專利名稱：盤(pán)裝置、讀寫(xiě)頭滑塊及讀寫(xiě)頭支承裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用浮起型的讀寫(xiě)頭滑塊的磁盤(pán)裝置等的盤(pán)裝置及其使用的讀寫(xiě)頭滑塊和讀寫(xiě)頭支承裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，正在探討在磁盤(pán)裝置等的盤(pán)裝置中使讀寫(xiě)頭滑塊的浮起量在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)外周穩(wěn)定的課題。一般來(lái)說(shuō)，因?yàn)楸P(pán)裝置的存儲(chǔ)介質(zhì)以一定的速度旋轉(zhuǎn)，所以在其內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)流入讀寫(xiě)頭滑塊和存儲(chǔ)介質(zhì)之間的空氣流的速度不同，而由于該不同導(dǎo)致讀寫(xiě)頭滑塊的浮起量變動(dòng)。使用這樣的存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周的浮起量變動(dòng)大的讀寫(xiě)頭滑塊而構(gòu)成盤(pán)裝置時(shí)，產(chǎn)生存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)的單位區(qū)域的殘留磁通密度在存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周不同，或使相鄰磁道的噪音等再現(xiàn)等的問(wèn)題。
另一方面，對(duì)盤(pán)裝置要求高存儲(chǔ)容量化和隨之產(chǎn)生的存儲(chǔ)介質(zhì)密度的提高。隨之而來(lái)地，在盤(pán)裝置中使用的浮起型讀寫(xiě)頭滑塊中，使讀寫(xiě)頭盡可能接近存儲(chǔ)介質(zhì)已成為重要的課題。現(xiàn)在，要求磁盤(pán)裝置使用的浮起型讀寫(xiě)頭滑塊從存儲(chǔ)介質(zhì)離開(kāi)的浮起量減小到大約10nm左右。
在使用這樣的低浮起量的讀寫(xiě)頭滑塊的磁盤(pán)裝置中，為了謀求該讀寫(xiě)頭滑塊的浮起量的穩(wěn)定而進(jìn)行了各種各樣的研究。作為其中一例提出了以下技術(shù)方案通過(guò)適當(dāng)調(diào)節(jié)賦予讀寫(xiě)頭滑塊負(fù)荷的浮起體和讀寫(xiě)頭滑塊接觸的樞軸位置，將存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周的浮起量的差抑制到大約1nm(例如，參照特開(kāi)2002-203305號(hào)公報(bào))。
而且，近年來(lái)，靈活運(yùn)用其存儲(chǔ)容量大和相對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的低成本等的長(zhǎng)處，并將磁盤(pán)裝置安裝在便攜式電話、PDA、數(shù)碼相機(jī)以及小型筆記本電腦等的可移動(dòng)的便攜式信息設(shè)備的要求越來(lái)越強(qiáng)烈。
為了將磁盤(pán)裝置安裝在這樣的攜帶信息設(shè)備上，顯然必須使磁盤(pán)裝置自身小型化和使讀寫(xiě)頭滑塊低浮起量化，并要求盤(pán)裝置自身也可搬運(yùn)，所以要求對(duì)跌落和來(lái)自外部的沖擊等也可進(jìn)行穩(wěn)定的信號(hào)的存儲(chǔ)和再現(xiàn)，即提高所謂耐沖擊性。
對(duì)于提高其耐沖擊性，本申請(qǐng)人已經(jīng)提出了以下技術(shù)方案，即通過(guò)在基面上的空氣流入端側(cè)及空氣流出端側(cè)分別設(shè)置空氣軸承部，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)這兩個(gè)空氣軸承部的應(yīng)相對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)的面(以下記為空氣潤(rùn)滑面)的形狀，控制各自的空氣軸承部產(chǎn)生的壓力，可吸收沖擊，防止讀寫(xiě)頭滑塊和存儲(chǔ)介質(zhì)的沖擊(例如，參照特開(kāi)2003-30946號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2003-115178號(hào)公報(bào))。根據(jù)這樣的讀寫(xiě)頭滑塊可提供具有大約750G(1G＝9.8m/s2)程度的高耐沖擊性的讀寫(xiě)頭滑塊。
但是，至于在具有可搬運(yùn)性的攜帶信息設(shè)備上安裝上述專利文獻(xiàn)1所述的磁盤(pán)裝置時(shí)，雖然實(shí)現(xiàn)了抑制磁盤(pán)裝置的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)并實(shí)現(xiàn)了低浮起量，但不能充分地提高耐沖擊性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而開(kāi)發(fā)的，其目的在于提供可實(shí)現(xiàn)高耐沖擊性及低浮起量，并能抑制存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置和其使用的讀寫(xiě)頭滑塊及讀寫(xiě)頭支承裝置。
本發(fā)明的盤(pán)裝置具有旋轉(zhuǎn)的圓盤(pán)形存儲(chǔ)介質(zhì)和讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊在由流入存儲(chǔ)介質(zhì)間的空氣流而浮起，在存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周相對(duì)存儲(chǔ)磁道形成不同的斜交角的狀態(tài)下使用，具有設(shè)置在空氣流入端側(cè)的第一空氣軸承部和設(shè)置在空氣流出端側(cè)的第二空氣軸承部，其中，讀寫(xiě)頭滑塊的第二空氣軸承部具有設(shè)置最靠近在空氣流出端側(cè)的正壓產(chǎn)生部和從正壓產(chǎn)生部的兩端部分別在空氣流入端側(cè)方向上延伸的第一臂狀部和設(shè)置在第一臂狀部?jī)?nèi)周側(cè)的第二臂狀部，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力高，并以此來(lái)設(shè)置讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部和第二臂狀部各自的延伸方向。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)榫哂性诳諝饬魅攵藗?cè)和空氣流出端側(cè)分別有空氣軸承部的讀寫(xiě)頭滑塊，所以從外部施加沖擊時(shí)也可吸收該沖擊，并可提供低浮起量時(shí)也具有優(yōu)良耐沖擊性的盤(pán)裝置。另外，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力高，并以此來(lái)設(shè)置讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部及第二臂狀部各自的延伸方向，從而，因?yàn)榭梢种瓢殡S在外周側(cè)的空氣流入速度的增加而上升的浮起量，所以可抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)。
另外，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊的情況下，在第一臂狀部和被第一臂狀部、第二臂狀部以及正壓產(chǎn)生部包圍的凹部之間產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊的情況下，在第一臂狀部和凹部之間產(chǎn)生的壓力小，并以此來(lái)設(shè)置第一臂狀部的延伸方向。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诘谝槐蹱畈亢桶疾恐g產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)上使用的情況下在第一臂狀部和凹部之間產(chǎn)生的壓力小，并以此來(lái)設(shè)置第一臂狀部的延伸方向，所以還可容易抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)。
