專利名稱：具有被控編程/擦除的非易失性存儲器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲器，并且更具體地涉及可控地編程/擦除 非易失性存儲器的方法和裝置。
背景技術：
能夠被多次編程和擦除的非易失性存儲器(NVM ) —般在各種各 樣的應用中使用。通常，隨著NVM被編程和擦除，組成NVM的存儲 器單元的質量被影響。例如，所需的編程和擦除時間量可能增加，但 增加的量可以由規(guī)范要求來限定。用戶可能需要知道最大的編程或擦 除時間是多少。這是由對具有高耐久性或者高數(shù)據(jù)保持力的期望組成 的。在高耐久性的情況中，可以忍受更高的擦除電壓但可能導致減少 的數(shù)據(jù)保持力。
因此，存在對解決這些關注的能力進行改進的需求。


本發(fā)明由附圖以示例的方式進行闡述但不限于附圖，附圖中相似 的附圖標記表示相似的元件，并且附圖中
圖1以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的集成電路；
圖2以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖1的NVM 14;
圖3以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖2的保持/耐久 控制電路36、 37;
圖4以流程圖形式圖解了編程/擦除NVM的方法；
圖5以流程圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的執(zhí)行NVM中 擦除程序75的方法；以及
圖6以圖形形式圖解了由擦除步驟導致的不同狀態(tài)、編程和擦除之間的決定線(deciding line )和典型編程狀態(tài)。
本領域技術人員能夠理解，為了簡單和清楚起見而示出了附圖中 的元件，這些元件不需要按比例繪制。例如，可相對于其它元件而放 大附圖中某些元件的尺寸，以有助于促進對本發(fā)明實施例的理解。
具體實施例方式
NVM單元的數(shù)據(jù)保持力是預定數(shù)據(jù)值將會保持適當?shù)卮鎯亩?其可以從NVM單元可獲取的時間量。NVM的耐久性是在NVM單元 的狀態(tài)不再能夠可靠地改變之前能夠執(zhí)行的編程/擦除周期的最大數(shù) 目。請注意，存在當一個或多個NVM單元或者在測試期間或者在使 用期間失效時可用來延續(xù)NVM陣列的使用壽命(viablity)的各種技 術(例如，冗余、糾錯碼等等)。
可以根據(jù)任何期望的粒度來編程NVM。盡管許多NVM以每字 節(jié)為基礎來編程，替代實施例可以以位、字、長字、扇區(qū)、塊或者任 何其它期望的基礎來編程?？梢愿鶕?jù)任何期望的粒度來擦除NVM。盡 管許多NVM以每扇區(qū)為基礎來擦除，替代實施例可以以位、字節(jié)、 字、長字、塊或者任何其它期望的基礎來擦除。
當單個NVM陣列30 (參見圖2)必需滿足第一組客戶所需的數(shù) 據(jù)保持力的最大規(guī)范，同時還滿足第二組客戶所需的耐久性的最大規(guī) 范時，問題出現(xiàn)了。
作為一個示例，第一組客戶可能存儲軟件代碼，例如處理器12 (參見圖1)的指令，其必需在產(chǎn)品的使用壽命期間(例如，20年) 保持存儲。這種產(chǎn)品的一個示例是使用NVM來存儲軟件代碼以執(zhí)行 引擎控制的汽車。該第一組客戶可能不需要NVM執(zhí)行許多編程/擦除 周期。在這個示例中，如果NVM存儲軟件代碼，那么一旦軟件代碼 初始存儲在NVM中其可能永遠不需要被擦除和重寫。自修改軟件代
碼通常在大部分應用中不被使用。
作為第二個示例，第二組客戶可能存儲數(shù)據(jù)值，例如，非易失性
