專利名稱：：光學記錄介質的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及使用相變材料的可重寫、可相變的光學記錄介質，具體而言涉及能高速記錄和寬范圍記錄線速度的技術；并且是關于光學記錄介質的記錄靈敏性和存儲可靠性的改進，該光學記錄介質能夠以8x-速度或更高速度進行包括與DVDs的向下兼容性(downwardcompatibility)的記錄。
背景技術：
：近些年來，具有由相變材料構成的記錄層的光學記錄介質(下文可被稱為"相變光盤"、"光盤"或"可相變的光學記錄介質")已被逐漸增加地開發(fā)出來?！愣裕谙嘧児獗P中，特定的凹槽形成在透明塑料基底上，并且薄膜形成在凹槽上。作為基底的塑料材料，主要使用聚碳酸酯樹脂，并且注射成型方法可被用于形成基底的凹槽。形成在基底上的薄膜具有多層結構，其中第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層基本上以該順序形成于基底上。第一保護層和第二保護層分別由氧化物、氮化物、硫化物等形成。在這些中，優(yōu)選ZnS和Si02的混合物ZnS-Si02。對于記錄層，可以使用含有SbTe作為主要成分的相變材料。具體而言，相變材料的實例包括Ge-Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te、Ge-Sn-S-Te、Ge-Te、In-Sb、Ga-Sb禾卩Ge-Sb。對于反射層，可以使用金屬材料，然而，從光學性能和熱傳導性的方面來看，金屬材料如A1、Ag、Au、Cu和其合金可被使用。此外，為了提高各種光盤的性能，被稱為插入層或中間層的不同的層可在上面提到的各層之間形成，或者每個層本身能夠以多層形成。為了形成這些層的每個層，各種形成層的方法如電阻線加熱方法、電子束蒸發(fā)方法、濺射方法、CVD方法可被使用。在這些方法中，從大量生產率方面來看，特別優(yōu)選濺射方法。在這些層的多層膜形成后，通過旋涂用樹脂層涂布多層膜以保護薄膜。在用這種方式制造的相變光盤中，在記錄層中使用的相變材料處于非晶形狀態(tài)，并且相變光盤通常經歷所謂的初始化步驟，在該步驟中記錄層被結晶。在典型的用于初始化相變光盤的初始化方法中，用來自半導體激光器的具有數(shù)微米寬、數(shù)十微米到數(shù)百微米長的激光束照射該光盤，同時旋轉該光盤并在半徑方向移動激光束。在許多情況中，利用備有聚焦功能的激光束更有效地照射光盤。在初始化的相變光盤中，任意的非晶態(tài)標記可通過用根據(jù)任意預定的光發(fā)射模式(記錄策略(recordingstrategy))的激光照射盤而形成。此外，相變光盤可同時實行擦除和記錄，被稱為直接重寫(DOW)記錄。這里，擦除意味著結晶標記處于非晶形狀態(tài)，而記錄意味著從結晶的標記形成處于非晶形狀態(tài)的標記。記錄方法包括記錄功率(Pw)、擦除功率(Pe)和偏壓功率(Pb)的三元控制(Pw〉Pe〉Pb)。通過結合這些和多種脈沖寬度，記錄具有特定標記長度的標記。對于記錄和復制數(shù)據(jù)的調制方法，在CD中具有EFM調制，在DVD中使用EFM+調制。因為這些調制方法使用標記邊沿記錄模式，所以控制標記長度是非常重要的。時基誤差特性(jitterproperty)通常被用于控制標記長度的評估。這些相變光盤被用于CD-RW、DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM，并且被廣泛用于視聽應用和用于在計算機中記錄信息。近來，由于大容量的數(shù)字容量，這些相變光盤被應用于更大容量的HD-DVD，藍光光盤也開始發(fā)展。隨著這類記錄容量的增加，也期望進一步高速記錄。高速記錄指主要通過增加光盤的旋轉數(shù)量能夠完成的記錄，并且也指在快達DVD標準線速度的8x-速度或更高速度和28m/s或更高的線速度下的記錄。而且，考慮到實用性，優(yōu)選與商業(yè)上可獲得的光盤驅動設備具有兼容性一一所謂的向下兼容性一一的光學記錄介質，并且不但需要高速記錄，而且需要低速記錄。如上所述，GaSb基相變材料是已知的。專利文獻1和2分別公開了高線速度記錄。然而，因為在上述專利文獻中沒有關于可記錄的線速度范圍的具體描述，所以這些相關的技術不能實現(xiàn)本發(fā)明能夠以寬線速度范圍進行記錄的目的。在這些情況下，本發(fā)明人經歷了如此現(xiàn)象適合于高速記錄的相變材料中的復制錯誤數(shù)量在記錄線速度的某些范圍內增加。例如，與該現(xiàn)象相似的報告在非專利文獻1中描述。下文，由本發(fā)明發(fā)明人發(fā)現(xiàn)的關于該現(xiàn)象的描述將在下面描述。圖1示出開發(fā)用于記錄DVD+RW8x-速度光盤的記錄線速度與在DOW10倍記錄的時基誤差特性以及PI誤差(內部校驗碼錯誤(ParityInnerError):內碼奇偶校驗(intra-codingparityerror))特性之間的關系。在圖1中，水平刻度表示記錄線速度，左邊垂直刻度表示PI誤差，右邊垂直刻度表示DOW10時基誤差。PI誤差指上述的復制錯誤。此外，對于記錄條件，使用時基誤差特性最優(yōu)化的條件。如在圖中所見，在3x到8x速度下光盤的時基誤差特性顯示優(yōu)良的結果，即大約9%或更少，而在4x-速度到7x-速度的中等線速度范圍內PI誤差的數(shù)量急劇增加?？紤]當PI誤差的數(shù)量為280或更多特別是為350或更多時，其在實際應用中引起問題。在圖1中，示出PI誤差的數(shù)量遠大于上述值，并且明顯地，時基誤差特性與誤差特性極大地負相關。在圖1中，不依賴于DOW次數(shù)的數(shù)目，可證實相似的現(xiàn)象，盡管結果在一定程度上變化。為了檢測該現(xiàn)象的細節(jié)，對于在圖1中使用的光盤，使用圖2中示出的記錄方法，記錄3T標記和3T間隔交替排列的單一圖案。記錄標記形狀的圖形的圖在圖3A中給出。圖2的水平刻度表示時間，垂直刻度表示信號強度。A標記形狀的形狀是使用透射電子顯微鏡的觀察結果。在圖3A中標記A和標記C是正常記錄標記，而標記B是異常標記，其中在該標記中出現(xiàn)晶體。圖3B示出記錄標記的復制信號。虛線是當記錄標記正常時的情況，而當記錄標記具有像標記B的晶體時，復制信號可如實線所示被扭曲。結果，二進制化信號(binarizedsignal)如同在圖3C中所示的信號，具有晶體的異常標記B僅僅復制為比正常3T標記短。這里，僅僅示出記錄3T單一圖案的數(shù)據(jù)，并且證實該問題也在其它單一圖案中出現(xiàn)。TIA(時間間隔分析器)測量的這樣的信號的結果在圖4中作為圖形圖表給出。圖4示出異常標記和正常標記的分布，水平刻度(對數(shù)軸)表示標記長度，垂直刻度表示標記的數(shù)目。如在圖4中所示，其可被分成表示以3T為中心的正常分布的組成部分和在短于3T的區(qū)域中分布的組成部分。在小于3T的區(qū)域中分布的組成部分相應于在記錄標記中存在的異常標記的數(shù)目，其將引起PI誤差。作為實例，晶體影響非晶態(tài)標記，下面的(1)到(3)是己知的。(1)剩余熱量引起的標記的部分重結晶，也稱為交叉擦除(crosserase)被報道(參見專利文獻3)。(2)已報道未擦除的標記由于在高速記錄下的不足結晶而被產生(參見專利文獻4)。(3)已報道在DOW記錄多次時晶體沉積在非晶態(tài)標記周圍(參見專利文獻5到專利文獻7)。已發(fā)現(xiàn)，從該現(xiàn)象不依賴于DOW次數(shù)數(shù)目的方面來看，該現(xiàn)象與傳統(tǒng)已知的現(xiàn)象不同，晶體不在所有非晶態(tài)標記中產生，復制錯誤的數(shù)目明顯增加，而不管良好的時基誤差特性，并且晶體存在于標記內，而不是標記周圍。而且，隨著記錄密度增加到DVD的程度，據(jù)認為如上述在記錄標記中晶體的存在導致復制錯誤增加，并且預期這將在使用能夠進行更高密度記錄的藍色激光的相變光盤中引起明顯問題。本發(fā)明人進一步檢測該現(xiàn)象，其中在中等線速度中錯誤增加，并且發(fā)現(xiàn)該現(xiàn)象很大程度上取決于相變材料的結晶速率。圖5示出各種相變材料的結晶速率和3T標記的異常標記數(shù)目的關系。在圖5中的水平刻度表示結晶速率，垂直刻度表示異常標記的數(shù)目。異常標記的數(shù)目是在TIA(時間間隔分析器)評估中獲得的總數(shù)目，并且該數(shù)目是存在于比3T區(qū)域更短的區(qū)域中的異常標記的數(shù)目的標準化數(shù)目。如在圖5中可見，異常標記的數(shù)目在通過特定結晶速率加寬的高-結晶速率區(qū)域中增加。因為該原因，必需限制結晶速率至低于特定值的值，以便控制異常標記。盡管專利文獻8到10提出了使用InSbx作為記錄層材料的發(fā)明，但是關于使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物中任一種作為保護層材料既沒有公開又沒有暗示。在專利文獻9中，盡管對于標準時鐘頻率、記錄條件有描述，但是記錄線速度和記錄密度(最短的標記長度)之間的關系是不清楚的。專利文獻10公開記錄原理是已結晶的標記之間引發(fā)的變化，然而，關于已結晶標記和非晶態(tài)標記之間引發(fā)的變化既沒有公開又沒有暗示。盡管專利文獻11到16公開第二保護層的主要成分是選自氧化鋅、氧化銦和氧化錫的至少一種，但是它們存在下列問題。在專利文獻11中，沒有關于對于與InSbx結合的組合物的描述，所以不能完成本發(fā)明的目的。在專利文獻12中，僅有關于結合2種保護層材料的組合物的暗示，所以也不能完成本發(fā)明的目的。在專利文獻13中描述的發(fā)明使用不同的記錄層材料，并且是與本發(fā)明的組合物完全不同的技術。在專利文獻14到15中，沒有對于與InSbx結合的組合物的描述，所以不能完成本發(fā)明的目的。在專利文獻16中，沒有對于與InSbx結合的組合物的描述并且保護層材料的位置是不同的，所以不能完成本發(fā)明的目的。不但為了解決上述問題而且為了實現(xiàn)高速記錄，必需使結晶速率更快。其原因通常被認為是因為如果結晶速率比記錄線速度慢，那么在重寫時結晶不能被實現(xiàn)，因此不能進行充分擦除。對于8x-速度記錄的DVD+RW光盤，盡管達到3.3x-速度的低速記錄通過最優(yōu)化記錄方法并另外使用額外的材料和層結構是可能的，但是在考慮進一步高速記錄和向下兼容性時，存在著難于實現(xiàn)更寬記錄線速度的問題。[專利文獻l]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2005-145061[專利文獻2]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2004-203011[專利文獻3]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2004-164850[專利文獻4]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號20(M-164849[專利文獻5]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號4-286683[專利文獻6]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號6-103609[專利文獻7]日本專利(JP-B)號3474714[專利文獻8]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2005-193663[專利文獻9]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2002-347341[專利文獻IO]日本專利申請公布(JP-B)號3-52651[專利文獻ll]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號2005-190642[專利文獻12]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號5-101442[專利文獻13]日本專利申請公布(JP-B)號2559803[專利文獻14]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號5-159362[專利文獻15]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號11-185294[專利文獻16]日本專利申請?zhí)卦S公開(JP-A)號5-208559[非專利文獻1]H.Spruit等人HighSpeedDVD+RWRecording,ISOM/ODS，05Tech.Dig.(2005)TuCl
