專利名稱:多層信息記錄介質(zhì)、信息記錄再生裝置及多層信息記錄介質(zhì)的制造方法
技術領域:
本發(fā)明涉及具有被層壓的多個信息面并通過光記錄或再生信息的多層信息記錄介質(zhì)、 該多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,以及在多層信息記錄介質(zhì)中高密度地記錄數(shù)字視頻信息 等信息,并再生被記錄在多層信息記錄介質(zhì)中的信息的信息記錄再生裝置。
背景技術:
使用具有凹坑狀圖案的光盤介質(zhì)作為高密度、大容量的存儲介質(zhì)的光學存儲技術,己
經(jīng)廣泛地應用于數(shù)字通用盤(DVD)、視頻盤、文件盤,進而數(shù)據(jù)文件,并被實用化。例 如,通過被聚光成limi以下的微小直徑的光束,在保證高度信賴性的基礎上對光盤介質(zhì)很 好地首尾銜接地進行信息的記錄、再生所要求的功能,大致被劃分為形成衍射極限的微小 光點的聚光功能、光學系統(tǒng)的焦點控制功能(聚焦伺服)、追蹤控制功能以及坑信號(信 息信號)檢測功能。
近年來,由于光盤介質(zhì)的記錄密度進一步高密度化,因此,擴大使光束收束在光盤介 質(zhì)上形成衍射極限的微小光點的物鏡的數(shù)值孔徑(NA)正處于研究之中。然而,由于保 護光盤介質(zhì)的記錄層的基材厚度的誤差所引起的球面像差與NA的4次方成比例,所以,例 如在將NA增大到0.8或0.85等時,球面像差就會飛躍地增加。因此,在增大數(shù)值孔徑時, 在光學系統(tǒng)中設置修正球面像差的手段是必不可少的。
作為修正該球面像差的方法,有例如日本專利公開公報特開2002-373441號(以下稱 作"專利文獻l")中所述的方法。圖19是表示專利文獻1所述的以往的光盤裝置的結構的示 意圖。在圖19的像差修正量切換單元614中,為每個實行聚焦控制的光盤介質(zhì)的信息面預 先設定三種球面像差修正量,包括基準厚度為100nm,球面像差修正量為OmX的像差修正 量(a)、用于修正相對于基準厚度其基材厚度較薄的光盤介質(zhì)的球面像差的像差修正量 (b)、用于修正相對于基準厚度其基材厚度較厚的光盤介質(zhì)的球面像差的像差修正量(c)。 像差修正量切換單元614根據(jù)來自盤識別單元612的盤識別信號613,從這些像差修正量中 選擇適當?shù)那蛎嫦癫钚拚坎⑦M行切換。由此,在使用NA較大的物鏡對高密度的光盤介 質(zhì)進行記錄或再生時,由于在實行聚焦控制的光盤介質(zhì)的信息面進行適當?shù)那蛎嫦癫钚?br>
正,所以,可以穩(wěn)定地實行聚焦控制。
近年來,作為在光盤介質(zhì)的一面具有兩個信息面的光盤介質(zhì)(雙層光盤介質(zhì)),如具
有8.5GB容量的雙層DVD-R的追記型光盤介質(zhì)、或用藍色激光光源進行記錄再生的具有 50GB容量的雙層藍光盤介質(zhì)的可擦寫光盤介質(zhì)等已經(jīng)商品化。這樣的雙層光盤介質(zhì)與單 層光盤介質(zhì)相比,存儲容量可以增大接近兩倍。有關這種具有兩層以上的信息面的多層光 盤介質(zhì)的盤格式,有例如日本專利公開公報特開2003-346379號(以下稱作"專利文獻2") 所示的格式。
根據(jù)專利文獻2所示的格式,在信息面從激光射入側(cè)起有l(wèi)層的單層光盤介質(zhì)和有兩層 以上的多層光盤介質(zhì)中,作為第l層的信息面LO在盤厚度方向上距激光所射入的覆蓋層表 面的距離相同。而且,在多層光盤介質(zhì)中,第2信息面L1以后的信息面形成在比第1信息面 LO更靠近覆蓋層表面的位置。由此,在單層光盤介質(zhì)、雙層、三層,或者更多層的多層光 盤介質(zhì)的各光盤介質(zhì)中,作為第l層的記錄層(例如相位變化記錄膜的記錄層)可以同樣 地形成在聚碳酸脂基板上,從而實現(xiàn)制造工序的通用化,并且單層光盤介質(zhì)和多層光盤介 質(zhì)都可以獲得相同的記錄再生特性。
而且,在多層光盤介質(zhì)中,由于第2層以后的記錄層形成在比第1層更靠近覆蓋層表面 的位置,因此第2層以后的記錄層從各記錄層到覆蓋層表面的距離分別縮短。g卩,從各層 來看覆蓋層的厚度變薄。由此,光盤介質(zhì)和光束的傾斜允許角度擴大。即,由于第2層以 后的記錄層的傾斜余裕(tiltmargin)與第l層的記錄膜相比可以放寬,因此能夠促進記錄再 生特性的改善、盤生產(chǎn)率的提高以及成本的降低。
而且,關于對上述的雙層光盤介質(zhì)的聚焦控制方法,有例如國際公開第02/067250號 小冊子(以下稱作"專利文獻3")所示的方法。專利文獻3公開了一種方法,用于像多層光 盤介質(zhì)那樣,即使來自各信息面的全反射光功率的程度降低,也能可靠地進行對信息面的 聚焦引進(focus pull in)。
并且,日本專利公開公報特開2006-236509號(以下稱作"專利文獻4")公開了具有與 BD格式對應的記錄面和與DVD格式對應的記錄面的光記錄介質(zhì)。專利文獻4的光記錄介質(zhì) 具有可以在不同的格式所對應的光記錄再生裝置上安裝的兼容性。
上述的專利文獻l所記載的以往的球面像差修正方法,是利用盤識別單元來識別光盤 介質(zhì)的種類,并用像差修正量切換單元預先修正與作為聚焦控制對象的記錄面的厚度相適 應的球面像差修正量。然而,在假設有到兩層為止的記錄面的光盤介質(zhì)的光盤裝置中,當 插入最初設定范圍之外的光盤介質(zhì)、例如從激光射入面開始單側(cè)具有四層信息記錄面的光
盤介質(zhì)等時,會實施錯誤處理而彈出光盤介質(zhì)等,中止對所插入的光盤介質(zhì)的訪問控制, 不能對光盤介質(zhì)進行記錄或再生操作?;蛘撸嬖诩词惯M行了操作也不能以最佳條件啟動 光盤介質(zhì)這樣的問題。
專利文獻2所記載的以往的多層光盤介質(zhì),其信息面被形成在自激光射入側(cè)起沿光盤 厚度方向靠近覆蓋層表面的位置。此時,如果既設計開發(fā)多層光盤介質(zhì),又設計開發(fā)可以 對該多層光盤介質(zhì)進行記錄/再生的光盤裝置,就不會存在問題。然而,在多層光盤介質(zhì)的 全部種類的格式被預先決定之前就被投放市場的傳統(tǒng)驅(qū)動程序(LegacyDrive)中,在對 舊格式(old formats)的光盤介質(zhì)進行記錄或再生時會有限制。例如,在已經(jīng)投放市場的雙 層光盤介質(zhì)所對應的光盤裝置中,當插入像四層光盤介質(zhì)那樣信息面單側(cè)超過兩層的光盤 介質(zhì)時,不可能正確地識別出四層光盤介質(zhì)。
而且,即使多個信息面中的第1信息面L0的厚度和第2信息面L1的厚度與以往的已經(jīng) 投放市場的雙層光盤介質(zhì)的厚度相同,在識別盤時判斷出不是雙層光盤介質(zhì)的情況下,也 不能對四層光盤介質(zhì)進行記錄或再生。例如,在將信息面為四層的光盤介質(zhì)插入在信息面 為四層的盤的格式被公開之前就被投放市場的光盤裝置中時,四層光盤介質(zhì)隨著在光盤裝 置啟動時所實行的啟動程序而被彈出,因而不能對新格式的四層光盤介質(zhì)進行記錄或再 生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決上述問題,其目的在于提供一種可以確保與已經(jīng)投放市場或格式為已 知的信息記錄介質(zhì)的向下兼容性、利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置對新格式的多層信息 記錄介質(zhì)進行記錄再生的多層信息記錄介質(zhì)、信息記錄再生裝置及多層信息記錄介質(zhì)的制 造方法。
本發(fā)明所提供的多層信息記錄介質(zhì)具有被層壓的多個信息面并通過光記錄或再生信 息,其中上述多個信息面包含,具有在光射入時以指定的第l反射率反射上述光的第l反射 面的至少一個信息面、和具有以比上述第1反射率小的第2反射率反射上述光的第2反射面 的其它的信息面。
本發(fā)明還提供一種信息記錄再生裝置,用于在具有被層壓的多個信息面的多層記錄介 質(zhì)上記錄或再生信息,其中,上述多個信息面包含,具有在光射入時以指定的第l反射率 反射上述光的第l反射面的至少一個信息面、和具有以比上述第1反射率小的第2反射率反 射上述光的第2反射面的其它的信息面,該信息記錄再生裝置包括對上述多層信息記錄
介質(zhì)所具有的的信號軌道照射用于進行信號的記錄或再生的激光的激光照射部;修正上述 激光的球面像差的球面像差修正部;對應上述激光照射的信息面來控制上述激光的焦點位 置的控制部;對上述多層信息記錄介質(zhì)的上述第l反射面照射激光,來識別信息面的數(shù)目 的介質(zhì)識別部。
本發(fā)明還提供一種多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,用于制造具有被層壓的多個信息面 的多層信息記錄介質(zhì),包括在一面形成有信息面的基板上形成反射層的第l工序;在上 述反射層之上形成具有信息面的透光性的中間層的第2工序;在上述中間層的上述信息面 一側(cè)形成反射層的第3工序;在多次重復上述第2工序和上述第3工序而形成多個信息面之 后形成透光性的保護層的第4工序;在至少一個信息面上形成光射入時以指定的第l反射率
反射上述光的第l反射面,并在其它的信息面形成以比上述第1反射率小的第2反射率反射 上述光的第2反射面的第5工序。
根據(jù)本發(fā)明,因為可以可靠地實行向與已經(jīng)投放市場的信息記錄介質(zhì)的信息面相一致
的至少一個信息面的聚焦引進(focuspullin),所以,能夠確保與已經(jīng)投放市場或格式為已 知的信息記錄介質(zhì)的向下兼容性,可以利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置對新格式的多層 信息記錄介質(zhì)進行記錄再生。
圖l是用于說明本實施例的光學的信息記錄介質(zhì)的結構的圖。 圖2是用于說明以往的雙層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局的圖。 圖3是表示本實施例的四層光盤介質(zhì)的棧結構的概略圖。 圖4是說明本實施例的四層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局的圖。
圖5是表示在使用沒有形成低反射率區(qū)域的四層光盤介質(zhì)時各信息面的距盤表面的厚 度和聚焦誤差信號之間的關系的示意圖。
圖6是表示在使用本實施例的的四層光盤介質(zhì)時各信息面的距盤表面的厚度和聚焦誤 差信號之間的關系的示意圖。
圖7是表示對本實施例的多層光盤介質(zhì)進行記錄再生的光學的信息記錄再生裝置的整 體結構的示意圖。
圖8是用于說明對應雙層的光盤裝置的處理程序的第1流程圖。
圖9是用于說明對應雙層的光盤裝置的處理程序的第2流程圖。
圖10是用于說明本實施例的四層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構的圖。
圖ll是用于說明本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構的圖。 圖12是用于說明本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的其它的區(qū)域結構的圖。 圖13是用于說明本實施例的四層光盤介質(zhì)的半徑方向的其它的區(qū)域結構的圖。 圖14是用于說明本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的另外的其它的區(qū)域結構的圖。 圖15是用于說明用來制造本實施例的多層光盤介質(zhì)的基板制作用模具的制造方法的 剖視圖。
圖16是本實施例的多層光盤介質(zhì)的剖視圖。
圖17是用于說明本實施例的多層信息記錄介質(zhì)的的制造方法的圖。
圖18是表示本實施例的濺射裝置的結構的剖視圖。
圖19是表示以往的光盤裝置的結構的示意圖。
具體實施例方式
以下,參照附圖對本發(fā)明的一個實施例的多層信息記錄介質(zhì)進行說明。另外,在本實 施例中,以追記型的相位變化光盤介質(zhì)(recordable phase-changing optical disc medmm)作為多層信息記錄介質(zhì)的例子進行說明,伹是,這并不是要特別限定多層信息 記錄介質(zhì),本實施例對通過向多層信息記錄介質(zhì)注入能量而形成物理性質(zhì)與未記錄部不同 的標記,來記錄信息的多層信息記錄介質(zhì)(BD-RE等可擦寫型記錄介質(zhì)或BD-R等追記型 記錄介質(zhì))、或者通過凹凸的坑(pits)等物理形狀的不同來記錄信息的再生專用的光盤介質(zhì) 而然為通用的技術。
主要的光學條件是采用波長為405nm的激光和NA二0.85的物鏡。盤的結構是軌道間 距(Track Pitch)為0.32imi,從激光射入面到信息面的厚度為25iim至130pm。以將具 有從0.138irni至0.160iim的最短標記長(2T)的信號作為標記或坑記錄在光盤介質(zhì)上,每 1層的存儲容量從23.3GB到27GB的多層光盤介質(zhì)為例進行說明。而且,作為寫入時的速 度,以在66MHz (Tw=15.15ns)的信道速率為1倍速的BD (藍光盤)中,信道速率為 132MHz (Tw二7.58ns)的BD2倍速的情況為例進行說明。此時,記錄線速度為9.83m/s。
首先,對作為本實施例的多層信息記錄介質(zhì)的多層光盤介質(zhì)進行說明。圖l是用于說 明本實施例的光學的信息記錄介質(zhì)的結構的圖。圖l表示多層光盤介質(zhì)的平面上的區(qū)域結 構。作為光盤介質(zhì)內(nèi)的平面區(qū)域,從內(nèi)周側(cè)起配置有讀入?yún)^(qū)域(read-in area) 1006、數(shù)據(jù) 區(qū)域1001和讀出區(qū)域(read-out area) 1005。讀入?yún)^(qū)域1006包含燒刻區(qū)BCA (Burst Cutting Area) 1002、初始記錄區(qū)域(Pre-recorded area) 1003、學習區(qū)域及DMA區(qū)域
1004。
其次,作為參考例對以往的雙層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局進行說明。圖2是用于說 明以往的雙層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局的圖。
在圖2中,讀入?yún)^(qū)域位于第l信息面L0的半徑大約為24mm的內(nèi)側(cè)。在半徑21至 22.2mm的位置上有以燒刻信息面的形式等預先記錄介質(zhì)固有的唯一ID (unique ID)的 BCA (Burst Cutting Area)。在BCA,通過以同心圓狀排列的形式形成記錄標記,條碼 狀的記錄數(shù)據(jù)予以形成。
從半徑22.2至23.1mm為初始記錄區(qū)域(Pre-recordedArea)。在初始記錄區(qū)域,通 過使被稱作HFM溝的螺旋狀的溝(向?qū)?擺動(蜿蜒),預先對記錄功率或記錄脈沖條 件的推薦值、記錄線速度的條件等光盤信息、或拷貝保護所使用的信息等進行記錄(預錄 信息)。這些預錄信息為不可擦寫的再生專用的信息,在光盤出廠時被預先記錄。艮P, BCA與初始記錄區(qū)域為再生專用區(qū)域。
