專利名稱：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器元件及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制作方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)半導(dǎo)體進(jìn)入深亞微米(deep sub-micron)的工藝時(shí)，元件的尺寸逐漸縮小，對(duì)以往的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而言，可作為電容器的空間愈來愈小。另一方面，由于計(jì)算機(jī)應(yīng)用軟件的逐漸龐大，因此所需的存儲(chǔ)器容量也就愈來愈大。對(duì)于這種尺寸變小而存儲(chǔ)器容量卻需要增加的情形，以往的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電容器的制造方法必須有所改變，才能符合趨勢(shì)所需。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依其電容器的結(jié)構(gòu)主要可以分成兩種形式，其一為具有堆棧式電容器(stack capacitor)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，另一則為具有深溝渠式電容器(deep trench capacitor)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
圖1為現(xiàn)有一種具有深溝渠式電容器的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，此動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括深溝渠式電容器10與有源元件20。
深溝渠式電容器10配置于深溝渠102中。深溝渠式電容器10包括下電極104、電容介電層106、導(dǎo)電層108、領(lǐng)氧化層110、導(dǎo)電層112與氮化硅層114。下電極104配置于深溝渠102底部的襯底100中。導(dǎo)電層108配置于深溝渠102中。電容介電層106配置于深溝渠102側(cè)壁與導(dǎo)電層108之間。導(dǎo)電層112配置于深溝渠102中，并位于導(dǎo)電層108上。領(lǐng)氧化層110配置于深溝渠102側(cè)壁與導(dǎo)電層112之間。此外，隔離結(jié)構(gòu)116配置于部分導(dǎo)電層112與領(lǐng)氧化層110中，且位于襯底100中。氧化層118配置于深溝渠102中，且位于深溝渠式電容器10上。另外，氮化硅層114配置于領(lǐng)氧化層110與氧化層118之間。
有源元件20配置于襯底100上。有源元件20包括柵極結(jié)構(gòu)120與源極/漏極區(qū)122。柵極結(jié)構(gòu)120包括柵極介電層124、柵極126與頂蓋層128。柵極介電層124、柵極126與頂蓋層128依序配置于襯底100上。源極/漏極區(qū)122配置柵極結(jié)構(gòu)120兩側(cè)的襯底100中，且其中一側(cè)的源極/漏極區(qū)122與氮化硅層114相連接。
當(dāng)對(duì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取(read)操作時(shí)，深溝渠式電容器10內(nèi)的電流經(jīng)由氮化硅層114流至源極/漏極區(qū)122，通過柵極結(jié)構(gòu)120下方的溝道區(qū)130經(jīng)由接觸窗插塞(未繪示)流出。然而，當(dāng)集成度提高而元件尺寸縮小時(shí)，位于柵極結(jié)構(gòu)120下方的溝道區(qū)130也隨之縮短，而產(chǎn)生短溝道效應(yīng)(short channel effect)，進(jìn)而對(duì)元件效能產(chǎn)生影響。此外，以氮化硅層114作為埋入式摻雜帶窗(buried strap window，BS window)，使得埋入式摻雜帶具有高的電阻值，也會(huì)對(duì)元件效能造成影響。另外，當(dāng)深溝渠存儲(chǔ)器在有正電壓時(shí)，埋入式摻雜帶窗外的襯底會(huì)形成溝道而使元件產(chǎn)生漏電流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其省去埋入式摻雜帶窗的制作，以提高元件效能。
本發(fā)明的另一目的是提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，可以改善短溝道效應(yīng)。