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供可相變的光學記錄介質，其能夠防止異常標記發(fā)生、允許DVD標準線速度的8x-速度或更高速度的高速記錄和在寬范圍的記錄線速度中得到時基誤差特性和復制錯誤特性兩方面的良好結果。解決上述問題的方法如下。<1>光學記錄介質，包括當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀察時，第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層以該順序形成，其中所述記錄層含有由下列組成式(l-l)、組成式(l-2)和組成式(l-3)中任一種表示的相變材料；和所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫及其混合物、由下列組成式(2)表示的材料和由下列組成式(3)表示的材料中的至少一種，InaiSb(3Xl"—組成式(l-l)其中XI是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、(31和yl分別表示原子比，其中0.10^alS0.25、0.65SplS0.80禾口0.04Sy150.15，Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2￡2-—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、P2、丫2、52和s2力、另ll表示原子比，其中0.04Sa2S0.09、0.56^32^0.79、、禾口05s250.09，Mna3Sbp3SnY3GeS3X3￡3—組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、p3、^、53和s3分另U表示原子比，其中0.04Sa3^).09、0.56S(33S0.79、0.05^/3^0.29、0.03鄰，23禾口0￡s350.09，ZnO-Al-Y[(100—a4—卩4):a4:卩4]…組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和|34分別表示質量百分比，其中0.5￡a4$10.0禾Q0S(34S25.0，ZnO-Al203-Z[(100一a5—p5):a5:卩5]—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和卩5分別表示質量百分比，其中0.5$a55l0.0和0鄰5^30.0。<2>根據(jù)<1>所述的光學記錄介質，進一步包括透明基底和至少所述第一保護層、所述記錄層、所述第二保護層和所述反射層，當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀察時，這些層以該順序形成在所述透明基底上。<3>根據(jù)<1〉所述的光學記錄介質，進一步包括透明覆蓋層和至少所述第一保護層、所述記錄層、所述第二保護層和所述反射層，當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀察時，這些層以該順序形成。<4>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種，InalSbpiXlYl—組成式(l-l)其中XI是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pl和Yl分別表示原子比，其中0.10SalS0.25、0.65^31^0.80禾Q0.045yl^0.15。<5>根據(jù)<1>到<3〉任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，InalSbpiXlYl—-組成式(l-l)其中XI是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pl禾BYl分別表示原子比，其中0.10SalS0.25、禾口0.04^dS0.15，ZnO-Al-Y[(100—a4—(34):a4:卩4]—-組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中0.5Sa4S10.0禾口0三p4S25.0。<6>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，InoaSb(MXl"…組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、卩l(xiāng)禾卩"/1分別表示原子比，其中0.10Sal50.25、0.65SpiS0.80禾卩0.04Sy1S0.15，ZnO-Al203-Z[(100-a5—(35):a5:(35]…組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.5^a5^10.0和0鄰5^30.0。<7>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物中的至少一種，Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2E2-—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、卩2、Y2、S2和s2分別表示原子比，其中0,04Sa2S0.09、0.565(32^0.79、0.05^^50.30、0.03^52^0.19禾口0Ss250.09。<8>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2s2…組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、p2、Y2、S2和s2分另廿表示原子比，其中0.04蘭a2S0.09、0.56^32^0.79、0.05Sy2S0.30、禾口0￡必0.09，ZnO-Al-Y[(100—a4-p4):a4:p4]—-組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中0.55a4S10.0禾口0^34￡25.0。<9>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2E2-—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、(32、Y2、S2和s2分另U表示原子比，其中0.04^x2^0.09、0.56^32^0.79、0.05Sy250.30、0.03鄰^0.19禾口0Ss2^3.09，ZnO-Al203-Z[(100—a5—|35):a5:p5]…組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.5Sa5Sl0.0和0^35^30.0。<10>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物中的至少一種，Mna3Sb(53SnY3Ge53X3￡3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、卩3、^、53和s3力、另U表示原子比，其中0.04Sa3S0.09、0.56^33^0.79、0.05Sy3S0.29、0.03553^0.23禾口0^350.09。<11>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Mna3Sbp3Sn73GeS3X3E3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、(33、^、53和s3分另ll表示原子比，其中0.04^x3^0.09、0.56^33^0.79、0,05Sy350.29、0.03^S3S0.23禾口0^350.09，ZnO-Al-Y[(100-a4-卩4):a4:p4]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.5Sa4S10.0禾卩0SP4^25.0。<12>根據(jù)<1>到<3>任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Mna3Sb(33SnY3GeS3X3e3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、|33、^、S3和s3分另U表示原子比，其中0.04Sa3^).09、0.56S(33S0.79、0.05Sy3^0,29、0.03鄰50.23禾口0Ss3S0.09，ZnO-Al203-Z[(100—a5—卩5):a5:p5]…組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和卩5分別表示質量百分比，其中0.5Sa5S10.0和0Sp5S30.0。<13>根據(jù)<1>到<12>任一項所述的光學記錄介質，其中所述第二保護層的電阻率為1.0xl0-4acm到1.0xl0Qcm。<14>根據(jù)<1>到<13>任一項所述的光學記錄介質，其中最大記錄線速度為30m/s到56m/s，并且最小記錄線速度為10m/s到14m/s。<15>根據(jù)<1>到<14>任一項所述的光學記錄介質，其中所述最短記錄標記長度為0.5pm或更小。附圖簡述圖1是示出以8x-速度記錄的光盤的記錄線速度與D0W10記錄下的時基誤差特性以及PI誤差特性之間的關系的解釋圖。圖2是3T標記和3T間隔交替排列的記錄策略的單一圖案視圖。圖3A是平面圖，其示出當在記錄標記中產生異常標記時，標記形狀和復制信號之間的關系，并且示出記錄標記的形狀。圖3B是圖，其示出當在記錄標記中產生異常標記時，標記形狀和復制信號之間的關系，并且示出復制信號。圖3C是圖形視圖，其示出當在記錄標記中產生異常標記時，標記形狀和復制信號之間的關系，并且示出二元信號。圖4是示出記錄標記的異常標記和正常標記分布的圖。圖5是解釋圖，其示出多種相變材料的結晶速率和3T標記中異常標記的數(shù)目之間的關系。圖6是示意圖，其示出本發(fā)明的光學記錄介質的實例，并且示出DVD+RW、DVD-RW、HD-DVD-RW的實例。圖7是示意圖，其示出本發(fā)明的光學記錄介質的實例，并且示出藍光光盤的實例。實施本發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的光學記錄介質從用于記錄的入射光的方向來看是由至少第一保護層、記錄層、第二保護層、反射層和根據(jù)需要的其它層順序構成的。作為光學記錄介質，優(yōu)選(l)模式，其具有透明基底和至少第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層，當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀看時，這些層以該順序在透明基底上形成，和(2)模式，其具有透明覆蓋層、第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層，當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀看時，這些層以該順序在基底上形成。記錄層包含由下列組成式(l-l)、組成式(l-2)和組成式(l-3)的任一個表示的相變材料，和第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫、其混合物、由下列組成式(2)表示的材料和由下列組成式(3)表示的材料中的至少一種，InalSbpiXlYl—組成式(l-l)其中XI是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、|31和Yl分別表示原子比，其中0.10^x1^0.25、禾口0.045yl^0.15，Gaa2Sbp2Sn72GeS2X2E2---組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、P2、Y2、52和s2分另U表示原子比，其中0.04^x250.09、0.56Sp2S0.79、0.05^/250.30、0.03^52，19禾tl0^必0.09，Mna3Sbp3SnY3GeS3X3E3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、卩3、^、53和s3分另ll表示原子比，其中0.045a3S0.09、0.56^卩350.79、0.05^/350.29、0.03鄰￡0.23禾口0^350.09，ZnO-Al-Y[(100-a4_卩4):a4:p4]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和卩4分別表示質量百分比，其中0.55a4S10.0禾口0,^25.0，ZnO-Al203-Z[(100-a5—|35):a5:p5]—-組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.5^x5^10.0和0^5^30.0。