在讀入?yún)^(qū)域中,在半徑23.1至24mm內(nèi)設有進行試記錄的學習區(qū)域及缺陷管理區(qū)域 (DMA, defect management area)。學習區(qū)域,在光盤介質(zhì)被插入光盤裝置的啟動時 或在動作中產(chǎn)生很大的溫度變化時,為了校準記錄功率或記錄脈沖條件的變動量,進行試 記錄。缺陷管理區(qū)域(DMA)是用于管理光盤介質(zhì)上的缺陷信息的區(qū)域。
在半徑24.0至58.0mm內(nèi)設有數(shù)據(jù)區(qū)域。數(shù)據(jù)區(qū)域是實際寫入用戶所期望的數(shù)據(jù)的區(qū) 域。在數(shù)據(jù)區(qū)域中,當存在PC使用(PC use)等過程中由于缺陷等而不能記錄再生的部分時, 在記錄再生用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域的前后設定ISA(內(nèi)部備用區(qū),Inner Spare Area)、 OSA(外部備用區(qū),Outer Spare Area)來作為替換不能記錄再生的部分(扇區(qū),簇(cluster)) 的替換區(qū)域。在視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄中,也有不設定替換區(qū)域的情況。
在半徑58.0至58.5mm內(nèi)設有讀出區(qū)域。讀出區(qū)域與讀入?yún)^(qū)域同樣設有缺陷管理區(qū)域, 而且,還可以作為緩沖區(qū)域使用,以便在搜尋(seek)時,即使溢出(Overrun)也無妨。 另外,作為記錄再生的終止區(qū)域的意義上的讀出,在多層光盤介質(zhì)的情況下有時也為內(nèi)周 側(cè)。從半徑23.1mm、即學習區(qū)域到外周的外區(qū)或讀出區(qū)域,為記錄再生相位變化標記的 數(shù)據(jù)區(qū)域(可記錄區(qū)域)。
在以往的雙層光盤介質(zhì)中,雖然在第l信息面LO以外的信息面設有相當于BCA的區(qū)域, 但是,沒有進行唯一ID的記錄。這是因為,在第1信息面L0的BCA中,通過用高輸出的激 光燒刻記錄層的記彔方式,在半徑方向記錄條碼狀的信號,此時,即使在與第l信息面LO 的BCA在厚度方向處于相同的位置的第2信息面L1重新記錄唯一ID等的BCA信息,也有可
能不能進行具有可靠性的記錄。反過來說,由于不在第2信息面L1進行BCA記錄,第l信 息面LO的BCA的可靠性得以提高。
而且,初始記錄區(qū)域,至少在第1信息面L0記錄初始值信息。而且,第l信息面LO的 內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū)(inner zone),外周側(cè)為外區(qū)(outer zone)。此時,第1信息面L0的地址按順 序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,而記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。在第2信息面L1 中,內(nèi)周側(cè)為讀出區(qū)域(readout area),外周側(cè)為外區(qū)(outer zone)。此時,第2信息面Ll 的地址按順序從外周向內(nèi)周的方向予以記錄,而記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。通過 進行這樣的記錄再生的進程,就不再需要從外周向內(nèi)周的全程搜尋(fullseek),可以在第l 信息面LO從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè),在第2信息面L1從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)依次進行記錄再生,從而 能夠長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
圖3是表示本實施例中從激光射入側(cè)起有四個信息面的四層光盤介質(zhì)的棧結構的概略
圖。四層光盤介質(zhì)包括基板905;第1信息面L0;第2信息面L1;第3信息面L2;第4信
息面L3及覆蓋層909。激光從覆蓋層909側(cè)射入?;?05的厚度大約為l.lmm,覆蓋層909 的厚度至少為25pm以上。各信息面被透明的空間層906至908隔開。在本實施例中,作為 具體的例子,覆蓋層909的厚度為60iim,第4信息面L3和第3信息面L2之間的厚度為10imi, 第3信息面L2和第2信息面Ll之間的厚度為17ym,第2信息面L1和第1信息面L0之間的厚 度為13imi,而被空間層隔開的各信息面的間隔,在四層光盤介質(zhì)的情況下可以在6pm至 30yun之間。被空間層隔開的信息面的間隔,為使來自各信息面的衍射光的干涉(層間干 涉)變小而被最優(yōu)化設定,并不局限于上述的空間之間的距離。
其次,對具有四個信息面的四層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局進行說明。圖4是用于說 明本實施例的四層光盤介質(zhì)的各層的軌道布局的圖。
在圖4中,四層光盤介質(zhì)的第1信息面L0具有與信息面有一個的單層光盤介質(zhì)的信息面 或圖2所示的信息面有兩個的雙層光盤介質(zhì)的第1信息面L0相同的軌道布局。同樣,四層光 盤介質(zhì)的第2信息面L1具有與圖2所示的信息面有兩個的雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1相 同的軌道布局。但是,作為第2信息面Ll的內(nèi)周側(cè)的讀出區(qū)(read-out zone),由于在具有 三層以上的信息面的多層光盤介質(zhì)中已不是記錄再生終端,因而成為內(nèi)區(qū)(innerzone)。
第3信息面L2和第4信息面L3的內(nèi)周部與第1及第2信息面L0、 Ll的內(nèi)周部的軌道布局 有所不同。通常,各信息面的初始記錄區(qū)域被配置成排列在相同的半徑位置,而在本實施 例的多層光盤介質(zhì)中,如圖4所示,第3信息面L2的初始記錄區(qū)域被配置在不與第1信息面 LO的BCA或初始記錄區(qū)域的半徑位置發(fā)生較大重疊的位置。因此,在再生第1信息面L0的
BCA及初始記錄區(qū)域時,通過第4信息面L3及第3信息面L2的光束受到散射或衍射,從而 可減少再生信號質(zhì)量的降低。
在第3信息面L2,由初始記錄區(qū)域所對應的軌道的蜿蜒而形成的HFM溝(HFM groove),被形成在從半徑為23.1mm的位置開始到用戶數(shù)據(jù)區(qū)域開始的24.0mm的位置為 止的之間。在初始記錄區(qū)域的外側(cè)配置有學習區(qū)域和DMA區(qū)域。同樣,在第4信息面L3中, 從半徑23.1mm的位置到外側(cè)配置有學習區(qū)域和DMA區(qū)域。在四層光盤介質(zhì)中,在第l信 息面LO以外的信息面不進行BCA記錄。
而且,初始記錄區(qū)域被設置在第1信息面L0、和第3信息面L2及第4信息面L3的至少其 中之一的信息面上,在整個記錄介質(zhì)中共計至少兩面記錄有盤管理信息。在第1信息面L0 的初始記錄區(qū)域,記錄有第1信息面L0及第2信息面L1的記錄功率、記錄脈沖條件、盤版 本及層次編號等信息,而且,在以往沒有作為有用區(qū)域(reservearea)使用的管理區(qū)域內(nèi)的 指定的區(qū)域,記錄有第3信息面L2及第4信息面L3的盤管理信息。通過這樣的結構,不僅 可以在以往的光盤裝置中讀出盤管理信息,還可以在新的多層光盤介質(zhì)用的光盤裝置中, 一攬子地讀出從第1信息面L0到第4信息面L3的全部的信息面的盤管理信息,從而能夠縮 短啟動時間。
而且,在第3信息面L2至少記錄與第3信息面L2及第4信息面L3相關的記錄功率及記錄 脈沖條件等信息。在第3信息面L2,通過省略在以往的雙層光盤介質(zhì)中記錄的與第l信息面 L0及與第2信息面L1相關的記錄功率及記錄脈沖條件等的信息,可以節(jié)約第3信息面L2的 記錄空間。
而且,在第3信息面L2的內(nèi)區(qū)的可追加的記錄區(qū)域,記錄表示可否對第3信息面L2及 第4信息面L3的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域進行記錄的標志信息。在標志信息為不可以對第3信息面L2 及第4信息面L3進行記錄的狀態(tài)時,則不能在第3信息面L2及第4信息面L3記錄數(shù)據(jù),而只 能在第1信息面L0及第2信息面L1記錄數(shù)據(jù)。標志信息雖然不能通過以往的雙層光盤介質(zhì) 所對應的驅(qū)動程序讀出,但是,在四層應對的光盤裝置中,可以讀出、寫入或擦寫。四層 應對光盤裝置,可以通過使用本標志信息,以能夠在雙層應對光盤裝置中讀出的狀態(tài)將數(shù) 據(jù)記錄在四層光盤介質(zhì)中。即,四層應對光盤裝置,通過在四層光盤介質(zhì)中,只在與雙層 光盤介質(zhì)相同的區(qū)域用同一格式記錄數(shù)據(jù),使得利用己經(jīng)投放市場在市場廣泛存在的雙層 應對光盤裝置讀出數(shù)據(jù)成為可能。
而且,四層應對光盤裝置也可以將標志信息設定成禁止在第3信息面L2及第4信息面 L3進行數(shù)據(jù)記錄的狀態(tài),將標志信息設定成在與雙層光盤介質(zhì)相同的區(qū)域記錄數(shù)據(jù)之后,
允許對第3信息面L2及第4信息面L3進行記錄的狀態(tài),從而可以對四層光盤介質(zhì)全體記錄 數(shù)據(jù)。這樣,用戶可以在雙層應對光盤裝置和四層應對光盤裝置之間共用一個光盤介質(zhì), 從而能夠自由地交換數(shù)據(jù)。
而且,在第3信息面L2及第4信息面L3的半徑23.1mm以內(nèi)的內(nèi)周側(cè),除了形成具有螺 旋狀的溝的軌道之外,也可以不形成溝而形成鏡面。這樣,通過使相當于第3信息面L2及 第4信息面L3的初始記錄區(qū)域及BCA的區(qū)域呈鏡面狀,可以降低溝引起的衍射光,從而容 易實行向第1信息面L0及第2信息面L1的聚焦引進。
而且,在圖4中,區(qū)域201和區(qū)域202分別作為第3信息面L2及第4信息面L3的內(nèi)周部的 低反射率區(qū)域(LRA; Low Reflectivity Area),通過盡可能地減少這些區(qū)域內(nèi)的激光的 反射或散射,將激光高效率地聚光在第1信息面L0及第2信息面L1。以低反射率區(qū)域的反 射率大致為O的條件,或者,以低反射率區(qū)域與該區(qū)域以外的區(qū)域的反射率存在差的條件 來設計低反射率區(qū)域。例如,如果作為反射率相對激光射出光的比的反射率比為R,則在 低反射率區(qū)域的反射率比Rd的范圍被設計為(^Rd〈3.5X,而在其它的區(qū)域的反射率比Rb 的范圍被設計為3.5%^1^8%?;蛘撸部梢詫⒃诘头瓷渎蕝^(qū)域的反射率比Rd和低反射 率區(qū)域之外的區(qū)域的反射率比Rb的關系設計為2xRd〈Rb。
來自盤表面(厚度為0imi)的反射率理論上約為4%,反射率比Rd被設定在低于該表 面反射率的反射光水平(level)。在激光射向盤表面時,透過覆蓋層被聚光在信息面。該覆 蓋層樹脂的折射率n約為1.5士0.1。 一般情況下,如果媒質(zhì)的折射率為n,則在光從空氣中 垂直射向媒質(zhì)時來自表面的反射率用R二 (1 —n) 2/ (l + n) 2來表示。由此,來自覆蓋層 樹脂表面的反射率11被計算成是3%至5%。但是,像本實施例的多層光盤介質(zhì)那樣,當在 具有100ixm的入射厚度的信息面對光學系統(tǒng)進行像差修正時,由于在盤表面產(chǎn)生覆蓋層厚 度的球面像差,因此,來自表面的反射率衰減到約70%。表面反射率乘以球面像差的衰減 量所得的值為實際的來自表面的反射率,表面反射率為2%至3.5%左右。
由于覆蓋層樹脂的折射率的值被預先決定,因此,表面反射率為大約3%的值被預先 存儲在光盤裝置中。在與表面反射的RF信號的振幅值相比,來自低反射率區(qū)域的反射率較 小時,錯誤地檢測為是來自盤表面的反射光的可能性降低。因此,可期望使低反射率區(qū)域 的反射率比來自該表面的反射光(表面反射)小。
為了使來自表面的S字波形的檢測較為可靠,以表面S字波形的一半為限幅電平(Slice Level)進行檢測是最可靠的方法。因此,將在低反射率區(qū)域的反射率比Rd設為表面反射 率的l/2以下,最能提高效果。這樣,通過設計在低反射率區(qū)域的反射率比Rd,以便作為
比信息記錄再生裝置中所存儲的值小的反射光功率,可以在雙層應對的信息記錄再生裝置 中使用多層信息記錄介質(zhì)。
而且,通過降低來自第3信息面L2及第4信息面L3的反射光或散射光,可以容易實行 在盤啟動時向第1信息面L0或第2信息面L1的聚焦引進。作為盤插入時或光盤裝置啟動時 的順序,在第l信息面LO的內(nèi)周部的BCA予以再生。激光的聚焦引進的實行處理一般在具 有BCA的內(nèi)周部進行。在包含第1信息面L0的BCA的半徑位置的第3信息面L2的區(qū)域201 及第4信息面L3的區(qū)域202,與第1信息面L0及第2信息面L1在同一半徑位置的區(qū)域相比, 反射率被設定得較低,從而使來自第3信息面L2及第4信息面L3的反射光減少。由此,可 以可靠地實行向第1信息面L0的BCA的聚焦引進。
另夕卜,在本實施例中,第1及第2信息面的BCA及初始記錄區(qū)域相當于第1反射面,第3 及第4信息面的低反射率區(qū)域相當于第2反射面。
作為上述的第3信息面L2及第4信息面L3的內(nèi)周部的低反射率區(qū)域(LRA)的形成方 法,包括這樣一種方法,即,在盤出廠前的盤制造工序中,在信息面成膜后,采用激光初 始化裝置,通過分別對第3信息面L2及第4信息面L3的記錄層照射記錄功率的激光,預先 進行強制形成標記的初期記錄(pre-recording),從而實現(xiàn)低反射狀態(tài)。而且,不僅僅是通 過采用激光初始化裝置,還可以是通過降低BCA記錄器的照射功率等,以形成標記的記錄 功率進行初期記錄的方法。在采用這些方法時,可以用通常的成膜工程制造光盤介質(zhì),不 需要在光盤制造工序中附加特殊的設備,能夠便于批量生產(chǎn)多層光盤介質(zhì)。
而且,作為其它的方法,也有通過使用BCA記錄器等所具備的高輸出激光的聚光射束, 燒刻所期望的信息面的反射層等而形成低反射率區(qū)域的方法。或者,也有通過在例如使用 濺射裝置使反射層成膜時,對內(nèi)周部的低反射率區(qū)域進行掩膜,從而在內(nèi)周部不使反射層 成膜的方法。此時,由于通過改變掩膜的大小可以容易地形成低反射率區(qū)域,因此,在光 盤制造后,不需要由激光進行初期記錄的工序或燒刻反射層形成低反射率區(qū)域的工序,可 以原封不動地利用以往的光盤制造工序。