本發(fā)明提出一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，首先，利用位于襯底上的圖案化掩模層進(jìn)行圖案化工藝，以于襯底中形成深溝渠。接著，于深溝渠的底部的襯底中形成下電極。然后，于深溝渠的底部依序形成電容介電層與第一導(dǎo)電層。接下來，于被第一導(dǎo)電層所暴露的深溝渠的部分側(cè)壁上形成第一領(lǐng)氧化層。繼之，于深溝渠中填入第二導(dǎo)電層，此第二導(dǎo)電層的高度與第一領(lǐng)氧化層的高度相同。然后，于深溝渠中填入第一介電層。隨后，移除部分圖案化掩模層、部分襯底與部分第一介電層以形成第一溝渠，暴露出部分第二導(dǎo)電層。接著，于第一溝渠的部分側(cè)壁上形成第二領(lǐng)氧化層。接下來，于第一溝渠中填入第三導(dǎo)電層，此第三導(dǎo)電層的高度與第二領(lǐng)氧化層的高度相同。之后，于第一溝渠中填入第二介電層，以填滿第一溝渠。然后，移除圖案化掩模層。繼之，于深溝渠上形成柵極結(jié)構(gòu)。隨后，于柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的第二介電層中形成第二溝渠，以暴露出第三導(dǎo)電層。之后，于襯底上形成第四導(dǎo)電層，并填滿第二溝渠。
本發(fā)明另提出一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，主要包括一配置于襯底的第一溝渠中的溝渠式電容器。襯底具有一第二溝渠，第二溝渠的深度小于第一溝渠的深度，且第二溝渠底部與第一溝渠部分重疊。溝渠式電容器包括下電極、第一導(dǎo)電層、電容介電層與第一領(lǐng)氧化層。下電極配置于第一溝渠的底部的襯底中。電容介電層配置于第一溝渠下半部的側(cè)壁上。第一領(lǐng)氧化層配置于第一溝渠上半部的側(cè)壁上，且位于電容介電層之上。第一導(dǎo)電層配置于第一溝渠中。此外，本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器還包括一第二導(dǎo)電層、一柵極結(jié)構(gòu)與一第三導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層配置于第二溝渠中，且與第一導(dǎo)電層電連接。柵極結(jié)構(gòu)配置于襯底上。第三導(dǎo)電層配置于柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)的襯底表面上，其中柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的第三導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層電連接。
本發(fā)明又提出一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，首先，形成第一溝渠于襯底中。接著，形成第一導(dǎo)電層于第一溝渠中。然后，形成第二溝渠于襯底中，其中第二溝渠的深度小于第一溝渠的深度，且第二溝渠底部與第一溝渠部分重疊。接下來，形成第二導(dǎo)電層于第二溝渠中。繼之，形成第三溝渠于襯底中，其中第三溝渠的深度小于第二溝渠的深度，且位于第二溝渠之上。之后，形成第三導(dǎo)電層于第三溝渠中與襯底表面上，其中透過第三導(dǎo)電層可將第二導(dǎo)電層電連接至柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)。
本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器利用配置于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三導(dǎo)電層作為源極/漏極，且柵極結(jié)構(gòu)其中一側(cè)的第三導(dǎo)電層向下延伸與溝渠式電容器中的第二導(dǎo)電層電連接，因此當(dāng)對(duì)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行操作時(shí)，電流可經(jīng)由第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層流至襯底上方后，繞過第二領(lǐng)氧化層再進(jìn)入位于柵極結(jié)構(gòu)下方襯底中的溝道區(qū)，而使得溝道的長度增加，避免了短溝道效應(yīng)。此外，本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器減少了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的埋入式摻雜帶窗，也因此避免了埋入式摻雜帶窗所造成的高電阻以及漏電流的問題。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有一種具有深溝渠式電容器的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的剖面示意圖；圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的上視圖；