本發(fā)明的光學記錄介質優(yōu)選為下列第一種到第九種模式的任一種。在第一種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料，并且第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種。InalSb(nXlYl…組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pi禾口yl分別表示原子比，其中0.10SalS0.25、0.655|31^).80禾卩0.04Sy1S0.15。在第二種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，InalSbpiXlYl—-組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pi和yl分別表示原子比，其中0.10Sal吼25、0.65鄰1S0.80和0.04^150.15，ZnO-Al-Y[(100—a4—p4):a4:闊-—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和P4分別表示質量百分比，其中0.5Sa4S10.0禾口0SP4S25.0。在第三種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，InaiSbp,X1^—組成式(l-l)其中XI是選自Ge、Te、Zn禾QMn的至少一種；al、|31禾卩Yl分別表示原子比，其中0.10Sal50.25、0.65SplS0.80禾口0.045^1^0.15,ZnO-Al203-Z[(100—a5—|35):a5:|35]陽陽陽組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.5Sa5S10.0禾卩05|35^30.0。在第四種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料，并且第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種。Gaa2Sb(32SnY2GeS2X2￡2…組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、卩2、Y2、52禾口e2分另ij表示原子比，其中0.04Sa2S0.09、0.56^32^0,79、0.055丫2S0.30、0.03^2^0.19禾n0Ss2S0.09。在第五種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Gaa2Sbp2SnY2Ge52X2E2陽—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、(32、Y2、S2禾口s2分別表示原子比，其中0.04Sa250,09、0.56，，79、0.05力2，30、0.03^52^0.19禾口0^250.09，ZnO-Al-Y[(100—a4-(34):a4:J34]…組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中0.5Sa4Sl0,0禾口0Sp4^25.0。在第六種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Gaa2Sb(32SnY2GeS2X3￡2-—組成式(l-2)其中X3是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、p2、Y2、S2和s2分另U表示原子比，其中0.045a2S0.09、0.56Sp2S0,79、0.055丫2^0.30、0.03^52^0.19禾口05s2S0.09，ZnO-Al203-Z[(100—a5—卩5):a5:p5]…組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和p5分別表示質量百分比，其中0.5Sa5$10.0和0S|35530.0。在第七種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料，并且第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種，MnalSb|nSnYlGeslX3El…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；al、|31、yl、51和sl力、另ij表示原子比，其中0.045al50.09、0.565(3150.79、0.05^/1^0.29、0.03S51S0.23禾口0Ssl^0.09。在第八種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Mna3Sb(33SnY3GeX3E3—組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、|33、y3、S3和s3分另U表示原子比，其中0.045a3S0.09、0.56^33^0,79、0.05^650.29、0.03鄰，23和0Ss3S0.09,ZnO-Al-Y[(100-a4—p4):a4:|34]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.55a4510.0禾卩05(34525.0。在第九種模式中，記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料，并且第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Mna3Sb(53SnY3Ges3X3￡3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、卩3、^、S3和e3分另l)表示原子比，其中0.04Sa350.09、0.565p3^).79、0.05^6^0.29、禾口0^3^0.09，ZnO-Al203-Z[(100—a5—卩5):a5:p5]—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的至少一種；a5和|35分別表示質量百分比，其中0.55a5Sl0.0和05卩5^30.0。<從第一種到第三種模式的光學記錄介質>在從第一種到第三種模式的光學記錄介質中，為了確保寬記錄線速度范圍，該范圍能夠進行DVD標準線速度的8x-速度或更高速度的高線速度記錄，并且對DVD標準線速度的3.3x-速度水平具有非凡的向下兼容性，通過限制記錄層的主要成分為下列組成式(l-l)表示的相變材料，可使結晶速率盡可能慢。記錄層中的主要成分指含量按質量計為每份完整相變材料的98%或更多。IncaSb(3iX1^-—組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pl禾口yl分別表示原子比，其中0.10Sal50.25、0.65^31^0.80禾Q0.04^/1^0.15。在高線速度記錄下，這變得不能擦除；然而通過使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫或它們的混合物作為第二保護層的主要成分，擦除成為可能。其原因被認為是這些材料對GaSb相變材料具有結晶加速作用，通過該作用使得在高線速度記錄下進行擦除成為可能。該主要成分優(yōu)選按質量計為每份第二保護層全部材料的65%或更多，更優(yōu)選為按質量計90%或更多。另一方面，因為氧化鋅、氧化銦和氧化錫具有結晶加速作用，所以對于非晶體化(標記形成)低速記錄不是優(yōu)選的；然而，通過調節(jié)用于低速記錄的記錄策略，非晶態(tài)標記可被充分記錄，這是因為這些材料是用于與常規(guī)電介質的熱傳導性相比具有相當大的熱傳導性、并具有大的猝滅效應的透明傳導層的材料。為了充分獲得這種猝滅效應，使用氧化鋅、氧化銦和氧化錫作為第二保護層的材料成為必需。在組成式(l-l)中InalSbpiXlYl，0.10￡al50.25、0.65^pl50,80禾口0.045丫1￡0.15是必需，優(yōu)選0.12Sal^0.20、0.67S(31S0.78禾卩0.05Sy1S0.14。如果加入量(al)為0.10或更少，形成非晶態(tài)標記變得困難，這是因為結晶速率太快，然而如果加入量超過0.25，那么存儲可靠性和記錄特性可被不利地影響，這是因為InSb化合物易于被分離出來。如果Sb的加入量。1)為0.65或更少，則不可能得到足夠的記錄特性，這是因為結晶速率慢，然而如果加入量超過0.80，則記錄特性和存儲可靠性可能成為問題，這是因為結晶速率變得太快。加入到InSb相變材料中的X包括選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種。當加入Ge和Te時，存儲可靠性被提高，并且當加入Zn和Mn時，記錄靈敏性和調制速率都可提高。此外，因為這些材料的任一種使結晶速率變慢，所以加入量(yl)必需在0.04Sy1S0.15的范圍內。第二保護層含有由下列組成式(2)表示的材料作為主要成分。這里，主要成分優(yōu)選含有按質量計為每份第二保護層全部材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計90%或更多。ZnO-Al-Y[(100—a4-p4):a4:卩4]…組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.5Sa4Sl0.0禾口0Sp4S25.0。AI是用于減小電阻率的必需元素，并且加入量(a4)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選按質量計為1.0%到按質量計9.0%，最優(yōu)選按質量計2.0%到按質量計5.0%。如果加入量(a2)按質量計為0.5%或更少，那么阻抗不能足夠小，然而反過來，如果加入量(a2)按質量計超過10%，那么阻抗可變大。Y是Mn、Ge和Ti中的至少一種元素，通過加入元素Y，存儲可靠性被進一步提高。在這些元素中，使用Mn作為Y，ZnO-Al-Mn對存儲可靠性可達到明顯的影響。其提高存儲可靠性的原因是未知的，但是可被認為如下。因為結晶加速作用不但使得能夠在高速記錄下擦除，而且促進己記錄的非晶態(tài)標記的結晶，因此據(jù)認為記錄數(shù)據(jù)的保存特性，即所謂的檔案特性(archivalproperty)被降低。作為用于提高這些特性的方法，據(jù)認為通過加入Mn、Ge和Ti可適當?shù)卣{節(jié)結晶加速作用，并且可實現(xiàn)在高速記錄下進行擦除和檔案特性的提高。Y的加入量(p4)優(yōu)選為按質量計25.0%或更少，更優(yōu)選為按質量計10%到按質量計20%。如果加入量(I34)按質量計超過25%，那么結晶加速作用被損害，因此不能在高速記錄下進行擦除。第二保護層含有由下列組成式(3)表示的材料作為主要成分。該主要成分優(yōu)選按質量計占每份第二保護層完整材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計90%或更多。ZnO-Al203-Z[(100-a5—p5):a5:j35]—陽組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；(X5和(35分別表示質量百分比，其中0.55a5510.0和05(35530.0。對于ZnO，加入八1203、氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦作為模式可獲得與作為元素加入它們相似的效果。與加入量(a4)—樣，A1203的加入量(a5)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選為按質量計1.0%到按質量計9.0%，最優(yōu)選為按質量計2.0%到按質量計5.0%。Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種。至于Z，與添加元素Y相比，結晶加速作用稍微弱一些，加入量(I35)優(yōu)選為按質量計30%或更少，更優(yōu)選為按質量計15%到按質量計25%。<從第四種到第六種模式的光學記錄介質>在從第四種到第六種模式的光學記錄介質中，為了確保寬記錄線速度范圍，該范圍能夠進行DVD標準線速度的8x-速度或更高速度的高線速度記錄，并且對DVD標準線速度的3.3x-速度水平具有非凡的向下兼容性，通過限制記錄層的主要成分為下列組成式(l-2)表示的相變材料，可使結晶速率盡可能慢。