但可變數(shù)據(jù)，其需要在相對較短的時間期間(例如， 一個月至5年)保持存儲。這種產(chǎn)品的一個示例是使用NVM來存儲數(shù)據(jù)值以表示引 擎調整信息的汽車。該第二組客戶將需要NVM執(zhí)行許多編程/擦除周 期(例如，每次汽車點火關閉和打開時的一個編程/擦除周期)。在這 個示例中，如果NVM存儲數(shù)據(jù)值，數(shù)據(jù)值可能會由新的編程/擦除周 期來刷新并且因而不需要具有長數(shù)據(jù)保持時間。
此外， 一些客戶會在同一個應用中需要兩種類型的NVM。例如， 上述的汽車客戶將會需要一些具有用于軟件代碼的長數(shù)據(jù)保持的 NVM，并且還會需要一些具有用于被頻繁重寫的數(shù)據(jù)值的高耐久性的 NVM。同樣，對于多少部分和多大尺寸部分的NVM將需要具有長數(shù) 據(jù)保持時間的客戶需求將會變化。同樣，對于多少部分和多大尺寸部 分的NVM將需要具有高耐久性的客戶需求將會變化。
圖1以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的集成電路(IC) 10。在圖解的實施例中，IC10具有處理器12、 NVM14、可選的其它 存儲器16、 一個或多個可選的其它模塊18以及可選的外部總線接口 20，每一個都雙向地耦合至總線22。本申請所使用的術語總線涉及可 以被用來傳輸一個或多個各種類型的信息，如數(shù)據(jù)、地址、控制或者 狀態(tài)的多個信號或者導體。盡管只顯示了一條總線，但可以使用多于 一條的總線。
在某些實施例中，IC 10是單獨的NVM并且電路12、 16和18 不被實現(xiàn)。在此情況下，外部總線接口 20包括用于NVM14的地址和 數(shù)據(jù)總線驅動器。在另一個實施例中，IC10是微控制器，NVM14僅 僅作為微控制器上可用的一個電路。電路12、 14、 16、 18和20中的 任何一個或多個可以耦合至可以被用來與IC IO外部通信的一個或多 個集成電路端子(未示出)。其它存儲器16可以是任何類型的存儲器。 其它模塊18可以包括用于任何期望目的的電路。其它模塊18中的一 些電路示例包括定時器電路、通信接口電路、顯示驅動器電路、模擬 至數(shù)字轉換器、數(shù)字至模擬轉換器、功率管理電路等等。
圖2以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖1的NVM 14。 在一個實施例中，NVM 14具有雙向耦合至NVM外圍電路31的NVM陣列30。 NVM陣列30具有多個塊，包括塊32和塊33。塊32具有存 儲屬于塊32的信息的塊控制信息34。塊33具有存儲屬于塊33的信 息的塊控制信息35。作為一個示例，塊控制信息34可以包括被用來 控制那個特定NVM塊32的各種特性(例如，擦除脈沖的持續(xù)時間和 電壓、最大擦除時間、編程脈沖的持續(xù)時間和電壓、最大編程時間、 裕度級別等等)的信息。某些實施例還可以在塊控制信息34中存儲其 它附加信息(例如，NVM制造和/或測試歷史)。這些示例也適用于 塊33和塊控制信息35。盡管圖2詳細圖解了兩個塊32、 33，但替代 實施例可以使用任意數(shù)目的塊，包括僅僅一個塊。
在圖解的實施例中，塊控制信息34包括保持力/耐久性控制電路 36，并且塊控制信息35包括保持力/耐久性控制電路37。替代實施例 可以將保持力/耐久性控制電路36和37放置在集成電路10內(nèi)的任何 地方。針對NVM陣列30，可以有任意數(shù)目的保持力/耐久性控制電路 (例如，36)。圖解的實施例針對每個NVM塊使用一個保持力/耐久 性控制電路(例如，36、 37)。然而，針對NVM陣列30內(nèi)的不同粒 度(大于或小于塊)，替代實施例可以使用一個保持力/耐久性控制電 路。例如，整個NVM陣列30可以具有一個被用來選擇存儲特性的保 持力/耐久性控制電路。
