專利名稱：引線框架、傳感器、樹脂合成物和包含樹脂模型的傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的來說涉及一種檢測物理量，如磁場或重力的方向或方位的傳感器，一種將被用于傳感器中樹脂模型的引線框架，一種將被用于傳感器中樹脂模型的樹脂合成物和一種包含樹脂模型的傳感器。
本發(fā)明要求2005年2月22日提出的日本專利申請No.2005-45297和2005年8月29日提出的日本專利申請No.2005-247497的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容在此作引用參考。
背景技術(shù)：
為了更完整地描述本發(fā)明涉及的技術(shù)發(fā)展水平，因此作為參考，整體地包含以下將在申請中引用或標識的所有專利、專利申請、專利公開、科學論文等。
近年來，已經(jīng)開發(fā)出帶有GPS(全球定位系統(tǒng))功能的終端設(shè)備，例如移動電話，這種終端設(shè)備顯示關(guān)于用戶位置的信息。終端設(shè)備可以具有檢測或測量地磁場或加速度的附加功能，從而檢測或測量用戶終端設(shè)備在三維空間內(nèi)的方位或方向或者終端設(shè)備的運動。
為了提供帶有上述附加功能的終端設(shè)備，需要將終端設(shè)備與例如磁性傳感器或加速度傳感器之類的一個或多個傳感器集成在一起。為了允許傳感器檢測三維空間內(nèi)的方位或加速度，需要使傳感器傾斜以便第一傳感器從第二傳感器傾斜。傳感器安裝到包含在引線框架內(nèi)的平臺上。因此，也使平臺傾斜以便第一平臺從第二平臺傾斜。
已經(jīng)開發(fā)出很多種檢測物理量的傳感器。傳感器的典型實例可以包括檢測磁場的磁性傳感器，但不局限于此。這種磁性傳感器與上述傳感器不同。這種磁性傳感器具有襯底和布置在襯底表面上的磁性傳感器芯片。磁性傳感器包括安裝在襯底上的第一和第二磁性傳感器芯片。第一磁性傳感器芯片平行于襯底表面而延伸。第二磁性傳感器芯片垂直于襯底表面而延伸。第一磁性傳感器芯片檢測外磁場的第一和第二磁分量。第一磁分量是沿著平行于襯底表面的第一方向的分量。第二磁分量是沿著平行于襯底表面并垂直于第一方向的第二方向的另一分量。第二磁性傳感器芯片檢測外磁場的第三磁分量。第三磁分量是沿著垂直于襯底表面并且也垂直于第一方向和第二方向的第三方向的又一分量。磁性傳感器利用一對第一和第二磁性傳感器來檢測表示地磁場的三維向量。如上所述，第二磁性傳感器芯片垂直于襯底表面而延伸。這樣增加了包含第一和第二磁性傳感器的磁性傳感器的厚度。厚度定義為磁性傳感器沿著垂直于襯底表面的方向的尺寸或大小。
為了減小磁性傳感器的厚度，可以將磁性傳感器芯片設(shè)置在傾斜的平臺上，該傾斜的平臺從框架主體傾斜或側(cè)斜。日本未審專利申請首次公開文本JP9-292408、JP2002-15204和JP2004-128473公開了常規(guī)傳感器的實例，這種傳感器包括框架主體、傾斜平臺和安裝在傾斜平臺上的傳感器芯片。日本未審專利申請首次公開文本JP9-292408公開了減速度傳感器，其包括襯底和從襯底表面傾斜或側(cè)斜的加速度傳感器芯片、以及放置在襯底上的外殼。傾斜的傳感器對沿著從襯底表面傾斜的方向的加速度非常敏感。傾斜的傳感器對沿著平行于襯底表面的另一方向的另一加速度很不敏感。
圖18表示用于形成檢測物理量的傳感器的常用引線框架例子的平面圖。圖19表示包含圖18所示引線框架的傳感器的局部剖視圖。引線框架50包括分別支撐傳感器芯片51和53的平臺55和57，包繞平臺55和57的框架主體59，和將平臺55和57與框架主體59相連的連接引線61。該引線框架50用于形成傳感器。分別安裝傳感器芯片51和53的平臺55和57與包括框架主體59和連接引線61的平面產(chǎn)生傾斜。引線框架50位于模具“P”和“Q”的空腔中。熔化的樹脂注入空腔中以能形成封裝磁性傳感器芯片51和53及平臺55和57的樹脂模型。連接引線61和框架主體59限定了間隔S5。連接引線61設(shè)有與模具“Q”的表面“Q1”接觸的底表面。因此，熔化的樹脂從頂端流入間隔S5中。
為了按比例縮減包括常用引線框架50的傳感器，有可能減小間隔S5的尺寸。但是，間隔S5尺寸的減小使得很難用熔融樹脂填充間隔S5，而且也難于防止在間隔S5中形成空隙。
檢測物理量的傳感器能夠使用下面公知的工藝形成。準備引線框架，它包括作為主體的框架部，從框架部延伸的許多引線和連接至框架部的平臺。平臺與框架部水平。傳感器芯片粘接于平臺上。具有傳感器芯片的引線框架放置在由一對模具限定的空腔中。具有傳感器芯片的平臺從包括框架部的平面向下傾斜。熔融樹脂注入空腔中以形成封裝和包含傳感器芯片和引線框架的樹脂模型。樹脂模型能夠保護傳感器芯片免受機械撞擊和受潮。樹脂模型能夠提高傳感器芯片的散熱性。樹脂模型還能夠提供一種傳感器芯片的電絕緣性能。這公開在日本未審查的專利申請首次公開文本JP2004-128473中。
已公知和使用的樹脂的典型例子是低分子量的環(huán)氧樹脂和混合有填料的聯(lián)二苯樹脂?；烊霕渲刑盍系牡湫屠影▔核榈木Ч?，壓碎的非晶硅和微粒式非晶硅。
由于按比例縮減和減小設(shè)備，對如包含傳感器芯片的移動終端厚度的需求一直在增長，因此就要求傳感器芯片隨著平臺和模具內(nèi)壁之間的間隔和連接平臺與框架部的變形的引線周圍的間隔的尺寸進一步減小而縮減。間隔尺寸的減小使得難于用熔融樹脂填充間隔。為了填充這樣小的間隔，就可能使用較低粘度的樹脂。進一步要求樹脂具有高的導熱性和低膨脹系數(shù)。為了獲得高的導熱性，樹脂就可能具有提供導熱性的高含量填料。填料含量的增加提高了粘度，即，降低粘度的要求與提高導熱性是相對立的。
混合在樹脂中的常用填料的例子是壓碎填料或是微粒填料與壓碎填料的混合物，常用的填料不能填充較小的間隔，并允許在樹脂模型中形成一個或者多個空隙。包含空隙的樹脂模型不能保護傳感器芯片免遭機械沖擊和濕氣。而且，具有空隙的樹脂模型會降低散熱性并損壞電絕緣性能。為了防止在樹脂模型中形成空隙，已經(jīng)放棄了減小引線框架尺寸和縮減傳感器的意圖。
在填料包含太大而不能填充較小間隔的微粒時，使用微粒填料就能在樹脂模型中形成空隙。
為了使用上述的常用樹脂形成無空隙的樹脂模型，就要在注射模制工藝中提高注射壓力。但是，提高注射壓力會對傳感器芯片產(chǎn)生傷害。
鑒于上述問題，從本文公開的內(nèi)容中本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然需要一種改進的引線框架，一種包括改進的引線框架的傳感器和一種用于該傳感器的樹脂合成物。本發(fā)明提供了本領(lǐng)域的這些需求以及其它需求，這些需求對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說從本文公開的內(nèi)容中將是顯而易見的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種檢測物理量的引線框架。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種檢測物理量和包含引線框架的傳感器。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種將被用于檢測物理量并包含引線框架的傳感器的樹脂合成物。
根據(jù)本發(fā)明第一個方面，一種引線框架，包括限定內(nèi)部區(qū)域的框架主體；從框架主體延伸的多根引線，；設(shè)置在內(nèi)部區(qū)域中的第一平臺；和第一變形的連接引線結(jié)構(gòu)，所述第一變形的連接引線結(jié)構(gòu)包括連接至第一平臺的柔性部、和將柔性部連接至框架主體并具有傾斜側(cè)壁的至少一根變形的連接引線。所述至少一根變形的連接引線具有在至少一根變形的連接引線的厚度方向上增加的寬度。所述至少一根變形的連接引線還具有第一表面，該第一表面與傾斜側(cè)壁相鄰并將傾斜側(cè)壁進行相互隔離。所述至少一根變形的引線的截面形狀大致為梯形。傾斜側(cè)壁允許熔融樹脂流入和填充變形的引線周圍的較小間隔以能形成無空隙樹脂模型，該樹脂模型封裝包含在傳感器中的傳感器芯片。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，用作對設(shè)備進行封裝的樹脂模型的樹脂合成物包括樹脂材料；和混合在樹脂材料中的填料，該填料包括最大微粒尺寸在30-50微米之間，平均微粒尺寸為10-30微米之間的微粒。樹脂合成物允許熔融樹脂流入和填充變形的引線周圍的較小間隔和與支撐芯片的平臺相鄰的另一個較小間隔，以便形成封裝包含在設(shè)備中的芯片的樹脂模型。
本發(fā)明的這些和其它目的、特征、方面和效果對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說從下面結(jié)合附圖的詳細描述和本發(fā)明的實施例說明中將會變得更清楚。