另外，第二臂狀部在比存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)及內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)各自的空氣流入方向小的角度方向上延伸，第一臂狀部在比存儲(chǔ)介質(zhì)的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)的空氣流入方向小，并且比存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)的空氣流入方向大的角度方向上延伸。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诘诙蹱畈亢桶疾恐g，在內(nèi)周側(cè)及外周側(cè)的整個(gè)區(qū)域上產(chǎn)生充分的正壓，并且在第一臂狀部和凹部之間，在內(nèi)周側(cè)產(chǎn)生正壓在外周側(cè)產(chǎn)生負(fù)壓，所以還可實(shí)現(xiàn)耐沖擊性并可抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)。
進(jìn)而，可以在讀寫(xiě)頭滑塊的第二空氣軸承部的最靠近空氣流出端側(cè)的最表面上具有讀寫(xiě)頭。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)榭諝饽傂愿叩牡诙諝廨S承部上設(shè)有讀寫(xiě)頭，所以可提供耐沖擊性優(yōu)良的盤(pán)裝置。
進(jìn)而，讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部的延伸方向可相對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊的縱向成-30°以上、10°以下。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，還可以實(shí)現(xiàn)抑制存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置。
另外，將讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部的與延伸方向平行的方向的寬度設(shè)為C，將凹部的空氣流入端側(cè)的第一臂狀部的與延伸方向平行的方向的寬度一半值設(shè)為A，則可以是滿足0.3≤A/(A+C)≤0.9的關(guān)系的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，還可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步抑制存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置。
并且，讀寫(xiě)頭滑塊的第一空氣軸承部可以具有一對(duì)側(cè)導(dǎo)軌部。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，還可以實(shí)現(xiàn)加強(qiáng)滾動(dòng)方向的振動(dòng)等的結(jié)構(gòu)。
可以設(shè)置一對(duì)側(cè)導(dǎo)軌部、第一臂狀部、第二臂狀部以及正壓產(chǎn)生部使其距基面的高度相同。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)性優(yōu)良的實(shí)用性高的結(jié)構(gòu)。
另外，可以是包括具有從與設(shè)有第一空氣軸承部及第二空氣軸承部側(cè)相反的一側(cè)對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊施加規(guī)定的作用力的浮起體的讀寫(xiě)頭支承裝置的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可進(jìn)一步由浮起體保持讀寫(xiě)頭滑塊而實(shí)現(xiàn)高耐沖擊性。
另外，浮起體可以是具有對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊施加規(guī)定的作用力的樞軸部的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)檫€可在間距方向和滾動(dòng)方向上保持讀寫(xiě)頭滑塊自由動(dòng)作，所以還可提供耐沖擊性優(yōu)良的盤(pán)裝置。
另外，可以具有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)的驅(qū)動(dòng)裝置、在存儲(chǔ)介質(zhì)的半徑方向上旋轉(zhuǎn)讀寫(xiě)頭支承裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置、控制轉(zhuǎn)動(dòng)裝置的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)及轉(zhuǎn)動(dòng)裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)的控制裝置。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，還可提供由轉(zhuǎn)動(dòng)裝置轉(zhuǎn)動(dòng)讀寫(xiě)頭支承裝置而可使讀寫(xiě)頭滑塊移動(dòng)到希望的磁道位置的盤(pán)裝置。
而且，當(dāng)將讀寫(xiě)頭支承裝置的樞軸部和讀寫(xiě)頭滑塊接觸的位置設(shè)為樞軸位置時(shí)，可以為讀寫(xiě)頭滑塊的重心位置和樞軸位置對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)面投影的位置實(shí)質(zhì)上一致的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵跊_擊等的作用下也難以對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊產(chǎn)生慣性轉(zhuǎn)矩，并可降低讀寫(xiě)頭滑塊移動(dòng)的可能性，所以可提供耐沖擊性優(yōu)良的盤(pán)裝置。
另外，存儲(chǔ)介質(zhì)可以是磁存儲(chǔ)介質(zhì)，讀寫(xiě)頭可以是磁頭。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，還可提供耐沖擊、低浮起量以及可抑制內(nèi)外周上的浮起量的變動(dòng)的磁盤(pán)裝置。
接下來(lái)，本發(fā)明的讀寫(xiě)頭滑塊具有由流入旋轉(zhuǎn)的圓狀的存儲(chǔ)介質(zhì)之間的空氣流而浮起，并相對(duì)存儲(chǔ)磁道在存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周形成不同斜交角的狀態(tài)下使用的、設(shè)置在空氣流入端側(cè)的第一空氣軸承部和設(shè)置在空氣流出端側(cè)的第二空氣軸承部，其中，讀寫(xiě)頭滑塊的第二空氣軸承部具有設(shè)置在最靠近空氣流出端側(cè)的正壓產(chǎn)生部、分別從正壓產(chǎn)生部的兩端部向空氣流入端側(cè)方向延伸的第一臂狀部以及設(shè)置在第一臂狀部?jī)?nèi)周側(cè)的第二臂狀部，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力高，并以此來(lái)設(shè)置讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部及第二臂狀部的延伸方向。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诳諝饬魅攵藗?cè)和空氣流出端側(cè)分別具有空氣軸承部，所以在從外部施加沖擊的情況下，也可吸收其沖擊并可提供低浮起量時(shí)也具有優(yōu)良耐沖擊性的讀寫(xiě)頭滑塊。另外，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力變大，通過(guò)以此來(lái)設(shè)置讀寫(xiě)頭滑塊的第一臂狀部和第二臂狀部各自的延伸方向，可抑制外周側(cè)的浮起量隨空氣流入速度的增加而上述，所以可抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)。