另外,在本實施例中,是將多個信息面中的與以往的光盤介質(zhì),例如雙層結構的光盤 介質(zhì)具有兼容性的信息面的內(nèi)周部(BCA及初始記錄區(qū)域)的反射率設成高于其它的信息 面的內(nèi)周部的反射率,但是,本發(fā)明并不特別限定于此,也可以將與以往的光盤介質(zhì)具有 兼容性的信息面之外的信息面的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率設成低于具有兼容性的信息面的反射 率。例如,將第3信息面L2及第4信息面L3的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率設定成低于第1信息面L0 及第2信息面L2的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率。此時,也可以將第3信息面L2及第4信息面L3的內(nèi)周
部及數(shù)據(jù)區(qū)域等全部區(qū)域的反射率設定成低于第1信息面L0及第2信息面L2的全部區(qū)域的 反射率,另外,此時,第1及第2信息面的BCA、初始記錄區(qū)域及數(shù)據(jù)區(qū)域相當于第l反射 面,第3及第4信息面的低反射率區(qū)域及數(shù)據(jù)區(qū)域相當于第2反射面。
其次,對向多層光盤介質(zhì)的信息面的聚焦引進時的動作加以說明。在聚焦誤差信號使 用象散法時,利用聚焦誤差信號的S字特性實行聚焦引進。圖5是表示在使用沒有形成低反 射率區(qū)域的四層光盤介質(zhì)時各信息面的距盤表面的厚度和聚焦誤差信號之間的關系的示 意圖。圖5的直線41表示隨著從紙面的左側(cè)到右側(cè),激光的聚光點從盤表面向內(nèi)部的信息 面逐漸地移動。此時,在聚焦誤差信號中對應光盤介質(zhì)的反射面(信息面)出現(xiàn)如圖5所 示的S字波形42。
通過球面像差修正部使盤射入側(cè)的厚度最適合于第1信息面L0時,按盤表面的S字波 形、第4信息面L3的S字波形、第3信息面L2的S字波形、第2信息面L1的S字波形及第1信 息面LO的S字波形的順序,S字波形的振幅逐漸地增大。這五個S字波形42作為聚焦誤差信 號出現(xiàn)。例如,如果要利用己經(jīng)投放市場的雙層應對的光盤裝置對這樣的四層光盤介質(zhì)實 施聚焦引進,就會檢測出比估計的還要多的S字信號,難以正確地實行向所期望的信息面 的聚焦引進。因此,在本實施例中,如上所述,在檢測第3信息面L2及第4信息面L3的聚 焦誤差信號的位置設置低反射率區(qū)域。
圖6是表示在使用本實施例的四層光盤介質(zhì)時各信息面的距盤表面的厚度和聚焦誤差 信號之間的關系的示意圖。圖6的直線51表示來自盤表面的激光束光點的焦點位置的變化, 圖6的S字波形52表示聚焦誤差信號。圖51表示隨著從紙面的左側(cè)到右側(cè),激光的聚光點從 盤表面向內(nèi)部的信息面逐漸地移動。此時,在聚焦誤差信號中對應光盤介質(zhì)的反射面(信 息面)出現(xiàn)如圖6所示的S字波形52。
通過球面像差修正部使盤厚度最適合于第1信息面L0時,出現(xiàn)圖6所示的三個S字波形 52。從激光射入方向順序出現(xiàn)盤表面的S字波形、第2信息面L1的S字波形及第1信息面L0 的S字波形。在形成低反射率區(qū)域的四層光盤介質(zhì)中,這三個S字波形作為聚焦誤差信號出 現(xiàn)。這些波形成為與信息面有兩個的雙層光盤介質(zhì)的S字波形基本相同的S字波形。因而, 在利用已經(jīng)投放市場的雙層應對的光盤裝置時,可以像是雙層光盤介質(zhì)那樣實行聚焦處 理,從而容易地使向第l信息面LO的聚焦引進成為可能,并使再生BCA成為可能。
而且,在本實施例中,作為多層光盤介質(zhì),以具有四層信息面的四層光盤介質(zhì)為例進 行了說明,但是,不言而喻也可以應用于包括低反射率區(qū)域的五層以上的多層光盤介質(zhì)。
而且,在本實施例中,以包含雙層光盤介質(zhì)的軌道布局的四層光盤介質(zhì)的軌道布局為
例進行了說明,但是,也可以是包含單層光盤介質(zhì)的軌道布局的三層光盤介質(zhì)。此時,三 層光盤介質(zhì)的第l信息面LO的軌道布局與單層光盤介質(zhì)的軌道布局相同,三層光盤介質(zhì)的 第2、第3信息面L1、 L2為在內(nèi)周部包含低反射率區(qū)域的軌道布局。
并且,多層信息記錄介質(zhì)也可以作為包含雙層光盤介質(zhì)的軌道布局的三層光盤介質(zhì)。 此時,三層光盤介質(zhì)的第1及第2信息面L0、 Ll的軌道布局與雙層光盤介質(zhì)的第l及第2信 息面LO、 Ll的軌道布局相同,三層光盤介質(zhì)的第3信息面L2為在內(nèi)周部包含低反射率區(qū)域 的軌道布局。
并且,多層信息記錄介質(zhì)也可以作為包含單層光盤介質(zhì)的軌道布局的雙層光盤介質(zhì)。 此時,雙層光盤介質(zhì)的第1及第2信息面L0、 Ll的軌道布局與單層光盤介質(zhì)的第l信息面LO 的軌道布局相同,雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1為在內(nèi)周部包含低反射率區(qū)域的軌道布局。 此時,內(nèi)周部的反射率低于記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率。
其次,對本實施例的四層光盤介質(zhì)的信息記錄再生系統(tǒng)進行說明。圖7是表示對本實 施例的多層光盤介質(zhì)進行記錄再生的信息記錄再生裝置(光盤裝置)的整體結構的一個例 子的示意圖。
在圖7中,光盤裝置包括球面像差修正部108、拾光器(OpticalPick-Up) 111、盤 識別部112、傳感器113、 FE (聚焦誤差)信號運算部114、 RF信號運算部115、存儲部 116及控制部117。拾光器lll包括衍射元件102、準直透鏡103、 104、物鏡105、激光 光源106、致動器107及光檢測器109、 110。
在此,對圖7所示的光盤裝置的動作進行說明。首先,激光光源106射出光束。從激光 光源106射出的光束透過衍射元件102,通過準直透鏡103、 104被轉(zhuǎn)換為平行光,射入物 鏡105。物鏡105使光束收束在多層光盤介質(zhì)101的信息記錄層表面。被多層光盤介質(zhì)IOI 反射的光束,沿著原來的光路逆向前進,通過準直透鏡103、 104而被聚光,再由衍射元件 102分枝而射向光檢測器109、 110。包含聚焦誤差信號及追蹤誤差信號的伺服信號和信息 信號(RF信號)由光檢測器109、 IIO的輸出信號而生成。
在此,物鏡105的NA較大,為0.8以上。致動器107基于來自控制部117的信號,進行 物鏡105在光軸方向的位置控制的聚焦控制和在與光軸垂直的方向的位置控制的追蹤控 制。致動器107由線圈和磁體等驅(qū)動元件構成。而且,F(xiàn)E信號運算部114基于來自光檢測 器109、 IIO的信號生成FE信號,RF信號運算部115基于來自光檢測器109、 IIO的信號生 成RF信號。
傳感器113檢測盤盒的孔,輸出檢測信號。盤識別部112,利用盤識別信息來識別多層200780007565.0
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光盤介質(zhì)101的種類,其中,盤識別信息是存儲在存儲部116的FE振幅FE0及RF振幅RF0、 由FE信號運算部114及RF信號運算部115生成的FE振幅FE1及RF振幅RF1、來自傳感器 113的檢測信號中的任意之一,或?qū)⑺鼈冞M行組合而獲得的。球面像差修正部108根據(jù)由盤 識別部112識別出的光盤介質(zhì)的種類,驅(qū)動準直透鏡104,進行適應各信息面距表面的厚度 的最適當?shù)那蛎嫦癫钚拚?br>
另外,控制部117以信息面為單位設定禁止在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域進行數(shù)據(jù)記錄的寫入禁止 標志。而且,控制部117禁止在設定有寫入禁止標志的信息面進行數(shù)據(jù)記錄。在本實施例 中,激光光源106相當于激光照射部的一個例子,球面像差修正部108相當于球面像差修正 部的一個例子,控制部117相當于控制部、標志設定部及記錄禁止部的一個例子,盤識別 部112相當于介質(zhì)識別部的 一個例子。
下面對裝載本實施例的多層光盤介質(zhì)101時的雙層應對光盤裝置的處理程序進行說 明。圖8及圖9是用于說明雙層應對光盤裝置的處理程序的流程圖。
首先,在步驟S1中,控制部117判斷多層光盤介質(zhì)101是否被插入到光盤裝置中。在 此,如果判斷結果為光盤介質(zhì)沒有被插入(在步驟S1為否),則以指定的時間間隔執(zhí)行步 驟S1的判斷處理,直到光盤介質(zhì)被插入為止。
另一方面,如果在雙層應對光盤裝置中裝載了多層光盤介質(zhì)101,并判斷出光盤介質(zhì) 被插入(在步驟S1為是),則在步驟S2中,控制部117指示球面像差修正部108,作適應 多層光盤介質(zhì)101的第1信息面L0的球面像差修正。球面像差修正部108,通過驅(qū)動準直透 鏡104作適應第1信息面L0的球面像差修正。在圖7的光學系統(tǒng)中,準直透鏡104具有可以 改變激光直徑的功能。即,通過準直透鏡104在光軸方向移動,照射在多層光盤介質(zhì)101 的激光直徑得以調(diào)整。S卩,光盤裝置通過具備使準直透鏡104在光軸方向移動的球面像差 修正部108來取代液晶等像差修正元件,可以對第l信息面LO進行最適當?shù)那蛎嫦癫钚拚?br>
而且,除了這種球面像差修正方法之外,也可以是通過具備液晶面板等來取代準直透 鏡103、 104修正球面像差的方法,而在本方式的球面像差修正方法中,不需要液晶面板等, 在光盤裝置的零部件數(shù)量削減、成本及調(diào)整工序的節(jié)儉及小型化方面尤為出色。
其次,在步驟S3中,控制部117控制激光光源106,以單層光盤介質(zhì)的設定功率照射 激光。 一般情況下,如果第2信息面L1的透射率為50X,來自單層光盤介質(zhì)的反射率就比 雙層光盤介質(zhì)的反射率多出4倍左右,控制部117設定其激光功率低于雙層光盤介質(zhì)。而且, 控制部117還設定讀取時照射的激光功率比雙層光盤介質(zhì)低l/2左右,以便不會誤消除用高 照射功率記錄的標記。
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其次,在步驟S4中,盤識別部112識別光盤介質(zhì)的種類,對是否為單層光盤介質(zhì)進行 識別。在此,對由盤識別部112識別光盤介質(zhì)的種類的方法進行說明。
第l盤種類識別方法是利用裝有光盤介質(zhì)的盤盒進行識別的方法。首先,圖7的傳感器 113向盤盒方向照射紅外線或其它波長的光。盤識別部112基于來自光盤介質(zhì)的反射光的信 息,對被插入的光盤介質(zhì)是否進入盤盒進行識別。在光盤介質(zhì)進入到盤盒時,盤識別部112 利用設在盤盒上的傳感孔(sensor hole)對光盤介質(zhì)的種類進行識別。另夕卜,盤識別部112 還識別是雙層光盤介質(zhì)還是單層光盤介質(zhì),是ROM光盤介質(zhì)還是可擦寫光盤介質(zhì)還是追記 型光盤介質(zhì)。
第2盤種類識別方法是在光盤介質(zhì)沒有插入盤盒時,根據(jù)來自光盤介質(zhì)的反射光進行 識別的方法。盤識別部112,基于由圖7的RF信號運算部115生成的RF信號的信號大小 (signal level)和由FE信號運算部114生成的FE信號的振幅大小(amplitude level),來識別 是單層光盤介質(zhì)還是雙層光盤介質(zhì)。單層光盤介質(zhì)和雙層光盤介質(zhì)以來自光盤介質(zhì)的反射 率之差來區(qū)別。盤識別部112通過比較預先存儲在存儲部116的RF信號的基準信號電平及 FE信號的基準振幅電平和由實際的來自光盤介質(zhì)的反射光生成的RF信號的信號電平及 FE信號的振幅電平來進行識別。另外,不屬于最初設定范圍的任何組的光盤介質(zhì),例如, 反射光功率為O或超過限制的光盤介質(zhì),作為異常盤而被進行錯誤處理。
第3盤種類識別方法是利用聚焦誤差信號的S字波形的數(shù)量進行識別的方法。在聚焦伺 服為OFF的狀態(tài)下,通過使激光的焦點位置從盤表面在光盤介質(zhì)的厚度方向逐漸地移動, 聚焦誤差信號中會出現(xiàn)如圖5或圖6所示的S字波形。盤識別部112通過對此S字波形的閾值 振幅超過規(guī)定值的個數(shù)進行計數(shù),來識別是單層光盤介質(zhì)還是雙層光盤介質(zhì)。
這樣,在本實施例中,利用來自光盤介質(zhì)的反射率、FE信號的S字波形或RF信號的信 號電平來識別光盤介質(zhì)的種類。根據(jù)這些盤種類識別方法,由于可以在聚焦實施前對光盤 介質(zhì)的種類進行識別,因此能夠識別光盤介質(zhì)的種類,而不會誤消除已經(jīng)寫入光盤介質(zhì)的 記錄標記或照射記錄功率而進行誤記錄。而且,由于可以在讀出被預先記錄在光盤介質(zhì)中 的BCA或管理信息之前對光盤介質(zhì)的種類進行識別,因此可以縮短盤識別的時間,加快啟 動時間。
其次,對由盤識別部112識別出為單層光盤介質(zhì)時的動作進行說明。如果識別結果為 單層光盤介質(zhì)(在步驟S4為是),則進入步驟S5的處理。 '
如果實行適應第1信息面L0的球面像差修正,在步驟S5,控制部117驅(qū)動致動器107 讓物鏡105移動,使激光聚焦在第1信息面L0。其次,在步驟S6中,控制部117讓拾光器111
訪問光盤介質(zhì)的內(nèi)周部的BCA1002,讀出記錄在BCA1002中的唯一ID。
接下來,在步驟S7,控制部117讓拾光器111訪問初始記錄區(qū)域1003,讀出初始記錄 區(qū)域1003內(nèi)的管理信息。其次,在步驟S8中,控制部117識別初始記錄區(qū)域的管理信息的 再生是否可能。在此,如果識別結果為管理信息的再生可能(在步驟S8為是),則在步驟 S9,控制部117,根據(jù)光盤介質(zhì)的種類,依次用各信息面的學習區(qū)域1004(試寫區(qū)test write area)進行試記錄(試寫),進行激光功率的校驗(calibration)或記錄脈沖條件的校驗 (calibration)。即,在為單層光盤介質(zhì)時,控制部117在第l信息面LO的學習區(qū)域1004進行 試寫。
試寫結束之后,在步驟S10中,控制咅P117進行記錄或再生動作。控制部117—邊實行 球面像差修正及聚焦控制一邊進行信息的記錄或再生。
其次,對由盤識別部112識別出為雙層光盤介質(zhì)時的動作進行說明。在識別結果為不 是單層光盤介質(zhì)時,即,識別結果為雙層光盤介質(zhì)時(在步驟S4為否),則進入圖9的步 驟S11的處理。
在步驟S11中,控制部117控制激光光源106,以雙層光盤介質(zhì)的設定功率照射激光。 其次,在步驟S12中,控制部117指示球面像差修正部108,作適應多層光盤介質(zhì)101的第1 信息面LO的球面像差修正。球面像差修正部108,通過驅(qū)動準直透鏡104,作適應第l信息 面LO的球面像差修正。