虛線用來表示塊32的部分40-42。同樣，虛線用來表示塊33的 部分44-45。每個部分40、 41、 42、 44、 45具有多個NVM單元。保 持力/耐久性控制電路36可以被用來確定塊32被劃分為多少個部分， 以及每個部分的大小。保持力/耐久性控制電路37可以被用來確定塊 33被劃分為多少個部分，以及每個部分的大小。在一個實施例中，保 持力/耐久性控制電路36還可以被用來確定或選擇部分40-42中每一個 的存儲特性。類似地，保持力/耐久性控制電路37還可以被用來確定 或選擇部分44-45中每一個的存儲特性。
作為示例，保持力/耐久性控制電路37可以選擇部分44為具有高 耐久性的存儲特性，同時選擇部分45為具有長數(shù)據(jù)保持時間的存儲特 性?？商娲?，保持力/耐久性控制電路37可以選擇部分45為具有高耐久性的存儲特性，同時選擇部分44為具有長數(shù)據(jù)保持時間的存儲特 性。按照類似的方式，作為一個示例，保持力/耐久性控制電路36可 以選擇部分40和42為具有高耐久性的存儲特性，同時選擇部分41為 具有長數(shù)據(jù)保持時間的存儲特性。保持力/耐久性控制電路36可以替 代地選擇部分40-42的存儲特性的任何組合。保持力和耐久性是存儲 特性的兩個可能的示例。替代實施例可以使用不同的或更多的存儲特 性(例如，抗輻射的強度、用于所選溫度范圍的數(shù)據(jù)完整性等等)。
在圖解的實施例中，NVM外圍電路31包括NVM 14的操作所必 需的所有其它電路。在一個實施例中，NVM外圍電路31具有充電泵、 高壓穩(wěn)壓器、高壓開關、字線驅動器、源極線驅動器、讀出放大器(sense amplifiers)、行解碼器、列解碼器、與總線22的接口、寄存器、讀 取基準電路、控制器、測試邏輯和NVM 14的功能所期望的任何其它 電路(未示出)。請注意，針對一個實施例，NVM外圍電路31可以 以傳統(tǒng)方式操作。
圖3以框圖形式圖解了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖2的保持力/ 耐久性控制電路36、 37。在一個實施例中，保持力/耐久性設置50可 以被用來選擇相應部分的存儲特性(保持力/耐久性控制電路36的部 分40，和保持力/耐久性控制電路37的部分44)。同樣，保持力/耐久 性設置53可以被用來選擇相應部分的存儲特性(保持力/耐久性控制 電路36的部分42，和保持力/耐久性控制電路37的部分45)。在圖3 所圖解的實施例中，存在兩種可能的存儲特性，即長數(shù)據(jù)保持力和高 耐久性。替代實施例可以具有三個或更多可能的存儲特性(例如，長 數(shù)據(jù)保持力、高耐久性，以及在數(shù)據(jù)保持力和耐久性之間折衷的組合)。 替代實施例可以使用存儲特性控制電路50在其它存儲特性中進行選 擇。耐久性和數(shù)據(jù)保持力僅僅是存儲特性的兩個可能的示例。
起始地址存儲電路51和結束地址存儲電路52被用來定義相應 NVM部分的位置和大小(控制電路36的部分40，和控制電路37的 部分44)。起始地址存儲電路51和結束地址存儲電路55被用來定義 相應NVM部分的位置和大小(控制電路36的部分42，和控制電路37的部分45)。替代實施例可以以任何期望的方式定義相應NVM部 分的位置和大小。例如，大小存儲電路(未示出)可以用來替代結束 地址存儲電路52、 55?？商娲兀糠值奈恢煤痛笮】梢员活A先確定 并且控制存儲電路51、 52、 54、 55可能不需要?？商娲?，其它電路
(例如，NVM外圍電路31中的保護電路)可以被用來確定或者局部 地影響部分40、 41、 42、 44、 45的位置和大小。