圖3A至圖3E為依照?qǐng)D2中I-I’剖面所繪示的制作流程剖面圖；圖4A至圖4B為依照?qǐng)D2中II-II’剖面所繪示的制作流程剖面圖；圖5為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說明10深渠式電容器11、50、124柵極介電層12、52、126柵極14、54、128頂蓋層16、56間隙壁20有源元件40溝渠式電容器100、400、500襯底102、404深溝渠104、406、506下電極106、408、508電容介電層108、112、410、414、422、438、510、522、524、538導(dǎo)電層110、412、420、512、520領(lǐng)氧化層114氮化硅層116隔離結(jié)構(gòu)118氧化層120、434、534柵極結(jié)構(gòu)122源極/漏極區(qū)130、540溝道區(qū)402、426圖案化掩模層416、424、516、524介電層418、428、436、504a、504b溝渠430淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)432；有源區(qū)具體實(shí)施方式
圖2為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的上視圖。圖3A至圖3E為依照?qǐng)D2中I-I’剖面所繪示的制作流程剖面圖。圖4A至圖4B為依照?qǐng)D2中II-II’剖面所繪示的制作流程剖面圖。
首先，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3A，利用位于襯底400上的圖案化掩模層402進(jìn)行圖案化工藝，以于襯底400中形成深溝渠404。圖案化掩模層402的材質(zhì)例如是氮化硅，其形成方法例如是先于襯底400上利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)全面性地形成掩模材料層(未繪示)后，再對(duì)掩模材料層進(jìn)行微影工藝與蝕刻工藝。深溝渠404的形成方法，例如是以圖案化掩模層402為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，而在襯底400中形成深溝渠404。
然后，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3A，于深溝渠404的底部的襯底400中形成下電極406。下電極406的形成方法，例如是先在深溝渠404的側(cè)壁形成摻雜氧化層(未繪示)。然后，進(jìn)行熱工藝，以使摻雜氧化層內(nèi)的摻雜離子擴(kuò)散至深溝渠404以形成下電極406。其中，摻雜氧化層所摻雜的離子例如是砷離子，而摻雜氧化層的形成方法例如是低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)。接著，于深溝渠404的側(cè)壁形成電容介電層408。電容介電層408的材質(zhì)例如是氧化硅或氮化硅，其形成方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。之后，于深溝渠404的底部填入導(dǎo)電層410。填入導(dǎo)電層410的方法例如是先以化學(xué)氣相沉積法于襯底400上形成一層摻雜多晶硅層(未繪示)，并填滿深溝渠404。然后，進(jìn)行回蝕刻工藝，以移除深溝渠404以外及深溝渠404頂部的部分的摻雜多晶硅層。接下來，移除未被導(dǎo)電層410覆蓋的電容介電層408。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，于被導(dǎo)電層410所暴露的深溝渠404的側(cè)壁上形成領(lǐng)氧化層412。形成領(lǐng)氧化層412的方法，例如是先于圖案化掩模層402與深溝渠404的表面形成領(lǐng)氧化材料層(未繪示)。領(lǐng)氧化材料層的形成方法例如是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法，且反應(yīng)氣體例如是臭氧(O3)與四乙基硅酸酯(TEOS)等。然后，進(jìn)行非等向蝕刻工藝，以移除位于圖案化掩模層402與導(dǎo)電層410表面的領(lǐng)氧化材料層，而僅留下位于深溝渠404側(cè)壁上的領(lǐng)氧化層412。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3B，于深溝渠404中填入導(dǎo)電層414。于深溝渠404中填入導(dǎo)電層414的方法例如是先以化學(xué)氣相沉積法于襯底400上形成一層摻雜多晶硅層(未繪示)，并填滿深溝渠404。然后，進(jìn)行回蝕刻工藝，以移除深溝渠404以外及深溝渠404頂部的部分的摻雜多晶硅層而形成導(dǎo)電層414。在另一實(shí)施例中，可移除未被導(dǎo)電層414覆蓋的領(lǐng)氧化層412，使其與導(dǎo)電層414的高度相同。之后，于深溝渠404中填入介電層416。介電層416的形成方法例如是先于襯底400上形成一層介電材料層(未繪示)。然后，進(jìn)行快速熱回火工藝。之后，以圖案化掩模層402為拋光終止層，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，以去除圖案化掩模層402上的介電材料層。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，進(jìn)行蝕刻工藝，移除部分圖案化掩模層402、部分襯底400與部分介電層416，以形成溝渠418，暴露出部分導(dǎo)電層414。接著，于溝渠418的部分側(cè)壁上形成領(lǐng)氧化層420。領(lǐng)氧化層420的形成方法與領(lǐng)氧化層412的形成方法相同，于此不另行敘述。接下來，于溝渠418中填入導(dǎo)電層422，且導(dǎo)電層422的高度與領(lǐng)氧化層420的高度相同。同樣地，于溝渠418中填入導(dǎo)電層422的方法與于深溝渠404中填入導(dǎo)電層414的方法相同，于此不另行敘述。之后，于溝渠418中填入介電層424。介電層424的形成方法例如是使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法(HDPCVD)。