本發(fā)明的讀寫(xiě)頭支承裝置具有本發(fā)明的讀寫(xiě)頭滑塊和與從設(shè)置有第一空氣軸承部及第二空氣軸承部側(cè)相反的一側(cè)對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊施加規(guī)定的作用力的浮起體。由這樣的結(jié)構(gòu)，可提供低浮起量、耐沖擊并且能夠抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置所適用的讀寫(xiě)頭支承裝置。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的盤(pán)裝置、讀寫(xiě)頭滑塊裝置以及讀寫(xiě)頭支承裝置，可提供能夠?qū)崿F(xiàn)高耐沖擊性、低浮起量并且可抑制存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置，并可提供適用與該盤(pán)裝置的讀寫(xiě)頭滑塊以及讀寫(xiě)頭支承裝置。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置的主要部分的立體圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置上安裝的讀寫(xiě)頭支承裝置的主要部分的立體圖；圖3(A)、圖3(B)是說(shuō)明定義本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置的斜交角的圖；圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面的形狀的立體圖；圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面的形狀的平面圖；圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置的從存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的讀寫(xiě)頭滑塊的浮起量的變動(dòng)的圖；
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例的比較例的讀寫(xiě)頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面的形狀的立體圖；圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例的比較例的讀寫(xiě)頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面的形狀的平面圖；圖9是表示安裝本發(fā)明實(shí)施例的比較例的讀寫(xiě)頭滑塊的盤(pán)裝置的從存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的讀寫(xiě)頭滑塊浮起量的變動(dòng)的圖；圖10(A)是本發(fā)明實(shí)施例的比較例的讀寫(xiě)頭滑塊外周側(cè)的壓力分布圖；圖10(B)是本發(fā)明實(shí)施例的比較例的讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)周側(cè)的壓力分布圖；圖11(A)是本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊外周側(cè)的壓力分布圖；圖11(B)是本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)周側(cè)的壓力分布圖；圖12(A)是表示本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖12(B)是由本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊外周側(cè)的第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力分布圖；圖12(C)是由本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)周側(cè)的第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力分布圖；圖13(A)是表示改變本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊第一臂狀部的延伸方向的情況下內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)量的圖；圖13(B)是說(shuō)明本實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊第一臂狀部的延伸方向的定義的圖；圖14(A)是表示本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊第一臂狀部的寬度的定義的圖；圖14(B)是表示改變本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊第一臂狀部的寬度的情況下存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)量的圖；圖15是表示比較本發(fā)明實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊和比較例的讀寫(xiě)頭滑塊的耐沖擊性的結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例)參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置的結(jié)構(gòu)。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的盤(pán)裝置1的主要部分的立體圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，以磁盤(pán)裝置為例說(shuō)明盤(pán)裝置。
在圖1中，盤(pán)狀存儲(chǔ)介質(zhì)(以下簡(jiǎn)稱為存儲(chǔ)介質(zhì))2被主軸3自由旋轉(zhuǎn)地支承并被驅(qū)動(dòng)裝置4旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。該驅(qū)動(dòng)裝置4例如可使用主軸電動(dòng)機(jī)。
具有對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)2進(jìn)行存儲(chǔ)再現(xiàn)的磁頭(未圖示)的后述的磁頭滑塊5被保持在磁頭支承裝置7的一端。該磁頭支承部件7固定在驅(qū)動(dòng)臂8上，并且驅(qū)動(dòng)臂8自由轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在驅(qū)動(dòng)軸9上。
作為使驅(qū)動(dòng)臂8轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置10，例如可使用利用設(shè)置在框體11上的磁體(未圖示)產(chǎn)生的磁場(chǎng)和在驅(qū)動(dòng)臂8的另一端設(shè)置的線圈(未圖示)中流動(dòng)的電流相互作用產(chǎn)生的洛倫茲力的音圈電動(dòng)機(jī)。轉(zhuǎn)動(dòng)裝置10可使驅(qū)動(dòng)臂8轉(zhuǎn)動(dòng)并可使磁頭滑塊5在存儲(chǔ)介質(zhì)2的面上的任意磁道位置上移動(dòng)。框體11以規(guī)定的位置關(guān)系保持這些結(jié)構(gòu)要素。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1安裝的磁頭支承裝置7的主要部分的立體圖。
磁頭支承裝置7具有浮起體6和磁頭滑塊5。磁頭滑塊5安裝在設(shè)于滑塊保持部件12前端的一端上的舌狀部13上。另外，滑塊保持部件12的另一端固定安裝在剛性比較高的梁14上。
滑塊保持部件12例如使用萬(wàn)向架彈簧板(gimbal-spring)，并且滑塊保持部件12容許磁頭滑塊5某種程度的間距動(dòng)作以及滾動(dòng)動(dòng)作?？赏ㄟ^(guò)例如由粘合劑粘接而向磁頭滑塊5的舌狀部13安裝，并且可通過(guò)利用粘著劑的熔敷向滑塊保持部12的梁14進(jìn)行安裝。