圖4以框圖形式圖解了編程/擦除NVM的方法。流程77開始于 橢圓形開始框70并且進行至步驟71，其中新NVM部分被選擇。從步 驟71，流程77繼續(xù)進行到菱形判斷框72，其中詢問如下問題"保持力 /耐久性設置50、 53針對這個部分的值是多少？"。如果保持力/耐久性 設置50、 53的值指示耐久性被選擇，那么流程繼續(xù)進行到步驟73， 其中用于耐久性的校驗級別被選擇。如果保持力/耐久性設置50、 53 的值指示長數(shù)據(jù)保持時間被選擇，那么流程77繼續(xù)進行到步驟74， 其中用于長數(shù)據(jù)保持時間的校驗級別被選擇。從步驟73和74，流程 77均繼續(xù)進行到步驟75，其中通過使用在步驟73或74中選擇的校驗 級別來執(zhí)行編程/擦除程序。從步驟75，流程77繼續(xù)進行到橢圓形框 76，其中流程77結束。
來自于NVM陣列30外部的刺激可以用來啟動流程77。這種外 部刺激的一個示例可以是啟動NVM 14內(nèi)的擦除或編程的處理器12
(參見圖1)。請注意，術語編程/擦除被用來指示流程77可以用于 NVM 14的編程和擦除。因此，在編程或擦除期間可以在菱形判斷框 72中使用保持力/耐久性設置50、 53來確定是高耐久性還是長數(shù)據(jù)保 持時間被選擇。
圖5以流程圖形式圖解了用于擦除的圖4的方法步驟75。在圖5 中，流程開始于步驟80，其中試圖通過使用具有第一參數(shù)的脈沖來擦 除相關的NVM部分。在這個示例中，擦除脈沖的參數(shù)是梯形脈沖的 特定持續(xù)時間和電壓。參數(shù)還可以針對其它方面如針對脈沖形狀。對 于這個示例中的部分40和44,這些參數(shù)存儲在圖3所示的保持力/耐 久性設置50中。從步驟80，流程繼續(xù)進行到步驟82，其中讀取相關NVM部分中的每個單元以比較實際讀取電流和顯示為第一裕度級別 的所選校驗級別。能夠稱其為"裕度級別，，的理由是其相對于在編程和 擦除狀態(tài)之間進行確定所需的最小量超過了 一定被選裕度。第 一裕度 級別在流程77 (參見圖4)的步驟73或步驟74中被選擇。
在應用了具有第一參數(shù)的擦除脈沖之后，NVM部分被讀取以確 定NVM部分中將要被擦除的所有存儲單元是否被擦除為至少第一裕 度。如果NVM部分的每個存儲單元通過第一裕度，NVM部分被認為 已經(jīng)被擦除并且能夠開始另一個NVM部分的擦除。在方法75的這個 所述示例中的NVM部分的全部測試中，通過僅僅由被測試的NVM部 分的全部存儲單元通過特定裕度級別來獲得。在NVM使用壽命的早 期，NVM部分在僅僅一次擦除脈沖的應用之后通過是很普遍的。
如果被擦除的NVM部分沒有在使用第一裕度級別時通過，在步 驟86確定已經(jīng)耗費在擦除NVM部分上的時間和允許的最大擦除時間 之間的關系。步驟86總是在NVM部分沒有通過第 一裕度級別后執(zhí)行。 一旦針對特定NVM部分的擦除時間已經(jīng)超時，該NVM部分被認為是 有問題的并且擦除能夠在其它NVM部分上繼續(xù)或者整個設備能夠被 認為是已經(jīng)失敗。如果針對特定NVM部分的擦除時間沒有超時，那 么在步驟90，該NVM部分被測試以查看是否通過第二裕度級別。這 可以是比第一裕度級別的裕度更低的裕度。如果該NVM部分通過了 ， 那么在步驟92，另一個擦除脈沖被施加并且這次是具有第二參數(shù)，具 有第二參數(shù)的擦除脈沖與具有第一參數(shù)的擦除脈沖相比優(yōu)選地增加脈
沖的持續(xù)時間，但是可以增加電壓或者電壓和持續(xù)時間。當然，在僅 僅應用了使用第一參數(shù)的擦除脈沖之后，最大擦除時間可能沒有完全 消逝。
