專利名稱：磁隨機(jī)存取存儲器以及從其中讀取數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲設(shè)備，尤其是涉及一種具有根據(jù)由施加電壓所引起的MTJ層的電阻變化用于保持在磁隧道結(jié)(junction)(MTJ)層的高電阻和低電阻之間的中間電阻的參考單元的磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)和從所述的MRAM中讀取數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
MRAM的存儲單元的磁隧道結(jié)(MTJ)層具有的電阻隨著自由磁膜的磁化方向而改變。當(dāng)自由磁膜的磁化方向與形成于隧道膜下面的下部磁膜的磁化方向相同時(shí)，該MTJ層具有低電阻RL。當(dāng)自由磁膜的磁化方向與形成于隧道膜底下的下部磁膜的磁化方向不同時(shí)，該MTJ層具有高電阻RH。以下，高電阻稱作MTJ層的最大電阻，低電阻稱作MTJ層的最小電阻。
MRAM是一種利用MTJ層的電阻隨著自由磁膜的磁化的狀態(tài)而不同的特性來存儲數(shù)據(jù)1和0的存儲設(shè)備。因而，為了讀取記錄在存儲單元中的信息，MRAM包括一個(gè)具有對應(yīng)于在MTJ層的高電阻RH和低電阻RL之間的中間值的電阻(RH+RL)/2(以下稱作中間電阻)的參考單元。參考單元包括晶體管和連接到晶體管的MTJ層。參考單元的中間電阻是在參考單元中提供的MTJ層的電阻。
其間，MTJ層的電阻RH和RL隨著施加到MTJ層的電壓而改變。因而，如圖1所示，用實(shí)線表示的MRAM的參考單元的MTJ層的電阻應(yīng)該恒等于中間電阻(RH+RL)/2，該中間電阻是介于根據(jù)施加到參考單元電壓的存儲單元的MTJ層的低電阻RL(●)和高電阻RH(■)之間。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中的MRAM的參考單元的情況下，上述的狀況是不能令人滿意的。
例如，如圖2左側(cè)所示，現(xiàn)有技術(shù)中的MRAM的參考單元包括第一至第四MTJ層12，14，16和18以及第一晶體管10。包含第五MTJ層20和第二晶體管24的存儲單元示于圖2的傳感放大器SA的右側(cè)。
電阻從MTJ層測量得到。因此，在圖2中，MTJ層用電阻表示。以下，所有電路中的MTJ層都用電阻表示。
第一和第二MTJ層12和14分別具有高電阻RH和低電阻RL。第三和第四MTJ層16和18分別具有低電阻RL和具有高電阻RH。第一和第二MTJ層12和14彼此串聯(lián)連接，并且第三和第四MTJ層16和18彼此也串聯(lián)連接。第一和第二MTJ層和14以及第三和第四MTJ層16和18彼此并聯(lián)連接。第一晶體管10連接到第二和第四MTJ層14和18之間。
參照圖2，同一個(gè)電流IS提供給參考單元和存儲單元。VRef和VCell分別是參考單元和存儲單元的測量電壓值。如圖2所示，常規(guī)的包括參考單元和存儲單元的MRAM利用電壓VRef和VCell之間的差值來讀取存儲在存儲單元的信息。
然而，從電流源提供給參考單元的電流IS被分成兩部分使得電流IS/2分別提供給第一和第二MTJ層12和14以及第三和第四MTJ層16和18的每一個(gè)。同樣地，施加到參考單元的每一個(gè)MTJ層的電壓大約是施加到存儲單元的第五MTJ層20的電壓的一半。因此，如圖3所示，很難將參考單元的等效電阻維持在(RH+RL)/2。
既然以這種方式參考單元的等效電阻不再維持在(RH+RL)/2，參考單元中的測量電壓值VRef具有圖4所示的特征曲線。
換句話說，在圖4中參考圖示●是顯示當(dāng)?shù)谖錗TJ層20具有高電阻時(shí)的測量電壓值VCell，H的曲線，參考圖示■是顯示當(dāng)?shù)谖錗TJ層20具有低電阻時(shí)的測量電壓值VCell，L的曲線，實(shí)線(-)是顯示參考單元中的測量電壓值VRef的曲線。參照上述曲線，參考單元中的測量電壓值VRef不同于(VCell，H+VCell，L)/2。
由于以這種方式在參考單元中的測量電壓值不具有在儲存單元的最大測量電壓值和最小測量電壓值之間的中間值，在圖2所示的、具有存儲單元和參考單元的常規(guī)MRAM的情形下，檢測裕量(sensing nargin)會減少使得可能存在噪聲或故障。
圖5中的參考單元和存儲單元與圖2中的參考單元和存儲單元在構(gòu)造上是相同的，但是在圖5和圖2之間有一個(gè)差異就是用電壓代替電流施加到參考單元和存儲單元。因而，具有圖5的參考單元和存儲單元的MRAM利用參考單元中的測量電流值IRef和存儲單元中的測量電流值ICell之間的差值來讀取記錄在存儲單元中的信息。然而在圖5的MRAM的情況中，與圖2的MRAM相似，施加到參考單元的第一至第四MTJ層12，14，16和18中的每一個(gè)的電壓小至大約為施加到存儲單元的第五MTJ層20的電壓的一半。因此，很難將參考單元的等效電阻維持在(RH+RL)/2，同時(shí)也很難將參考單元的測量電流值IRef維持在存儲單元的最大測量電流值ICell，H和最小測量電流值ICell，L之間的中間值(ICell，H+ICell，L)/2。