繼之，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖4A，于襯底400上形成圖案化掩模層426來定義有源區(qū)432。其中，圖案化掩模層426呈長條狀，且同時(shí)覆蓋位于同一列的介電層424。而后，進(jìn)行蝕刻工藝，以于襯底400中形成溝渠428，溝渠428暴露出襯底400與部分導(dǎo)電層414。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，于溝渠428中填入絕緣材料(未繪示)以形成淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)430，并同時(shí)定義出有源區(qū)432，有源區(qū)432即圖案化掩模層426所覆蓋的區(qū)域。之后，移除圖案化掩模層426。
隨后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3D，移除圖案化掩模層402。然后，于襯底400上形成多數(shù)條與有源區(qū)432垂直的柵極結(jié)構(gòu)434，且柵極結(jié)構(gòu)434通過深溝渠404上方。柵極結(jié)構(gòu)434包括柵極介電層10、柵極12、頂蓋層14與間隙壁16。然后，進(jìn)行蝕刻工藝，于位在深溝渠404上方的柵極結(jié)構(gòu)434一側(cè)的介電層424中形成溝渠436，以暴露出導(dǎo)電層422。在一實(shí)施例中，可將暴露的領(lǐng)氧化層420部分移除，使其表面接近導(dǎo)電層422的高度。特別一提的是，在本實(shí)施例中，在形成溝渠436時(shí)所使用的掩模，與形成溝渠418時(shí)所使用的掩模相同，也就是說，形成溝渠418與溝渠436僅需使用一道掩模即可，并同時(shí)以柵極結(jié)構(gòu)434作為掩模來達(dá)到自行對(duì)準(zhǔn)(self-align)的目的，以形成溝渠436。
之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3E，于有源區(qū)432中的柵極結(jié)構(gòu)434之間形成導(dǎo)電層438，并填滿溝渠436。導(dǎo)電層438的形成方法例如是進(jìn)行選擇性磊晶硅成長工藝，以于襯底400上形成一層磊晶硅層。位于柵極結(jié)構(gòu)434二側(cè)的導(dǎo)電層438則作為源極與漏極之用。由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的源極與漏極被提升至柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)的襯底表面之上，故可避免當(dāng)集成度提高時(shí)，位于襯底中的源極與漏極的電場(chǎng)相互產(chǎn)生影響。
以下將說明利用上述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法來所得到的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)。
圖5為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的剖面示意圖。為方便說明，此圖已經(jīng)過簡化。請(qǐng)參照?qǐng)D5，本發(fā)明一實(shí)施例的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括溝渠式電容器40、導(dǎo)電層522、柵極結(jié)構(gòu)534與導(dǎo)電層538。
溝渠式電容器40配置于襯底500的溝渠504a中，且襯底500具有溝渠504b，其中溝渠504b的深度小于溝渠504a的深度，且溝渠504b底部與溝渠504a部分重疊。溝渠式電容器40包括下電極506、導(dǎo)電層510、電容介電層508與領(lǐng)氧化層512。下電極506配置于溝渠504a的底部的襯底500中。電容介電層508配置于溝渠504a下半部的側(cè)壁上。領(lǐng)氧化層512配置于溝渠504a上半部的側(cè)壁上，且位于電容介電層508之上。導(dǎo)電層510配置于溝渠504a中。
導(dǎo)電層522配置于溝渠504b中，且與導(dǎo)電層510電連接。領(lǐng)氧化層520配置于溝渠504b中，且位于溝渠504b的側(cè)壁與導(dǎo)電層522之間。介電層516配置于導(dǎo)電層510上，且位于溝渠504b之側(cè)。介電層524配置于導(dǎo)電層522與領(lǐng)氧化層520上。