這里，主要成分指每完整原子含有98原子％或更多。Gaa2Sbp2Sn72GeS2X3E2墨--組成式(l-2)其中X3是選自Te、Zn、Mn禾tlIn的至少一種；a2、p2、y2、S2和s2分另U表示原子比，其中0.04^x250,09、0.56^3250.79、0.055丫2￡0.30、<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>。在高線速度記錄下，這變得不能擦除；然而通過使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫或它們的混合物作為第二保護層的主要成分，擦除成為可能。其原因被認為是這些材料對GaSb相變材料具有結晶加速作用，通過該作用使得在高線速度記錄下進行擦除成為可能。該主要成分優(yōu)選按質量計為每份第二保護層全部材料的65%或更多，更優(yōu)選為按質量計90%或更多。另一方面，因為氧化鋅、氧化銦和氧化錫具有結晶加速作用，所以對于非晶體化(標記形成)低速記錄不是優(yōu)選的；然而，通過調節(jié)用于低速記錄的記錄策略，非晶態(tài)標記可被充分記錄，這是因為這些材料是用于與常規(guī)電介質的熱傳導性相比具有相當大的熱傳導性、并具有大的猝滅效應的透明傳導層的材料。為了充分獲得這種猝滅效應，使用氧化鋅、氧化銦和氧化錫作為第二保護層的材料成為必需。對于由組成式(1-2)表示的GaSb相變材料Gaa2Sb|32SnY2Ge52X2E2，如果加入Sn，則結晶速率增加，然而如果加入Sn太多，則保存特性可被不利地影響。因此，Sn的加入量優(yōu)選為0.055"/250.30，更優(yōu)選為0.07^2^0.20。如果Ga的加入量(a2)為0.04或更少，那么初始化后反射信號的電路內分布(intracircuitdistribution)變差，這對記錄特性產生不利影響，然而如果加入量超過0.09，那么結晶速率變慢，不能進行高線速度記錄，并且記錄特性的時基誤差很難減少。因此，范圍應該為0.04^x150.09。通過加入Ge，可提高存儲可靠性。具體而言，記錄數(shù)據(jù)的保存即所謂的檔案特性可被改善。然而，如果加入太多Ge，結晶速率變慢并且不能迸行高線速度記錄。因此，Ge的加入量(52)優(yōu)選為0.03^2^0.19，更優(yōu)選為0.05^52^0.15。而且，通過加入Te，存儲可靠性提高，并且通過加入Zn、Mn和In，記錄靈敏性和調制速率被提高，然而，這些元素的任一種具有使結晶速率變慢的作用。因此，加入量(s2)為0^250.09。至于Sb，如果為0.56或更少，不能實現(xiàn)高速記錄，然而如果加入量超過0.79，形成非晶態(tài)標記變得困難，所以不能進行記錄。因此，其應該為0.565plS0.79。第二保護層含有由下列組成式(2)表示的材料作為主要成分。這里，主要成分優(yōu)選按質量計占每份第二保護層完整材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計90%或更多。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>。Al是用于減小電阻率的必需元素，并且加入量(a4)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選按質量計為1.0%到按質量計9.0%，最優(yōu)選按質量計2.0%到按質量計5.0%。如果加入量(a2)按質量計為0.5%或更少，那么阻抗不能足夠小，然而反過來，如果加入量(cx2)按質量計超過10%,那么阻抗可變大。[Olll]Y是Mn、Ge和Ti中的至少一種元素，通過加入元素Y,存儲可靠性被進一步提高。在這些元素中，使用Mn作為Y，ZnO-Al-Mn對存儲可靠性可達到明顯的影響。其提高存儲可靠性的原因是未知的，但是可被認為如下。因為結晶加速作用不但使得能夠在高速記錄下擦除，而且促進已記錄的非晶態(tài)標記的結晶，因此據(jù)認為記錄數(shù)據(jù)的保存特性，即所謂的檔案特性(archivalproperty)被降低。作為用于提高這些特性的方法，據(jù)認為通過加入Mn、Ge和Ti結晶加速作用可被精細調整，并且高速記錄的擦除與檔案特性之間的相容成為可能。Y添加量(p4)優(yōu)選為按質量計25.0%或更少，更優(yōu)選為按質量計10%到按質量計20%。如果加入量((34)按質量計超過25%，那么結晶加速作用被損害，因此不能在高速記錄下進行擦除。第二保護層含有由下列組成式(3)表示的材料作為主要成分。這里，該主要成分優(yōu)選按質量計占每份第二保護層完整材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計90%或更多。ZnO-Al203-Z[(100—a5—p5):a5:(35]-—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.5Sa5Sl0.0和0鄰5S30.0。對于ZnO，加入Ah03、氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦作為模式可獲得與作為元素加入它們相似的效果。與加入量(a4)—樣，A1203的加入量(a5)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選為按質量計1.0%到按質量計9.0%，最優(yōu)選為按質量計2.0%到按質量計5.0%。Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種。至于Z，與添加元素Y相比，結晶加速作用稍微弱一些，加入量(P5)優(yōu)選為按質量計30%或更少，更優(yōu)選為按質量計15%到按質量計25%。<從第七種到第九種模式的光學記錄介質>在從第七種到第九種模式的光學記錄介質中，為了確保寬記錄線速度范圍，該范圍能夠進行DVD標準線速度的8x-速度或更高速度的高線速度記錄，并且對DVD標準線速度的3.3x-速度水平具有非凡的向下兼容性，通過限制記錄層的主要成分為下列組成式(l-2)表示的相變材料，可使結晶速率盡可能慢。這里，主要成分指每完整原子含有98原子％或更多。Mna3SbP3SnY3Ge53X3E3-—組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、p3、^、53和e36、另U表示原子比，其中0.04Sa3S0.09、0.56^33^0.79、0.055y3S0,29、0.03^53^0,23禾卩0Ss3S0.09。在高線速度記錄下，這變得不能擦除；然而通過使用氧化鋅、氧化銦、氧化錫或它們的混合物作為第二保護層的主要成分，擦除成為可能。其原因被認為是這些材料對GaSb相變材料具有結晶加速作用，通過該作用使得在高線速度記錄下進行擦除成為可能。該主要成分優(yōu)選按質量計為每份第二保護層全部材料的65%或更多，更優(yōu)選為按質量計90%或更多。另一方面，因為氧化鋅、氧化銦和氧化錫具有結晶加速作用，所以對于非晶體化(標記形成)低速記錄不是優(yōu)選的；然而，通過調節(jié)用于低速記錄的記錄策略，非晶態(tài)標記可被充分記錄，這是因為這些材料是用于與常規(guī)電介質的熱傳導性相比具有相當大的熱傳導性、并具有大的猝滅效應的透明傳導層的材料。為了充分獲得這種猝滅效應，使用氧化鋅、氧化銦和氧化錫作為第二保護層的材料成為必需。對于由組成式(l-3)表示的GeSb材料，如果加入Sn，則結晶速率增加，然而如果加入太多Sn，則保存特性可被不利地影響。因此，優(yōu)選0.05Sy3S0.29禾口0.07^/3^0.20。Mn的力口入量是0.04Sa3S0.09。如果Mn的加入量為0.04或更小，那么初始化后反射信號的電路內分布變差，這對記錄特性產生不利影響，然而如果加入量超過0.09，則結晶速率變慢，不能進行高線速度記錄，并且記錄特性的時基誤差很難下降。通過加入Ge，可提高存儲可靠性。具體而言，被稱為檔案特性的記錄數(shù)據(jù)的保存特性可被明顯改善。Ge的添加量53為0.03￡53S0.23,更優(yōu)選為0.05553^0.15。然而，如果Ge的量太大，結晶速率變慢并且高速記錄變?yōu)椴豢赡?。至于Sb的加入量，如果該加入量為0.56或更少，則結晶速率變慢，因此不能得到足夠的記錄特性，然而如果加入的量超過0.79，那么結晶速率變得太快，從而引起記錄特性和存儲可靠性的問題。通過加入Te，提高存儲可靠性。通過加入In和Zn，可提高記錄靈敏性和調制速率，但是這些元素具有使結晶速率變慢的影響。通過加入Bi，結晶速率得到改善，但是如果加入的量太多，那么初始化后反射信號的電路內分布變差，這不利地影響記錄特性。因此，這些加入的量在OSsl^O.09的范圍內。第二保護層含有由下列組成式(2)表示的材料作為主要成分。這里，主要成分優(yōu)選按質量計占每第份二保護層全部材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計卯％或更多。ZnO-Al陽Y[(100-a4—(34):a4:(34]---組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.5￡a45l0.0禾口0S|34525.0。Al是用于減小電阻的必需元素，并且加入量(a4)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選按質量計為1.0%到按質量計9.0%,最優(yōu)選按質量計2.0%到按質量計5.0%。如果加入量(012)為按質量計0.5%或更少，那么阻抗不能足夠小，然而反過來，如果加入量(a2)按質量計超過10%，那么阻抗可變大。Y是Mn、Ge和Ti中的至少一種元素，通過加入元素Y，存儲可靠性被進一步提高。在這些元素中，使用Mn作為Y，ZnO-Al-Mn對存儲可靠性可達到明顯的影響。其提高存儲可靠性的原因是未知的，但是可被認為如下。因為結晶加速作用不但使得能夠在高速記錄下擦除，而且促進已記錄的非晶態(tài)標記的結晶，因此據(jù)認為記錄數(shù)據(jù)的保存特性，即所謂的檔案特性被降低。作為用于提高這些特性的方法，據(jù)認為通過加入Mn、Ge和Ti結晶加速作用可被精細調整，并且高速記錄的擦除與檔案特性之間的相容成為可能。Y的添加量(P4)優(yōu)選為按質量計25.0%或更少，更優(yōu)選為按質量計10%到按質量計20%。如果加入量(p4)按質量計超過25%，那么結晶加速作用被損害，因此不能在高速記錄下進行擦除。第二保護層含有由下列組成式(3)表示的材料作為主要成分。該主要成分優(yōu)選按質量計占每份第二保護層完整材料的65%或更多，更優(yōu)選按質量計90%或更多。ZnO-Al203-Z[(100_a5-p5):a5:(35]陽—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和(35分別表示質量百分比，其中0.55a5S10.0和0鄰5530.0。對于ZnO，加入Al203、氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦作為模式可獲得與作為元素加入它們相似的效果。與加入量(a4)—樣，A1203的加入量(a5)優(yōu)選為按質量計0.5%到按質量計10.0%，更優(yōu)選為按質量計1.0%到按質量計9.0%，最優(yōu)選為按質量計2.0%到按質量計5.0%。Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種。至于Z，與添加元素Y相比，結晶加速作用稍微弱一些，加入量(P5)優(yōu)選為按質量計30%或更少，更優(yōu)選為按質量計15%到按質量計25%?？赏ㄟ^多種氣相生長方法形成記錄層，所述氣相生長方法例如真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子體CVD方法、光學CVD方法、離子電鍍法和電子束蒸發(fā)方法。在這些中，根據(jù)大量生產率和膜質量，優(yōu)選濺射方法。記錄層的厚度優(yōu)選為5nm到20nm,更優(yōu)選為10nm到15nm。如果厚度背離該范圍，很難得到足夠的記錄特性?？赏ㄟ^多種氣相生長方法形成第二保護層，所述氣相生長方法例如真空蒸發(fā)方法、濺射方法、等離子體CVD方法、光學CVD方法、離子電鍍法和電子束蒸發(fā)方法。在這些中，根據(jù)大量生產率和膜質量，優(yōu)選濺射方法。第二保護層的厚度優(yōu)選為5nm到50nm，更優(yōu)選為lOmn到40nm，最優(yōu)選為10nm到20nm。如果該厚度為5nm或更少，那么猝滅效應變得太大，并且記錄靈敏性和時基誤差特性變差，然而如果加入的量超過50nm，蓄熱作用(heataccumulationeffect)變得太大，形成非晶態(tài)標記變困難，因而時基誤差特性重寫性能變差。