現(xiàn)在參考形成原始公開內(nèi)容一部分的附圖圖1是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的具有磁性傳感器芯片的引線框架的平面視圖；圖2是沿圖1線H-H的引線框架的局部剖視圖；圖3是通過平板印刷工藝形成的變形的引線的延伸部的截面形狀的局部剖視圖；圖4是通過平板印刷工藝形成的變形的引線的基部的截面形狀的局部剖視圖；圖5是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架；圖6是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的另一步驟內(nèi)的引線框架；圖7是通過使用圖1中的引線框架所形成的磁性傳感器的平面視圖；圖8是沿圖5說明磁性傳感器的線I-I剖開的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的包含具有變形的柔性部的變形的引線的引線框架的局部剖視圖；圖10是沿圖9線J-J剖開的引線框架的局部剖視圖；圖11是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第二實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架；圖12是根據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例的第一種改進的包含具有變形的柔性部的變形的引線的引線框架的局部平面圖；圖13A是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的第二種改進的包含具有變形的柔性部的變形的引線的引線框架的局部平面圖；圖13B是沿圖13A中線K-K剖開的局部剖視圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的用于檢測物理量的傳感器的局部平面圖；圖15是示出圖14所示的傳感器的局部剖視圖；圖16是用于形成圖14所示傳感器的引線框架的局部平面圖；
圖17A是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架；圖17B是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的另一步驟內(nèi)的引線框架；圖17C是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的又一個步驟內(nèi)的引線框架；圖18是用于形成檢測物理量的傳感器的引線框架的常用例子的平面圖；圖19是包括圖18所示引線框架的傳感器的局部剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。根據(jù)本文公開的內(nèi)容，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將顯而易見，提供本發(fā)明實施例的下面描述只是用于例證，而目的不是用于限定如附屬權(quán)利要求和它們的等效物所定義的本發(fā)明。
第一實施例圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施例帶有磁性傳感器芯片的引線框架的平面圖。圖2是引線框架沿圖1中H-H線剖開的橫剖視圖。通過引線框架能實現(xiàn)用于檢測物理量的傳感器，多個用于檢測物理量的傳感器芯片安裝在引線框架上。用于檢測物理量的傳感器的典型實例可以包括用于檢測磁場方向和強度的磁性傳感器，但不局限于此。
依據(jù)本發(fā)明的這種實施例的磁性傳感器包括引線框架1和安裝在引線框架1上的兩個磁性傳感器芯片3、5。兩個磁性傳感器芯片3、5各自測量施加到磁性傳感器的外磁場方向和強度。通過用于壓制和蝕刻例如銅薄板之類的金屬板的工藝能形成引線框架1。
如圖1和2所示，引線框架1包括兩個平臺7和9，磁性傳感器芯片3和5分別安裝在它們之上。兩個平臺7和9各自在平面圖內(nèi)的形狀都是正方形。引線框架1還包括機械支撐兩個平臺7和9的框架11。而且，引線框架1包括連接部分13，每個連接部分13將每個平臺7和9機械連接到框架11。平臺7和9、連接部分13以及框架11整體形成單片結(jié)構(gòu)。
框架11還包括正方形框架部分15和多根引線17。正方形框架部分15具有大致的正方形形狀。例如，正方形框架部分15具有確定內(nèi)部區(qū)域S1的四個側(cè)面15a、15b、15c和15d。因此，內(nèi)部區(qū)域S1具有大致的正方形形狀。平臺7和9位于內(nèi)部區(qū)域S 1中。正方形框架部分15圍繞平臺7和9。引線17從正方形框架部分15的四個側(cè)面15a、15b、15c和15d向內(nèi)延伸。
多根引線17包括第一至第四子多根引線17，它們分別從正方形框架部分15的第一至第四側(cè)面15a、15b、15c和15d向內(nèi)延伸。引線17電連接到磁性傳感器芯片3和5的焊接點。在圖中未圖解焊接點。
兩個平臺7和9分別具有安裝磁性傳感器芯片3和5的表面7a和9a。表面7a和9a各自在平面圖內(nèi)具有大致的正方形形狀。正方形框架部分15具有第一至第四角15e、15f、15g和15h。第一側(cè)面15a在第一角15e和第二角15f之間延伸。第二側(cè)面15b在第二角15f和第三角15g之間延伸。第三側(cè)面15c在第三角15g和第四角15h之間延伸。第四側(cè)面15d在第四角15h和第一角15e之間延伸。正方形框架部分15還具有第一表面15i和與第一表面15i相對的第二表面15j。
正方形框架部分15確定彼此以直角相交的第一對角線L1和第二對角線L2。第一對角線L1在第一角15e和第三角15g之間延伸。第二對角線L2在第二角15f和第四角15h之間延伸。第一角15e和第三角15g定位成彼此關(guān)于第二對角線L2的映像-對稱軸而對稱。第二角15f和第四角15h定位成彼此關(guān)于第一對角線L1的映像-對稱軸而對稱。平臺7和9定位成分別靠近第一角15e和第三角15g。平臺7和9具有與第一對角線L1重疊的對角線。平臺7和9放置在彼此關(guān)于第二對角線L2的映像-對稱軸而對稱的位置上。平臺7和9布置成彼此關(guān)于第二對角線L2的映像-對稱軸而對稱。平臺7和9與第二對角線L2隔開。平臺7和9各自二維地并關(guān)于第一對角線L1的映像-對稱軸而對稱地延伸。
如圖2所示，平臺7具有第一表面7a和與第一表面7a相對的第二表面7c。平臺7還包括與第一對角線L1對齊的中心線。如上所述，平臺7的形狀大致為正方形。平臺7設(shè)有四個側(cè)面，其中兩個側(cè)面7b和7d平行于第二對角線L2，并垂直于第一對角線L1，而其余兩個側(cè)面平行于第一對角線L1，并垂直于第二對角線L2。側(cè)面7b接近于第二對角線L2，但是遠離正方形框架部分15的第一角15e。相對的側(cè)面7d接近于第一角15e，但遠離對角線L2。平臺7的四個側(cè)面既不平行于又不垂直于正方形框架部分15的四個側(cè)面15a、15b、15c和15d。
兩個突起部分19在垂直于包括第一和第二對角線L1和L2的平面的方向上從底表面7c延伸。優(yōu)選的是，突起部分19從與平臺7的側(cè)面7b相鄰的位置延伸。兩個突起部分19相互遠離，并相對第一對角線L1的映像—對稱軸相互對稱分布。相互遠離的突起部分19防止平臺7在使平臺7產(chǎn)生傾斜的工藝過程中繞第一對角線L1而扭曲。
如圖2所示，平臺9具有第一表面9a和與第一表面9a相對的第二表面9c。平臺9還具有與第一對角線L1對齊的中心線。如上所述，平臺9大致為正方形。平臺9具有四個側(cè)面，其中兩個側(cè)面9b和9d平行于第二對角線L2，并垂直于第一對角線L1，而且其余兩個側(cè)面平行于第一對角線L1，并垂直于第二對角線L2。側(cè)面9b接近于第二對角線L2，但是遠離正方形框架部分15的第三角15g。相對側(cè)面9d接近于第三角15g，遠離對角線L2。平臺9的四個側(cè)面既不平行于又不垂直于正方形框架部分15的四個側(cè)面15a、15b、15c和15d。
兩個突起部分21在垂直于包括第一和第二對角線L1和L2的平面的方向上從第二表面9c延伸。優(yōu)選的是，突起部分21從與平臺9的側(cè)面9b相鄰的位置延伸。兩個突起部分21相互遠離，并相對第一對角線L1的映像對稱軸相互對稱分布。相互遠離的突起部分21防止平臺9在使平臺9產(chǎn)生傾斜的工藝過程中繞第一對角線L1而扭曲。
第一至第四引線分別從正方形框架部分15的第一至第四側(cè)面15a、15b、15c和15d向內(nèi)延伸。每個平臺7和9通過連接部分13與正方形框架部分15相連。每個連接部分13包括柔性部25和第一至第三變形的連接引線23。即，其中第一連接部分13包括柔性部25，柔性部25鄰接平臺7的側(cè)面7d進行延伸；和第一至第三改進變形的引線23，其使柔性部25連接正方形框架部分15。第一至第三變形的連接引線23比引線17長。第一變形的連接引線23沿著第一對角線L1從正方形框架部分15的第一角15e延伸到平臺7的側(cè)面7d的中心。第二變形的連接引線23從正方形框架部分15的第四側(cè)面15d延伸到柔性部25的第一角。第二變形的連接引線23平行于第四多根引線17延伸，第四多根引線17從正方形框架部分15的第四側(cè)面15d延伸。第三變形的連接引線23從正方形框架部分15的第一側(cè)面15a延伸到柔性部25的與第一角相對的第二角。第三變形的連接引線23平行于第一引線17延伸，第一多根引線17從正方形框架部分15的第一側(cè)面15a進行延伸。第一變形的連接引線在第二和第三變形的連接引線23之間延伸。