梁14一端的朝向紙面的下面具有對(duì)磁頭滑塊5施加規(guī)定荷載的樞軸15，介由該樞軸15從梁14向磁頭滑塊5施加規(guī)定的荷載。以下，將該樞軸15和磁頭滑塊5相接觸的點(diǎn)記為樞軸位置。
因?yàn)橥ㄟ^(guò)以使磁頭滑塊5的重心位置和上述的樞軸位置對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)2的面投影的位置一致的方式來(lái)形成磁頭支承裝置7，即使在施加沖擊時(shí)，在磁頭滑塊5上也難以產(chǎn)生間距方向和滾動(dòng)方向的慣性轉(zhuǎn)矩，所以可得到耐沖擊性優(yōu)良的磁頭支承裝置。
使用上述的磁盤(pán)裝置1在旋轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì)2上進(jìn)行存儲(chǔ)或再現(xiàn)的情況下，在磁頭滑塊5上施加介由樞軸5在從梁14向存儲(chǔ)介質(zhì)2接近的方向上施加的作用力，和由于存儲(chǔ)介質(zhì)2的旋轉(zhuǎn)而流入磁頭滑塊5和存儲(chǔ)介質(zhì)2之間的空氣流導(dǎo)致在使磁頭滑塊5從存儲(chǔ)介質(zhì)2離開(kāi)的方向上作用的正壓力。上述力的平衡可使磁頭滑塊5從存儲(chǔ)介質(zhì)2穩(wěn)定浮起，在一定地保持該浮起量的狀態(tài)下，可驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)裝置10而將磁頭滑塊5上安裝的磁頭部件定位在存儲(chǔ)介質(zhì)2上的希望的存儲(chǔ)磁道上，同時(shí)可進(jìn)行存儲(chǔ)或再現(xiàn)。另外，來(lái)自上述的磁頭滑塊5的存儲(chǔ)介質(zhì)2的浮起力根據(jù)磁頭滑塊5的應(yīng)相對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)2的面(以下記為空氣潤(rùn)滑面)的形狀的設(shè)計(jì)而變化。后文說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的形狀。
在此，為了簡(jiǎn)單進(jìn)行以下的說(shuō)明，首先說(shuō)明斜交角D的定義。圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的斜交角的定義的圖。圖3(A)表示斜交角D為負(fù)的狀態(tài)，圖3(B)表示斜交角D為正的狀態(tài)。
即，如圖3(A)所示，將存儲(chǔ)介質(zhì)2的存儲(chǔ)磁道的切線方向(相當(dāng)于空氣流入方向)設(shè)為A，將磁頭滑塊5的中心線向磁頭支承裝置7的相反側(cè)延伸的方向設(shè)為B，方向A和方向B形成的角度為斜交角D，方向B比方向A更朝向存儲(chǔ)介質(zhì)2內(nèi)側(cè)時(shí)將斜交角D設(shè)為負(fù)值。如圖3(B)所示，方向B比方向A更朝向存儲(chǔ)介質(zhì)2的外側(cè)時(shí)將斜交角D設(shè)為正值。
下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1上安裝的磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的結(jié)構(gòu)。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1上安裝的磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的形狀的立體圖。另外，在圖4中，為了清楚地說(shuō)明磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的形狀，省略比基面更靠近紙面的下部結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
另外，圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的形狀的平面圖。
在圖5中分別將磁頭滑塊5的朝向紙面的左側(cè)記為空氣流入端側(cè)，朝向紙面的右側(cè)記為空氣流出端側(cè)。另外，設(shè)定磁頭滑塊5的朝向紙面的上側(cè)位于相對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)2時(shí)的外周側(cè)，設(shè)定磁頭滑塊5的朝向紙面的下側(cè)位于相對(duì)存儲(chǔ)存儲(chǔ)介質(zhì)2時(shí)的內(nèi)周側(cè)。
另外，在圖5中，磁頭滑塊5的大小為縱向的長(zhǎng)度×橫向的長(zhǎng)度＝1.235mm×1.00mm的大小(所謂的30％滑塊或PICO滑塊)。
另外，在磁盤(pán)裝置中，設(shè)定存儲(chǔ)介質(zhì)2的大小為0.85英寸(半徑8.9mm)，存儲(chǔ)介質(zhì)2上的最內(nèi)周(距中心約5.2mm的位置，以下記為內(nèi)周側(cè))的磁頭滑塊5的斜交角DI為-16.3°，最外周(距中心約8.9mm的位置，以下記為外周側(cè))的斜交角DO為4.8°。另外，設(shè)定存儲(chǔ)介質(zhì)2的旋轉(zhuǎn)速度為3600rpm，從驅(qū)動(dòng)軸9的旋轉(zhuǎn)中心軸到磁頭滑塊5的樞軸位置的距離為11.6mm。進(jìn)而，將在使磁頭滑塊5接近存儲(chǔ)介質(zhì)2的方向上由梁14賦予磁頭滑塊5的荷載設(shè)為1gf。
在此，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1安裝的磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面形狀。如圖4及圖5所示，磁頭滑塊5從空氣流入端側(cè)依次具有第一空氣軸承部20、隔著負(fù)壓產(chǎn)生面(基面)40而在空氣流入端側(cè)形成的第二空氣軸承部30。
第一空氣軸承部20和第二空氣軸承部30分別是空氣流入磁頭滑塊5和存儲(chǔ)介質(zhì)2之間時(shí)產(chǎn)生正壓(即存儲(chǔ)介質(zhì)2和磁頭滑塊5分離方向的壓力)的部分。這樣，如上述的專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3中說(shuō)明的，通過(guò)在氣流方向上隔著負(fù)壓產(chǎn)生部40設(shè)置兩個(gè)空氣軸承部20、30而提高磁頭滑塊5的耐沖擊性。
進(jìn)而，第一空氣軸承部20具有用于產(chǎn)生更大的正壓而設(shè)置的第一臺(tái)階部21和設(shè)置在比第一臺(tái)階部21高的位置上的一對(duì)側(cè)導(dǎo)軌22。因?yàn)榫哂幸粚?duì)側(cè)導(dǎo)軌22，磁頭滑塊5可提高滾動(dòng)方向上的穩(wěn)定性。
另外，從基面到第一臺(tái)階部21的高度大約為700nm，從第一臺(tái)階部21到側(cè)導(dǎo)軌22的高度大約為100nm。
第二空氣軸承部30具有第二臺(tái)階部31和正壓產(chǎn)生部32。通過(guò)將第二臺(tái)階部31的高度設(shè)為與上述第一臺(tái)階部21同樣的高度，將正壓產(chǎn)生部32的高度設(shè)為與上述側(cè)導(dǎo)軌部22同樣的高度，從而提高生產(chǎn)性，并因此提高實(shí)用性。
另外，在存儲(chǔ)介質(zhì)2的外周側(cè)(圖5中朝向紙面的上側(cè))形成的第一臂狀部33和在內(nèi)周側(cè)(圖5中朝向紙面的下側(cè))形成的第二臂狀部34分別從正壓產(chǎn)生部32向空氣流入端側(cè)方向延伸，由此，第二臺(tái)階部31形成被第一臂狀部33、第二臂狀部34以及正壓產(chǎn)生部32包圍的凹部。通過(guò)使第一臂狀部33和第二臂狀部34的高度與正壓產(chǎn)生部32的高度大致一致，可提高生產(chǎn)性并可實(shí)現(xiàn)高實(shí)用性的結(jié)構(gòu)。
第一臂狀部33和第二臂狀部34分別向內(nèi)周側(cè)(圖5中朝向紙面的下方)在傾斜方向上延伸。第一臂狀部33在第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界線相對(duì)磁頭滑塊5的縱向的中心線向內(nèi)周側(cè)方向偏斜12°的方向上延伸。第二臂狀部34在第二臂狀部34和第二臺(tái)階部31的邊界線相對(duì)磁頭滑塊5的縱向中心線向內(nèi)周側(cè)方向偏斜30°的方向上延伸。另外，磁頭安裝在第二空氣軸承部30的最靠近空氣流出端側(cè)的最接近存儲(chǔ)介質(zhì)2的部分的中心部。