在本發(fā)明中，為了確保猝滅效應，第二保護層的電阻率優(yōu)選1.0xl0_4acm到1.0xl0acm，更優(yōu)選1.0x10—4Qcm到9.8xl00acm。盡管正確評估第二保護層的電介質材料的熱傳導性是困難的，在電介質材料用于透明傳導層的情況下，可使用電阻率作為替代，并且認為電阻率越小，熱傳導性變得越高。用于透明傳導層的電介質材料的電阻率的下限為大約1.0x10—4acm。如果電阻率大于1.0xlC^Q.cm，那么其不是優(yōu)選的，這是因為不能獲得足夠的猝滅效應。用于本發(fā)明的光學記錄介質的最有效的記錄線速度范圍為最大記錄線速度是30m/s到56m/s，而最小記錄線速度是10m/s至U14m/s。如果記錄線速度在該范圍內，那么穩(wěn)定的不產生異常標記的良好記錄特性和為DVD的標準線速度8x-速度或更高速度的高速記錄可以兼容。此外，大多數(shù)異常標記是3T標記，其為DVD的最短標記，因而認為其很大程度上取決于標記的長度。考慮到3T標記的長度為0.4pm并且接下來最長的4T標記是0.53lam這一事實，推測這類異常標記頻繁發(fā)生的標記長度為大約0.5nm或更少。事實上，在CD-RW介質中，最短的記錄標記長度是0.84pm，因此不存在此類實際問題。因此，為了使用本發(fā)明的光學記錄介質達到深遠的影響，需要實施最短記錄標記長度為0.5pm或更少的記錄。這里，本發(fā)明的光學記錄介質的組成的實例在圖6和圖7中示出。圖6是DVD+RW、DVD-RW和HD-DVD-RW的實例。圖7是藍光光盤的實例。圖6是具有至少第一保護層2、記錄層3、第二保護層4和反射層5的層壓形式，當從激光束照射一側觀看時，所述層以該順序形成于具有導槽的透明基底l上。在DVD和HD-DVD的情況下，通過旋涂有機保護層6在反射層5上形成，并且盡管沒有在圖6中示出，但是與基底相同大小的位置并通常與基底相同的材料被粘附。圖7是具有透明覆蓋層7、第一保護層2、記錄層3、第二保護層4和反射層5的層壓形式，當從激光束照射一側觀看時，所述層以該順序形成于具有導槽的透明基底I上。在圖6和圖7中示出的光學記錄介質是記錄層為單層類型的實例，然而，具有穿過透明中間層的兩層記錄層的光學記錄介質也可被使用。在這種情況下，從光的入射方向的前面的層需要是透明的以記錄背面層的復制。-基底-示例性基底材料是玻璃、陶瓷和樹脂。在這些中，考慮到可成形性和成本，優(yōu)選樹脂。樹脂的實例包括聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅氧垸系列樹脂、氟系列樹脂、ABS樹脂和氨基甲酸乙酯樹脂。在這些中，考慮到可成形性、光學性能和成本，特別優(yōu)選聚碳酸酯樹脂和丙烯酸樹脂。形成基底，使得大小、厚度和凹槽形狀滿足標準。依靠拾音器(pick-up)的伺服機構通過控制凹槽中心處待被照射的激光束，實施記錄和復制。對于該控制，監(jiān)控與光束掃描方向垂直的方向上通過導槽衍射的光，并且激光束被定位在凹槽的中心處，以便掃描方向的橫向信號水平被消除。用于該控制的衍射光的信號強度通過激光束直徑、凹槽寬度和凹槽深度之間的關系來確定，并且其通常被轉化為通常稱為推挽式信號的信號強度。隨著凹槽寬度增加，信號強度增加，但是有限制，這是因為記錄標記之間的磁道間距是固定的。例如，具有0.74nm磁道間距的DVD記錄系統(tǒng)在非記錄狀態(tài)下優(yōu)選具有0.2到0.6的信號強度。對于DVD+RW、DVD+R、DVD-RW和DVD-R,在它們各自的寫入標準中定義相似的值。JP-A號2002-237096公開與該值相應的凹槽寬度在該凹槽的底部優(yōu)選為0.17pm到0.30pm。對于高速光學記錄介質，其優(yōu)選為0.20pm到0.30pm。在使用藍光LD的記錄和復制系統(tǒng)中，凹槽寬度基于與光束直徑的線性關系而被相似地定義。在任何情況中，設定凹槽寬度為磁道間距的大約一半或者稍微小于磁道間距的一半。該導槽通常搖擺(wobble)，以便記錄設備在記錄時可取樣頻率。通過反轉該搖擺的相和改變確定范圍內的頻率，其允許輸入例如記錄所需的地址和信息。-第一保護層-用于第一保護層的材料沒有特別限定，并且其可根據(jù)應用從迄今已知的材料中適當選擇。其實例包括Si、Zn、In、Mg、Al、Ti和Zr的氧化物；Si、Ge、Al、Ti、B和Zr的氮化物；Zn和Ta的硫化物；Si、Ta、B、W、Ti和Zr的碳化物；類金鋼石碳；和它們的混合物。在這些中，優(yōu)選摩爾比接近7:3到8:2的ZnS和Si02的混合物。特別地，對于位于記錄層和基底之間并且易受由于熱膨脹、高溫和室溫改變引起的熱損傷的第一保護層而言，優(yōu)選基于摩爾的(ZnS)80(SiO2)20，這是因為光學常數(shù)、熱膨脹系數(shù)和彈性模型對于該組合物而言是最優(yōu)化的。以層壓形式使用不同的材料也是可能的。第一保護層對調節(jié)光學記錄介質的反射能力具有作用，并且第一保護層的厚度優(yōu)選為50nm到80nm。如果厚度為50nm或更小，那么該厚度的發(fā)射能力波動變大，然而如果厚度為80nm或更高，沉積時間延長，并且光學記錄介質的生產率可能下降。在用于DVD的薄基底中，基底變形成為問題。特別優(yōu)選的厚度是反射能力成為最小的厚度。已知第一保護層的厚度極大影響反射能力，并且由于厚度變化，反射能力表現(xiàn)如正弦波的變化。這里，如果選擇反射能力成為最低的厚度，則其導致記錄靈敏性和良好標記形成的提高，這是因為向記錄層的入射光是最有效的。然而，如果反射能力太低，那么讀出數(shù)據(jù)信號變困難。因此，存在最低反射能力的絕對值的下限。-反射層-作為反射層的材料，優(yōu)選金屬如Al、Au、Ag、Cu和它們的合金作為主要成分。合金中另外的元素的實例包括Bi、In、Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd禾卩Ta。反射層的厚度優(yōu)選為100nm至U300nm，更優(yōu)選為120nm到200nm。如果厚度為100nm或更少，可能不能得到熱輻射作用。另一方面，即使厚度為300nm或更多，熱輻射作用保持相同，因而僅僅形成不需要的厚度。-覆蓋層-在藍光光盤中的覆蓋層是使光入射和透射的層，其由具有l(wèi)O(Vm厚度的透明樹脂層形成。通過濺射上述層被順序形成于基底上。然后，形成并粘合有機保護膜，或者形成覆蓋層。在初始化過程后，產生光學記錄層。初始化是這樣的過程，其中l(wèi)x(數(shù)十至數(shù)百)pm的、具有1W到2W強度的激光束被掃描并照射，以使在膜沉積后即刻處于非晶形態(tài)的記錄層結晶。本發(fā)明提供如此光學記錄介質，其能控制異常標記的產生，進行標準線速度DVD的8x-速度或更高速度的高線速度記錄、具有對與DVD的標準線速度相同的3.3x-速度的優(yōu)良的向下兼容性、以及在寬范圍線速度中獲得時基誤差特性和復制錯誤特性兩方面都優(yōu)良的結果。實施例參考下面給出的實施例和比較實施例，本發(fā)明將被更詳細的闡述，然而，本發(fā)明不擬限定于公開的實施例。在實施例和比較實施例中制造的相變光盤的示意性結構在圖6中示出。(實施例A-l到A-21和比較實施例A-l到A-12)由ZnS-Si02(80mol%:20mol。/o)組成的、具有60nm厚度的第一保護層2，由在表Al和表A2(表Al和表A2中的值是原子比)中示出的相變材料組成的、具有14nm厚度的記錄層3，由ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量計2%:按質量計20%)組成的、具有l(wèi)lnm厚度的第二保護層4，以及由Ag組成的、具有200mn厚度的反射層5以該順序在聚碳酸酯基底上形成，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑和0.6mm的厚度并且具有形成于其上的導槽，該導槽的磁道間距為0.74pm、凹槽寬度(凹入部分)為0.3pm以及凹槽深度為30nm。使用RF磁控濺射方法形成第一保護層，并且使用DC磁控濺射方法形成記錄層、第二保護層和反射層。然后，在反射層的表面上，通過旋涂方法施用UV可固化樹脂(由DAINIPPONINKANDCHEMICALS,INCORPORATED制造，SD-318)，以便膜具有4nm到5nm的厚度，以形成耐環(huán)境保護層6,最后，與聚碳酸酯基底相似的基底(沒有示出)被層壓作為保護基底，從而制備出具有1.2mm厚度的相變光盤。然后，使用具有激光頭的初始化設備(由HitachiCapitalCorporation制造，POP120-7AH)對相變光盤初始化，該激光頭裝備有激光束聚焦功能，所述激光束具有830nm的輸出波長、1pm的寬度、75pm的長度和2W的最大輸出。使用DVD評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd,制造，DDU-1000)評估相變光盤的記錄特性，該設備具有光學拾音器(opticalpick-up)，其波長為660nm和數(shù)值孔徑NA為0.65。評估結果在表Al和表A2中示出。<記錄特性的評估>2T寫入策略(writestrategy)被用于記錄策略和用于脈沖寬度、寫入功率和擦除功率，使用最優(yōu)化條件。根據(jù)EFM+調制模式，在相同的五個磁道上分別以DVD3.3x-速度(11.5m/s)、DVD6x-速度(21m/s)、DVD8x-速度(28m/s)、DVD12x-速度(42m/s)和DVD16x-速度(56m/s)的記錄線速度，記錄隨機圖案10次，并且評估中間的磁道。[評估標準JA:時基誤差(cr/Tw)為10%或更少B:時基誤差(o/Tw)為10%以上作為復制設備，使用光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造，DDU-IOOO)，其具有拾音器，該拾音器的波長為650nm和透鏡NA為0.6，使用0.7mW的復制光功率評估相變光盤。評估結果在表Al和表A2中給出。通過以每一記錄線速度在400磁道上重復記錄10次(DOW10)，測量PI誤差即復制錯誤，并且在lx-速度下復制記錄的部分。[評估標準]A:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為100或更少B:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為200或更少C:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為300或更少D:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為超過300<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>表A2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>從在表Al和表A2中所示的結果，發(fā)現(xiàn)當使用實施例的光盤構造時，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(比較實施例A-13)與實施例A-15相似地制造相變光盤，除了使用在表A2中示出的實施例A-15的相變材料，使用ZnS-SiO2(80mol%:20mol。/。)形成第二保護層，其通常被用于相關領域，將第二保護層的厚度改為7nm，并且由TiC和Ti02以質量比7:3構成的、具有4nm厚度的中間層形成于該兩層之間，使得第二保護層中的硫成分不會影響反射層中的Ag。類似于在表A1中示出的那些對該光盤進行評估。結果，以3.3x-速度到8x-速度記錄的光盤的時基誤差被評估為B，然而，以12x-速度和16x-速度的時基誤差被評估為D，以3.3x-速度和8x-速度的光盤的PI誤差被評估為A，然而，以6x-速度、12x-速度和16x-速度的PI誤差被評估為D。(實施例A-22至A-27)與實施例A-15相似地制造相變光盤，除了使用在表A2中示出的實施例A-15的相變材料，對于第二保護層，使用具有表A3中示出的組成(按質量計％)材料。類似于表Al示出的那些評估所述光盤。評估結果在表A3中給出。表A3<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>從表A3的結果，發(fā)現(xiàn)當使用實施例A-22到A-27的結構時，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(實施例A-28到A-33)通過在濺射和控制氧數(shù)量的過程中將氧加入到實施例A-26中的第二保護層中，改變第二保護層的電阻率。通過四端方法測量電阻率，所述四端方法通常用于在聚碳酸酯樹脂基底上形成第二保護層的單層膜。