柔性部25的寬度“W1”比平臺7窄，但是比第一至第三變形的連接引線23寬。柔性部25可具有，但不必須具有與平臺7和突起部分19相同的厚度。第一至第三變形的連接引線23也可具有，但不必須具有與柔性部25相同的厚度。另一種可選方案是，柔性部25可比，但不必須比平臺7和9及變形的連接引線23薄。柔性部25厚度的減小提高了其柔性度，降低了其機械強度。柔性部25厚度的減小可以通過半蝕刻柔性部25而獲得。
第一變形的連接引線23在第二和第三變形的連接引線23之間延伸。第一和第二變形的連接引線23和第四側(cè)面15d限定了第一間隔S11。換句話說，第一間隔S11被第一和第二變形的連接引線23和第四側(cè)面15d圍繞。第一和第三變形的連接引線23和第一側(cè)面15a限定了第二間隔S11。換句話說，第二間隔S11被第一和第三變形的連接引線23和第一側(cè)面15a圍繞。
其中的第二連接部分13也包括柔性部25，鄰接平臺9的側(cè)面9d進行延伸；和第四至第六變形的連接引線23，使柔性部23連接正方形框架部分15。第四至第六變形的連接引線23比引線17長。第四變形的連接引線23沿著第一對角線L1從正方形框架部分15的第三角15g延伸到平臺9的側(cè)面9d的中心。第五變形的連接引線23從正方形框架部分15的第二側(cè)面15b延伸到柔性部25的第一角。第五變形的連接引線23平行于第二多根引線17延伸，多根第二引線17從正方形框架部分15的第二側(cè)面15b延伸。第六變形的連接引線23從正方形框架部分15的第三側(cè)面15c延伸到柔性部25的與第一角相對的第二角。第六變形的連接引線23平行于第三多根引線17延伸，第三多根引線17從正方形框架部分15的第三側(cè)面15c進行延伸。第四變形的連接引線23在第五和第六變形的連接引線23之間延伸。
柔性部25的寬度“W1”比平臺9窄，但是比第四至第六變形的連接引線23寬。柔性部25具有與平臺9和突出部21相同的厚度。第四至第六變形的連接引線23具有與柔性部25相同的厚度。
第四變形的連接引線23在第五和第六變形的連接引線23之間延伸。第四和第五變形的連接引線23和第二側(cè)面15b限定了第三間隔S11。換句話說，第三間隔S11被第四和第五變形的連接引線23和第二側(cè)面15b圍繞。第四和第六變形的連接引線23和第三側(cè)面15c限定了第四間隔S11。換句話說，第四間隔S11被第四和第六變形的連接引線23和第三側(cè)面15c圍繞。
圖3是已經(jīng)通過平版印刷工藝形成的變形的連接引線23的延伸部的截面形狀的局部剖視圖，圖4是已經(jīng)通過平版印刷工藝形成的變形的連接引線23的基部截面形狀的局部剖視圖。每個變形的連接引線23具有第一表面23a和與第一表面23a相對的第二表面23b。第一表面23a連通傳感器芯片3或5安裝在其上的平臺7或9的第一表面7a或9a上。即，第一表面23a與平臺7或9的第一表面7a或9a面對相同的方向。每個變形的連接引線23包括基部23c和延伸部23d?；?3c與正方形框架部分15相鄰。延伸部23d從基部23c延伸到柔性部25?；?3c的截面形狀不同于延伸部23d的截面形狀。延伸部23d和基部23c通過虛折線相互進行粘結(jié)，虛折線限定了圖1中樹脂模型29的周邊。
變形的連接引線23的延伸部23d的截面形狀如圖3所示。延伸部23d的寬度在變形的連接引線23的厚度方向上是可變的。延伸部23d在厚度方向上具有三個不同的水平面“A”、“B”和“C”。水平面“A”與第一表面23a處于同一水平面。水平面“B”與第一表面23a相對的第二表面23b處于同一水平面。水平面“C”位于水平面“A”和水平面“B”的中間，假定水平面“C”比水平面“A”更接近于水平面“B”。變形的連接引線23的延伸部23d在水平面“C”上具有最大寬度，在水平面“A”上具有最小寬度。在水平面“B”上，延伸部23d的寬度比最大寬度窄，比最小寬度寬，假設(shè)水平面“B”和“C”之間的寬度差小于水平面“B”和“A”之間的另一個寬度差。變形的連接引線23的延伸部23d的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“A”移動至水平面“C”而增加，還隨著厚度方向上的位置從水平面“C”移動至水平面“B”而減小。
變形的連接引線23的延伸部23d包括限定在水平面“A”和“C”之間的多數(shù)部和限定在水平面“C”和“B”之間的少數(shù)部。多數(shù)部的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“A”移動至水平面“C”而增加，少數(shù)部的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“C”移動至水平面“B”而減小。多數(shù)部具有傾斜側(cè)壁，而少數(shù)部具有相反傾斜的側(cè)壁，少數(shù)部的傾斜側(cè)壁小于多數(shù)部的傾斜側(cè)壁。變形的連接引線23的延伸部23d的截面形狀可以是變形的梯形，但不局限于此。
如圖3所示，每個第一至第四間隔S11由兩個相鄰變形的連接引線23的延伸部23d的傾斜側(cè)壁和相反傾斜的側(cè)壁進行部分限定。由延伸部23d限定的每個第一至第四間隔S11的寬度在厚度方向上是可變的。即，每個第一至第四間隔S11的寬度隨著位置在厚度方向上從水平面“A”移動至水平面“C”而減小，并隨著位置在厚度方向上從水平面“C”移動至水平面“B”而增加。
每個第一至第四間隔S11在平面圖中具有一個面積，其中該面積根據(jù)厚度方向上的水平面而變化。該面積是通過圖1所示的虛線和兩個相鄰變形的連接引線23的延伸部23d限定的。即，每個第一至第四間隔S11在平面圖中的面積隨著位置在厚度方向上從水平面“A”移動至水平面“C”而減小，并隨著位置在厚度方向上從水平面“C”移動至水平面“B”而增加。每個第一至第四間隔S11在水平面“A”中的平面圖內(nèi)具有第一面積，在水平面“B”中的平面圖內(nèi)具有第二面積，在水平面“C”中的平面圖內(nèi)具有第三面積。每個第一至第三面積是通過圖1所示的虛線和兩個相鄰的變形的連接引線23的延伸部23d限定的。第一面積是最大的面積，第三面積是最小的面積。第二面積小于第一面積大于第三面積。
在變形的連接引線23的延伸部23d的截面上的變形的連接部分的形狀通過照相平板工藝和后續(xù)的蝕刻工藝而獲得。在照相平板工藝中，使用第一和第二掩膜M1和M2。第一掩膜M1放置在正方形框架的第一表面上，而第二掩膜M2放置在正方形框架的與第一表面相對的第二表面上。正方形正方形框架可包括金屬板。第一和第二掩膜M1和M2包括行間距圖案。第一掩膜M1的行寬度比第二掩膜M2的窄。第一掩膜M1的間隔寬度比第二掩膜M2的寬。第一掩膜M1和第二掩膜M2具有相同的行間隔節(jié)距。正方形正方形框架的第一和第二表面使用第一和第二掩膜M1和M2進行蝕刻工藝以能形成變形的連接引線23的延伸部23d。
變形的連接引線23的基部23c具有如圖所示的截面形狀?；?3c的寬度在變形的連接引線23的厚度方向上產(chǎn)生變化。基部23c在厚度方向上具有三個不同的水平面“A”、“B”和“D”。水平面“A”與第一表面23a處于同一水平面。水平面“B”和與第一表面23a相對的第二表面23b處于同一水平面。水平面“D”位于水平面“A”和水平面“B”的中間，假定水平面“D”比水平面“B”更接近于水平面“A”。變形的連接引線23的基部23c在水平面“D”上具有最大寬度，在水平面“B”上具有最小寬度。在水平面“A”上，基部23c的寬度比最大寬度窄，比最小寬度寬，假設(shè)水平面“A”和“D”之間的寬度差小于水平面“A”和“B”之間的另一個寬度差。變形的連接引線23的基部23c的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“A”移動至水平面“D”而增加，還隨著厚度方向上的位置從水平面“D”移動至水平面“B”而減小。
變形的連接引線23的基部23c包括限定在水平面“B”和“D”之間的多數(shù)部和限定在水平面“D”和“A”之間的少數(shù)部。多數(shù)部的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“D”移動至水平面“B”而減小，少數(shù)部的寬度隨著厚度方向上的位置從水平面“A”移動至水平面“D”而增加。多數(shù)部具有相反傾斜的側(cè)壁，而少數(shù)部具有傾斜側(cè)壁，少數(shù)部的傾斜側(cè)壁小于多數(shù)部的相反傾斜的側(cè)壁。變形的連接引線23的基部23c的截面形狀可以是變形的倒置梯形，但不局限于此。