圖6表示在安裝這樣的磁頭滑塊5的磁盤(pán)裝置1中的磁頭滑塊5從存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的浮起量的變動(dòng)。另外，此處的浮起量是指從磁頭滑塊5安裝的磁頭到存儲(chǔ)介質(zhì)2表面的距離。
如圖6所示，若使用上述的磁頭滑塊5，則在上述條件下，可將存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)ΔFH控制在大約0.5nm以下(目標(biāo)浮起量為12nm)。
在此，為了清楚說(shuō)明本實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5的效果，在圖7及圖8中表示比較例的磁頭滑塊50的結(jié)構(gòu)。比較例的磁頭滑塊50與上述的本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5相比不同點(diǎn)在于，在第二空氣軸承部60上不具有第一軸承部33和第二軸承部34(第二臺(tái)階部61不具有被兩個(gè)臂狀部包圍的凹部)。空氣潤(rùn)滑面的其他部分的結(jié)構(gòu)，即第一空氣軸承部20的結(jié)構(gòu)、以及第二空氣軸承部60具有第二臺(tái)階部61和正壓產(chǎn)生部62的結(jié)構(gòu)與上述的磁頭滑塊5相同。
圖9表示安裝這樣的比較例的磁頭滑塊50的磁盤(pán)裝置中磁頭滑塊50從存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的浮起量的變動(dòng)。
如圖9所示，在安裝比較例的磁頭滑塊50的磁盤(pán)裝置中，浮起量從存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)漸漸增大，該變動(dòng)ΔFH可達(dá)到約6nm。即，本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5與比較例的磁頭滑塊50相比，通過(guò)在其空氣潤(rùn)滑面的第二空氣軸承部30上設(shè)置第一臂狀部33和第二臂狀部34可將浮起量的變動(dòng)ΔFH控制到約6nm至約0.5nm。
從壓力分布的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)明抑制上述的本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5的浮起量變動(dòng)ΔFH的原因。
圖10(A)表示比較例的磁頭滑塊50外周側(cè)的壓力分布圖；圖10(B)表示比較例的磁頭滑塊50內(nèi)周側(cè)的壓力分布圖。另外，圖11(A)表示本發(fā)明的磁頭滑塊5外周側(cè)的壓力分布圖；圖11(B)表示本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5內(nèi)周側(cè)的壓力分布圖。
圖10(A)、圖10(B)、圖11(A)以及圖11(B)分別由三維圖形表示磁頭滑塊的空氣潤(rùn)滑面產(chǎn)生的壓力分布，朝向紙面的上側(cè)表示相對(duì)壓力值為正(比大氣壓高)，下側(cè)表示相對(duì)壓力值為負(fù)(比大氣壓低)。
首先，如圖10(A)及圖10(B)所示，在比較例的磁頭滑塊50中，在其外周側(cè)和內(nèi)周側(cè)壓力分布上都存在由第一空氣軸承部20產(chǎn)生的正壓區(qū)域G、H和由第二空氣軸承部60產(chǎn)生的正壓區(qū)域C、D。
首先，比較圖10(A)和圖10(B)，可知在比較例的磁頭滑塊50中，可認(rèn)為由其第一空氣軸承部20產(chǎn)生的正壓區(qū)域G和正壓區(qū)域H各自的壓力分布相差不大。
但是，比較在比較例的磁頭滑塊50的壓力分布中圖10(A)表示的正壓區(qū)域C和圖10(B)表示的正壓區(qū)域D，可知圖10(A)表示的正壓區(qū)域C，即外周側(cè)的正壓區(qū)域C的壓力的峰值比圖10(B)表示的內(nèi)周側(cè)的正壓區(qū)域D的壓力的峰值大。
這是因?yàn)橐话愕卦谛D(zhuǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì)2上使磁頭滑塊50浮起而進(jìn)行存儲(chǔ)或再現(xiàn)時(shí)，空氣流入磁頭滑塊50和存儲(chǔ)介質(zhì)2之間的速度(以下記為周速)在存儲(chǔ)介質(zhì)2的外周側(cè)比在內(nèi)周側(cè)快。由于該周速的不同，磁頭滑塊50的浮起量根據(jù)其存儲(chǔ)介質(zhì)2上的位置而變動(dòng)。即，在使用比較例的磁頭滑塊50時(shí)，外周側(cè)的浮起量比內(nèi)周側(cè)的浮起量高的可能性大。
另一方面，在本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5的壓力分布中，比較圖11(A)表示的外周側(cè)的正壓區(qū)域E和圖11(B)表示的內(nèi)周側(cè)的正壓區(qū)域F，可知圖11(A)表示的外周側(cè)的正壓區(qū)域E的壓力峰值比圖11(B)表示的內(nèi)周側(cè)的正壓區(qū)域F的壓力峰值小。
這樣，通過(guò)在本實(shí)施例的磁頭滑塊5中，設(shè)置第一臂狀部33和第二臂狀部34，第二空氣軸承部30在內(nèi)周側(cè)產(chǎn)生的壓力值設(shè)計(jì)得比第二空氣軸承部30在外周側(cè)產(chǎn)生的正壓力值大，從而，可消除內(nèi)外周的周速的不同造成的浮起力的變動(dòng)并可減小內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)ΔFH。
在此，進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的第二空氣軸承部30中，在存儲(chǔ)介質(zhì)2的外周側(cè)產(chǎn)生的壓力比在存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)周側(cè)產(chǎn)生的壓力低的理由。
圖12是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的第二空氣軸承部30中產(chǎn)生的壓力的圖，圖12(A)是表示磁頭滑塊5的空氣潤(rùn)滑面的結(jié)構(gòu)的平面圖，圖12(B)是外周側(cè)的由磁頭滑塊5的第二空氣軸承部30產(chǎn)生的壓力分布圖，圖12(C)是內(nèi)周側(cè)的由磁頭滑塊5的第二空氣軸承部30產(chǎn)生的壓力分布圖。另外，圖12(B)和圖12(C)中由等壓線表示第二空氣軸承部30中產(chǎn)生的壓力值的分布。圖12(B)和圖12(C)中分別用P＝Pa表示壓力P與大氣壓Pa相等的等壓線。在圖12(B)和圖12(C)各自中，朝向紙面右側(cè)的壓力比由P＝Pa表示的等壓線高，左側(cè)的壓力比由P＝Pa表示的等壓線低。
另外，在圖12(A)中，設(shè)定本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2上的外周側(cè)時(shí)，空氣從圖中K方向(4.8°)流入，磁頭滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2上的內(nèi)周側(cè)時(shí)，空氣從圖中L方向(-16.3°)流入。
首先，如圖12(B)所示可知，磁頭滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2上的外周側(cè)時(shí)，如在第二空氣軸承部30上由區(qū)域J表示的區(qū)域，存在產(chǎn)生負(fù)壓的區(qū)域(以下將該區(qū)域記為負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域)，在第二空氣軸承部的朝向紙面的左側(cè)中整體壓力變小。另一方面，如圖12(C)所示，磁頭滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2上的內(nèi)周側(cè)時(shí)，在第二空氣軸承部30的除紙面的上下端的幾乎整個(gè)區(qū)域上產(chǎn)生正壓，不存在上述那樣的負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域。