通過與表Al示出的那些相似的方法，評估以該方式制造的相變光盤。評估結果在表A4中給出。實施例A-26也被示出用于對比。表A4<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>從表A4示出的結果，發(fā)現(xiàn)當使用實施例A-28到A-33的結構時，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(實施例A-34到A-47和比較實施例A-14到A-18)與實施例A-15相似地制造相變光盤，除了使用在表A2中實施例A-15示出的相變材料，對于第二保護層，使用具有表A5中示出的組成(按質量計％)的材料。類似于表A1示出的那些來評估光盤。評估結果在表A5中給出。表A5<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>從表A5所示的結果，發(fā)現(xiàn)，對于第二保護層，當使用由下列組成式(2)表示的材料時，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。ZnO-Al-Y[(100-a4—P4):a4:p4]…組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中0.5Sa4Sl0.0和0鄰4S25.0。(實施例A-48到A-62和比較實施例A-19到A-23)與實施例A-15相似地制造相變光盤，除了使用在表A2中的實施例A-15的相變材料，對于第二保護層，使用具有表A6中示出的組成(按質量計%)材料。類似于表A1示出的那些來評估光盤。評估結果在表A6中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>從表A6所示的結果，發(fā)現(xiàn)，對于第二保護層，當使用由下列組成式(3)表示的材料時，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。ZnO-Al203-Z[(100—a5—p5):a5:(35]—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和P5分別表示質量百分比，其中0.55a5^10.0和0^35^30.0。(實施例A-63到A-72)這里，當通過與表Al示出的那些相似的記錄方法進行記錄，并且在8(TC的溫度下和85%的相對濕度下儲存每張盤IOO小時時，評估實施例A-36、A-41、A-44、A-46、A-47、A陽50、A-55、A-59、A-61和A-62的每個光盤的時基誤差變化。對于實施例A-63到A-72的各個盤，評估結果在表A7中給出。發(fā)現(xiàn)本發(fā)明能夠提供具有優(yōu)良檔案特性的光盤。表A7<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(實施例A-73)具有140nm厚度的Ag99.5Bi05(原子％)的反射層，由ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量計2%:按質量計20%)構成的、具有12nm厚度的第二保護層，由實施例A-l示出的相同材料構成的記錄層，以及由ZnS-SiO2(80mol%:20mol。/。)構成的、具有33nm厚度的第一保護層以該順序、以與實施例A-l中相同的成膜方法在聚碳酸酯基底上形成，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑和l.lmm的厚度并且具有形成于其上的凹槽，該凹槽的間距為0.32nm、凹槽寬度(在凹入部分)為0.2pm以及凹槽深度為22nm。最后，將具有75nm厚度的粘合板通過具有25nm厚度的UV可固化樹脂層壓，以形成具有O.lmm厚度的光透明層；從而產生光學記錄介質。然后，以與實施例A-l相同的方式，初始化光學記錄介質。使用藍光光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造，ODU-IOOO)，評估每種所制備的光學記錄介質的記錄特性。使用波長為405nm、透鏡NA為0.85的拾音頭(pick-uphead)并使用具有0.149pm的最短標記長度的調制模式(1-7)RLL，記錄隨機圖案。使用LimitEQ，測量時基誤差，LimitEQ是一種用于評估藍光光盤的記錄特性的信號處理技術，因此在相同的5個磁道上實施記錄IO次并評估中間的磁道。對于隨機SER即復制錯誤，通過在每一記錄線速度下在400磁道上重復記錄10次(DOW10)，進行測量，并且用0.30mW的復制功率和4.9m/s的線速度復制已記錄的部分。結果如下。線速度時基誤差4.9m/s5.5%9.8m/s4.8%19.6m/s4.2%在作為藍光光盤的實際應用中，該值為足夠優(yōu)良的值，并且己證實利用實施例的結構可得到本發(fā)明的效果。(實施例B-l到B-26和比較實施例B-l到B-12)圖6示出實施例和比較實施例中制造的光學記錄介質的示意性橫截面圖。對于基底l，使用聚碳酸酯基底，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑和0.6mm的厚度并且具有形成于其上的導槽，該導槽的磁道間距為0.74nm、凹槽寬度為0.3pm、凹槽深度為30nm。第一保護層2是具有60nm厚度的ZnS-Si02(80mol%:20mol%)，記錄層3是由厚度為14nm、具有表Bl和表B2中示出的組成的相變材料構成的，第二保護層4由具有l(wèi)lnm厚度的ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量計2%:按質量計20%)構成，并且反射層5由具有200nm厚度的Ag構成。使用RF磁控濺射方法形成第一保護層2，使用DC磁控濺射方法形成記錄層3、第二保護層4和反射層5。然后，在將UV可固化樹脂(由DAINIPPONINKAND隨機SER4.5xl(T51.3xlO-52.0xl0—5CHEMICALS,INCORPORATED制造，SD318)作為耐環(huán)境保護層6施用到反射層5的表面上而硬化該UV可固化樹脂后，與基底1相似的基底(在圖中沒有示出)被層壓，從而得到具有1.2mm厚度的各光學記錄介質(光盤)。接下來，通過具有激光頭的初始化設備(由HitachiCapitalCorporation制造，POP120-7AH)對光盤初始化，所述激光頭裝備有激光束聚焦功能，所述激光束具有830nm的輸出波長、l|am的寬度、75pm的長度和2W的最大輸出。使用DVD評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造，DDU-1000)評估光學記錄介質的記錄特性，該DVD評估設備具有光學拾音器，該光學拾音器的波長為660nm和數(shù)值孔徑NA為0.65。2T寫入策略被用于記錄策略以及用于脈沖寬度、寫入功率和擦除功率，使用最適宜條件。根據(jù)EFM+調制模式，在相同的五個磁道上分別以DVD3.3x-速度(11.5m/s)、DVD6x-速度(21m/s)、DVD8x-速度(28m/s)、DVD12x-速度(42m/s)和DVD16x-速度(56m/s)的記錄線速度，記錄隨機圖案10次，并且評估中間的磁道。評估結果在表B1和表B2中給出。[評估標準]A:時基誤差(o/Tw)為10%或更少B:時基誤差(o/Tw)為10%以上通過在每一記錄線速度下在400磁道上重復記錄10次(DOW10)，測量PI誤差即復制錯誤，并且在lx-速度下復制已記錄的部分。作為復制設備，使用光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.，Ltd.制造，DDU-1000)，其具有拾音器，該拾音器的波長為650nm和透鏡NA為0.6，使用一0.7mW的復制光功率評估光學記錄介質。[評估標準]A:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為100或更少B:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為200或更少C:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為300或更少D:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為300以上表Bl時基誤差PI誤差<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>從表Bl和表B2示出的結果，發(fā)現(xiàn)在實施例B-l到B-26中，能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。在將實施例B-9和實施例B-10的光學記錄介質在80'C的溫度和85%的相對濕度下儲存100小時后，以上述相似的方法記錄隨機圖案。發(fā)現(xiàn)實施例B-10的光學記錄介質對每一線速度都表現(xiàn)出時基誤差和PI誤差的優(yōu)良結果，并且表示出優(yōu)良的儲存特性。然后，將實施例B-12、B-13、B-15的每一光學記錄介質的最佳寫入功率與B-16、B-18和B-19的每一光學記錄介質的最佳寫入功率相比較，發(fā)現(xiàn)實施例B-13、B-16和B-19的光學記錄介質的時基誤差值比實施例B-12、B-15和B-18的光學記錄介質的時基誤差值小2mW到3mW，并且表現(xiàn)出更優(yōu)良的記錄靈敏性。(比較實施例B-13)與實施例B-1相似地制造光學記錄介質，除了第二保護層的材料被改為ZnS-SiO2(80mol%:20mol%)，其通常被用于相關領域，將厚度改為7nm，并且由TiC和Ti02以質量比7:3構成的、具有4nm厚度的中間層形成于該兩層之間，使得第二保護層中的硫成分不會影響反射層中的Ag。使用RF磁控濺射方法形成第二保護層4和中間層。以與實施例B-l相似的方式評估光學記錄介質。評估結果表明，在3.3x-速度到8x-速度下的光盤時基誤差被評估為B,而在12x-速度和16x-速度下的時基誤差被評估為D，在3.3x-速度和8x-速度下的光盤PI誤差被評估為A，而在6x-速度、12x-速度和16x-速度下的PI誤差被評估為D。(實施例B-27到B-32)與實施例B-1相似地制造光學記錄介質，除了表B3中示出的材料被用于第二保護層4。對于每一化合物在欄中示出的值表示組成(按質量計％)。以與實施例B-l相似的方式評估這些光學記錄介質。結果在表B3中給出。表B3<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>從表B3中示出的結果，發(fā)現(xiàn)在實施例中能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(實施例B-33到B-37]與實施例B-l相似地制造光學記錄介質，除了使用與實施例B-31中第二保護層4相同的材料，通過在濺射和控制氧數(shù)量的過程中加入氧，改變電阻率。通過四端方法測量電阻率，所述四端方法通常用于在聚碳酸酯基底上形成第二保護層4的單層膜。以與實施例B-l相似的方式評估這些光學記錄介質，評估結果與實施例B-31的結果一起在表B4中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>從表B4示出的結果，發(fā)現(xiàn)光學記錄介質一一其第二保護層的電阻率為1.0xl(T4Q.cm到1.0xl(^Q.cm，可實施高速記錄并且可在寬線速度范圍內降低PI誤差和時基誤差特性。(實施例B-38到B-51和比較實施例B-14到B-18)與實施例B-l相似地制造光學記錄介質，除了在表B5中示出的材料被用于第二保護層4。對于每一化合物在欄中示出的值表示組成(按質量計％)。類似于實施例B-l示出的那些來評估這些光學記錄介質。結果在表B5中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>從表B5中示出的結果，發(fā)現(xiàn)當使用由下列組成式(2)表示的材料作為第二保護層4的材料時，能夠進行高線速度記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。ZnO-Al-Y[(100-a4-p4):a4:p4]-—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和|34分別表示質量百分比，其中0.5Sa4Sl0.0和0鄰4525.0。(實施例B-52到B-66和比較實施例B-19到B-23)與實施例B-l相似地制造光學記錄介質，除了在表B6中示出的材料被用于第二保護層4。對于每一化合物在欄中示出的值表示組成(按質量計%)。以與實施例B-l相似的方式評估這些光學記錄介質。結果在表B6中給出。