如圖4所示，每個第一至第四間隔S11由兩個相鄰變形的連接引線23的基部23c的傾斜側(cè)壁和相反傾斜的側(cè)壁進行部分限定。由基部23c限定的每個第一至第四間隔S11的寬度在厚度方向上是可變的。即，每個第一至第四間隔S11的寬度隨著位置在厚度方向上從水平面“A”移動至水平面“D”而增加，并隨著位置在厚度方向上從水平面“D”移動至水平面“B”而減小。
每個第一至第四間隔S11在平面圖中具有一個面積，其中該面積根據(jù)厚度方向上的水平面而變化。該面積是通過圖1所示的虛線和兩個相鄰的變形的連接引線23的基部23c及正方形框架部分15限定的。即，每個第一至第四間隔S11在平面圖中的面積隨著位置在厚度方向上從水平面“A”移動至水平面“D”而減小，并隨著位置在厚度方向上從水平面“D”移動至水平面“B”而增加。每個第一至第四間隔S11在水平面“A”中的平面圖內(nèi)具有第四面積，在水平面“B”中的平面圖內(nèi)具有第五面積，在水平面“D”中的平面圖內(nèi)具有第六面積。每個第四至第六面積是通過圖1所示的虛線和兩個相鄰的變形的連接引線23的基部23c及正方形框架部分15限定的。第五面積是最大的面積，第六面積是最小的面積。第四面積小于第五面積而大于第六面積。
在變形的連接引線23的基部23c的截面上的變形的形狀通過照相平板工藝和后續(xù)的蝕刻工藝而獲得。在照相平板工藝中，使用第三和第四掩膜M3和M4。第三掩膜M3放置在正方形框架的第一表面上，而第四掩膜M4放置在正方形框架的與第一表面相對的第二表面上。正方形框架可包括金屬板。第三和第四掩膜M3和M4包括行間距圖案。第三掩膜M3的行寬度比第四掩膜M4的窄。第三掩膜M3的間隔寬度比第四掩膜M4的窄。第三掩膜M3和第四掩膜M4具有相同的行間隔節(jié)距。正方形框架的第一和第二表面使用第三和第四掩膜M3和M4進行蝕刻工藝以能形成變形的連接引線23的基部23c。
優(yōu)選的是，引線17的截面形狀也可與變形的連接引線23的相同，因為引線17可以用與形成變形的連接引線23相同的工藝形成。
變形的連接引線23具有連通平臺7和9表面7a和9a的第一表面23a，以使第一表面23a和表面7a和9a形成一個表面。
如圖1所示，每個連接部分13包括柔性部25和變形的連接引線23。柔性部25鄰近平臺7或9的側(cè)面7d或9d延伸。變形的連接引線23使柔性部25連接正方形框架部分15。柔性部25具有參考軸線L3，參考軸線L3平行于平臺7或9的側(cè)面7d或9d并垂直于第一對角線L1。由于第一對角線L1垂直于第二對角線L2，因此參考軸線L3平行于第二對角線L2。柔性部25設(shè)置成在參考軸線L3上彎曲。即，柔性部25的寬度W1比平臺7或9的寬度窄。換句話說，柔性部25設(shè)有限定窄寬度W1的凹側(cè)部。柔性部25的厚度為“t”，優(yōu)選的是，柔性部25的寬度W1滿足給定的條件，0.5×t≤W1≤3.0×t。在寬度W1大于3.0×t時，柔性部25的機械柔性度就比較低，可能不允許柔性部25在參考軸線13上產(chǎn)生很好的彎曲。在寬度W1小于0.5×t時，柔性部25的機械強度就比較低，在參考軸線L3彎曲柔性部25時可能會使變形的連接引線23和平臺7或9之間的柔性部25斷開。更優(yōu)選的是，柔性部25的寬度W1滿足給定的條件，1.0×t≤W1≤3.0×t。在寬度W1小于1.0×t時，柔性部25的機械強度就比較低，可能會使彎曲柔性部25相對于變形的連接引線23產(chǎn)生扭曲。
將描述使用上述圖1所示的引線框架1形成磁性傳感器的方法。在第一步驟中，準備參考圖1和2所述的引線框架1。在第二步驟中，磁性傳感器芯片3和5分別粘結(jié)平臺7和9的第一表面7a和9a。在第三步驟中，引線框架1的引線7通過導線電連接于設(shè)置在磁性傳感器芯片3和5每個之上的焊接點。焊接點未在圖中顯示。導線最好是柔軟的以能使平臺7和9在彎曲連接部分13的柔性部25的后面工藝中向下傾斜，以此改變相對于引線17的磁性傳感器3和5的焊接點的相對位置。
圖5是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架。圖6是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的另一步驟內(nèi)的引線框架。
參考圖5，準備第一和第二?！癊”和“F”。第一?！癊”設(shè)有凹面“E1”和外圍隆起“E2”。第二?！癋”設(shè)有平坦表面“F1”。凹面“E1”和平坦表面“F1”限定了模“E”和“F”的空腔。引線框架1位于第一?！癊”上，其中正方形框架部分15接觸外圍隆起“E2”。引線17、磁性傳感器芯片3和5、平臺7和9、連接部分13和突起部分19和21位于第一?！癊”的凹面“E1”上。在引線框架1位于第一?！癊”上時，磁性傳感器芯片3和5就位于平臺7和9的下面，突起部分19和21就分別從平臺7和9的第二表面7c和9c向上延伸。磁性傳感器芯片3和5與第一?！癊”的凹面“E1”相距一間隔。突起部分19和21還與平坦表面“F1”相距另一間隔。
參考圖6，第二?！癋”移向第一?！癊”，以便平坦表面“F1”下壓突起部分19和21直到第一和第二?！癊”和“F”將引線框架1的正方形框架部分15夾在中間為止，以此柔性部25在參考軸線L3上產(chǎn)生彎曲，平臺7和9從包括第一和第二對角線L1和L2的上述平面向下傾斜。由于正方形框架部分15在包括第一和第二對角線L1和L2的平面上二維地進行延伸，因此該平面也包括正方形框架部分15。分別安裝在平臺7和9上的磁性傳感器芯片3和6也與平臺7和9一起向下傾斜。傾斜的磁性傳感器3和5相對于正方形框架部分15和平坦表面“F1”具有預(yù)定的傾斜角。預(yù)定的傾斜角通過突起部分19和21進行確定。例如，預(yù)定的傾斜角通過參考軸線L3和每個突起部分19和21之間的距離和通過每個突起部分19和21的尺寸來確定，其中尺寸在垂直于包括每個突起部分19和21的平面的方向上進行限定。在第一和第二?！癊”和“F”將正方形框架部分15夾在中間時，正方形框架部分15的第一表面15i接觸第一模“E”的外圍隆起“E2”，而正方形框架部分15的第二表面15j接觸平坦表面“F1”。
熔融樹脂注入?！癊”和“F”的空腔中，同時使用第二?！癋”壓緊突起部分19和21，由此磁性傳感器芯片3和5、平臺7和9用樹脂進行熔化和密封。如上所述，空腔通過第一?！癊”的凹面“E1”和第二?！癋”的平坦表面“F1”進行限定。
在注入—熔化工藝過程中，熔融樹脂通過圖1所示的澆口“G”注入空腔中。澆口“G”位于第二對角線L2和引線框架1的正方形框架部分15的第四角15h上。在空腔中，注入時的熔融樹脂將噴流向第一、第二和第三角15e、15f和15g，及第一和第二側(cè)面15a和15b。熔融樹脂的這種流動將包括與澆口“G”相對的到第二角15f的主流和流到第一和第二側(cè)面15a和15b及第一和第三角15e和15g的次流。次流是由主流擴散引起的。熔融樹脂的主流將沿著第二對角線L2移動。如上所述，參考軸線L3平行于第二對角線L2。因此，沿著第二對角線L2移動的主流將平行于參考軸線L3被引導。傾斜或側(cè)斜的平臺7的第一和第二表面7a和7c平行于第二對角線L2。傾斜或側(cè)斜的平臺9的第一和第二表面9a和9c也平行于第二對角線L2。分別安裝在傾斜或側(cè)斜的平臺7和9上的傾斜或側(cè)斜的磁性傳感器芯片3和5也平行于第二對角線L2。因此，熔融樹脂的主流將平行于傾斜或側(cè)斜的平臺7和9及傾斜或側(cè)斜的磁性傳感器芯片3和5進行引導。這就意味著熔融樹脂的主流實質(zhì)上不能由于傾斜平臺7和9及傾斜傳感器芯片3和5的存在而受到干擾。而且，熔融樹脂的主流實質(zhì)上不能推動傾斜平臺7和9及傾斜傳感器芯片3和5。
如圖1、3和6所示，在注入模制工藝過程中，熔融樹脂的主流到達第二角15f，同時熔融樹脂的支流到達第一和第二角15e和15g，以使第一至第四間隔S11填充滿熔融樹脂。次流的熔融樹脂沿著變形的連接引線23的第一表面23a流動，然后流入第一至第四間隔S11。如上所述，變形的連接引線23的延伸部23d具有變形的連接梯形形狀。延伸部23d包括多數(shù)部和少數(shù)部。多數(shù)部提供第一表面23a和傾斜側(cè)壁，而少數(shù)部提供第二表面23b和相反傾斜的側(cè)壁。延伸部23d的多數(shù)部的寬度隨著位置從水平面“A”移動至水平面“C”而增大。水平面“A”與第一表面23a同處一水平面。水平面“C”是遠離水平面“A”的深層水平面。在水平面“A”上的每個第一至第四間隔S11處的上述第一面積大于在水平面“C”上的每個第一至第四間隔S 11處的上述第三面積。熔融樹脂沿著上述變形的連接引線23的延伸部23d的傾斜側(cè)壁流動，并填充每個第一至第四間隔S11。上述延伸部23d的傾斜側(cè)壁允許熔融樹脂流入并填充滿每個第一至第四間隔S11。換句話說，在變形的連接引線23的延伸部23d截面上的上述變形的連接梯形形狀保證了熔融樹脂流入并填充第一至第四間隔S11，而不會在樹脂模型29中形成任何空隙。