在具有第二參數(shù)的新擦除脈沖被應用后，再次測試NVM部分以 查看其是否通過第一裕度級別。如果是，能夠開始下一個NVM部分 的擦除。如果不是，測試NVM部分以查看其是否通過第二裕度級別。 根據(jù)推定其應當通過該級別，因為其已經(jīng)通過了該級別。該NVM部 分接著將再次接收具有第二參數(shù)的擦除脈沖并且針對第 一裕度級別進行測試。如果其通過了，那么其它NVM部分的擦除能夠繼續(xù)。如果 其失敗了，那么該過程繼續(xù)應用具有第二參數(shù)的擦除脈沖并且在第一 裕度級別下進行通過測試直到NVM部分通過第一裕度級別或者擦除 時間超時。
如果NVM部分沒有通過第二裕度級別，則執(zhí)行關于第三參數(shù)的 NVM部分的測試。如果在步驟94 NVM部分通過了，那么在步驟96 應用具有第三參數(shù)的擦除脈沖，其優(yōu)選地在持續(xù)時間或電壓上或者在 兩者上都大于具有第二參數(shù)的擦除脈沖。在應用了具有第三參數(shù)的擦 除脈沖后，該過程在步驟82再次開始第一裕度級別的測試并且接著繼 續(xù)的是前面所述的或者步驟84或者86。如果其沒有通過，測試在另 一個更低裕度級別上繼續(xù)，該裕度級別具有后續(xù)的強度增加的擦除脈 沖。在這個示例中，當級別已經(jīng)被滿足時，具有相應脈沖的最后級別 如步驟98所示。因此，當NVM部分在步驟98通過最后裕度級別時， 應用具有最后參數(shù)的擦除脈沖，其是當NVM部分已經(jīng)通過最后裕度 級別時使用的參數(shù)。在應用了具有最后參數(shù)的擦除脈沖后，該過程在 步驟82再次開始第一裕度級別的測試并且接著繼續(xù)的是前面所述的 或者步驟84或者86。如果NVM部分甚至不能通過最后裕度級別，應 用具有最大級別的擦除脈沖。具有最大級別的擦除脈沖是具有在方法 75中可用于選擇的任何擦除脈沖中的最大強度的擦除脈沖。這優(yōu)選地 考慮NVM部分已經(jīng)失敗，因為，特別在高耐久性應用中，將NVM部 分帶入第一裕度級別的擦除狀態(tài)中，即使具有非常強的擦除脈沖，將 提供一些效用。
圖6所示的是裕度級別、編程/擦除交叉和已編程級別的圖。編程 /擦除交叉是在已擦除情形或者已編程情形的指示之間進行劃分的讀 取電流。這由所使用的讀出放大器來設置。第一裕度級別是單元被認 為具有期望裕度的級別。在各種裕度級別中，第一裕度級別指示期望 狀態(tài)，其在本示例中是已擦除狀態(tài)，其與編程/擦除交叉之間具有最大 的差別。該差別是裕度。第二裕度級別是第二大差別，并且第三具有 第三大差別。在第一、第二和第三裕度級別的每一中情況中，單元被擦除但具有不同量的裕度。它們有效地具有正裕度。擦除脈沖可以導 致單元甚至不成為已擦除狀態(tài)從而其讀取電流和編程/擦除交叉之間 的差別為負。因而，因為其試圖被擦除但仍位于編程側，能夠認為其 具有負裕度。在這個示例中，測試的最后狀態(tài)是最后裕度級別，其被 顯示為具有負定裕度。
查看圖6的另一種思路是第一裕度級別是目標值而其它裕度級別 是相對于目標值的偏離。因此，第二裕度級別與第三裕度級別相比是 相對于目標裕度值的較小偏離。因此，同樣，最后裕度級別是用于測 試NVM部分的裕度值中相對于目標級別的最大偏離。因此，為了相 對于目標值的更大偏離，在這個示例中，后續(xù)的擦除脈沖在強度上具 有更大的修改、增加。
測試用的不同級別的數(shù)目被顯示為四個第一、第二、第三和最 后級別，但如最后裕度級別和編程/擦除級別以及第三裕度級別和編程 /擦除級別之間的區(qū)域所指示的一樣，能夠存在更多級別。這些測試是 確定具有最差(最少)裕度的單元的裕度的好方法。在做出那些確定 后，應用一個針對被發(fā)現(xiàn)為最差的裕度而制定的擦除脈沖。這是減少 達到擦除而不應用具有不必要的強度的擦除信號所需的時間的方法。 NVM單元性能的惡化與擦除脈沖的強度有關。該方法提供了一種獲取 最差情況裕度信息的方法，該信息的準確性基于有多少裕度用于測試。 在這個示例中，四個被認為是有利地制定擦除脈沖而不需要太多時間 來做出確定的數(shù)目。其它類似的技術也可以被發(fā)現(xiàn)是有用的，特別是 如果需要更高程度的解析度。例如，逐次逼近法可以被發(fā)現(xiàn)是有用的。