表B6時基誤差PI誤差<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>從表B6中示出的結果，發(fā)現(xiàn)當使用由下列組成式(3)表示的材料作為第二保護層的材料時，能夠進行高線速度記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。ZnO-Al203-Z[(100—a5—卩5):a5:(35]…組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5禾卩(35分別表示質量百分比，其中0.5Sa5S10.0和05p5530.0。(實施例B-67到B-76)以與實施例B-l相似的方式在實施例B-40、B-45、B-48、實施例B-50、B-51、B-54、B-59、B-63、B-65和B-66的每一光學記錄介質記錄上記錄隨機圖案后，將所述光學記錄介質在8(TC的溫度下和85%的相對濕度下儲存100小時。光學記錄介質的每一個被作為實施例B-67到B-76，并且以與實施例B-l相似的方式評估時基誤差的變化。評估結果在表B7中給出。表B7<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>從表B7示出的結果，發(fā)現(xiàn)當將Mn、Ge、Ti或它們的混合物中的任何一種加入到ZnO-Al時，和當將Mn02、Ge02、Ti02或它們的混合物中的任何一種加入到ZnO-Al203時，時基誤差的增加比沒有加入它們中任一種的情況下更小，并且檔案特性比沒有加入它們中任一種的情況下更優(yōu)良。(實施例B-77)具有140nm厚度的Ag99.5Bi0.5(原子％)的反射層，由ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量計2%:按質量計20%)構成的、具有l(wèi)imn厚度的第二保護層，由實施例B-l示出的相同材料構成的記錄層，具有33nm厚度的ZnS-SiO2(80mo1。/。20mol。/。)的第一保護層被順序在聚碳酸酯基底上形成，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑、1.1mm的厚度并且具有形成于其上的導槽，該導槽的間距為0.32nm、凹槽寬度(在凹入部分)為0.2nm以及凹槽深度為22nm。最后，將75nm厚度的粘合板通過25nm厚度的UV可固化樹脂層壓，以形成具有0.1mm厚度的光透明層；從而產生光學記錄介質。然后，以相似于實施例B-l的方式，初始化光學記錄介質。使用藍光光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造，ODU-IOOO)，評估每一種已制備的光學記錄介質的記錄特性。使用具有波長405nm、透鏡NA0.85的拾音頭并使用具有0.149pm的最短標記長度的調制模式(1-7)RLL，記錄隨機圖案。設定記錄線速度為4.9m/s、9.8m/s和19.6m/s，并在選擇各自最佳的記錄功率后，記錄隨機圖案。使用LimitEQ，測量時基誤差，LimitEQ是一種用于評估藍光光盤的記錄特性的信號處理技術，因此在相同的5個磁道上實施記錄IO次并評估中間的磁道。而且，通過在每一記錄線速度下在400磁道上重復記錄10次(DOW10)，測量隨機SER——復制錯誤，并且利用0.30mW的復制功率和4.9m/s的線速度復制已記錄的部分。結果在下面給出。線速度時基誤差隨機SER4.9m/s5.5%3.5xlO一59.8m/s4.3%9,5xl(T619.6m/s4.9%1.8x10—5在作為藍光光盤的實際應用中，上述值為足夠優(yōu)良的值，并且已證實利用實施例的光學記錄介質的結構可得到本發(fā)明的效果。(實施例C-l到C-26和比較實施例C-l到C-12)具有如在圖6中所示的層組成的可相變的光學記錄介質被如下制造。具有60nm厚度的ZnS-Si02(80mol%:20mol。/。)的第一保護層2，具有在下列表C1和表C2中示出的組成的相變材料的、具有14mn厚度的記錄層3，具有l(wèi)lnm厚度的ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量及2%:按質量計20%)的第二保護層4，以及由Ag組成的、具有200nm厚度的反射層5順序在聚碳酸酯基底1上形成，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑、0.6mm的厚度并且具有形成于其上的導槽，該導槽的間距為0.74pm、凹槽寬度(凹入部分)為0.3pm以及凹槽深度為30nm。使用RF磁控濺射方法形成第一保護層2，并且使用DC磁控濺射方法形成記錄層3、第二保護層4和反射層5。然后，將UV可固化樹脂施用到反射層5上以形成耐環(huán)境保護層6，最后，與基底1相似的基底(在圖中沒有示出)被層壓，從而得到具有1.2mm厚度的光學記錄介質。接下來，通過具有激光頭的初始化設備(由HitachiCapitalCorporation制造，POP120-7AH)對光盤初始化，所述激光頭裝備有激光束聚焦功能，所述激光束具有830nm的輸出波長、lpm的寬度、75pm的長度和2W的最大輸出。使用DVD評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造，DDU-1000)評估光學記錄介質的記錄特性，該DVD評估設備具有光學拾音器，該光學拾音器的波長為660nm和數(shù)值孔徑NA為0.65。2T寫入策略被用于記錄策略以及用于脈沖寬度、寫入功率和擦除功率，使用最適宜條件。根據(jù)EFM+調制模式，在相同的五個磁道上，分別以DVD3.3x墨速度(11.5m/s)、DVD6x-速度(21m/s)、DVD8x-速度(28m/s)、DVD12x-速度(42m/s)和DVD16x-速度(56m/s)的記錄線速度，記錄隨機圖案10次，并且評估中間的磁道。[評估標準]A:時基誤差cj/Tw為10%或更少B:時基誤差(j/Tw為10%以上通過在每一記錄線速度下在400磁道上重復記錄10次(DOW10)，測量PI誤差即復制錯誤，并且在lx-速度下復制已記錄的部分。作為復制設備，使用光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的DDU-IOOO)，其具有拾音器，該拾音器的波長為650nm和透鏡NA為0.6，使用0.7mW的復制光功率評估光學記錄介質。[評估標準JA:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為100或更少B:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為200或更少C:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為300或更少D:復制錯誤(PI誤差)的數(shù)目為300以上評估結果在表Cl和表C2中給出。<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>表C2<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>從表Cl和表C2示出的結果，發(fā)現(xiàn)實施例C-l到C-26的光學記錄介質能夠進行高速記錄，可具有向下兼容性，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。然后，將實施例C-9和實施例C-10的光學記錄介質在8(TC的溫度和85%的相對濕度下儲存100小時。此后，以相似的記錄方法將隨機圖案記錄在實施例C-9和實施例C-10的光學記錄介質上，結果在表Cl和表C2中示出，并且發(fā)現(xiàn)實施例C-10的光學記錄介質對每一線速度在時基誤差和PI誤差上表現(xiàn)出優(yōu)良的結果。然后，比較實施例C-12、實施例C-13、實施例C-15、實施例C-16、實施例C-18和實施例C-19的光學記錄介質的最佳寫入功率，發(fā)現(xiàn)實施例C-13、實施例C-16和實施例C-19比相應的實施例C-12、實施例C-15和實施例C-18小2mW到3mW，并且表現(xiàn)出更優(yōu)良的記錄靈敏性。(比較實施例C-13)與實施例C-1相似地制造光學記錄介質，除了第二保護層4的材料被改為ZnS-Si02(80mol%:20mol%)，其通常被用于相關領域，將厚度改為7nm，并且在兩層之間形成具有4nm厚度的中間層，該中間層由TiC和Ti02以質量比7:3構成，使得第二保護層中的硫成分不會影響反射層中的Ag。結果，在3.3x-速度到8x-速度下盤的時基誤差被評估為B，而在12x-速度和16x-速度下的時基誤差被評估為D，在3.3x-速度和8x-速度下盤的PI誤差被評估為A，而在6x-速度、12x-速度和16x-速度下的PI誤差被評估為D。(實施例C-27到C-32)以與實施例C-l相似的方式制造和評估光學記錄介質，除了第二保護層4的材料被變?yōu)橄旅姹鞢3中示出的材料。表C3中材料欄中示出的值的單位為按質量計％。結果在表C3中給出。表C3<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>從表C3中示出的結果，發(fā)現(xiàn)在實施例C-27到C-32的光學記錄介質能夠進行高速記錄，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(實施例C-33到C-38]以與實施例C-31相似的方式制造和評估光學記錄介質，除了通過在第二保護層4濺射形成和控制氧數(shù)量的過程中加入氧來改變電阻。使用四端方法測量電阻，所述四端方法通常用于將第二保護層4的單層膜形成到聚碳酸酯基底上。該結果與實施例C-31—起在表C4中給出。表C4<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>從表C4中示出的結果，發(fā)現(xiàn)當?shù)诙Ｗo層的電阻率在1.0x10—4acm到1.0x10A.cm的范圍內時，能夠進行高速記錄，可覆蓋向下兼容性，并且在寬線速度范圍內PI誤差和時基誤差特性都可被降低。(實施例C-39到C-52和比較實施例C-14到C-18)以與實施例C-l相似的方式制造和評估光學記錄介質，除了第二保護層4的材料被改為下面表C5中示出的材料。表材料欄中示出的值的單位為按質量計％。結果在表C5中給出。表C5<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>從表C5中示出的結果，發(fā)現(xiàn)當由下列組成式(2)表示的材料被用于第二保護層時，能夠進行高速記錄，可具有向下兼容性，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。ZnO-Al-Y[(100—a4—卩4):a4:p4]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和(34分別表示質量百分比，其中0.5Sa4^10.0禾Q0Sp4^25.0。(實施例C-53到C-67和比較實施例C-19到B-23)以與實施例C-l相似的方式制造和評估光學記錄介質，除了第二保護層4的材料被改為下面表C6中示出的材料。表C6中材料欄中示出的值的單位為按質量計％。結果在表C6中給出。表C6<table>tableseeoriginaldocumentpage64</column></row><table>從表C6中示出的結果，發(fā)現(xiàn)當由下列組成式(3)表示的材料被用于第二保護層時，能夠進行高速記錄，可具有向下兼容性，并且在寬線速度范圍內，PI誤差和時基誤差特性都可被降低。—-組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；ct5和)35分別表示質量百分比，其中0.5Sx5Sl0.0和0鄰5S30.0。(實施例C-68到C-77)以與上述實施例相似的方式在實施例C-41、C-46、C-50、C-51、C-52、C-55、C-60、C-64、C-66和C-67的光學記錄介質記錄上記錄隨機圖案，然后，將光學記錄介質在8(TC的溫度下和85%的相對濕度下儲存100小時。這些光學記錄介質分別被稱為實施例C-68到C-77,并評估時基誤差值的變化。結果在表C7中給出。表C7<table>tableseeoriginaldocumentpage65</column></row><table>從表C7中示出的結果，發(fā)現(xiàn)實施例C-68到C-77在實際應用中關于檔案特性表現(xiàn)出足夠良好的結果。(實施例C-78)具有140nm厚度的Ag995Bi05(原子％)的反射層，由ZnO-Al-Mn(按質量計78%:按質量計2%:按質量計20%)構成的、具有l(wèi)lnm厚度的第二保護層，由實施例C-l示出的相同材料構成的、具有14nm厚度的記錄層，具有40nm厚度的ZnS-Si02(80mol%:20mol。