具有傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜平臺7和9平行于第一對角線L1延伸，在注入模制工藝過程中熔融樹脂的主流沿著該第一對角線L1流動。而且，具有傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜平臺7和9遠離第一對角線L1。因此，具有傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜平臺7和9沒有暴露于主流，但是可能暴露于支流。優(yōu)選的是，為了防止注入空腔中時的熔融樹脂改變傾斜平臺7和9及傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜角度，樹脂具有較高的流動性系數(shù)。
圖7是通過使用圖1引線框架1形成的磁性傳感器的平面視圖。圖8是沿圖5說明磁性傳感器的線I-I剖開的剖視圖。在上述模制引線框架1的工藝過程中，在傾斜平臺7和9上的傾斜磁性傳感器3和5用注入到空腔中的熔融樹脂進行密封。然后熔融樹脂經(jīng)過冷卻和固化而形成樹脂模型29。如圖7和8所示，通過模制工藝過程，傾斜平臺7和9上的傾斜磁性傳感器3和5用樹脂模型29進行封裝和密封。傾斜傳感器芯片3和5、引線17和變形的連接引線23的延伸部23d固定在樹脂模型29中，而正方形框架部分15和變形的連接引線23的基部23c在樹脂模型29外部延伸。
然后樹脂模型29外部的正方形框架部分15經(jīng)過切割并從樹脂模型29中去除。引線17的外部和變形的連接引線23的基部23c經(jīng)過切除和從樹脂模型29中去除，以此完成磁性傳感器30。
磁性傳感器30包括傾斜磁性傳感器芯片3和5、傾斜平臺7和9、突起部分19和21、引線17的其余部分、變形的連接引線23的延伸部23d和樹脂模型29。樹脂模型29在平面視圖中的形狀大致為正方形。樹脂模型29還具有平坦底表面29a和平坦頂部面29c。變形的連接引線23的第二表面23b和引線17的相反表面與平坦底表面29a同處于一個水平面，并顯示在平底表面29a上。突起部分19和21具有與平坦底表面29a同處于一個水平面，并顯示在平坦底表面29a上的頂部。引線17通過未圖示的導線連接傾斜磁性傳感器芯片3和5。導線還通過樹脂模型29進行密封和封裝。
傾斜磁性傳感器芯片3和5隱藏在樹脂模型29中，其中傾斜磁性傳感器芯片3和5從樹脂模型29的平坦底表面29a傾斜。傾斜磁性傳感器芯片3和5包含在兩個相交成銳角θ的傾斜平面中。即，傾斜磁性傳感器芯片3和5具有彼此相差銳角θ傾斜角度。銳角θ如圖8所示，并且與上述傾斜角度不同。由于磁性傳感器芯片3和5分別安裝在傾斜平臺7和9上，所以傾斜平臺7和9也包含在兩個相交成銳角θ的傾斜平面中。即，傾斜平臺7和9具有彼此相差銳角θ傾斜角度。
每個傾斜磁性傳感器芯片3和5的構(gòu)成要能檢測作用于磁性傳感器30上的外磁場的兩個分量。兩個分量的方向相互垂直，但是都平行于包含傾斜磁性傳感器芯片3或5的傾斜平面。例如，在圖8中，傾斜傳感器芯片3檢測在用箭頭“A”表示的第一方向上的外磁場的第一分量和在用箭頭“B”表示的第二方向上的外磁場的第二分量。第一和第二方向“A”和“B”相互垂直，但是都平行于包含傾斜磁性傳感器芯片3的第一傾斜平面。傾斜傳感器芯片5檢測在用箭頭“C”表示的第三方向上的外磁場的第三分量和在用箭頭“D”表示的第四方向上的外磁場的第四分量。第三和第四方向“C”和“D”相互垂直，但是都平行于包含傾斜磁性傳感器芯片5的第二傾斜平面。第一和第三方向“A”和“C”相互反向平行(anti-parallel)，并垂直于第一對角線L1和平行于第二對角線L2。第二和第四方向“B”和“D”彼此相差銳角θ，并都垂直于第二對角線L2。
平行于第一和第二方向“A”和“B”的第一傾斜平面和平行于第三和第四方向“C”和“D”的第二傾斜平面相互以一個上述銳角θ相交。該銳角θ原理上說大于零度，最大為90度，以使磁性傳感器30精確地檢測三維地磁的方位。銳角θ的較佳范圍是在20度和90度之間，最佳的是在30度和90度的范圍中。
磁性傳感器30可優(yōu)選地一體形成或安裝在包含于如移動終端的設(shè)備內(nèi)的電路板上。典型的移動終端可包括，但不僅限于，蜂窩移動電話。在磁性傳感器30集成在蜂窩移動電話上時，磁性傳感器30最可能檢測地磁的方位，并將它顯示在蜂窩移動電話的顯示屏上。
引線17的表面和變形的連接引線23的第二表面從樹脂模型29的平坦表面29a暴露。引線17的暴露表面和變形的連接引線23的暴露表面通過焊料焊接于襯底或電路板上以能將磁性傳感器30安裝在襯底上。在磁性傳感器30從襯底接收到作用于單個磁性傳感器30上的外力時，引線17和變形的連接引線23也從襯底接收到作用于相同磁性傳感器30上的另一個外力。但是，如上所述，每個引線17和變形的連接引線23設(shè)有傾斜側(cè)壁和暴露表面的變形的梯形形狀。傾斜側(cè)壁接合樹脂模型29以能防止引線17和變形的連接引線23在接收到所施加的外力時與樹脂模型29產(chǎn)生分離。
如上所述，次流的熔融樹脂沿著變形的連接引線23的第一表面23a流動，然后流入第一至第四間隔S11中。變形的連接引線23的延伸部23d具有變形的連接梯形形狀。延伸部23d的多數(shù)部的寬度隨著位置從水平面“A”移動至水平面“C”而增大。在水平面“A”上的每個第一至第四間隔S11的上述第一面積大于上述在水平面“C”上的每個第一至第四間隔S11的第三面積。熔融樹脂沿著上述變形的連接引線23的延伸部23d的傾斜側(cè)壁流動，并填充每個第一至第四間隔S11。上述延伸部23d的傾斜側(cè)壁允許熔融樹脂流入并填充每個第一至第四間隔S11。換句話說，在變形的連接引線23的延伸部23d截面上的上述變形的梯形形狀保證熔融樹脂流入并填充每個第一至第四間隔S11，而不會在樹脂模型29中形成任何空隙。這樣就進一步減小了磁性傳感器30的尺寸或大小。
如上所述，柔性部25的寬度最好滿足給定的條件，0.5×t≤W1≤3.0×t。這就保證了柔性部25具有較高的柔性度和機械強度以使柔性部相對參考軸線L3進行很好地彎曲，以此傾斜平臺7或9，而不會使變形的連接引線23和平臺7或9之間的柔性部25產(chǎn)生斷開。柔性部25的寬度W1最好滿足給定的條件，1.0×t≤W1≤3.0×t。這樣就進一步保證了柔性部25能夠彎曲而不會相對變形的連接引線23產(chǎn)生任何扭曲。
具有傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜側(cè)壁7和9遠離第二對角線L2，熔融樹脂的主流在注入模制工藝過程中沿著第二對角線L2流動，以使熔融樹脂的主流基本上不能通過平臺7和9進行分配，以此熔融樹脂到達第二角15f，第二角15f與澆口“G”所處位置的第四角15h相對。
而且，傾斜平臺7和9以及傾斜磁性傳感器3和5遠離第二對角線L2，注入時的熔融樹脂的主流在上述注入模制工藝過程中沿著第二對角線L2流動。因此，注入空腔中的熔融樹脂的主流實質(zhì)上不能推動傾斜平臺7和9以及傾斜磁性傳感器3和5，以此實質(zhì)上不會改變磁性傳感器芯片3和5的傾斜角度。磁性傳感器芯片3和5的傾斜角度的實質(zhì)未改變也就使上述傾斜磁性檢測芯片3和5之間限定的銳角θ實質(zhì)上沒有改變。
柔性部25的寬度“W1”比平臺7的窄，但是比第一至第三變形的連接引線23的寬。柔性部25可具有，但是，不必須具有，與平臺7和突起部分19相同的厚度。第一至第三變形的連接引線23可具有，但是，不必須具有，與柔性部25相同的厚度。另一種可選方案是，柔性部25可比，但是不必須比平臺7和9以及變形的連接引線23薄。柔性部25厚度的減小提高了其柔性度，并降低了機械強度。柔性部25厚度的減小通過半蝕刻柔性部25而獲得。在柔性部25的厚度減小時，寬度“W1”最好參考減小的厚度來確定，以能滿足上述給定的條件0.5×t≤W1≤3.0×t。
第二實施例將描述本發(fā)明的第二實施例。下面的描述將涉及第二實施例與上述第一實施例的差異。圖9是根據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例的包含具有變形的連接柔性部的變形的連接引線的引線框架的局部剖視圖，圖10是沿圖9線J-J剖開的引線框架的局部剖視圖。
圖9和10所示的引線框架僅在柔性部與圖1和2所示的上述引線框架不同。下面的描述將涉及第一和第二實施例之間的引線框架的不同。柔性部25鄰近平臺7或9延伸。變形的連接引線23從柔性部25延伸到正方形框架部分15。柔性部25具有單個槽33，槽33包括在柔性部25的厚度方向上穿過柔性部25的細長開口。槽33具有平面視圖為圓形的相對端。槽33沿著參考軸線L3延伸。槽33的長度方向平行于第二對角線L2，并垂直于第一對角線L1。槽33相對于包括第一對角線L1的映像—對稱軸對稱地延伸。柔性部25的尺寸“W1”定義為參考軸線L3上柔性部25兩側(cè)之間的距離。
柔性部25具有通過槽33相互分離的兩個窄部。每個窄部被限定在柔性部25的側(cè)側(cè)面和槽33的端部之間。每個窄部的寬度“W2”定義為參考軸線L3上的窄部的尺寸。槽33的長度通過從尺寸“W1”中減去2×W2而獲得。尺寸“W1”相當于柔性部25的外觀寬度。柔性部25具有有效的寬度“Weffect＝2×W2”，該寬度是通過將兩個窄部的寬度“W2”相加而獲得的。柔性部25的柔性度和機械強度取決于柔性部25的厚度和有效寬度。術(shù)語“有效寬度”是指從尺寸“W1”中減去參考軸線L3上的一個或多個槽的總長而獲得的寬度，尺寸“W1”定義為參考軸線L3上柔性部25的兩側(cè)之間的距離。參考軸線L3上的柔性部25的厚度為“t”。