特別地，參考圖6，參考圖示●是顯示存儲單元的最大測量電流值ICell，H的曲線，參考圖示■是顯示存儲單元的最小測量電流值ICell，L的曲線，并且實(shí)線(-)是顯示參考單元的測量電流值IRef的曲線。參見上述曲線，參考單元的測量電流值IRef十分不同于根據(jù)施加的電壓的存儲單元的最大測量電流值ICell，H和最小測量電流值ICell，L之間的中間值(ICell，H+ICell，L)/2。
因而在圖5的具有存儲單元和參考單元的MRAM的情況中，與圖2的MRAM相似，檢測裕量會減少使得可能存在噪聲。
圖7示出具有包括第六和第七M(jìn)TJ層26和28的參考單元以及第一晶體管10的MRAM。第六MTJ層26具有一個(gè)低電阻RL，第七M(jìn)TJ層28具有一個(gè)高于第六MTJ層26的電阻RH。第六和第七M(jìn)TJ層26和28彼此并聯(lián)，第一晶體管10連接在第六和第七M(jìn)TJ層26和28之間。此處，對應(yīng)于提供給存儲單元的電壓VS的1/2的電壓0.5VS施加到參考單元。
圖7所示的MRAM與圖5的MRAM相似，由于施加到參考單元的兩個(gè)MTJ層26和28的電壓0.5VS大約是施加到存儲單元的第五MTJ層20的電壓VS的一半，很難將參考單元的等效電阻維持在(RH+RL)/2。因而，如圖6所示，圖7的MRAM的參考單元的測量電流值IRef不能維持在存儲單元的最大測量電流值ICell，H和最小測量電流值ICell，L之間的中間值(ICell，H+ICell，L)/2。因此，在圖7的MRAM中，檢測裕量會減少使得可能存在噪聲或故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種即使施加的電壓變化，也能夠?qū)⒖紗卧拇潘淼澜Y(jié)(MTJ)層的等效電阻維持在存儲單元的MTJ層的最大電阻RH和最小電阻RL之間的中間值(RH+RL)/2的磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。
本發(fā)明也提供了一種從該MRAM讀取數(shù)據(jù)的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和當(dāng)讀取存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)時(shí)用作基準(zhǔn)的參考單元的MRAM，其中參考單元包括彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及彼此并聯(lián)連接的第一和第二晶體管，第一和第二晶體管各自串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層和當(dāng)讀取存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)時(shí)用作基準(zhǔn)的參考單元的磁隨機(jī)存取存儲器(RAM)，其中參考單元包括彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及，串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層的第一晶體管，并且第一晶體管的驅(qū)動能力是存儲單元的晶體管的驅(qū)動能力的兩倍。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種從包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和具有彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及彼此并聯(lián)連接并分別串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層的第一和第二晶體管的參考單元的MRAM中讀取數(shù)據(jù)的方法，其中讀取電流IS施加到存儲單元，對應(yīng)于讀取電流兩倍的電流2IS施加到參考單元。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種從包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和具有彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層的具有對應(yīng)于存儲單元的晶體管兩倍驅(qū)動能力的第一晶體管的參考單元的MRAM中讀取數(shù)據(jù)的方法，其中讀取電流IS施加到存儲單元，對應(yīng)于讀取電流兩倍的電流2IS施加到參考單元。