/。)的第一保護層被順序在聚碳酸酯基底上形成，所述聚碳酸酯基底具有120mm的直徑、l.lmm的厚度并且具有形成于其上的導槽，該導槽的間距為0.32pm、凹槽寬度(在凹入部分)為0.2pm、凹槽深度為22nm。最后，將具有75nm厚度的粘合板通過具有25nm厚度的UV可固化樹脂層壓，以形成具有0.1mm厚度的光透明層；從而產生光學記錄介質。然后，以相似于實施例C-1的方式，初始化光學記錄介質。使用藍光光盤評估設備(由PulstecIndustrialCo.,Ltd.制造的ODU-1000)評估每一種已制備光學記錄介質的記錄特性。使用具有波長405nm、透鏡NA0.85的拾音頭并使用具有0.149^un的最短標記長度的調制模式(1-7)RLL，記錄隨機圖案。設定記錄線速度為4.9m/s、9.8m/s和19.6m/s，并在選擇各自最佳的記錄功率后，記錄隨機圖案。使用LimitEQ測量時基誤差，LimitEQ是一種用于評估藍光光盤的記錄特性的信號處理技術，因此在相同的5個磁道上實施記錄10次并評估中間的磁道。而且，通過在每一記錄線速度下在400磁道上重復記錄10次(DOWIO),測量隨機SER——復制錯誤，并且利用0.30mW的復制功率和4.9m/s的線速度復制已記錄的部分。結果在下面給出。線速度時基誤差4.9m/s5.8%9.8m/s4.6%19.6m/s5.2%在作為藍光光盤的實際應用中，上述值為足夠優(yōu)良的值，并且已證實利用實施例的光學記錄介質的結構可得到本發(fā)明的效果。[工業(yè)應用性]本發(fā)明的光學記錄介質被優(yōu)選用于具有記錄層的高密度可記錄光學記錄介質，例如如DVD+RW、DVD-RW、BD-RE、HD-DVD-RW。隨機SER5.0xl0—5Ux10-權利要求1.光學記錄介質，包括第一保護層，記錄層，第二保護層，和反射層，當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀看時，這些層以該順序形成，其中所述記錄層包含由下列組成式(1-1)、組成式(1-2)和組成式(1-3)中任一種表示的相變材料；和所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫及其混合物、由下列組成式(2)表示的材料和由下列組成式(3)表示的材料中的至少一種，Inα1Sbβ1X1γ1---組成式(1-1)其中X1是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；α1、β1和γ1分別表示原子比，其中0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15，Gaα2Sbβ2Snγ2Geδ2X2ε2---組成式(1-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；α2、β2、γ2、δ2和ε2分別表示原子比，其中0.04≤α2≤0.09、0.56≤β2≤0.79、0.05≤γ2≤0.30、0.03≤δ2≤0.19和0≤ε2≤0.09，Mnα3Sbβ3Snγ3Geδ3X3ε3---組成式(1-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；α3、β3、γ3、δ3和ε3分別表示原子比，其中0.04≤α3≤0.09、0.56≤β3≤0.79、0.05≤γ3≤0.29、0.03≤δ3≤0.23和0≤ε3≤0.09，ZnO-Al-Y[(100-α4-β4)α4β4]---組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；α4和β4分別表示質量百分比，其中0.5≤α4≤10.0和0≤β4≤25.0，ZnO-Al2O3-Z[(100-α5-β5)α5β5]---組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；α5和β5分別表示質量百分比，其中0.5≤α5≤10.0和0≤β5≤30.0。2.根據(jù)權利要求1所述的光學記錄介質，進一步包括透明基底，其中當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀看時，至少所述第一保護層、所述記錄層、所述第二保護層和所述反射層以該順序在所述透明基底上形成。3.根據(jù)權利要求1所述的光學記錄介質，進一步包括透明覆蓋層，其中當從用于記錄和復制的激光束照射一側觀看時，所述透明覆蓋層、所述第一保護層、所述記錄層、所述第二保護層和所述反射層以該順序在基底上形成。4.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物中的至少一種，InoaSbpiXl"—-組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pi和^分別表示原子比，其中0.10SxlS0.25、0.65^31^0.80禾卩0.04Sy1S0.15。5.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，InalSbpiXlYl-—組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、pi和"/1分別表示原子比，其中0.10Sal50.25、0.65SplS0,80禾卩0.04^ylS0.15，ZnO-Al-Y[(100-a4—卩4):a4:卩4]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.5^x4510.0和0S|34S25.0。6.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-l)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，InoaSVXV…組成式(l-l)其中Xl是選自Ge、Te、Zn和Mn的至少一種；al、|31和yl分別表示原子比，其中0.10￡alS0.25、0.65鄰1￡0.80和0.04^/150.15，ZnO-Al203-Z[(100-a5—卩5):a5:p5]—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和|35分別表示質量百分比，其中0.5Sx5S10.0和0^5^30.0。7.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種，Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2￡2—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、(32、丫2、52和e2分別表示原子比，其中0.04Sa2S0.09、0.56鄰2^0.79、0.05^2^0.30、0.03S2S0.19和0S必0.09。8.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Gaa2Sb|32SnY2GeS2X2E2—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、|32、丫2、52和s2分別表示原子比，其中0.045a2S0.09、0.56S(32^X79、0.05鄰S0.30、0.03^2^0.19和0S必0.09,ZnO-Al-Y[(100—a4—p4):a4:卩4]—組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和p4分別表示質量百分比，其中0.5Sa4510.0和0S卩4S25.0。9.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-2)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Gaa2Sbp2SnY2GeS2X2E2—組成式(l-2)其中X2是選自Te、Zn、Mn和In的至少一種；a2、p2、Y2、S2和s2分別表示原子比，其中0.04Sa2S0.09、0.56Sp250.79、0.055丫250.30、0.03SS2^).19和ZnO-Al2OrZ[(100—a5-p5):a5:p5]-—組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和P5分別表示質量百分比，其中0.5Sa55l0.0和05P5S30.0。10.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫和它們的混合物的至少一種，Mna3Sbp3SnY3GeMX3E3-—組成式(1陽3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、(33、^、S3和s3分別表示原子比，其中0.045a3S0.09、00.79、0,05鄰^0.29、0.03^3^0.23和11.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(2)表示的材料，Mna3Sbp3SnY3GeS3X3e3—組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、(33、^、53和s3分別表示原子比，其中0.04Sa3S0.09、0.56鄰3^0.79、0.05^3^0.29、0.03^350,23和<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>組成式(2)其中Y是選自Mn、Ge和Ti的至少一種；a4和|34分別表示質量百分比，其中0.55a4￡l0.0和0S(34S25.0。12.根據(jù)權利要求1到3任一項所述的光學記錄介質，其中所述記錄層包含由下列組成式(l-3)表示的相變材料；并且所述第二保護層包含由下列組成式(3)表示的材料，Mna3Sbp3SnY3Ge53X3E3…組成式(l-3)其中X3是選自Te、In、Zn和Bi的至少一種；a3、(33、Y3、S3和s3分別表示原子比，其中0.0化a3S0.09、0.56^,0.79、0,05^3^0.29、0,03^3^0.23和03350.09，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>組成式(3)其中Z表示氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦及其混合物中的任一種；a5和卩5分別表示質量百分比，其中0.5Sa5510.0和0Sp5S30.0。13.根據(jù)權利要求1到12任一項所述的光學記錄介質，其中所述第二保護層的電阻率為1.0xlO-4Q.cm到1.0xl0&.cm。14.根據(jù)權利要求1到13任一項所述的光學記錄介質，其中最大記錄線速度為30m/s到56m/s，并且最小記錄線速度為10m/s到14m/s。15.根據(jù)權利要求1到14任一項所述的光學記錄介質，其中最短記錄標記長度為0.5pm或更小。全文摘要具有第一保護層、記錄層、第二保護層和反射層的光學記錄介質，其中記錄層含有式(1-1)、式(1-2)或式(1-3)表示的相變材料；第二保護層含有一種選自氧化鋅、氧化銦、氧化錫、它們的混合物、式(2)的材料和式(3)的材料的材料。式(1-1)In_α1Sb_β1X1_γ1(X1Ge、Te、Zn、Mn或它們的混合物，0.10≤α1≤0.25、0.65≤β1≤0.80和0.04≤γ1≤0.15)；式(1-2)Ga_α2Sb_β2Sn_γ2Ge_δ2X2_ε2(X2Te、Zn、Mn、In或它們的混合物，0.04≤α2≤0.09、0.56≤β2≤0.79、0.05≤γ2≤0.30、0.03≤δ2≤0.19和0≤ε2≤0.09)；式(1-3)Mn_α3Sb_β3Sn_γ3Ge_δ3X3_ε3(X3Te、In、Zn、Bi或它們的混合物，0.04≤α3≤0.09、0.56≤β3≤0.79、0.05≤γ3≤0.29、0.03≤δ3≤0.23和0≤ε3≤0.09)；式(2)ZnO-Al-Y[(100-α4-β4):α4:β4](YMn、Ge、Ti或它們的混合物，0.5≤α4≤10.0和0≤β4≤25.0)；式(3)ZnO-Al₂O₃-Z[(100-α5-β5):α5:β5](Z氧化錳、氧化鍺、二氧化鈦或它們的混合物，0.5≤α5≤10.0和0≤β5≤30.0)。文檔編號G11B7/254GK101400522SQ20078000836公開日2009年4月1日申請日期2007年3月2日優(yōu)先權日2006年3月10日發(fā)明者伊藤和典,出口浩司,大倉浩子,巖佐博之,日比野榮子,讓原肇申請人:株式會社理光