這樣的本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2上的外周側(cè)時(shí)的負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域J對(duì)應(yīng)圖12(A)表示的區(qū)域M，即在第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界部分M產(chǎn)生的負(fù)壓。即，因?yàn)橄啾却蓬^滑塊5的縱向的中心軸與空氣流入方向K形成的角度(本實(shí)施例中為4.8°)，第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界與所述中心軸形成的角度(本實(shí)施例中為-12°)小，所以在這樣的部分M產(chǎn)生負(fù)壓。即，在外周側(cè)，若著眼于區(qū)域M，空氣流從空氣流入方向K進(jìn)入，此時(shí)，被壓縮在第一臂狀部33和相對(duì)的存儲(chǔ)介質(zhì)2之間的空氣在縫隙更大的第二臺(tái)階部31和相對(duì)的存儲(chǔ)介質(zhì)2之間流出，此時(shí)因?yàn)榭諝饬鲾U(kuò)散而產(chǎn)生負(fù)壓。
另一方面，在圖12(A)中，因?yàn)榇蓬^滑塊5位于存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)周側(cè)時(shí)，相比磁頭滑塊5的縱向的中心軸與空氣流入方向L形成的角度(-16.3°)，為了使第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界與所述中心軸形成的角度(-12°)大，在第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界區(qū)域?qū)諝饬鳟a(chǎn)生正壓。即，在內(nèi)周側(cè)若著眼于區(qū)域M，則空氣流從空氣流入方向L進(jìn)入，此時(shí)空氣流從第二臺(tái)階部31和相對(duì)的存儲(chǔ)介質(zhì)2的間隙之間流入間隙更小的第一臂狀部33和相對(duì)的存儲(chǔ)介質(zhì)2之間，此時(shí)，因?yàn)榭諝饬鞅粔嚎s而產(chǎn)生正壓。
如上所述，本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5通過(guò)適當(dāng)調(diào)整在其外周側(cè)設(shè)置的第一臂狀部33的延伸方向α，可對(duì)應(yīng)磁盤(pán)裝置1的斜交角D和旋轉(zhuǎn)速度等調(diào)整上述負(fù)壓的產(chǎn)生量，并可抑制內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)。
例如，在上述條件下，圖13(A)表示改變本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的第一臂狀部33的延伸方向α?xí)r磁盤(pán)裝置1的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)量ΔFH，圖13(B)表示第一臂狀部33的延伸方向α的定義。如圖13(B)所示，第一臂狀部33和第二臺(tái)階部31的邊界線所形成的角度是第一臂狀部33的延伸方向α，在相對(duì)磁頭滑塊5的縱向的中心線朝向上側(cè)(外周側(cè))時(shí)延伸方向α取正值，朝向下側(cè)(內(nèi)周側(cè))時(shí)延伸方向α取負(fù)值。
如圖13(A)所示，本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5中，第一臂狀部33的延伸方向α設(shè)為大約-12°時(shí)可將浮起量的變動(dòng)ΔFH減小到最小。
實(shí)際應(yīng)用上，浮起量12nm左右時(shí)將浮起量的變動(dòng)控制在大約1.5nm左右為好。根據(jù)圖13(A)表示的關(guān)系，通過(guò)將第一臂狀部33的延伸角度α設(shè)定為-30°以上10°以下，可將浮起量的變動(dòng)控制在約1.5nm左右。在浮起量12nm左右時(shí)，將浮起量的變動(dòng)ΔFH控制在1nm左右更好。根據(jù)圖13(A)表示的關(guān)系，通過(guò)將第一臂狀部33的延伸角度α設(shè)為-20°以上0°以下，可將浮起量的變化控制在約1nm左右。
根據(jù)研究，在圖13(A)表示的角度定義中，通過(guò)將第一臂狀部33的延伸方向α，配置得比磁頭滑塊5的存儲(chǔ)介質(zhì)2的外周側(cè)的空氣流入方向K小且比內(nèi)周側(cè)的空氣流入方向L大，而可產(chǎn)生上述的負(fù)壓。
即，第一臂狀部33的延伸方向比外周側(cè)的空氣流入方向K大(朝向正方向)時(shí)，不產(chǎn)生圖12(A)表示的區(qū)域M的圖12(B)的負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域J，在區(qū)域M的部分上產(chǎn)生正壓。另一方面，第一臂狀部33的延伸方向α比內(nèi)周側(cè)的空氣流入方向L小，即進(jìn)一步朝向內(nèi)周側(cè)(負(fù)向)時(shí)，在內(nèi)周側(cè)上磁頭滑塊5的區(qū)域M上產(chǎn)生上述的負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域J，磁頭滑塊5的內(nèi)周側(cè)的浮起量下降。由此，將第一臂狀部33的延伸方向，設(shè)置得比磁頭滑塊5的存儲(chǔ)介質(zhì)2的外周側(cè)的空氣流入方向K小，其比內(nèi)周側(cè)的空氣流入方向L大，從而，可在外周側(cè)可產(chǎn)生上述區(qū)域M的負(fù)壓。
例如，在本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1中，因?yàn)榇疟P(pán)裝置1的外周側(cè)的斜交角DO是4.8°，內(nèi)周側(cè)的斜交角DI是-16.3°，所以通過(guò)將第一臂狀部33的離心方向α設(shè)為-16.3°＜α＜4.8°的關(guān)系，可抑制內(nèi)外周的磁頭滑塊5的浮起量的變動(dòng)ΔFH。
另外，根據(jù)研究可知，即使通過(guò)改變本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的第一臂狀部33的寬度C，也可調(diào)整存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)ΔFH。
參照?qǐng)D14進(jìn)行說(shuō)明。圖14(A)是表示本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5的第一臂狀部33的寬度C的定義的圖。圖14(B)是表示改變第一臂狀部33的寬度C時(shí)磁頭滑塊5的存儲(chǔ)介質(zhì)2上內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)ΔFH的圖。
如圖14(A)所示，將第一臂狀部33的與沿延伸方向α的方向平行的方向的寬度C與在同方向進(jìn)行比較的第二臺(tái)階部31的寬度的一半的值A(chǔ)的和設(shè)為B。另外，如上所述，設(shè)第一臂狀部33和第二臂狀部34的延伸方向分別為-12°、-30°。
如圖14(B)所示，在這樣的條件下，A/B的值為0.67時(shí)，所述浮起量的變動(dòng)ΔFH為0.5nm，成為最小的值。
實(shí)際應(yīng)用上，鑒于要求目標(biāo)浮起量為12nm，其變動(dòng)ΔFH在1.5nm以內(nèi)，在0.3≤A/B≤0.9的關(guān)系時(shí)，可將內(nèi)外周的浮起量變動(dòng)控制在1.5nm以內(nèi)。
進(jìn)而，鑒于希望目標(biāo)浮起量為12nm，其變動(dòng)ΔFH在1nm以內(nèi)，在0.4≤A/B≤0.85的關(guān)系時(shí)，可將內(nèi)外周的浮起量變動(dòng)控制在1nm以內(nèi)。
這是因?yàn)槿舻谝槐蹱畈?3的寬度C過(guò)寬，則在第一臂狀部33和外周側(cè)的第二臺(tái)階部31的邊界區(qū)域(區(qū)域O)過(guò)度產(chǎn)生正壓，消除在上述區(qū)域M產(chǎn)生的負(fù)壓，所以磁頭滑塊5的外周側(cè)的浮起量變大，相反地若寬度C過(guò)窄，則為了在區(qū)域O上不充分產(chǎn)生正壓，外周側(cè)的浮起量過(guò)度變小。