在所述的示例中，裕度級別是與來自NVM單元的讀取電流進行 比較的基準電流。高耐久性的裕度級別是較低基準電流，反之長數(shù)據(jù) 保持時間的裕度級別是較高基準電流。高耐久性和長數(shù)據(jù)保持時間的 基準電流的絕對值將取決于用來實現(xiàn)NVM 14的特定電路。
替代實施例可以使用基準電流之外的事物來表示裕度級別。例 如，裕度級別可以是基準電壓，其中裕度級別可以是與NVM單元電 壓(例如，晶體管閾值電壓)進行比較的基準電壓。替代實施例可以使用任何期望的電路特性來表示裕度級別。
在前面的說明書中，我們已經(jīng)參考特殊的實施例對本發(fā)明進行了 說明。然而，本領域的普通技術人員會意識到，在不背離由下文權利 要求所闡述的本發(fā)明范圍的前提下，可以進行各種修飾和改變。例如， 擦除被描述為具有上升的強度，然而，可能存在不需要強調強度上的 增加的情形。因此，說明書和附圖應當只看作是舉例，而沒有限制性 意義，并且所有這些修飾都包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
上面參考特殊實施例說明了本發(fā)明的優(yōu)點、其它優(yōu)勢和解決問題 的方法。然而，這些優(yōu)點、優(yōu)勢、或解決問題的方法以及任何可以導 致任何其它優(yōu)點、優(yōu)勢、解決方法出現(xiàn)或者更加明了的因素都不應當 理解認為是任何或全部權利要求重要的、必需的或基本的特征或元素。 本申請所使用的術語"包括"、"由......構成"或其任何其它的變化都試
圖覆蓋非排它性的內(nèi)涵，例如處理、方法、物件或裝置，它們所包含 的元素的列表并不只是包括這些元素，而是可以包括其它沒有表達列 舉的元素或者屬于該處理、方法、物件或裝置固有的元素。
權利要求
1. 一種編程/擦除非易失性存儲器(NVM)的方法，包含在NVM的一部分上執(zhí)行編程/擦除操作；確定與編程/擦除操作相關聯(lián)的至少一個參數(shù)的實際值相對于所述至少一個參數(shù)的目標值的偏離量；以及基于所述至少一個參數(shù)的實際值的偏離量，修改針對所述NVM的部分的后續(xù)編程/擦除操作。
2. 如權利要求l所述的方法，其中與編程/擦除操作相關聯(lián)的至 少一個參數(shù)包含讀取電壓和讀取電流中的至少一個。
3. 如權利要求l所述的方法，其中確定與編程/擦除操作相關聯(lián) 的至少 一個參數(shù)的實際值的偏離量包含使用第 一組參數(shù)來執(zhí)行編程/ 擦除操作。
4. 如權利要求3所述的方法，進一步包含確定所述NVM的部分 中的每個單元是否通過第 一裕度級別。
5. 如權利要求4所述的方法，進一步包含如果所述部分NVM中 的每個單元通過第一裕度級別，則在NVM的下一部分上執(zhí)行編程/擦 除操作。
6. 如權利要求4所述的方法，進一步包含如果所述NVM的部分 中的至少一個單元沒有通過第一裕度級別并且如果所述NVM的部分 中的每個單元通過第二裕度級別，則使用第二組參數(shù)來執(zhí)行編程/擦除
7. 如權利要求6所述的方法，進一步包含確定所述NVM的部分 中的每個單元是否通過第 一裕度級別。
8. 如權利要求4所述的方法，進一步包含如果所述NVM的部分 中的至少一個單元沒有通過最后裕度級別，則以最大級別來執(zhí)行編程/ 擦除操作。