優(yōu)選地，參考軸線L3上柔性部25的有效寬度“Weffect＝2×W2”滿足給定的條件，0.5×t≤“Weffect＝2×W2”≤2.0×t。在有效寬度“Weffect＝2×W2”大于2.0×t時，柔性部25的機械柔性度就比較低，并可能不允許柔性部25在參考軸線L3上產(chǎn)生彎曲。在有效寬度“Weffect＝2×W2”小于0.5×t時，柔性部25的機械強度就比較低，并可能在參考軸線L3上彎曲柔性部25時會使變形的連接引線23和平臺7或9之間的柔性部25斷開。如上所述，圖9所示的柔性部25的有效寬度“Weffect＝2×W2”是通過從柔性部25的尺寸“W1”中減去槽33的長度而獲得的。
優(yōu)選的是，槽33的長度至少為0.5mm，其中槽33的長度定義為沿著參考軸線L3的槽33的尺寸。而且，槽33的優(yōu)選寬度至少為0.2mm，其中槽33的寬度定義為在平行于第一對角線L1方向上的槽33的另一個尺寸。
如圖10所示，柔性部25的傾斜側(cè)壁限定了槽33。槽33的寬度在柔性部25的厚度方向上而變化。槽33的寬度定義為平行于第一對角線L1方向上的槽33的尺寸。即，槽33的寬度隨著位置從柔性部25的第一表面的第一水平面移動至與第一表面相對的第二表面的第二水平面而減小。如上所述，柔性部25與變形的連接引線23和平臺7和9具有相同的厚度，或者比它們的厚度小。在柔性部25與變形的連接引線23具有相同的厚度時，第一表面的第一和第二水平面分別對應(yīng)于圖3所示的水平面“A”和“B”。柔性部25還具有對應(yīng)于圖3所示的水平面“C”的第三水平面。槽33在對應(yīng)于水平面“A”的第一水平面處具有最大寬度。槽33在對應(yīng)于水平面“C”的第三水平面處具有最小寬度。槽33在對應(yīng)于水平面“B”的第二水平面處具有中間寬度。柔性部25具有在第一和第三水平面之間延伸的傾斜側(cè)壁和在第三和第二水平面之間延伸的相反傾斜的側(cè)壁。傾斜側(cè)壁和相反傾斜的側(cè)壁在平面圖中限定了槽33的形狀。柔性部25設(shè)有多數(shù)部和少數(shù)部，多數(shù)部具有在第一和第三水平面之間延伸的傾斜側(cè)壁，少數(shù)部具有在第三和第二水平面之間延伸的相反傾斜的側(cè)壁。
圖11是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第二實施例的圖1中的引線框架來形成磁性傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架。?！癋”移向陰模“E”，模“F”的平坦表面“F1”推動突起部分19或21，以此具有槽33的柔性部25在參考軸線L3上彎曲，具有磁性傳感器芯片3或5的平臺7或9能夠傾斜。參考軸線L3上柔性部25的彎曲縮減了在與圖11所示的變形的連接引線23的第一表面23a處于同一水平面的第一水平面上的槽33的寬度。參考軸線L3上柔性部25的彎曲使沿著第一對角線L1剖開的槽33的截面形狀產(chǎn)生變形。變形的形狀仍然是梯形。即，即使在柔性部25彎曲后，槽33也具有變形的梯形形狀，在第一水平面上的槽33的寬度還大于其在與第二表面23b同處一個水平面的第二水平面上的寬度。在柔性部25彎曲后，柔性部25仍然能夠夾持傾斜側(cè)壁。傾斜側(cè)壁允許熔融樹脂的支流在注入模制工藝過程中流入并填充槽33中。
熔融樹脂沿著柔性部25的多數(shù)部的傾斜側(cè)壁流動，并填充每個槽33。柔性部25的多數(shù)部的傾斜側(cè)壁允許熔融樹脂流入并填充槽33而不會在樹脂模型29中產(chǎn)生任何空隙。槽33的截面形狀可通過與用于形成變形的連接引線23相同的技術(shù)而獲得。例如，平版照相印刷術(shù)工藝通過使用兩個間隔寬度相互不同的掩膜而實現(xiàn)。其中第一掩膜的間隔寬度大于第二掩膜的間隔寬度。第一和第二掩膜分別位于柔性部25的第一和第二表面上。然后使用第一和第二掩膜執(zhí)行蝕刻工藝來形成上述的槽33。
第二實施例中具有柔性部25的引線框架1實質(zhì)上提供了與第一實施例中相同的效果和優(yōu)點。
柔性部25的槽33的設(shè)置提高了參考軸線L3上的柔性部25的機械柔性度，以此使柔性部25在參考軸線L3上易于彎曲，并易于精確地傾斜平臺7和9以使平臺7和9具有預(yù)定的傾斜角度。如上所述，槽33的較佳構(gòu)成要使參考軸線L3上柔性部25的有效寬度“Weffect＝2×W2”滿足給定的條件，0.5×t≤“Weffect＝2×W2”≤2.0×t。這就能夠保證柔性部25具有所需的高柔性度和機械強度，以允許柔性部能夠在參考軸線L3上產(chǎn)生彎曲，由此使平臺7或9傾斜，而不會使變形的連接引線23和平臺7或9之間的柔性部產(chǎn)生斷開。
不僅間隔S11而且槽33接合樹脂模型29，由此引線框架1也接合樹脂模型29。這樣有助于將具有傾斜磁性傳感器芯片3和5的傾斜平臺7和9緊固或安裝于樹脂模型29上。
根據(jù)第二實施例，每個柔性部25設(shè)有單個槽33。作為柔性部25的改進可能具有許多與參考軸線L3對齊并相互分離的槽34。槽34的數(shù)量不應(yīng)該受到限定，但是通常為兩個。圖12是局部剖視圖，圖解根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的第一改進包含具有變形的柔性部分的變形的連接引線的引線框架。柔性部25具有與參考軸線L3對齊并相互分離的兩個槽34。每個槽34包括在柔性部25的厚度方向上穿過柔性部25的細長開口。每個槽34具有平面圖中為圓形的相對端。每個槽34沿著參考軸線L3延伸。每個槽34的長度方向平行于第二對角線L2，并垂直于第一對角線L1。兩個槽34都相對于包括第一對角線L1的映像—對稱軸相互對稱地設(shè)置。柔性部25的尺寸“W1”定義為參考軸線L3上的柔性部25兩側(cè)之間的距離。
柔性部25具有通過兩個槽34相互分離的三個窄部。三個窄部中的中間的窄部被限定在兩個槽34之間。三個窄部的其余兩個都被限定在柔性部25的側(cè)部和兩個槽34中的其中一個近槽之間。每個窄部的寬度“W2”定義為參考軸線L3上的窄部的尺寸。兩個槽34的長度和通過從尺寸“W1”中減去3×W2而獲得。尺寸“W1”相當于柔性部25的外觀寬度。柔性部25具有有效的寬度“Weffect＝3×W2”，該寬度是通過將三個窄部的寬度“W2”相加而獲得的。柔性部25的柔性度和機械強度取決于柔性部25的厚度和有效寬度。參考軸線L3上的柔性部25的厚度為“t”。
優(yōu)選地，參考軸線L3上的柔性部25的有效寬度“Weffect＝3×W2”滿足給定的條件，0.5×t≤“Weffect＝3×W2”≤2.0×t。在有效寬度“Weffect＝3×W2”大于2.0×t時，柔性部25的機械柔性度就比較低，可能不允許柔性部25在參考軸線L3上產(chǎn)生彎曲。在有效寬度“Weffect＝3×W2”小于0.5×t時，柔性部25的機械強度就比較低，可能在參考軸線L3上彎曲柔性部25時會使變形的連接引線23和平臺7或9之間的柔性部25斷開。如上所述，圖12所示的柔性部25的有效寬度“Weffect＝3×W2是通過從柔性部25的尺寸“W1”中減去兩個槽34的長度和而獲得的。
替換槽33或槽34，作為柔性部25的改進可能具有在一個或多個平面圖中為橢圓形或圓形的通孔。在槽33或槽34為圓形時，槽33的直徑最好在0.1mm至0.5mm的范圍中。
作為柔性部25的改進可能具有薄部、和一個或多個形成在該薄部上的通孔。薄部比柔性部25的其余部分薄。該薄部沿著參考軸線L3延伸。一個或多個通孔也位于參考軸線L3上。具有一個或多個通孔的薄部的組合提高了柔性部25的機械柔性度。圖13A是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的第二改進的包含具有變形的柔性部的變形的引線的引線框架的局部平面圖。圖13B是沿圖13A中線K-K剖開的局部剖視圖。柔性部25具有提供了薄部的凹槽37和提供了通孔的狹縫35。凹槽37沿著柔性部25的相對側(cè)之間的參考軸線L3延伸。凹槽37與柔性部25具有相同長度的寬度“W1”。狹縫35形成在凹槽37中。狹縫35位于參考軸線L3和第一對角線L1的交叉點上。狹縫35相對于參考軸線L3的映像—對稱軸和第一對角線L1的其它映像—對稱軸對稱地延伸。狹縫35的長度是由參考軸線L3的尺寸限定的，寬度是由另一個第一對角線L1的尺寸限定的。狹縫35的長度遠小于凹槽37的長度。優(yōu)選的是，狹縫35的寬度小于圖13A和13B所示的凹槽37的寬度。凹槽37可優(yōu)選的具有底面和與該底面相鄰并通過該底面相互分離的傾斜側(cè)壁。狹縫35穿過凹槽37下面的薄部。狹縫35可具有垂直側(cè)壁或傾斜側(cè)壁。凹槽37的傾斜側(cè)壁有助于注入時熔融樹脂的流動以便它能夠填充狹縫35。
根據(jù)第一和第二實施例，上述每個引線17和變形的連接引線23的截面中的變形的梯形形狀是通過照相平版印刷工藝獲得的。作為上述每個引線17和變形的連接引線23的改進也可能通過除了照相平版印刷工藝外的任何可用的工藝獲得。
