述柵電極布線的柵極絕 緣膜以及半導(dǎo)體層之后，對(duì)該半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖；在所述半導(dǎo)體層上形 成第二金屬膜，利用濕法刻蝕對(duì)該第二金屬膜進(jìn)構(gòu)圖，形成源電極、源 才及布線、以及漏電極，在所述半導(dǎo)體層的構(gòu)圖中，將構(gòu)成TFT的TFT部、在所述源極布 線與所述柵電極布線交叉的區(qū)域所形成的源極柵極交叉部、連接所述 TFT部與源極柵極交叉部的連接部一體地形成，在所述第二金屬膜的構(gòu)圖中，以由源電極以及源極布線覆蓋所述半 導(dǎo)體層的連接部全部以及源極柵極交叉部的連接部側(cè)的一部分的方式 形成。
7. 如權(quán)利要求6的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo)體層的TFT部的形成區(qū)域的外周與所述漏電極的形成區(qū)域的外周交叉 的兩個(gè)交點(diǎn)中的至少一個(gè)存在于所述柵電極以及布線的形成區(qū)域內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求6的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo) 體層的TFT部的形成區(qū)域的外周與所述漏電極的形成區(qū)域的外周交叉 的兩個(gè)交點(diǎn)的任意一個(gè)存在于所述柵電極以及布線的形成區(qū)域內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求8的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在從所述透明絕緣襯底的主面的法線方向觀察的情況下，所述半導(dǎo)體層的TFT部的形成區(qū)域包含于所述柵電極布線的形成區(qū)域。
10. 如權(quán)利要求6~9的任意一項(xiàng)的液晶顯示裝置的制造方法，其特 征在于，所述半導(dǎo)體層具有半導(dǎo)體有源膜以及歐姆接觸膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可靠性、生產(chǎn)性優(yōu)良并且高分辨率的有源矩陣型液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置具有形成在透明絕緣襯底(1)上的柵電極布線(2)、覆蓋所述柵電極布線(2)的柵極絕緣膜(3)、形成在所述柵極絕緣膜(3)上的半導(dǎo)體層(10)、形成在所述半導(dǎo)體層(10)上的源電極(6b)、源極布線(6a)以及漏電極(7)、與所述漏電極(7)連接的像素電極(9)。在所述半導(dǎo)體層(10)中，構(gòu)成TFT的TFT部(10b)、形成在所述源極布線(6a)與所述柵電極布線(2)交叉的區(qū)域的源極柵極交叉部(10a)、連接所述TFT部(10b)與源極柵極交叉部的連接部(10a)一體地形成，由所述源電極(6b)以及源極布線(6a)覆蓋所述半導(dǎo)體層的連接部(10c)的全部以及源極柵極交叉部(10a)連接部(10c)側(cè)的一部分。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101251693SQ20081008054
公開日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2008年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月21日
發(fā)明者中堀正樹, 后藤文弘, 木村初美, 荒木利夫 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社