9. 如權利要求8所述的方法，進一步包含確定所述NVM的部分 中的每個單元是否通過第 一裕度級別。
10. 如權利要求l所述的方法，進一步包含確定是否超過了與編程/擦除操作相關聯(lián)的最大時間值，并且如果是，那么指示針對所述NVM的部分的編程/擦除操作的失敗。
11. 如權利要求l所述的方法，其中修改后續(xù)編程/擦除操作包含 修改與后續(xù)編程/擦除操作相關聯(lián)的至少一個脈沖的時間、電壓、電流 和形狀中的至少一個。
12. —種編程/擦除非易失性存儲器(NVM)的方法，包含 使用第一組參數(shù)在NVM的一部分上執(zhí)行編程/擦除操作； 確定所述NVM的部分中的每個單元是否通過第一裕度級別，如果沒有，則確定所述NVM的部分中的每個單元通過比第一裕度級別 更低的一組裕度級別中的哪一個；以及基于一組更低裕度級別中被確定的那一個，修改與針對所述 NVM的部分的后續(xù)編程/擦除操作相關聯(lián)的一組參數(shù)中的至少一個。
13. 如權利要求12所述的方法，進一步包含如果所述NVM的部 分中的每個單元通過第一裕度級別，則在NVM的下一部分上執(zhí)行編 程/擦除操作。
14. 如權利要求12所述的方法，進一步包含響應后續(xù)編程/擦除 操作確定所述NVM的部分中的每個單元是否通過第一裕度級別。
15. 如權利要求12所述的方法，進一步包含在修改步驟之后 如果所述NVM的部分中的至少一個單元沒有通過一組更低裕度級別 中的最低裕度級別，則以最大級別來執(zhí)行編程/擦除操作。
16. 如權利要求15所述的方法，進一步包含響應于以最大級別 執(zhí)行的編程/擦除操作確定所述NVM的部分中的每個單元是否通過第 一裕度級別。
17. 如權利要求12所述的方法，進一步包含確定是否超過了與 編程/擦除操作相關聯(lián)的最大時間值，并且如果是，那么指示針對所述 NVM的部分的編程/擦除操作的失敗。
18. 如權利要求12所述的方法，其中與后續(xù)編程/擦除操作相關 聯(lián)的一組參數(shù)包含時間、電壓、電流和形狀中的至少一個。
19. 一種非易失性存儲器(NVM)系統(tǒng)，包含 NVM陣列；NVM外圍電路，用于使用第一組參數(shù)在NVM陣列的部分上執(zhí) 行編程/擦除操作；以及控制器，用于確定所述NVM陣列的部分中的每個單元是否通過 第一裕度電平并且確定所述NVM陣列的部分中的每個單元通過比第 一裕度級別更低的一組裕度級別中的哪一個，以及基于一組更低裕度 級別中被確定的那一個，修改與針對所述NVM陣列的部分的后續(xù)編 程/擦除操作相關聯(lián)的一組參數(shù)中的至少一個。
20. 如權利要求19所述的NVM系統(tǒng)，其中與后續(xù)編程/擦除操 作相關聯(lián)的第一組參數(shù)包含時間、電壓、電流和形狀中的至少一個。
全文摘要
一種編程/擦除非易失性存儲器(NVM)(14)的方法，包括使用第一系列參數(shù)在部分NVM(14)上執(zhí)行編程/擦除操作(80)。該方法進一步包括確定(82)所述部分NVM(14)中的每個單元是否通過第一裕度級別，如果沒有，則確定所述部分NVM(14)中的每個單元通過比第一裕度級別更低的一系列裕度級別中的哪一個。該方法進一步包括基于一系列更低裕度級別中被確定的那一個，修改(92)與針對所述部分NVM(14)的后續(xù)編程/擦除操作相關聯(lián)的一系列參數(shù)中的至少一個。
文檔編號G11C16/06GK101501782SQ200780008570
公開日2009年8月5日 申請日期2007年3月7日 優(yōu)先權日2006年3月21日
發(fā)明者A·E·伯尼, A·J·戈爾曼, D·J·貝蒂, M·L·尼塞特, S·邁金蒂 申請人:飛思卡爾半導體公司