根據(jù)第一和第二實施例，每個變形的連接引線23的延伸部23d具有上述變形的梯形形狀，其中延伸部23d的寬度隨著位置在厚度方向上從水平面“A”移動至水平面“C”而增大。變形的連接引線23可具有改進的梯形形狀以使延伸部23d的寬度在反向平行于平臺7和9傾斜的平面的方向的方向上而增大，該平面包括相對于柔性部25的參考軸線L3的變形的引線。即，變形的連接引線23的延伸部23d具有允許熔融樹脂的支流流入和填充每個第一和第四間隔S11的傾斜側(cè)壁。換句話說，變形的連接引線23的延伸部23d設(shè)有面向平臺7和9傾斜方向上的傾斜側(cè)壁，平臺7和9相對于柔性部25的參考軸線L3從包括變形的連接引線23的平面傾斜。
根據(jù)第一和第二實施例，平臺7和9優(yōu)選地相對于第二對角線L2的映像—對稱軸相互對稱地設(shè)置，熔融樹脂的主流在注入模制工藝過程中沿著第二對角線L2流動。平臺7和9的另一個典型例子可能連接與第二角15f相鄰的第一和第二側(cè)面15a和15b，熔融樹脂的主流從第四角15h的澆口“G”流向第二角15f，而不管平臺7和9相對于第二對角線L2的映像—對稱軸相互是否對稱或不對稱地設(shè)置。這種結(jié)構(gòu)實質(zhì)上提供了與上述相同的效果和優(yōu)點。作為平臺7和9的又一個典型例子還可能連接遠離第二對角線L2的第一和第三角15e和15g，熔融樹脂的主流沿著第二對角線L2流動，而不管平臺7和9相對于第二對角線L2的映像—對稱軸相互是否對稱或不對稱地設(shè)置。這種結(jié)構(gòu)實質(zhì)上提供了與上述相同的效果和優(yōu)點。
根據(jù)第一和第二實施例，熔融樹脂的主流沿著第二對角線L2流動，平臺7和9遠離第二對角線L2。平臺7和9的改進可能遠離主流線，熔融樹脂的主流在注入模制工藝過程中沿著主流線流動，以能防止平臺7和9暴露于主流，而不管主流線是否對齊或遠離第二對角線L2。平臺7和9的最佳可能是遠離主流線，并相對于主流線的映像—對稱軸相互對稱地設(shè)置。
根據(jù)第一和第二實施例，突起部分19和21從平臺7和9的外圍或端部延伸。突起部分19和21可能從平臺7和9的底表面延伸，而不管突起部分19和21延伸的精確位置。
根據(jù)第一和第二實施例，突起部分19和21用于傾斜平臺7和9。另一種可選方案是，可以不需要任何一個突起部分19和21，假設(shè)具有磁性傳感器芯片3和5的平臺7和9通過公知的或共用的技術(shù)已經(jīng)在形成樹脂模型29的注入模制前發(fā)生傾斜。
根據(jù)第一和第二實施例，每個平臺7和9在平面圖中為正方形。每個平臺7和9可能具有允許磁性傳感器芯片3和5安裝在其上面的變形的形狀。平臺7和9的平面圖中形狀的典型例子可包括，但不局限于，正方形、矩形、圓形和橢圓形。平臺7和9的其它典型例子可包括，但不局限于，一個有孔平臺和另一個設(shè)有在平臺厚度限定的方向上穿過的一個或多個通孔的平臺。平臺7和9也可以在形狀或大小方面相互不同。
根據(jù)第一和第二實施例，磁性傳感器芯片3和5，平臺7和9以及引線17固定在并封裝在樹脂模型29中。作為一種改進可能形成一種半導體組件，它包含和封裝磁性傳感器芯片3和5、平臺7和9以及引線17。
根據(jù)第一和第二實施例，引線框架1包括大致為正方形的正方形框架部分15。也可能改進正方形框架部分在平面圖中的形狀。正方形框架部分在平面圖中形狀的典型例子可包括，但不局限于，大致的正方形和大致的矩形。
根據(jù)第一和第二實施例，設(shè)置了用于檢測地磁的方位和量度的磁性傳感器。作為上述引線框架的改進可能安裝另一個用于檢測三維空間中的物理量的方向、方位或定位的傳感器。典型的物理量包括磁場、加速和其它矢量。引線框架1能夠安裝檢測加速方向和量度的加速傳感器芯片。
第三實施例將描述本發(fā)明的第三實施例。圖14是根據(jù)本發(fā)明第三較佳實施例的用于檢測物理量的傳感器的局部平面圖。圖15是圖14所示的傳感器的局部剖視圖。圖16是用于形成圖14所示傳感器的引線框架的局部平面圖。用于檢測物理量的磁性傳感器100如圖14和15所示。用于形成圖14和15所示的引線框架45如圖16所示。磁性傳感器100包括一對相互遠離傾斜的磁性傳感器芯片43和44。這對磁性傳感器芯片43和44檢測或測量外磁場的方向和量度。磁性傳感器100使用具有復(fù)雜和精巧結(jié)構(gòu)的引線框架45形成。磁性傳感器100包括由樹脂合成物32組成的樹脂模型31。
用于形成磁性傳感器100的引線框架45包括兩個分別安裝了磁性傳感器芯片43和44的平臺46和47。引線框架45還包括機械支撐兩個平臺46和47的框架45e?？蚣?5e進一步包括矩形框架部45a、許多引線45b和許多變形的引線45d。矩形框架部45a設(shè)有限定內(nèi)部區(qū)域的四個側(cè)面。因此，內(nèi)部區(qū)域為矩形形狀。平臺46和47位于內(nèi)部區(qū)域中。引線45b從矩形框部45a的四個側(cè)面向內(nèi)延伸。變形的引線45d也從矩形框部45a延伸到平臺46和47。平臺46和47由變形的引線45d進行機械支撐。
每個平臺46和47為矩形。矩形框架部45a具有平行于矩形框部45a長度方向的第一中心線。矩形框架部45a還具有垂直于第一中心線的第二中心線。每個平臺46和47位于第一中心線上。平臺46和47也相對于第二中心線的映像—對稱軸相互對稱設(shè)置。平臺46和47遠離第二中心線。平臺46具有鄰近平臺47的第一側(cè)面。平臺47也具有鄰近平臺46的第二側(cè)面。平臺46具有從第一側(cè)面延伸到平臺47的突出部38。突出部38遠離第二中心線。平臺47具有從第二側(cè)面延伸到平臺46的突出部39。突出部39遠離第二中心線。引線框架45具有第一表面和與第一表面相對的第二表面45f。突出部38從包括平臺46的平面傾斜向第二表面45f。突出部39從包括平臺47的另一平面傾斜向第二表面45f。
變形的引線45d包括將平臺46和47懸掛到矩形框架部45a上的懸掛引線。每個平臺46和47通過一對變形的引線45d從矩形框部45a進行懸掛。每個變形的引線45d具有連接并鄰近平臺46或47的側(cè)部46b或47b的扭曲部45g。扭曲部45g比變形的引線45d窄。扭曲部45g具有開槽的側(cè)部。扭曲部45g是可扭曲的以能傾斜平臺46或47。
磁性傳感器100包括引線45b、平臺46和47、連接平臺46和47的變形的引線45d、分別安裝在平臺46和47上的磁性傳感器芯片43和44、電連接引線45d和磁性傳感器芯片43和44的導線40、以及封裝這些元件的樹脂模型31。樹脂模型31包括樹脂合成物32。
然后使樹脂模型31外部的矩形框部45經(jīng)過切割并從樹脂模型31中去除。引線45b和變形的引線45d的外部從樹脂模型31縮減和去除，以此完成磁性傳感器100。
磁性傳感器100可具有平面視圖為矩形的形狀，第一尺寸為2.0-5.5/典型地＝4.2mm，第二尺寸為2.0-5.5，典型地＝4.2mm。每個平臺46和47可具有平面視圖為正方形的形狀，其尺寸為0.6-2.5/典型地＝1.5mm。每個平臺46和47傾斜角度為10-30度。每個磁性傳感器芯片43和44平面視圖的形狀為正方形，其尺寸為0.8-2.6/典型地＝1.5mm。變形的引線45d限定了與變形的引線45d相鄰的較小間隔。例如，引線45b的厚度大致為0.15mm。變形的引線45d的厚度大致為0.075mm。與變形的引線45d相鄰的較小間隔的尺寸“X”大致為0.075mm。
磁性傳感器100可通過下面的過程來形成。圖17A是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的一個步驟內(nèi)的引線框架。圖17B是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的另一個步驟內(nèi)的引線框架。圖17C是局部剖視圖，圖解通過使用根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖16中的引線框架來形成傳感器的方法中所包含的又一個步驟內(nèi)的引線框架。
如圖17A所示，金屬板通過擠壓加工或蝕刻工藝進行處理來準備引線框架45。磁性傳感器芯片43和44粘接于平臺46和47上。磁性傳感器芯片43和44電連接引線45b。
如圖17B所示，引線框架45位于成對的?！癉”和“E”之間。模“D”移動向陰?！癊”，?！癊”的平坦表面“E1”推動突出部38或39，以此變形的引線45d的扭曲部45g產(chǎn)生彎曲，而且具有磁性傳感器芯片43和44的平臺46和47產(chǎn)生傾斜。較小間隔繞變形的引線45d形成。其它較小間隔形成在平臺46和47與?！癊”的平坦表面“E1”之間。