柵極結(jié)構(gòu)534配置于襯底500上。柵極結(jié)構(gòu)534包括柵極介電層50、柵極52、頂蓋層54與間隙壁56。柵極介電層50的材質(zhì)例如是氧化硅。柵極52的材質(zhì)例如是多晶硅。頂蓋層54與間隙壁56的材質(zhì)例如是氮化硅。
導(dǎo)電層538配置于柵極結(jié)構(gòu)534二側(cè)的襯底500表面上，以作為源極/漏極之用，其中柵極結(jié)構(gòu)534一側(cè)的導(dǎo)電層538與導(dǎo)電層522電連接。因此，當(dāng)對(duì)此動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行操作時(shí)，電流可以藉由導(dǎo)電層522向上流經(jīng)導(dǎo)電層538，繞過領(lǐng)氧化層520后再流至柵極結(jié)構(gòu)534下方的溝道區(qū)540，如此一來，便可以增加溝道的長度，而避免當(dāng)集成度提升時(shí)所產(chǎn)生的短溝道效應(yīng)。
綜上所述，在本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作過程中，于溝渠式電容器完成之后，在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)以及于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成導(dǎo)電層438(538)，且導(dǎo)電層438(538)同時(shí)與導(dǎo)電層422(522)電連接，因此當(dāng)對(duì)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器施加電壓來進(jìn)行操作時(shí)，電流經(jīng)過導(dǎo)電層422(522)、導(dǎo)電層438(538)，并繞過領(lǐng)氧化層420(520)再流至柵極結(jié)構(gòu)下方的溝道區(qū)，因而增加了溝道的長度，避免了現(xiàn)有技術(shù)中容易產(chǎn)生的短溝道效應(yīng)。此外，本發(fā)明減少了現(xiàn)有技術(shù)中埋入式摻雜帶窗的制作步驟，因此也避免了埋入式摻雜帶窗所造成的高電阻，也防止了漏電流的產(chǎn)生。另外，以柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的導(dǎo)電層438(538)作為源極與漏極，因其已被提升至襯底的表面上，故可避免源極與漏極的電場(chǎng)在襯底中相互產(chǎn)生影響。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，包括利用位于一襯底上的一圖案化掩模層進(jìn)行一圖案化工藝，以于該襯底中形成一深溝渠；于該深溝渠的底部的該襯底中形成一下電極；于該深溝渠的底部依序形成一電容介電層與一第一導(dǎo)電層；于被該第一導(dǎo)電層所暴露的該深溝渠的部分側(cè)壁上形成一第一領(lǐng)氧化層；于該深溝渠中填入一第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層的高度與該第一領(lǐng)氧化層的高度相同；于該深溝渠中填入一第一介電層；移除部分該圖案化掩模層、部分該襯底與部分該第一介電層以形成一第一溝渠，暴露出部分該第二導(dǎo)電層；于該第一溝渠的部分側(cè)壁上形成一第二領(lǐng)氧化層；于該第一溝渠中填入一第三導(dǎo)電層，該第三導(dǎo)電層的高度與該第二領(lǐng)氧化層的高度相同；于該第一溝渠中填入一第二介電層，以填滿該第一溝渠；移除該圖案化掩模層；于該深溝渠上形成一柵極結(jié)構(gòu)；于該柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第二介電層中形成一第二溝渠，以暴露出該第三導(dǎo)電層；以及于該襯底上形成一第四導(dǎo)電層，并填滿該第二溝渠。
2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中該第四導(dǎo)電層的形成方法包括選擇性磊晶硅成長工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中該第一介電層的形成方法包括于該襯底上形成一介電材料層；進(jìn)行一快速熱回火工藝；以及進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中該下電極的形成方法包括于該深溝渠的側(cè)壁形成一摻雜氧化層；以及進(jìn)行一熱工藝。
5.如權(quán)利要求4所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中該摻雜氧化層中的摻雜離子包括砷。
6.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中該第二介電層的形成方法包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