如果實行對應第1信息面L0的球面像差修正,在步驟S13中,控制部117驅(qū)動致動器107 使物鏡105移動,使激光聚焦在第l信息面LO。其次,在步驟S14中,控制部117讓拾光器 111訪問第1信息面L0的BCA1002,讀出記錄在BCA1002中的唯一ID。
接下來,在步驟S15中,控制部117讓拾光器訪問第1信息面L0的初始記錄區(qū)域1003, 讀出初始記錄區(qū)域1003內(nèi)的管理信息。其次,在步驟S16中,控制部117識別從第1信息面 L0的初始記錄區(qū)域1003再生管理信息是否可能。在此,如果識別結果為從第l信息面LO再 生管理信息可能時(在步驟S16為是),則在步驟S17中,控制部117依次用各信息面的學 習區(qū)域1004 (試寫區(qū))進行試記錄(試寫),進行激光功率的校準或記錄脈沖條件的校準。
艮P,控制部117分別在第1信息面L0及第2信息面L1,用學習區(qū)域1004進行試寫,分別 為各信息面設定最適合的激光功率。在此,在各信息面進行試寫時,每次都按照需要對將 要進行試寫的信息面進行球面像差修正及聚焦控制。
其次,在步驟S18中,控制部117—邊進行球面像差修正及聚焦控制, 一邊在第l信息 面L0進行信息記錄或再生第1信息面L0的信息。其次,在步驟S19中,控制部117—邊進行
球面像差修正及聚焦控制, 一邊在第2信息面L1進行信息記錄或再生第2信息面L1的信息。
在此,在實際進行數(shù)據(jù)的記錄或再生之前,需要從初始記錄區(qū)域讀出管理信息。雖然
可以從第l信息面LO的初始記錄區(qū)域讀出兩方的信息面的管理信息,但是,在因某種原因 沒能讀出管理信息時,就會作為不能進行記錄或再生的光盤介質(zhì)。
如上所述,在雙層光盤介質(zhì)的情況下,在第2信息面L1的初始記錄區(qū)域也記錄有與第1 信息面LO的初始記錄區(qū)域相同的管理信息。因此,本實施例中,在沒能從第1信息面L0讀 出管理信息時,可以從其它的信息面讀出管理信息。
艮P,如果識別結果為不能從第l信息面LO再生管理信息(在步驟S16為否),則在步 驟S20中,控制部117指示球面像差修正部108,作適應多層光盤介質(zhì)101的第2信息面L1 的球面像差修正。球面像差修正部108,通過驅(qū)動準直透鏡104,作適應第2信息面L1的球 面像差修正。
其次,在步驟S21中,控制部117驅(qū)動致動器107使物鏡105移動,使激光聚焦在第2 信息面L1。其次,在步驟S22中,控制部117讓拾光器111訪問第2信息面L1的BCA1002, 讀出記錄在BCA1002中的唯一ID。
其次,在步驟S23中,控制部117讓拾光器訪問第2信息面L1的初始記錄區(qū)域1003,讀 出初始記錄區(qū)域1003內(nèi)的管理信息。其次,在步驟S24中,控制部117識別初始記錄區(qū)域 1003的管理信息的再生是否可能。在此,如果識別結果為從第2信息面L1再生管理信息可 能(在步驟S24為是),則轉(zhuǎn)入步驟S17的處理。
另一方面,如果識別結果為不能從第2信息面L1再生管理信息時(在步驟S24為否), 則在步驟S25中,控制部117進行錯誤通知,結束處理。S卩,在不能從第1信息面L0及第2 信息面L1這兩個信息面中讀出管理信息時,就不能對光盤介質(zhì)進行信息的記錄或再生。另 外,在步驟S8中,如果識別結果為不能從第1信息面L0再生管理信息(在步驟S8為否), 則轉(zhuǎn)入步驟S25的處理。
其次,對本實施例的四層光盤介質(zhì)及八層光盤介質(zhì)的區(qū)域結構進行說明。圖10是用于 說明與圖4所示的軌道布局對應的四層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構的圖。另外,BCA、 初始記錄區(qū)域(PR)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA)、數(shù)據(jù)區(qū)域及讀出區(qū)域的配 置如圖1及圖4的說明所述。
在四層光盤介質(zhì)中,第1信息面L0具有與單層光盤介質(zhì)或雙層光盤介質(zhì)的第1信息面 LO相同的區(qū)域結構。但是,相當于單層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)的部分,因在四層光盤介質(zhì)中不 是記錄再生終端而成為外區(qū)。四層光盤介質(zhì)的第2信息面L1具有與雙層光盤介質(zhì)的第2信息
面L1相同的區(qū)域結構。但是,作為雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1的內(nèi)周側(cè)的讀出區(qū),因在 四層光盤介質(zhì)中不是記錄再生終端而成為內(nèi)區(qū)。
第3信息面L2,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、初始記錄區(qū)域(PR)、學習 區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第3信息面L2 的地址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。
第4信息面L3,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為讀出區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第4信息面L3的地址按順序從外周向內(nèi) 周的方向予以記錄,記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。通過進行這樣的記錄再生的進程, 與上述的雙層光盤介質(zhì)的情況相同,不需要從外周向內(nèi)周的全程搜尋,可以從第l信息面 L0的內(nèi)周向外周、從第2信息面L1的外周向內(nèi)周、從第3信息面L2的內(nèi)周向外周、從第4 信息面L3的外周向內(nèi)周依次進行記錄再生,從而能夠長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸 速率的實時記錄。
而且,地址,在第1及第3信息面L0、 L2是從內(nèi)周向外周被計數(shù),在第2及第4信息面 Ll、 L3從外周向內(nèi)周被計數(shù)。在偶數(shù)的信息面(第2及第4信息面),通過取奇數(shù)的信息 面(第1及第3信息面)的地址的補數(shù)(complements),層內(nèi)地址可以用一個信息面的層內(nèi) 地址的比特(bit)數(shù)進行表示。而且,也可以得知第1及第2信息面L0、 Ll和第3及第4信息 面L2、 L3的半徑相對于地址的位置關系,從而使快速訪問成為可能。
其次,對本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構進行說明。圖ll是用于說明 本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構的圖。圖ll所示的八層光盤介質(zhì)的第l信 息面LO具有與上述的單層光盤介質(zhì)、雙層光盤介質(zhì)、四層光盤介質(zhì)的第l信息面LO相同的 區(qū)域結構。其中,相當于單層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)的部分為外區(qū)。八層光盤介質(zhì)的第3信息 面L2具有與雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1及圖10所示的四層光盤介質(zhì)的第2信息面L1相同 的盤布局。但是,作為雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1的內(nèi)周側(cè)的讀出區(qū),因在八層光盤介 質(zhì)中不是記錄再生終端而成為內(nèi)區(qū)。八層光盤介質(zhì)的第5信息面L4具有與圖10所示的四層 光盤介質(zhì)的第3信息面L2相同的區(qū)域結構。八層光盤介質(zhì)的第7信息面L6具有與圖10所示 的四層光盤介質(zhì)的第4信息面L3相同的區(qū)域結構。其中,相當于四層光盤介質(zhì)的讀出讀入 區(qū)域(read-out-in area)的部分為內(nèi)區(qū)。
八層光盤介質(zhì)的第2、第4、第6、第8的各信息面L1、 L3、 L5、 L7是在八層光盤介質(zhì) 中新追加的信息面。第2信息面L1,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、初始記錄區(qū) 域(PR)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,
第2信息面L1的地址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向 進行。
第4信息面L3在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第4信息面L3的地址按順序從外周向內(nèi)周 的方向予以記錄,記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。
第6信息面L5在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第6信息面L5的地址按順序從內(nèi)周向外周 的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。
第8信息面L7在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為讀出區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第8信息面L7的地址按順序從外周向內(nèi) 周的方向予以記錄,記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。
從第1信息面L0的內(nèi)周向外周、從第3信息面L2的外周向內(nèi)周、從第5信息面L4的內(nèi)周 向外周、從第7信息面L6的外周向內(nèi)周、從第2信息面L1的內(nèi)周向外周、從第4信息面L3 的外周向內(nèi)周、從第6信息面L5的內(nèi)周向外周、從第8信息面L7的外周向內(nèi)周依次進行記 錄再生。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,地址在第l、第2、第5、第6的各信息面中從內(nèi)周向外周被計數(shù),在第3、第4、 第7、第8的各信息面從外周向內(nèi)周被計數(shù)。在第1信息面和第3信息面之間、第5信息面和 第7信息面之間、第2信息面和第4信息面之間、第6信息面和第8信息面之間,通過取用各 自的信息面的地址的補數(shù),層內(nèi)地址可以用一層的層內(nèi)地址的比特數(shù)進行表示。
而且,也可以得知各信息面的半徑相對于地址的位置關系,從而使快速訪問成為可能。 即,在第1至第8的多個信息面中,作為MOD (n/4) =1、 2的信息面,其記錄或再生是從 光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進行的,而作為MOD (n/4) =3、 O的信息面,其記錄或再生 是從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進行的。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸 速率的實時記錄。在此,MOD (n/4)表示將信息面的數(shù)n除以4后的余數(shù)。
其次,對本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的其它的區(qū)域結構進行說明。圖12是用 于說明本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的其它的區(qū)域結構的圖。在圖12所示的八層光 盤介質(zhì)中,第l信息面LO具有與單層光盤介質(zhì)、雙層光盤介質(zhì)及四層光盤介質(zhì)的第l信息面 LO相同的區(qū)域結構。其中,相當于單層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)的部分為外區(qū)。
八層光盤介質(zhì)的第3信息面L2具有與雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1及圖10所示的四層 光盤介質(zhì)的第2信息面L1相同的區(qū)域結構。但是,作為雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1的內(nèi)
周側(cè)的讀出區(qū),因在八層光盤介質(zhì)中不是記錄再生終端而成為內(nèi)區(qū)。
八層光盤介質(zhì)的第5信息面L4具有與圖10所示的四層光盤介質(zhì)的第3信息面L2相同的 區(qū)域結構。八層光盤介質(zhì)的第7信息面L6具有與圖10所示的四層光盤介質(zhì)的第4信息面L3 相同的區(qū)域結構。其中,相當于四層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)域的部分為內(nèi)區(qū)。
八層光盤介質(zhì)的第2、第4、第6、第8信息面L1、 L3、 L5、 L7是在八層光盤介質(zhì)中新 追加的信息面。八層光盤介質(zhì)的第2信息面L1,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、 學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、DMA),內(nèi)周側(cè)為讀入?yún)^(qū)(read-in zone),外周側(cè)為外區(qū)(outer zone)。此時,第2信息面L1的地址按順序從外周向內(nèi)周的方向予以記錄,記錄再生從外周 向內(nèi)周的方向進行。八層光盤介質(zhì)的第4信息面L3,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、 學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第4信息 面L3的地址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。