根據(jù)本發(fā)明，即使施加的電壓變化，參考單元的MTJ層的等效電阻也維持在存儲單元的MTJ層的最大電阻和最小電阻之間的中間值，由此能夠獲得充足的檢測裕量并且能夠防止由噪聲帶來的故障。


通過結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更加清楚，其中圖1是MRAM的存儲單元的磁隧道結(jié)(MTJ)層和參考單元的MTJ層的電壓-電阻曲線圖；圖2，5和7是常規(guī)的MRAM的存儲單元和參考單元的電路圖；圖3是圖2的MRAM的存儲單元的MTJ層和參考單元的MTJ層的電壓-電阻曲線圖；圖4是圖2的MRAM的存儲單元的MTJ層和參考單元的MTJ層的電壓-電流曲線圖；圖6是圖5的MRAM的存儲單元的MTJ層和參考單元的MTJ層的電壓-電流曲線圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的MRAM的存儲單元和參考單元的電路圖；圖9是圖8的MRAM的存儲單元的MTJ層和參考單元的MTJ層的電壓-電阻曲線圖；圖10是圖8的MRAM的存儲單元的MTJ層和參考單元的MTJ層的電壓-電流曲線圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的MRAM的參考單元和存儲單元的陣列的電路圖；圖12是顯示施加到對應(yīng)于圖11的存儲單元陣列中的存儲單元的存儲單元和參考單元電流的電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參考附圖根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例來描述磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)和從該MRAM讀取數(shù)據(jù)的方法，為了清楚起見，圖中的層狀物的厚度和面積被夸大。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的對應(yīng)于MRAM的存儲單元C2的存儲單元C2和第一參考單元C1的電路構(gòu)成。參照圖1，第一參考單元C1包括第一和第二MTJ層50和52以及第一和第二晶體管54和56。第一MTJ層50具有低電阻，并且可以與存儲單元C2的第三MTJ層58的最小電阻相同。第一參考單元C1的第二MTJ層52具有高于第一MTJ層52的電阻。第二MTJ層52的電阻可以與第三MTJ層58的最大電阻相同。第一參考單元C1的第一和第二MTJ層50和52之間的上述關(guān)系可以是相反的。第一參考單元C1的第一和第二MTJ層50和52彼此并聯(lián)連接，并且第一和第二晶體管54和56彼此也并聯(lián)連接。但是，第一MTJ層50和第一晶體管54彼此串聯(lián)連接，并且，第二MTJ層52和第二晶體管56之間也是彼此串聯(lián)連接。存儲單元C2包括第三MTJ層58和第三晶體管60。第一參考單元C1的第一和第二晶體管54和56與存儲單元C2第三晶體管60相同。
來自電流源的預(yù)定的讀取電流IS施加到存儲單元C2，與此同時(shí)，對應(yīng)于讀取電流IS二倍的電流2IS施加到第一參考單元C1，并且，第一參考單元C1和存儲單元C2的相應(yīng)的測量電壓值VRef和VCell互相比較以讀取存儲在存儲單元C2中的數(shù)據(jù)。
在這種情況下，既然第一和第二MTJ層50和52如上述那樣并聯(lián)連接到第一參考單元C1，施加到第一參考單元C1電流2IS被分流使得與施加到存儲單元C2的電流IS相同的電流施加到第一和第二MTJ層50和52的每一個(gè)。此外，既然與存儲單元C2中的流通晶體管，即第三晶體管60相同的第一和第二晶體管54和56分別串聯(lián)連接到第一參考單元C1的第一和第二MTJ層50和52，施加到第一參考單元C1的第一和第二MTJ層50和52的電壓與施加到存儲單元C2的第三MTJ層58的電壓類似。因而，即使施加的電壓不同，第一參考單元C1的等效電阻也維持在存儲單元C1的第三MTJ層58的最大電阻RH和最小電阻RL之間的中間值。圖9示出第一參考單元C1的這種結(jié)果。
在圖9中，參考圖示●顯示根據(jù)施加的電壓存儲單元C2的第三MTJ層58的最大電阻的變化，參考圖示■顯示第三MTJ層58的最小電阻的變化。實(shí)線(-)顯示第一參考單元C1的測量電阻值的變化。
參考圖9，即使施加的電壓變化，第一參考單元C1的測量電阻值也維持在存儲單元C2的第三MTJ層58最大電阻和最小電阻之間的中間值。