如上所述，對(duì)應(yīng)本實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1的磁頭滑塊5的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)的斜交角D的不同，適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)第一臂狀部33的延伸方向α及其寬度C，從而可得到浮起量的變動(dòng)ΔFH最小的磁頭滑塊5。
而且，可知在本發(fā)明實(shí)施例的磁盤(pán)裝置1中，以最佳條件設(shè)計(jì)的磁頭滑塊5的耐沖擊性也比比較例的磁頭滑塊好。
圖15是表示比較本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5和比較例的磁頭滑塊50的耐沖擊性的結(jié)果。圖15是將本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5使用時(shí)的耐沖擊性(可抵抗幾個(gè)G下的沖擊而進(jìn)行信號(hào)的讀取或?qū)懭?設(shè)為100％，由相對(duì)值(％)表示比較例的磁頭滑塊50的耐沖擊值。
如圖15所示，若使用本發(fā)明的磁頭滑塊5，則與實(shí)施例的磁頭滑塊50相比可將耐沖擊性提高約25％。
這是因?yàn)槿鐖D10(A)和圖10(B)所示，在一般的磁頭滑塊中，內(nèi)周側(cè)的磁頭周邊(區(qū)域D)與存儲(chǔ)介質(zhì)2之間產(chǎn)生的壓力比在流速高的外周側(cè)的磁頭周邊(區(qū)域C)的壓力低，磁盤(pán)裝置1跌落等時(shí)，在周速低的內(nèi)周側(cè)磁頭滑塊和存儲(chǔ)介質(zhì)2沖擊的可能性大。對(duì)此，在本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5中，如圖11(A)和圖11(B)所示，因?yàn)榭墒箖?nèi)周側(cè)的磁頭周邊(區(qū)域F)的壓力比外周側(cè)的磁頭周邊(區(qū)域E)的壓力大，所以可降低周速低的內(nèi)周側(cè)的磁頭滑塊5和存儲(chǔ)介質(zhì)2相沖突的可能性。
另外，通過(guò)將本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5的第二臂狀部34的延伸方向(第二臂狀部34和第二臺(tái)階部31的邊界線方向)，設(shè)計(jì)得分別比外周側(cè)和內(nèi)周側(cè)的空氣流入角度K、L小，從而可在第二臂狀部34和第二臺(tái)階部31的邊界得到用于獲取必要的浮起量的正壓。即可以形成如下結(jié)構(gòu)，第二臂狀部34相對(duì)內(nèi)周側(cè)的空氣流入方向L形成產(chǎn)生正壓的角度，即在本發(fā)明實(shí)施例中，相對(duì)磁頭滑塊5的縱向形成小于-16.8°的角度(本實(shí)施例中表示-30°的一例)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诘诙蹱畈?4和第二臺(tái)階部31之間，從存儲(chǔ)介質(zhì)2上的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的整個(gè)區(qū)域上可產(chǎn)生正壓，所以可實(shí)現(xiàn)高耐沖擊性。
如上所述，若使用本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊5構(gòu)成磁頭裝置1，則可實(shí)現(xiàn)12nm的低浮起量，可將存儲(chǔ)介質(zhì)2的內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)控制在最小的0.5nm，并可實(shí)現(xiàn)高耐沖擊性。
另外，在本實(shí)施例中，雖然根據(jù)轉(zhuǎn)數(shù)3600r/m等的規(guī)定條件的研究結(jié)果說(shuō)明磁頭滑塊的浮起特性，但不限定本發(fā)明的磁頭滑塊使用時(shí)的轉(zhuǎn)數(shù)、荷載以及磁頭滑塊的大小等。例如，顯然本發(fā)明的磁頭滑塊實(shí)際應(yīng)用上在磁盤(pán)裝置使用的轉(zhuǎn)數(shù)區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上表示良好的耐沖擊特性。另外，本發(fā)明的磁頭滑塊一般在小型磁盤(pán)裝置中使用的、2000～5000r/m左右比較低的轉(zhuǎn)數(shù)下也可表示上述良好的耐沖擊性。
另外，在本實(shí)施例中以所謂的PICO滑塊為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限定本發(fā)明的磁頭滑塊的大小。作為一例，使用縱向長(zhǎng)度×橫向長(zhǎng)度＝0.85mm×0.7mm的大小(所謂20％滑塊或FEMTO滑塊)也可得到同樣的效果。
進(jìn)而，本發(fā)明的磁頭滑塊并不限于使用時(shí)的荷載。作為一例使用上述的PICO滑塊或FEMTO滑塊的情況下，可使用從約0.5g至2.5g的載荷。
本發(fā)明的磁頭滑塊不限定其第一空氣軸承部20的形狀。例如，在本實(shí)施例的磁頭滑塊5中，如圖4及圖5所示，表示第一空氣軸承部20的側(cè)導(dǎo)軌部22的形狀在磁頭滑塊5的橫向的周邊部在空氣流出端側(cè)方向彎曲折回的形狀的情況，但是本發(fā)明的磁頭滑塊并不限于側(cè)導(dǎo)軌部22的形狀。而且，若形成具有側(cè)導(dǎo)軌部22的結(jié)構(gòu)，則可實(shí)現(xiàn)在滾動(dòng)方向的沖擊強(qiáng)的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明的磁頭滑塊顯然也具有不存在側(cè)導(dǎo)軌部22的結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施例中，以磁盤(pán)裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的盤(pán)裝置不限于磁盤(pán)裝置，例如，也包含使用光磁盤(pán)裝置和光盤(pán)裝置等的浮起型的讀寫(xiě)頭滑塊的盤(pán)裝置。
若使用本發(fā)明的盤(pán)裝置、讀寫(xiě)頭滑塊以及讀寫(xiě)頭支承裝置，則具有可提供可實(shí)現(xiàn)高耐沖擊性和低浮起量并可抑制存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)外周的浮起量的變動(dòng)的盤(pán)裝置、讀寫(xiě)頭滑塊以及讀寫(xiě)頭支承裝置的效果，并可作為使用浮起型的磁盤(pán)裝置等的盤(pán)裝置、讀寫(xiě)頭滑塊以及讀寫(xiě)頭支承裝置等而使用。
權(quán)利要求
1.一種盤(pán)裝置，其包括旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀存儲(chǔ)介質(zhì)和讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊利用流入所述存儲(chǔ)介質(zhì)間的空氣流而浮起，在所述存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周相對(duì)存儲(chǔ)磁道形成不同斜交角的狀態(tài)下使用，具有設(shè)置在空氣流入端側(cè)的第一空氣軸承部和設(shè)置在空氣流出端側(cè)的第二空氣軸承部，其特征在于，所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第二空氣軸承部具有設(shè)置在最靠近空氣流出端側(cè)的正壓產(chǎn)生部和分別從所述正壓發(fā)生部的兩端部向空氣流入端側(cè)方向延伸的第一臂狀部以及設(shè)置在所述第一臂狀部?jī)?nèi)周側(cè)的第二臂狀部，在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)所述第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)所述第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力大，并以此來(lái)設(shè)置所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第一臂狀部和所述第二臂狀部各自的延伸方向。