7.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括一溝渠式電容器，配置于一襯底的一第一溝渠中，且該襯底具有一第二溝渠，其中該第二溝渠的深度小于該第一溝渠的深度，且該第二溝渠底部與該第一溝渠部分重疊，該溝渠式電容器包括一下電極，配置于該第一溝渠的底部的該襯底中；一電容介電層，配置于該第一溝渠下半部的側(cè)壁上；一第一領(lǐng)氧化層，配置于該第一溝渠上半部的側(cè)壁上，且位于該電容介電層之上；以及一第一導(dǎo)電層，配置于該第一溝渠中；一第二導(dǎo)電層，配置于該第二溝渠中，且與該第一導(dǎo)電層電連接；一柵極結(jié)構(gòu)，配置于該襯底上；以及一第三導(dǎo)電層，配置于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該襯底表面上，其中該柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第三導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第三導(dǎo)電層包括選擇性磊晶硅成長層。
9.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
10.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
11.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該電容介電層的材質(zhì)包括氧化硅或氮化硅。
12.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更包括一第二領(lǐng)氧化層，配置于該第二溝渠中，且位于該第二溝渠的側(cè)壁與該第二導(dǎo)電層之間。
13.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更包括一第一介電層，配置于該第一導(dǎo)電層上，且位于該第二溝渠之側(cè)。
14.如權(quán)利要求7所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更包括一第二介電層，配置于該第二導(dǎo)電層上。
15.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，包括形成一第一溝渠于一襯底中；形成一第一導(dǎo)電層于該第一溝渠中；形成一第二溝渠于該襯底中，其中該第二溝渠的深度小于該第一溝渠的深度，且該第二溝渠底部與該第一溝渠部分重疊；形成一第二導(dǎo)電層于該第二溝渠中；形成一第三溝渠于該襯底中，其中該第三溝渠的深度小于該第二溝渠的深度，且位于該第二溝渠之上；以及形成一第三導(dǎo)電層于該第三溝渠中與該襯底表面上，其中透過該第三導(dǎo)電層可將該第二導(dǎo)電層電連接至一柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，更包括形成一領(lǐng)氧化層于該第二溝渠的側(cè)壁上。
17.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中形成該第二溝渠的方法包括形成一第一介電層于該第一溝渠中；以及移除部分該襯底與部分該第一介電層，以形成一開口而露出部分該第一導(dǎo)電層。
18.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中形成該第三溝渠的方法包括形成一第二介電層于該第二溝渠中；以及移除部分該第二介電層，以形成一開口而露出部分該第二導(dǎo)電層。
19.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中形成該第三導(dǎo)電層的方法包括進(jìn)行一選擇性磊晶硅成長工藝。
20.如權(quán)利要求15所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法，其中形成該第三溝渠所使用的掩模，與形成該第二溝渠所使用的掩模相同。
全文摘要
提供一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制作方法，省去了埋入式摻雜帶窗的制作，以提高元件效能。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括配置于襯底的第一溝渠中的溝渠式電容器、配置于襯底的第二溝渠中的導(dǎo)電層、一柵極結(jié)構(gòu)與配置于柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)的襯底表面上的導(dǎo)電層。第二溝渠的深度小于第一溝渠的深度，且第二溝渠底部與第一溝渠部分重疊。配置于第二溝渠中的導(dǎo)電層與溝渠式電容器的導(dǎo)電層電連接。柵極結(jié)構(gòu)配置于襯底上。柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的導(dǎo)電層與配置于第二溝渠中的導(dǎo)電層電連接。
文檔編號(hào)H01L27/108GK1956169SQ200510118409
公開日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2005年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日
發(fā)明者陳昱企, 周志文 申請(qǐng)人:茂德科技股份有限公司