八層光盤介質(zhì)的第6信息面L5,在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及 DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第6信息面L5的地址 按順序從外周向內(nèi)周的方向予以記錄,記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。八層光盤介質(zhì) 的第8信息面L7在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、初始記錄區(qū)域(PR)、學習區(qū)域 及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第8信息面L7的地 址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。
從第1信息面L0的內(nèi)周向外周、從第3信息面L2的外周向內(nèi)周、從第5信息面L4的內(nèi)周 向外周、從第7信息面L6的外周向內(nèi)周、從第8信息面L7的內(nèi)周向外周、從第6信息面L5 的外周向內(nèi)周、從第4信息面L3的內(nèi)周向外周、從第2信息面L1的外周向內(nèi)周依次進行記 錄再生。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,地址在第l、第4、第5、第8信息面L0、 L3、 L4、 L7從內(nèi)周向外周被計數(shù),在 第2、第3、第6、第7信息面L1、 L2、 L5、 L6從外周向內(nèi)周被計數(shù)。在第1信息面和第3信 息面之間,第5信息面和第7信息面之間,第2信息面和第4信息面之間,第6信息面和第8 信息面之間,通過取用各自的信息面的地址的補數(shù),層內(nèi)地址可以用一層的層內(nèi)地址的比 特數(shù)進行表示。
而且,也可以得知各信息面的半徑相對于地址的位置關系,從而使快速訪問成為可能。 即,在從第1至第8的多個信息面中,作為MOD (n/4) 二0、 l的信息面,其記錄或再生是 從盤內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進行的,而作為MOD (n/4) =2、 3的信息面,其記錄或再生是從盤 的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進行的。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
其次,對本實施例的另外的四層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構進行說明。圖13是用 于說明與圖10的區(qū)域結構不同的四層光盤介質(zhì)的半徑方向的區(qū)域結構的圖。與圖10的不同 點在于,圖10的第2信息面L1和第3信息面L2的區(qū)域結構被調(diào)換。通過采用圖13的區(qū)域結 構,可以在具有與雙層光盤介質(zhì)相同的區(qū)域結構的第1信息面L0和第3信息面L2之間插入 新的信息面,能夠減少盤整體的總的層間厚度,可以增厚盤表面。
通過采用這樣的區(qū)域結構,不需要從外周向內(nèi)周的全程搜尋,可以從第1信息面L0的 內(nèi)周向外周,從第3信息面L2的外周向內(nèi)周,從第2信息面L1的內(nèi)周向外周,從第4信息面 L3的外周向內(nèi)周依次進行記錄再生。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率 的實時記錄。而且,地址在第1及第2信息面L0、 Ll中從內(nèi)周向外周被計數(shù),在第3及第4 信息面L2、 L3中從外周向內(nèi)周被計數(shù)。在第1信息面和第3信息面之間、第2信息面和第4 信息面之間,通過取用各自信息面的地址的補數(shù),層內(nèi)地址可以用一個信息面的層內(nèi)地址 的比特數(shù)進行表示。而且,還可以得知第1及第3信息面L0、 L2和第2及第4信息面L1、 L3 的半徑相對于地址的位置關系,從而使快速訪問成為可能。
其次,對本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的另外的其它的區(qū)域結構進行說明。圖 14是用于說明本實施例的八層光盤介質(zhì)的半徑方向的另外的其它的區(qū)域結構的圖。在圖14 所示的八層光盤介質(zhì)中,第l信息面LO具有與單層光盤介質(zhì)、雙層光盤介質(zhì)及四層光盤介 質(zhì)的LO相同的盤布局。其中,相當于單層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)的部分為外區(qū)。
第5信息面L4具有與雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1及圖13所示的四層光盤介質(zhì)的第3 信息面L2相同的區(qū)域結構。但是,作為雙層光盤介質(zhì)的第2信息面L1的內(nèi)周側(cè)的讀出區(qū), 因在八層光盤介質(zhì)中不是記錄再生終端而成為內(nèi)區(qū)。而且,八層光盤介質(zhì)的第3信息面L2 具有與圖13所示的四層光盤介質(zhì)的第2信息面L1相同的區(qū)域結構。
八層光盤介質(zhì)的第7信息面L6具有與圖13所示的四層光盤介質(zhì)的第4信息面L3相同的 區(qū)域結構。其中,相當于四層光盤介質(zhì)的讀出區(qū)的部分為內(nèi)區(qū)。
第2、第4、第6、第8的各信息面L1、 L3、 L5、 L7是在八層光盤介質(zhì)中新追加的信息 面。第2信息面L1在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、初始記錄區(qū)域(PR)、學習區(qū) 域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第2信息面L1的 地址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。第4信息 面L3在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi) 周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第4信息面L3的地址按順序從內(nèi)周向外周的方向予以
記錄,記錄再生從內(nèi)周向外周的方向進行。
第6信息面L5在內(nèi)周部配置有低反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為內(nèi)區(qū),外周側(cè)為外區(qū)。此時,第6信息面L5的地址按順序從外周向內(nèi)周 的方向予以記錄,而記錄再生從外周向內(nèi)周的方向進行。第8信息面L7在內(nèi)周部配置有低 反射率區(qū)域(LRA)、學習區(qū)域及DMA區(qū)域(OPC、 DMA),內(nèi)周側(cè)為讀出區(qū),外周側(cè) 為外區(qū)。此時,第8信息面L7的地址按順序從外周向內(nèi)周的方向予以記錄,而記錄再生從 外周向內(nèi)周的方向進行。
從第l信息面LO的內(nèi)周向外周,從第5信息面L4的外周向內(nèi)周,從第3信息面L2的內(nèi)周 向外周,從第7信息面L6的外周向內(nèi)周,從第2信息面L1的內(nèi)周向外周,從第6信息面L5 的外周向內(nèi)周,從第4信息面L3的內(nèi)周向外周,從第8信息面L7的外周向內(nèi)周依次進行記 錄再生。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。而且,地址在 第1至第4信息面L0至L3中從內(nèi)周向外周被計數(shù),在第5至第8信息面L4至L7中從外周向內(nèi) 周被計數(shù)。在第1信息面和第5信息面之間,第3信息面和第7信息面之間,第2信息面和第6 信息面之間,第4信息面和第8信息面之間,通過取用各自的信息面的地址的補數(shù),層內(nèi)地 址可以用一層的層內(nèi)地址的比特數(shù)進行表示。而且,也可以得知各信息面的半徑相對于地 址的位置關系,從而使快速訪問成為可能。即,在第l至第n (n=8)的多個信息面中,第 l至第n/2信息面,其記錄或再生是從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進行的,而第n/2+l至第n信息面, 其記錄或再生是從盤的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進行的。由此,可以長時間地進行視頻記錄再生等 高傳輸速率的實時記錄。
其次,對具有上述區(qū)域結構的本實施例的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法進行說明。
圖15是用于說明作為用來制造本實施例的多層光盤介質(zhì)的基板制作用模具的壓印 (stamper)的制造方法的圖。首先,在玻璃板1601上涂敷光致抗蝕劑等感光材料形成感光 膜1602 (參照圖15的第1工序),然后,通過激光1603的光記錄,進行坑或向?qū)系葓D形 的曝光(參照圖15的第2工序)。在圖15的第2工序中,感光膜1602a表示被曝光的部分。 曝光部分的感光材料經(jīng)過沖洗工序而被除去,形成有坑或向?qū)系葓D形1604的光記錄原盤 1605被制作而成(參照圖15的第3工序)。在感光膜1602上形成的坑或向?qū)系葓D形1604 的形狀,被轉(zhuǎn)印到通過濺射或蒸鍍等方法而被覆膜的導電膜1606 (參照圖15的第4工序)。 并且,為使導電膜1606的硬度及厚度增加,形成鍍膜1607 (參照圖15的第5工序)。其次, 通過將導電膜
圖16是本實施例的多層信息記錄介質(zhì)的剖視圖。該多層信息記錄介質(zhì)包括在一面被 轉(zhuǎn)印而形成了由凹凸形狀組成的坑或向?qū)系男畔⒚娴牡?信號基板1701;配置在第l信號
基板1701的設有凹凸形狀的面上的第1薄膜層1702;在與第1薄膜層1702粘合的面相反的 面上被轉(zhuǎn)印而形成了由凹凸形狀組成的坑或向?qū)系男畔⒚娴牡?信號基板1703;配置在 第2信號基板1703的設有凹凸形狀的面上的第2薄膜層1704;與第2信號基板1703相對而置 的透明基板1706;為粘合第2薄膜層1704和透明基板1706而設置的透明層1705。
在第1信號基板1701上,使用圖15的第6工序所示的壓印1608,通過射出壓縮成形等
在一面轉(zhuǎn)印形成凹凸形狀的坑或向?qū)?。這樣,通過在信息面形成薄膜層來形成信息記錄 層。第l信號基板1701的厚度例如為l.lmm左右。第1薄膜層1702及第2薄膜層1704包含 記錄膜或反射膜。第1薄膜層1702及第2薄膜層1704,通過濺射或蒸鍍等方法而形成在第l 信號基板1701及第2信號基板1703的形成有坑或向?qū)系拿妗?br>
第2信號基板1703通過光硬化性樹脂的旋壓覆蓋法(Spin Coat Method)而形成,利 用光硬化性樹脂貼合像圖15的第6工序所示的壓印1608或第1信號基板1701那樣在一面轉(zhuǎn) 印形成有凹凸形狀的坑或向?qū)系霓D(zhuǎn)印基板,使其信息面對著第1信號基板1701。然后, 在光硬化性樹脂的光硬化之后,通過將轉(zhuǎn)印基板從與光硬化性樹脂的界面剝離下來而形成 第2信號基板1703。透明基板1706由對記錄再生光為透明的材料(具有透過性)構成,厚 度例如為O.lmm左右。透明層1705是為使兩塊基板1706、 1707互相粘合而設,由光硬化 性樹脂或壓敏膠(Pressure-Sensitive Adhesive)等粘合劑而形成。這樣的多層信息記錄 介質(zhì)的記錄再生,是通過從透明基板1706射入激光而進行的。
其次,對本實施例的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法進行說明。圖17是用于說明本實施 例的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法的圖。
首先,第1信號基板801,通過在形成有坑或向?qū)系男盘柮娴拿嫔嫌脼R射或蒸鍍等方 法形成包含記錄薄膜材料或反射膜材料的第1薄膜層802,來形成信息記錄層。在信號面形 成的第1薄膜層802的區(qū)域,由濺射或蒸鍍時掩膜(mask)基板的區(qū)域來決定。
圖18是表示濺射裝置的結構的剖視圖。首先,運送到濺射裝置內(nèi)的基板1801被設置在 與內(nèi)掩膜(inner mask)1802和外掩膜(out mask)1803大體上接觸的位置。內(nèi)掩膜1802具 有全面覆蓋基板的內(nèi)周部、在包含基板的中心孔的內(nèi)徑不形成薄膜層的結構。外掩膜1803 具有在指定的基板的外徑不形成薄膜層,并且防止濺射膜向基板內(nèi)飛濺的結構。在用真空 泵等設成真空的空間1804中,通過氬(argon)等氣體的導入和放電而產(chǎn)生等離子。并且, 使在等離子中產(chǎn)生的離子(在此為氬離子)與設置在內(nèi)掩膜1802及外掩膜1803的根部的靶
材(target)1805的材料相互沖撞,構成靶材1805的材料的原子或分子飛濺到基板上,從而 在基板表面形成薄膜。
形成第1薄膜層802的區(qū)域,可以通過改變內(nèi)掩膜1802的直徑或外掩膜1803的直徑而 容易變更。第1信號基板801,在形成有第1薄膜層802的面的相反側(cè)的面,通過真空等手段 被固定在旋轉(zhuǎn)臺803上(參照圖17的第1工序)。在被固定于旋轉(zhuǎn)臺803的第1信號基板801 上的第1薄膜層802上,光硬化性樹脂804通過分配器(Dispenser)以同心圓狀被涂敷在 所期望的半徑上(參照圖17的第2工序)。
然后,通過使旋轉(zhuǎn)臺803旋轉(zhuǎn),光硬化性樹脂804的延伸得以進行(參照圖17的第3工 序)。被延伸的光硬化性樹脂804可以通過離心力除掉多余的樹脂和氣泡。此時,延伸的 光硬化性樹脂804的厚度可以通過任意設定光硬化性樹脂804的粘度、旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)數(shù)、時間、 以及使其旋轉(zhuǎn)的周圍的溫度或濕度等環(huán)境空氣,而被控制在所期望的厚度上。在旋轉(zhuǎn)停止 后,被延伸的光硬化性樹脂804通過光照射設備805的光照射而被硬化。這樣,便制作成包 含第1信號基板801、第1薄膜層802及光硬化性樹脂804的第1基板811。
其次,在第1信號基板801上形成第2信息面。首先,像圖15的第6工序所示的壓印1608 或圖16所示的第1信號基板1701那樣在一面形成有凹凸形狀的坑或向?qū)系霓D(zhuǎn)印基板806 被固定在旋轉(zhuǎn)臺807上(參照圖17的第4工序)。在被固定于旋轉(zhuǎn)臺807的轉(zhuǎn)印基板806上, 光硬化性樹脂808通過分配器以同心圓狀被涂敷在所期望的半徑上(參照圖17的第5工序)。 然后,通過使旋轉(zhuǎn)臺807旋轉(zhuǎn),光硬化性樹脂808的延伸得以進行(參照圖17的第6工序)。 被延伸的光硬化性樹脂808與光硬化性樹脂804相同,可以被控制在所期望的厚度上。在旋 轉(zhuǎn)停止后,被延伸的光硬化性樹脂808通過光照射設備809的光照射而被硬化。這樣,便制 作成包含轉(zhuǎn)印基板806及光硬化性樹脂808的第2基板810。