2.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其特征在于，在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊的情況下，在所述第一臂狀部和被所述第一臂狀部、所述第二臂狀部以及所述正壓產(chǎn)生部包圍的凹部之間產(chǎn)生的壓力比在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)軸側(cè)使用的情況下在所述第一臂狀部和所述凹部之間產(chǎn)生的壓力低，以此來(lái)設(shè)置所述第一臂狀部的延伸方向。
3.如權(quán)利要求2所述的盤(pán)裝置，其特征在于，所述第二臂狀部在比所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)及內(nèi)周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)各自的空氣流入方向小的角度方向上延伸，所述第一臂狀部在比所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的外周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)空氣流入方向小，且比在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)的空氣流入方向大的角度方向上延伸。
4.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其特征在于，在所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第二空氣軸承部的最靠近空氣流出端側(cè)的最表面具有讀寫(xiě)頭。
5.如權(quán)利要求3所述的盤(pán)裝置，其特征在于，所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第一臂狀部的延伸方向相對(duì)所述讀寫(xiě)頭滑塊的縱向成-30°以上、10°以下。
6.如權(quán)利要求5所述的盤(pán)裝置，其特征在于，設(shè)所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第一臂狀部的與所述延伸方向平行的方向的寬度為C，所述凹部的空氣流入端側(cè)的所述第一臂狀部的與所述延伸方向平行的方向的寬度一半的值為A時(shí)，滿足0.3≤A/(A+C)≤0.9的關(guān)系。
7.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其特征在于，在所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第一空氣軸承部上具有一對(duì)側(cè)導(dǎo)軌部。
8.如權(quán)利要求7所述的盤(pán)裝置，其特征在于，以距基面同樣的高度設(shè)置所述一對(duì)側(cè)導(dǎo)軌部、所述第一臂狀部、所述第二臂狀部以及所述正壓產(chǎn)生部。
9.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其特征在于，其包括讀寫(xiě)頭支承裝置，該讀寫(xiě)頭支承裝置具有從與設(shè)有所述第一空氣軸承部和所述第二空氣軸承部側(cè)相反的一側(cè)對(duì)所述讀寫(xiě)頭滑塊施加規(guī)定的作用力的浮起體。
10.如權(quán)利要求9所述的盤(pán)裝置，其特征在于，所述浮起體具有對(duì)所述讀寫(xiě)頭滑塊施加所述規(guī)定作用力的樞軸部。
11.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其特征在于，其具有使所述存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置；在所述存儲(chǔ)介質(zhì)的半徑方向上轉(zhuǎn)動(dòng)所述讀寫(xiě)頭支承裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)裝置；控制所述驅(qū)動(dòng)裝置的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)和所述轉(zhuǎn)動(dòng)裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)的控制裝置。
12.如權(quán)利要求10所述的盤(pán)裝置，其特征在于，當(dāng)將所述讀寫(xiě)頭支承裝置的所述樞軸部和所述讀寫(xiě)頭滑塊連接的位置設(shè)為樞軸位置時(shí)，所述讀寫(xiě)頭滑塊的重心位置和所述樞軸位置對(duì)所述存儲(chǔ)介質(zhì)面投影的位置實(shí)質(zhì)上一致。
13.如權(quán)利要求4所述的盤(pán)裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)是磁存儲(chǔ)介質(zhì)，所述讀寫(xiě)頭是磁頭。
14.一種讀寫(xiě)頭滑塊，其由流入旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀存儲(chǔ)介質(zhì)間的空氣流而浮起，并具有在所述存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)外周相對(duì)存儲(chǔ)磁道形成不同斜交角的狀態(tài)下使用的設(shè)置在空氣流入端側(cè)的第一空氣軸承部和設(shè)置在空氣流出端側(cè)的第二空氣軸承部，其特征在于，所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第二空氣軸承部具有設(shè)置在最靠近空氣流出端側(cè)的正壓產(chǎn)生部和分別從所述正壓產(chǎn)生部的兩端部向空氣流入端側(cè)方向延伸的第一臂狀部以及設(shè)置在所述第一臂狀部?jī)?nèi)周側(cè)的第二臂狀部，在所述存儲(chǔ)介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)所述第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在所述存儲(chǔ)介質(zhì)的外周側(cè)使用所述讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)所述第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力高，以此來(lái)設(shè)置所述讀寫(xiě)頭滑塊的所述第一臂狀部和所述第二臂狀部的延伸方向。
15.一種讀寫(xiě)頭支承裝置，其特征在于，其具有權(quán)利要求12所述的讀寫(xiě)頭滑塊和從與設(shè)有所述第一空氣軸承部及第二空氣軸承部的一側(cè)和相反側(cè)對(duì)所述讀寫(xiě)頭滑塊施加規(guī)定的作用力的浮起體。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種盤(pán)裝置，其包括存儲(chǔ)介質(zhì)和讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊具有設(shè)置在空氣流入端側(cè)的第一空氣軸承部和設(shè)置在空氣流出端側(cè)的第二空氣軸承部，第二空氣軸承部具有設(shè)置在最靠近空氣流出端側(cè)的正壓產(chǎn)生部和分別從其兩端部在空氣流入端側(cè)方向上延伸的第一臂狀部和第二臂狀部，在存儲(chǔ)介質(zhì)上的內(nèi)周側(cè)使用讀寫(xiě)頭滑塊時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力比在外周側(cè)使用時(shí)第二空氣軸承部產(chǎn)生的壓力高，并以此來(lái)設(shè)置第一臂狀部和第二臂狀部各自的延伸方向。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1617231SQ20041009049
公開(kāi)日2005年5月18日 申請(qǐng)日期2004年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月10日
發(fā)明者鄧志生, 上野善弘 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社