技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例提供一種電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列的操作方法與集成電路芯片，執(zhí)行電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元的讀取操作的方法與裝置。通過施加非零偏壓至未選擇的位元線與選擇線，借此在不損害對(duì)應(yīng)的存取晶體管的情況下增加讀取電流窗口。在一些實(shí)施例中，可通過施加第一讀取電壓至耦接包括被選擇的RRAM裝置的一RRAM單元列的字線，藉此啟動(dòng)字線。第二讀取電壓被施加至耦接被選擇的RRAM裝置的第一電極的位元線。一或多個(gè)非零偏壓被施加在耦接RRAM單元列中具有未選擇的RRAM裝置的RRAM單元的位元線與選擇線。

技術(shù)研發(fā)人員：楊晉杰;朱文定;張至揚(yáng);石昇弘;楊仁盛;涂國基;陳俠威;馬尼什·庫馬爾·辛格;廖昌盛;陳祈材
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.16
技術(shù)公布日：2017.08.22