兩塊基板810、 811在一個旋轉(zhuǎn)臺803上介于光硬化性樹脂812被互相重疊,以便雙方 的光硬化性樹脂層相對而置(參照圖17的第7工序),以一體化的狀態(tài)通過旋轉(zhuǎn)臺803而旋 轉(zhuǎn)。在光硬化性樹脂812通過旋轉(zhuǎn)被控制在所期望的厚度之后,通過光照射設備805的光照 射而被硬化(參照圖17的第8工序)。在通過光硬化性樹脂812使基板810、 811成一體化 之后,通過從轉(zhuǎn)印基板806和光硬化性樹脂808的界面剝離轉(zhuǎn)印基板806,在第l信號基板 801上形成第2信息面(參照圖17的第9工序)。
在此所使用的光硬化性樹脂804,選定第1薄膜層802和光硬化性樹脂812的粘合性良 好的樹脂。而且,光硬化性樹脂808選定與轉(zhuǎn)印基板806的剝離性良好且與光硬化性樹脂 812的粘合性良好的樹脂。而且,為使各光硬化性樹脂盡可能薄地形成,設粘度約為
150Pa's左右。
在第1信號基板801上形成的第2信息面上,通過濺射或蒸鍍等方法形成包含記錄膜材 料和反射膜材料的第2薄膜層813。在粘合第2薄膜層813和透明基板814時所形成的透明層 815,對于記錄再生光大體上透明(基本透過),在第2薄膜層813上涂敷了光硬化性樹脂 之后,通過使其旋轉(zhuǎn)進行混入光硬化性樹脂的氣泡的消除或厚度控制,在被延伸之后通過 光照射硬化而形成。
另外,在本實施例中,是對基材厚度為0.1mm的BD的多層化進行了說明,但是,本 發(fā)明并不特別限定于此,也可以適用于基材厚度為0.6mm的HD、 DVD的多層化,能夠適 用于種類相同的多層光盤介質(zhì)。
另外,上述具體的實施例主要包含具有以下結構的發(fā)明。
本發(fā)明所提供的多層信息記錄介質(zhì),具有被層壓的多個信息面并通過光記錄或再生信 息,其中,上述多個信息面包含具有在光射入時以指定的第l反射率反射上述光的第l反 射面的至少一個信息面、和具有以比上述第1反射率小的第2反射率反射上述光的第2反射 面的其它的信息面。
根據(jù)此結構,多層信息記錄介質(zhì)所具有的多個信息面包含,具有在光射入時以指定的 第l反射率反射光的第l反射面的至少一個信息面、和具有以比上述第1反射率小的第2反射 率反射光的第2反射面的其它的信息面。
因此,因為能可靠地實行向與已經(jīng)投放市場的信息記錄介質(zhì)的信息面相一致的至少一 個信息面的聚焦引進,所以,可以確保與己經(jīng)投放市場或格式為已知的信息記錄介質(zhì)的向 下兼容性,可以利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置,對新格式的多層信息記錄介質(zhì)進行記 錄再生。而且,可以有效利用廣泛地普遍流通的信息記錄再生裝置,用戶可以使用已有的 信息記錄再生裝置來利用新投放市場的多層規(guī)格的光盤介質(zhì)。
艮P,多層信息記錄介質(zhì)具有三層以上的信息記錄面,通過使第3層以上的信息記錄面 的內(nèi)周部或外周部具有與到第2層為止的信息記錄面不同的物理特性(反射率、透射率, 溝特性,坑特性等),可以在只對應以往的雙層信息記錄介質(zhì)的信息記錄再生裝置中,進 行信息的記錄或再生。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以在上述第l反射面記錄有盤管理信息為宜。 根據(jù)此結構,可以通過對第l反射面照射光來再生盤管理信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),上述 第2反射面包含上述光盤介質(zhì)的內(nèi)周部,上述內(nèi)周部的反射率低于記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域的
反射率為宜。
根據(jù)此結構,多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),第2反射面包含光盤介質(zhì)的內(nèi)周部, 內(nèi)周部的反射率低于記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率。因此,因為內(nèi)周部的反射率被設成低 于數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率,所以,可以可靠地實行向與已經(jīng)投放市場的信息記錄介質(zhì)的信息面 相一致的信息面的內(nèi)周部的聚焦引進。
而且,在上述多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),上述第 l反射面及上述第2反射面包含上述光盤介質(zhì)的內(nèi)周部和記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域,上述第2反 射面的內(nèi)周部及數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率低于上述第l反射面的內(nèi)周部及數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率為 宜。 ,
根據(jù)此結構,因為第2反射面的內(nèi)周部及數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率低于第1反射面的內(nèi)周部及
數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率,所以,可以可靠地再生被記錄在第l反射面的數(shù)據(jù)區(qū)域中的數(shù)據(jù)。
而且,在上述多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多個信息面包含四個信息面,上述四個信 息面中的兩個信息面,在光射入上述第l反射面時,以指定的第l反射率反射上述光,其余
的兩個信息面在光射入上述第2反射面時,以比第1反射率小的第2反射率反射上述光為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含四個信息面,四個信息面中的兩個信息面,在光射入第 l反射面時,以指定的第l反射率反射光。而其余的兩個信息面,在光射入第2反射面時, 以比第1反射率小的第2反射率反射光。
因此,在利用雙層信息記錄介質(zhì)所對應的信息記錄裝置對四層的多層信息記錄介質(zhì)進 行記錄再生吋,因為可以對四層中的兩層的信息面可靠地實行聚焦引進,所以,能夠確保 已經(jīng)投放市場的雙層信息記錄介質(zhì)和四層的多層信息記錄介質(zhì)的兼容性。
而且,在上述多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多個信息面包含八個信息面,上述八個信 息面中的四個信息面在光射入上述第l反射面時,以指定的第l反射率反射上述光,其余的 四個信息面在光射入上述第2反射面時,以比第1反射率小的第2反射率反射上述光為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含八個信息面,八個信息面中的四個信息面,在光射入第 l反射面時,以指定的第l反射率反射光。而其余的四個信息面,在光射入第2反射面時, 以比第1反射率小的第2反射率反射光。
因此,在利用四層信息記錄介質(zhì)所對應的信息記錄裝置對八層的多層信息記錄介質(zhì)進 行記錄再生時,因為可以對八層中的四層的信息面可靠地實行聚焦引進,所以,能夠確保 己經(jīng)投放市場的四層的信息記錄介質(zhì)和八層的多層信息記錄介質(zhì)的兼容性。
而且,在上述多層信息記錄介質(zhì)中,以在上述第l反射面,當設上述第l反射率相對射
出光功率的比為高反射率比Rb,在上述第2反射面,當設上述第2反射率相對射出光功率的 比為低反射率比Rd時,上述低反射率比Rd在0^RcK3.5X的范圍內(nèi),上述高反射率比Rb 在3.5XsRbS8X的范圍內(nèi)為宜。
根據(jù)此結構,在第1反射面,當設第l反射率相對射出光功率的比為高反射率比Rb,在 第2反射面,當設第2反射率相對射出光功率的比為低反射率比Rd時,低反射率比Rd在 (^Rd〈3.5X的范圍內(nèi),高反射率比Rb在3.5G/^Rb^8^的范圍內(nèi)。
以往的雙層信息記錄介質(zhì)的反射率比被規(guī)定在3.5%以上8%以下,通過將低反射率比 Rd的范圍設成低于上述范圍,可以可靠地實行聚焦引進,例如,能夠利用雙層信息記錄介 質(zhì)所對應的信息記錄裝置,對四層以上的多層信息記錄介質(zhì)進行記錄再生。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述低反射率比Rd和上述高反射率比Rb的 關系為2xR(KRb為宜。根據(jù)此結構,因為低反射率比Rd和高反射率比Rb的關系為2xRd <Rb,所以,通過設定高反射率比Rb大于低反射率比Rd的兩倍,可以可靠地實行聚焦引 進。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述低反射率比Rd與上述高反射率比Rb相 對比非常小,上述低反射率比Rd幾乎為O為宜。根據(jù)此結構,因為低反射率比Rd與高反射 率比Rb相對比非常小,低反射率比Rd幾乎為O,所以,可以可靠地實行聚焦引進。另外, 例如,低反射率比Rd與高反射率比Rb相對比非常小意味著低反射率比Rd為記錄信息時的 反射光的程度以下的情況。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),上述 第l反射面及上述第2反射面被設置在距上述光盤介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)中心24mm以內(nèi)的范圍內(nèi)為 宜。
根據(jù)此結構,因為多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),第1反射面及第2反射面被設置在 距光盤介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)中心24mm以內(nèi)的范圍內(nèi),所以,可以可靠地實行向相當于距光盤介質(zhì) 的旋轉(zhuǎn)中心為24mm以內(nèi)的范圍的內(nèi)周部的聚焦引進。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述第l反射面包含通過燒刻反射層記錄多 層信息記錄介質(zhì)所固有的識別信息的燒刻區(qū)BCA區(qū)域為宜。
根據(jù)此結構,因為第l反射面包含通過燒刻反射層記錄多層信息記錄介質(zhì)所固有的識 別信息的BCA區(qū)域,所以,即使是已經(jīng)投放市場的信息記錄再生裝置,也可以從多層信息 記錄介質(zhì)的BCA區(qū)域可靠地再生識別信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述第2反射面通過激光被預先進行初始記
錄為宜。根據(jù)此結構,因為第2反射面通過激光被預先進行初始記錄,所以,可以使其它 信息面的第2反射面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述第2反射面通過燒刻反射層而形成為宜。 根據(jù)此結構,因為第2反射面通過燒刻反射層而形成,所以,可以使其它信息面的第2反射 面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述第2反射面不形成反射層為宜。根據(jù)此 結構,因為以第2反射率反射光的第2反射面不形成反射層,所以,可以使其它信息面的第 2反射面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多個信息面的間隔為6iim至30iim為宜。 根據(jù)此結構,通過使多個信息面的間隔為6iim至30imi,可以減少來自各信息面的衍射光 的干涉(層間干涉)。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以在上述第l反射面內(nèi)的至少兩處以上記錄有 盤管理信息為宜。根據(jù)此結構,因為在光軸方向排列的第l反射面內(nèi)的至少兩處以上記錄 有盤管理信息,所以,即使在不能從一個信息面讀出盤管理信息的情況下,也可以從其它 的信息面讀出盤管理信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以記錄有上述盤管理信息的區(qū)域被配置成不會 在上下信息面重疊為宜。根據(jù)此結構,因為記錄有盤管理信息的區(qū)域被配置成不會在上下 信息面重疊,所以,即使在不能從一個信息面讀出盤管理信息的情況下,也可以從其它的 信息面可靠地讀出盤管理信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以信息面為單位記錄有禁止對用戶數(shù)據(jù)區(qū)域記 錄數(shù)據(jù)的寫入禁止標志,向被上述寫入禁止標志禁止的在信息面的數(shù)據(jù)記錄被禁止為宜。
根據(jù)此結構,以信息面為單位記錄有禁止對用戶數(shù)據(jù)區(qū)域記錄數(shù)據(jù)的寫入禁止標志, 禁止向被上述寫入禁止標志禁止的在信息面的數(shù)據(jù)記錄。因此,通過禁止在多層信息記錄 介質(zhì)的多個信息面中的其它的信息面的數(shù)據(jù)記錄,可以確保與層數(shù)較少的信息記錄介質(zhì)的 兼容性。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多個信息面包含第l至第n信息面,在 MOD (n/4) =1、 2 (其中,MOD為數(shù)值n除以4后的余數(shù))的信息面,記錄或再生從光 盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行,在MOD (n/4) =3、 O的信息面,記錄或再生從光盤 介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進行為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含第l至第n信息面,在MOD (n/4) =1、 2 (其中,MOD
為數(shù)值n除以4后的余數(shù))的信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行。 而且,在MOD (n/4) =3、 O的信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進 行。 '