如圖17C所示，執(zhí)行注入模制工藝過程以能將熔融樹脂注入通過組合模“D”和“E”限定的空腔中，從而形成封裝引線45b、平臺46和47以及磁性傳感器芯片43和44的樹脂模型31。樹脂模型31可包括由環(huán)氧樹脂和混合在環(huán)氧樹脂中的填料組成的樹脂合成物32。填料最好可包括二氧化硅微粒，具有球形形狀，最大微粒尺寸為30-50微米，平均微粒尺寸為10-30微米。更優(yōu)選的是，平均微粒尺寸為20微米。樹脂合成物32由10％重量的環(huán)氧樹脂和90％重量的填料組成。樹脂合成物32的熔融樹脂以9.8Mpa的普通氣壓注入到空腔中。該壓力能夠防止注入時的熔融樹脂對磁性傳感器芯片43和44產(chǎn)生任何實質(zhì)性的傷害。包括上述微粒尺寸的球形微粒允許熔融樹脂填充變形的引線45d周圍的較小間隔，以此形成沒有任何空隙的樹脂模型31。然后樹脂模型31外部的矩形框部45經(jīng)過切割，并從樹脂模型31中去除。引線45b的外部和變形的引線45d從樹脂模型31進行截短和去除，以此完成磁性傳感器100。
如上所述，縮減傳感器的尺寸就會縮減變形的引線45d周圍間隔和與平臺46和47相鄰的其它間隔的尺寸。但是，根據(jù)第三實施例，填料包括最大微粒尺寸為30-50微米的球形微粒，平均微粒尺寸為10-30微米。包含該填料的樹脂合成物允許在普通壓力下注入時的熔融樹脂填充變形的引線45d的周圍間隔和與平臺46和47相鄰的其它間隔，以此在不會對磁性傳感器芯片43和44產(chǎn)生任何實質(zhì)性的傷害的情況下形成沒有任何空隙的樹脂模型31。
無空隙的樹脂模型32給磁性傳感器100提供了散熱性和電絕緣性能。無空隙樹脂模型32保護磁性傳感器芯片免受機械沖擊和潮濕氣的影響。因此，樹脂模型31的樹脂合成物32的使用允許傳感器在不會產(chǎn)生上述不利的情況下縮減尺寸。
樹脂模型31的樹脂合成物32可以應(yīng)用于需要對設(shè)備進行封裝的樹脂模型的任何類型的設(shè)備。用樹脂模型進行封裝的傳感器可包括安裝在非傾斜平臺上的傳感器芯片，非傾斜平臺在包括引線的平面內(nèi)延伸。
根據(jù)第一實施例，提供了檢測地磁方位和量值的磁性傳感器。作為上述樹脂合成物的改進，可能封裝另一個用于至少檢測三維空間中物理量的方向、方位或定位的傳感器。典型例子的物理量包括磁場、加速和其它矢量。上述樹脂合成物可能封裝檢測加速方向和量值的加速傳感器芯片。
正如這里所使用，方向術(shù)語“上，下，內(nèi)，外，前，后，上方，下方，正交，垂直，水平，下面和橫向”以及任何其它的方向術(shù)語涉及裝備本發(fā)明的裝置的那些方向。因此，正如用于描述本發(fā)明的這些術(shù)語應(yīng)該相對于裝備了本發(fā)明的裝置進行解釋。
這里所使用的術(shù)語“矩形”是指具有四條直邊和四個直角的形狀。這里所使用的術(shù)語“正方形”是指具有四條相同長度的邊和四個直角的形狀。術(shù)語“長方形”是指具有兩條長邊和兩條短邊和四個直角的形狀。因此，術(shù)語“矩形”包括術(shù)語“正方形”和術(shù)語“長方形”。
這里所使用的術(shù)語“物理量”通常是指矢量。術(shù)語“物理量”可包括標量、矢量和張量。
這里所使用的程度術(shù)語，如“一般”、“基本上”、“大約”和“大致”是指改進術(shù)語衍生的合理量以使最終結(jié)果不會產(chǎn)生明顯的改變。
雖然本發(fā)明的較佳實施例在上面進行了描述和說明，但是應(yīng)該明白這些是本發(fā)明的舉例，不能被認為是限制本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神或保護范圍的情況下可以對本發(fā)明作出增加、省略、替換和其它修改。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被認為受到前面的描述所限制。
權(quán)利要求
1.一種引線框架，包括限定內(nèi)部區(qū)域的框架主體；從框架主體延伸的多根引線，；設(shè)置在內(nèi)部區(qū)域中的第一平臺；和第一變形的連接引線結(jié)構(gòu)，所述第一變形的連接引線結(jié)構(gòu)包括連接至第一平臺的柔性部、和將柔性部連接至框架主體并具有傾斜側(cè)壁的至少一根變形的連接引線。
2.如權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述至少一根變形的連接引線具有在至少一根變形的連接引線的厚度方向上增加的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的引線框架，其中所述至少一根變形的連接引線還具有第一表面，該第一表面與傾斜側(cè)壁相鄰并將傾斜側(cè)壁進行相互隔離。
4.如權(quán)利要求3所述的引線框架，其中所述至少一根變形的連接引線的截面形狀大致為梯形。
5.如權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述柔性部設(shè)有參考軸線，柔性部被構(gòu)造成在參考軸線上可彎曲。
6.如權(quán)利要求5所述的引線框架，其中所述柔性部具有被限定為參考軸線上的尺寸的寬度“W1”，寬度“W1”滿足給定的條件0.5×t≤W1≤3.0×t，這里“t”表示參考軸線上的柔性部的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的引線框架，其中所述柔性部至少設(shè)有一個穿過柔性部的通孔，并且至少一個通孔位于參考軸線上。
8.如權(quán)利要求7所述的引線框架，其中所述柔性部具有有效寬度“Weffect”，該有效寬度“Weffect”是通過從寬度“W1”中減去參考軸線上的至少一個通孔的尺寸總和而獲得的，而且有效寬度“Weffect”滿足以下條件0.5×t≤“Weffect”≤2.0×t，這里“t”表示參考軸線上的柔性部的厚度。
9.如權(quán)利要求8所述的引線框架，其中所述至少一個通孔設(shè)有傾斜的側(cè)壁。
10.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述至少一個通孔設(shè)有在至少一個通孔的深度方向上減小的寬度。
11.如權(quán)利要求7所述的引線框架，其中所述柔性部設(shè)有比柔性部的其余部分厚度更薄的薄部，而且該薄部沿著參考軸線延伸，并設(shè)有傾斜側(cè)壁和至少一個通孔。
12.一種傳感器，包括權(quán)利要求1所述的引線框架；和被支撐在第一平臺上的第一傳感器芯片。
13.如權(quán)利要求12所述的傳感器，其中所述至少一根變形的連接引線具有在至少一根變形的連接引線的厚度方向上增加的寬度。
14.如權(quán)利要求13所述的傳感器，其中所述至少一根變形的連接引線還具有第一表面，該第一表面與傾斜側(cè)壁相鄰并將傾斜側(cè)壁進行相互隔離。
15.如權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述至少一根變形的連接引線的截面形狀大致為梯形。
16.如權(quán)利要求12所述的引線框架，其中所述柔性部設(shè)有參考軸線并具有被限定為參考軸線上的尺寸的寬度“W1”，寬度“W1”滿足給定的條件0.5×t≤W1≤3.0×t，這里“t”表示參考軸線上的柔性部的厚度。
17.如權(quán)利要求16所述的傳感器，其中所述柔性部設(shè)有至少一個穿過柔性部的通孔，而且至少一個通孔位于參考軸線上。
18.如權(quán)利要求17所述的傳感器，其中所述柔性部設(shè)有有效寬度“Weffect”，該有效寬度“Weffect”是通過從寬度“W1”中減去參考軸線上的至少一個通孔的尺寸總和而獲得的，有效寬度“Weffect“滿足以下條件0.5×t≤“Weffect”≤2.0×t，這里“t”表示參考軸線上的柔性部的厚度。
19.如權(quán)利要求18所述的傳感器，其中所述至少一個通孔設(shè)有傾斜的側(cè)壁。
20.如權(quán)利要求19所述的傳感器，其中所述至少一個通孔設(shè)有在至少一個通孔的深度方向上減小的寬度。
21.如權(quán)利要求17所述的傳感器，其中所述柔性部設(shè)有比柔性部的其余部分厚度更薄的薄部，該薄部沿著參考軸線延伸并設(shè)有傾斜側(cè)壁和至少一個通孔。
22.如權(quán)利要求12所述的傳感器，還包括封裝多根引線的樹脂組合物、第一平臺、第一傳感器芯片和第一變形的連接引線，該樹脂組合物包括樹脂材料；和混合在樹脂材料中的填料，該填料包括最大微粒尺寸在30-50微米之間，平均微粒尺寸為10-30微米之間的微粒。
23.如權(quán)利要求22所述的傳感器，其中微粒為球形。
全文摘要
一種引線框架，包括框架主體，限定了內(nèi)部區(qū)域；許多引線，從框架主體進行延伸；第一平臺，設(shè)置在內(nèi)部區(qū)域中；和第一變形的連接引線結(jié)構(gòu)，包括與第一平臺連接的柔性部和至少一個將柔性部與框架主體連接、并具有傾斜側(cè)壁的變形的連接引線。變形的連接引線具有允許熔融樹脂流入并填充變形的連接引線周圍的較小間隔的傾斜側(cè)壁，以能形成封裝包含在傳感器中的傳感器芯片的無空隙樹脂模型。
文檔編號H01L23/28GK1832158SQ200610004140
公開日2006年9月13日 申請日期2006年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月22日
發(fā)明者白坂健一, 齊藤博 申請人:雅馬哈株式會社