因此,例如,在四層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,因為在第1信息面和第2信息面, 記錄或再生是從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進行的,而在第3信息面和第4信息面,記錄或再生是從外 周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進行的,所以,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以在MOD (n/4) =1、 2的信息面,地址沿光 盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)而被記錄,在MOD (n/4) =3、 O的信息面,地址沿光盤介質(zhì)的 外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)而被記錄為宜。
根據(jù)此結構,在MOD (n/4) =1、 2的信息面,沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)記錄有 地址,而在MOD (n/4) =3、 O的信息面,沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄有地址。
因此,例如,在四層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,在第1信息面和第2信息面,可以 從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)記錄或再生信息,而在第3信息面和第4信息面,可以從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè) 記錄或再生信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述多個信息面包含第l至第n (n為偶數(shù)) 信息面,在第l至第n/2信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行,在第 (n/2) +1至第!1信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進行為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含第l至第n (ri為偶數(shù))信息面,在第l至第n/2信息面, 記錄或再生從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行。而且,在第(n/2) +1至第11信息面, 記錄或再生從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進行。
因此,例如,在八層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,因為在第1至第4信息面,記錄或 再生是從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進行的,而在第5至第8信息面,記錄或再生是從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè) 進行的,所以,可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以在第l至第n/2信息面,地址沿光盤介質(zhì)的內(nèi) 周側(cè)向外周側(cè)而被記錄,在第(n/2)十l至第n信息面,地址沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周 側(cè)而被記錄為宜。
根據(jù)此結構,在第l至第n/2信息面,沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)記錄有地址。而且, 在第(n/2) +1至第11信息面,沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄有地址。
因此,例如,在八層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,在第1至第4信息面,可以從內(nèi)周 側(cè)向外周側(cè)記錄或再生信息,而在第5至第8信息面可以從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄或再生信
息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)中,以上述第l至第n信息面,以朝著從第l至第n 信息面的方向更靠近激光射入側(cè)而予以形成為宜。根據(jù)此結構,第l至第n信息面可以靠近 激光射入側(cè)而形成。
本發(fā)明還提供一種信息記錄再生裝置,用于在具有被層壓的多個信息面的多層記錄介 質(zhì)上記錄或再生信息,其中,上述多個信息面包含,具有在光射入時以指定的第l反射率 反射上述光的第l反射面的至少一個信息面、和具有以比上述第1反射率小的第2反射率反
射上述光的第2反射面的其它的信息面,該信息記錄再生裝置包括對上述多層信息記錄 介質(zhì)所具有的的信號軌道照射用于進行信號的記錄或再生的激光的激光照射部;修正上述 激光的球面像差的球面像差修正部;對應上述激光照射的信息面來控制上述激光的焦點位 置的控制部;對上述多層信息記錄介質(zhì)的上述第l反射面照射激光,來識別信息面的數(shù)目 的介質(zhì)識別部。
根據(jù)此結構,多層信息記錄介質(zhì)的多個信息面包含具有在光射入時以指定的第l反射 率反射光的第l反射面的至少一個信息面、和具有以比第1反射率小的第2反射率反射光的 第2反射面的其它的信息面。對多層信息記錄介質(zhì)所具有的信號軌道照射用于進行信號的 記錄或再生的激光,激光的球面像差得以修正。并且,對應激光照射的信息面,控制激光 的焦點位置,對多層信息記錄介質(zhì)的第l反射面照射激光,來識別信息面的數(shù)目。
因此,因為可以可靠地實行向與已經(jīng)投放市場的信息記錄介質(zhì)的信息面相一致的至少 一個信息面的聚焦引進,識別信息面的數(shù)目,所以,能夠確保與已經(jīng)投放市場或格式為已 知的信息記錄介質(zhì)的向下兼容性,可以利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置,對新格式的多 層信息記錄介質(zhì)進行記錄再生。
而且,在上述的信息記錄再生裝置中,以上述介質(zhì)識別部從聚焦誤差信號的波形信息 來識別信息面的數(shù)目為宜。根據(jù)此結構,可以從聚焦誤差信號的波形信息正確地識別信息 面的數(shù)目。
而且,在上述的信息記錄再生裝置中,以還包括以信息面為單位設定禁止在用戶數(shù)據(jù) 區(qū)域進行數(shù)據(jù)記錄的寫入禁止標志的標志設定部、和不對通過上述標志設定部而被設定了 上述寫入禁止標志的信息面進行數(shù)據(jù)記錄的記錄部為宜。
根據(jù)此結構,以信息面為單位設定禁止在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域進行數(shù)據(jù)記錄的寫入禁止標 志,不對被設定了寫入禁止標志的信息面進行數(shù)據(jù)記錄。因此,因為不對多層信息記錄介 質(zhì)的多個信息面中,的其它的信息面進行數(shù)據(jù)記錄,所以,可以確保與層數(shù)較少的信息記錄
介質(zhì)的兼容性。
本發(fā)明還提供一種多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,用于制造具有被層壓的多個信息面 的多層信息記錄介質(zhì),包括在一面形成有信息面的基板上形成反射層的第l工序;在上 述反射層之上形成具有信息面的透光性的中間層的第2工序;在上述中間層的上述信息面 一側(cè)形成反射層的第3工序;在多次重復上述第2工序和上述第3工序而形成多個信息面之 后形成透光性的保護層的第4工序;在至少一個信息面上形成光射入時以指定的第l反射率 反射上述光的第l反射面,并在其它的信息面形成以比上述第1反射率小的第2反射率反射 上述光的第2反射面的第5工序。
根據(jù)此方法,在第1工序中,反射層被形成于在一面形成有信息面的基板上。其次,
在第2工序中,具有信息面的透光性的中間層被形成在反射層之上。其次,在第3工序中, 反射層被形成在中間層的信息面一側(cè)。其次,在第4工序中,在多次重復第2工序和第3工 序而形成多個信息面之后,透光性的保護層予以形成。其次,在第5工序中,在光射入后 以指定的第l反射率反射光的第l反射面至少被形成在一個信息面上,并且,以比第l反射 率小的第2反射率反射光的第2反射面被形成在其它的信息面上。
因此,因為可以可靠地實行向與已經(jīng)投放市場的信息記錄介質(zhì)的信息面相一致的至少 一個信息面的聚焦引進,所以,能夠確保與已經(jīng)投放市場或格式為已知的信息記錄介質(zhì)的 向下兼容性,可以利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置對新格式的多層信息記錄介質(zhì)進行記 錄再生。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以在上述第5工序中通過用激光對 上述其它的信息面預先進行初始記錄而形成第2反射面為宜。
根據(jù)此結構,因為在第5工序中,通過用激光對其它的信息面預先進行初始記錄來形 成第2反射面,所以,可以使其它的信息面的第2反射面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以在上述第5工序中通過用激光對 上述其它的信息面預先燒刻反射層而形成第2反射面為宜。
根據(jù)此結構,因為在第5工序中,通過用激光對其它的信息面預先燒刻反射層來形成 第2反射面,所以,可以使其它的信息面的第2反射面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以在上述第1及第3工序中,在形成 反射層時,通過對上述其它的信息面進行掩膜處理而形成第2反射面為宜。
根據(jù)此結構,因為在第1及第3工序中,在形成反射層時,通過對其它的信息面進行掩 膜處理來形成第2反射面,所以,可以不在其它的信息面的第2反射面形成反射層,從而使
其它的信息面的第2反射面的第2反射率比第1反射率小。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以上述多個信息面包含第l至第n信 息面,MOD (n/4) =1、 2 (其中,MOD為數(shù)值n除以4后時的余數(shù))的信息面和MOD (n/4) =3、 0的信息面,其螺旋方向被形成為互相逆向為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含第l至第n信息面,MOD (n/4) =1、 2 (其中,MOD 為數(shù)值n除以4后的余數(shù))的信息面和MOD (n/4) =3、 0的信息面,其螺旋方向被形成為 互相逆向。
因此,例如,在四層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,第1信息面和第2信息面的追蹤方 向與第3信息面和第4信息面的追蹤方向相反,不需要從內(nèi)周向外周或從外周向內(nèi)周進行搜 尋,從而可以長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以在MOD (n/4) =1、 2的信息面 從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地形成有地址,在MOD (n/4) =3、 0的信息面從光盤 介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地有形成地址為宜。
根據(jù)此結構,在MOD (n/4) =1、 2的信息面,從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地 形成有地址。而在MOD (n/4) =3、 0的信息面,從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地形 成有地址。
因此,例如,在四層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,在第1信息面和第2信息面可以從 內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)記錄或再生信息,在第3信息面和第4信息面可以從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄或 再生信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以上述多個信息面包含上述第l至 第n (n為偶數(shù))信息面,第l至第n/2信息面和第(n/2)十l至第n信息面,其螺旋方向被 形成為互相逆向為宜。
根據(jù)此結構,多個信息面包含第l至第n (n為偶數(shù))信息面,第l至第n/2信息面和第 (n/2) +1至第11信息面,其螺旋方向被形成為互相逆向。
因此,例如,在八層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,第1至第4信息面的追蹤方向與第 5至第8信息面的追蹤方向相反,不需要從內(nèi)周向外周或從外周向內(nèi)周進行搜尋,從而可以 長時間地進行視頻記錄再生等高傳輸速率的實時記錄。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以在第l至第n/2信息面,從光盤介 質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地形成有地址,在第(n/2) +1至第11信息面,從光盤介質(zhì)的外 周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地形成有地址為宜。
根據(jù)此結構,在第l至第n/2信息面,從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地形成有地址。 而在第(n/2) +1至第11個信息面,從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地形成有地址。
因此,例如,在八層的多層信息記錄介質(zhì)的情況下,在第1至第4信息面可以從內(nèi)周側(cè) 向外周側(cè)記錄或再生信息,在第5至第8信息面可以從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄或再生信息。
而且,在上述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法中,以上述第l至第n信息面,以朝著從 第l至第n信息面的方向更靠近激光射入側(cè)而予以形成為宜。根據(jù)此結構,第l至第n信息面 靠近激光射入側(cè)而形成。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
本發(fā)明的多層信息記錄介質(zhì)、信息記錄再生裝置及多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,可 以確保與已經(jīng)投放市場或格式為已知的信息記錄介質(zhì)的向下兼容性,可以利用已經(jīng)普及的 信息記錄再生裝置對新格式的多層信息記錄介質(zhì)進行記錄再生,作為具有被層壓的多個信 息面并通過光記錄或再生信息的多層信息記錄介質(zhì)、該多層信息記錄介質(zhì)的制造方法以及 對該多層信息記錄介質(zhì)進行記錄再生的信息記錄再生裝置是極為有用的。
權利要求
1. 一種多層信息記錄介質(zhì),具有被層壓的多個信息面并通過光記錄或再生信息,其特征在于,所述多個信息面包括具有在光射入時以指定的第1反射率反射所述光的第1反射面的至少一個信息面;和具有以比所述第1反射率小的第2反射率反射所述光的第2反射面的其它的信息面。
2. 根據(jù)權利要求l所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于在所述第l反射面記錄有 盤管理信息。
3. 根據(jù)權利要求l所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于 所述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì), 所述第2反射面包含所述光盤介質(zhì)的內(nèi)周部, 所述內(nèi)周部的反射率低于記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率。
4. 根據(jù)權利要求l所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于 所述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),所述第1反射面及所述第2反射面包含所述光盤介質(zhì)的內(nèi)周部和記錄數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域, 所述第2反射面的內(nèi)周部及數(shù)據(jù)區(qū)域的反射率低于所述第1反射面的內(nèi)周部及數(shù)據(jù)區(qū) 域的反射率。
5. 根據(jù)權利要求l所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于 所述多個信息面包含四個信息面,所述四個信息面中的兩個信息面,在光射入所述第l反射面時以指定的第l反射率反射 所述光,其余的兩個信息面,在光射入所述第2反射面時以比第1反射率小的第2反射率反射所述光。
6. 根據(jù)權利要求l所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于 所述多個信息面包含八個信息面, 所述八個信息面中的四個信息面,在光射入所述第l反射面時以指定的第l反射率反射 所述光,其余的四個信息面,在光射入所述第2反射面時以比第1反射率小的第2反射率反射所 述光。
7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于在所述第l反射面,當設所述第l反射率相對射出光功率的比為高反射率比Rb,在所述第2反射面,當設 所述第2反射率相對射出光功率的比為低反射率比Rd時,所述低反射率比Rd在0^R(K3.5 %的范圍內(nèi),所述高反射率比Rb在3.5^5Rb^8^的范圍內(nèi)。
8. 根據(jù)權利要求7所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述低反射率比Rd和所述 高反射率比Rb的關系為2xR(KRb。
9. 根據(jù)權利要求7所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述低反射率比Rd相對于 所述高反射率比Rb來說非常小,所述低反射率比Rd基本為O。
10. 根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于 所述多層信息記錄介質(zhì)包含光盤介質(zhì),所述第l反射面及所述第2反射面被設置在距所述光盤介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)中心24mm以內(nèi)的 范圍內(nèi)。
11. 根據(jù)權利要求10所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述第l反射面包含通 過燒刻反射層來記錄多層信息記錄介質(zhì)所固有的識別信息的BCA區(qū)域。
12. 根據(jù)權利要求l至ll中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述第2 反射面通過激光被預先進行初始記錄。
13. 根據(jù)權利要求l至ll中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述第2 反射面通過燒刻反射層而形成。
14. 根據(jù)權利要求l至ll中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述第2 反射面不形成反射層。
15. 根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述多個信息面的間隔為6irni至30iim 。
16. 根據(jù)權利要求1至15中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于至少在所 述第l反射面中的兩處以上記錄有盤管理信息。
17. 根據(jù)權利要求16所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于記錄所述盤管理信息的區(qū)域被配置成在上下信息面不會重疊。
18. 根據(jù)權利要求1至17中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于以信息面為單位記錄有禁止向用戶數(shù)據(jù)區(qū)域記錄數(shù)據(jù)的寫入禁止標志,向被所述寫入禁止標志禁止 的信息面的數(shù)據(jù)記錄被禁止。
19. 根據(jù)權利要求1至18中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述多個信息面包含第l至第n信息面,在MOD (n/4) =1、 2的信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行, 在MOD (n/4) =3、 0的信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進行, 其中,MOD為數(shù)值n除以4后的余數(shù)。
20. 根據(jù)權利要求19所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于在MOD (n/4) =1、 2的信息面,地址沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)而被記錄, 在MOD (n/4) =3、 0的信息面,地址沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)而被記錄。
21. 根據(jù)權利要求1至18中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于-所述多個信息面包含第l至第n信息面,其中n為偶數(shù), 在第l至第n/2信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)予以進行,在第(n/2) +1至第11信息面,記錄或再生從光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)予以進行。
22. 根據(jù)權利要求21所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于在第l至第n/2信息面,地址沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)而被記錄,在第(n/2)十l至第n信息面,地址沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)而被記錄。
23. 根據(jù)權利要求19至22中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于所述第l 至第n信息面,以朝著從第l至第n信息面的方向更靠近激光射入側(cè)而予以形成。
24. —種信息記錄再生裝置,用于在具有被層壓的多個信息面的多層記錄介質(zhì)上記錄 或再生信息,其特征在于所述多個信息面包含,具有在光射入時以指定的第l反射率反射所述光的第l反射面的至少一個信息面,和具有以比所述第1反射率小的第2反射率反射所述光的第2反射面的其它的信息面,其中,所述信息記錄再生裝置包括激光照射部,對所述多層信息記錄介質(zhì)所具有的信號軌道照射用于進行信號的記錄或再生的激光;球面像差修正部,修正所述激光的球面像差;控制部,對應所述激光照射的信息面來控制所述激光的焦點位置;介質(zhì)識別部,對所述多層信息記錄介質(zhì)的所述第l反射面照射激光,來識別信息面的數(shù)目。
25. 根據(jù)權利要求24所述的信息記錄再生裝置,其特征在于所述介質(zhì)識別部基于聚 焦誤差信號的波形信息來識別信息面的數(shù)目。
26. 根據(jù)權利要求24或25所述的信息記錄再生裝置,其特征在于還包括 標志設定部,以信息面為單位設定禁止在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域進行數(shù)據(jù)記錄的寫入禁止標志;記錄部,不對通過所述標志設定部而被設定了所述寫入禁止標志的信息面進行數(shù)據(jù)記錄。
27. —種多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,用于制造具有被層壓的多個信息面的多層信息記錄介質(zhì),其特征在于包括在一面形成有信息面的基板上形成反射層的第l工序;在所述反射層上形成具有信息面的透光性的中間層的第2工序;在所述中間層的所述信息面一側(cè)形成反射層的第3工序;在多次重復所述第2工序和所述第3工序而形成多個信息面之后形成透光性的保護層 的第4工序;在至少一個信息面上形成當光射入時以指定的第l反射率反射所述光的第l反射面,并在其它的信息面形成以比所述第1反射率小的第2反射率反射所述光的第2反射面的第5工序。
28. 根據(jù)權利要求27所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于在所述第5 工序中,通過用激光對所述其它的信息面預先進行初始記錄而形成第2反射面。
29. 根據(jù)權利要求27所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于在所述第5 工序中,通過用激光對所述其它的信息面預先燒刻反射層而形成第2反射面。
30. 根據(jù)權利要求27所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于在所述第l 及第3工序中,通過在形成反射層時對所述其它的信息面進行掩膜處理而形成第2反射面。
31. 根據(jù)權利要求27至30中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于 所述多個信息面包含第l至第n信息面,MOD (n/4) =1、 2的信息面和MOD (n/4) =3、 0的信息面,其螺旋方向被形成為 互相逆向,其中,MOD為數(shù)值n除以4后的余數(shù)。
32. 根據(jù)權利要求31所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于 在MOD (n/4) 二l、 2的信息面,地址沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地形成, 在MOD (n/4) =3、 0的信息面,地址沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地形成。
33. 根據(jù)權利要求27至30中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于: 所述多個信息面包含所述第l至第n信息面,其中n為偶數(shù), 第l至第n/2信息面和第(n/2) +1至第11信息面,其螺旋方向被形成為互相逆向。
34. 根據(jù)權利要求33所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于 在第l至第n/2信息面,地址沿光盤介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)順序地形成,在第(n/2) +1至第11信息面,地址沿光盤介質(zhì)的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)順序地形成。
35. 根據(jù)權利要求31至34中任一項所述的多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,其特征在于: 所述第l至第n信息面,以朝著從第l至第n信息面的方向更靠近激光射入側(cè)而予以形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層信息記錄介質(zhì)、信息記錄再生裝置及多層信息記錄介質(zhì)的制造方法,可以確保與已經(jīng)投放市場或格式為已知的信息記錄介質(zhì)的向下兼容性,利用已經(jīng)普及的信息記錄再生裝置對新格式的多層信息記錄介質(zhì)進行記錄再生。多層信息記錄介質(zhì)具有被層壓的多個信息面(L0)至(L3),多個信息面包括具有在光射入時以指定的第1反射率反射光的BCA及初始記錄區(qū)域(第1反射面)的第1及第2信息面(L0、L1),以及具有以比第1反射率小的第2反射率反射光的低反射率區(qū)域(第2反射面)的第3及第4信息面(L2、L3)。
文檔編號G11B7/135GK101395665SQ20078000756
公開日2009年3月25日 申請日期2007年2月21日 優(yōu)先權日2006年3月3日
發(fā)明者中村敦史, 富山盛央 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社