既然第一參考單元C1的電阻維持在存儲單元C2的最大電阻和最小電阻之間的中間值，因此即使施加的電壓變化，第一參考單元C1的電壓VRef也能夠一直維持在存儲單元C2的最大電壓VCell，H和最小電壓VCell，L之間的中間值(VCell，H+VCell，L)/2。圖10示出這種結(jié)果。
在圖10中，參考圖示●顯示根據(jù)應(yīng)用電壓的存儲單元C2的最大電阻VCell，H的變化，參考圖示■顯示根據(jù)應(yīng)用電壓的存儲單元C2的最小電阻VCell，L的變化。實(shí)線(-)顯示根據(jù)應(yīng)用電壓的第一參考單元C1中的測量電阻值的變化。
參考圖10，在任何施加的電壓下，可以知道第一參考單元C1的電壓都是在存儲單元C2的最大電壓VCell，H和最小電壓VCell，L之間的中間值。
根據(jù)該結(jié)果來使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的MRAM，能夠得到充足的檢測裕量使得能夠沒有故障穩(wěn)定地讀取數(shù)據(jù)。
其間，可以有包括一個(gè)晶體管的第二參考單元，該晶體管用來代替圖8中的第一參考單元C1中的第一和第二晶體管54和56。在各種情況下，該晶體管是通過晶體管。由于流經(jīng)兩個(gè)并聯(lián)連接的MTJ層的電流流經(jīng)這一個(gè)替代晶體管，替代晶體管的驅(qū)動能力可以是存儲單元C2的第三晶體管60的驅(qū)動能力的兩倍。
在MRAM包括第二參考單元的情況下，從存儲單元C2中讀取數(shù)據(jù)的過程與包括第一參考單元C1的磁RAM的執(zhí)行過程相同。
圖8的第一參考單元C1中的每一個(gè)MTJ層和每一個(gè)晶體管的位置可以相反。
圖11示出了包括上述第二參考單元和存儲單元的MRAM的單元陣列。在圖11中，參考數(shù)字100表示具有多個(gè)第二參考單元的參考單元列。一個(gè)參考單元列100配置于每一個(gè)存儲單元塊中。對應(yīng)于施加到存儲單元列的電流IS兩倍的電流2IS施加到參考單元列100。置于單元陣列下方的列選擇晶體管Y0、Y1、Y2和Y3用于選擇存儲單元塊中的一列，并與參考單元列100進(jìn)行比較。在圖11中，參考字母DL表示在存儲單元的MTJ層中的用于記錄數(shù)據(jù)的數(shù)位線。當(dāng)電流施加到數(shù)位線DL時(shí)，地線GL浮置(floated)使得電流不會流過連接到上述MTJ層的流通晶體管。
圖12示出施加到相應(yīng)的存儲單元和參考單元列100的電流流經(jīng)的回路，用來讀取存儲于連接到預(yù)定選擇字線的存儲單元中的數(shù)據(jù)，例如，圖11的MRAM陣列的第一字線WL0。在圖12中，左邊的電路是讀取電流IS施加到其上并且連接到第一字線WL0的存儲單元列的存儲單元，右邊電路是對應(yīng)于兩倍讀取電流IS的電流2IS施加到其上的并且連接到第一字線WL0的參考單元列100的第二參考單元。
參考圖12，既然不同于第一字線WL0的其他字線都處于off狀態(tài)，施加到連接到第一字線WL0的儲存單元的讀取電流IS流經(jīng)存儲單元的MTJ層102和與MTJ層102串聯(lián)連接的晶體管MT1，并流經(jīng)連接到晶體管MT1的地線GL。施加到參考單元列100的電流2IS在第一結(jié)點(diǎn)N1被分成兩部分，這使得第一和第二電流I1S和I2S施加到兩個(gè)并聯(lián)連接的MTJ層106和108。第一和第二電流I1S和I2S有著相同的值。施加到連接到晶體管CT1的MTJ層106的第一電流I1S經(jīng)由處于on狀態(tài)的晶體管CT1流經(jīng)地線GL。第二電流I2S流經(jīng)第二結(jié)點(diǎn)N2、與處于off狀態(tài)的、連接到第二字線WL1的晶體管CT2串聯(lián)連接的MTJ層108、作為晶體管CT2和該MTJ層108連接點(diǎn)的第三結(jié)點(diǎn)N3、作為晶體管CT1和MTJ層106連接點(diǎn)的第四結(jié)點(diǎn)N4和連接到第一字線WL0的晶體管CT1，并流經(jīng)地線GL。
既然施加到第二參考單元的電流流經(jīng)彼此并聯(lián)連接的兩個(gè)MTJ層106和108和一個(gè)晶體管T1，第二參考單元的晶體管CT1的驅(qū)動能力可以是存儲單元的晶體管MT1的驅(qū)動能力的兩倍。
在圖12中，參考字母MT2和CT2表示存儲單元的晶體管和第二參考單元的晶體管，它們都連接到第二字線WL1。參考數(shù)字104表示連接到第二字線WL1的存儲單元的MTJ層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的MRAM的參考單元包括具有存儲單元的MTJ層的最大電阻的MTJ層和具有存儲單元的MTJ層的最小電阻的MTJ層，它們彼此并聯(lián)連接，并且兩個(gè)流通晶體管串聯(lián)連接每一個(gè)MTJ層并具有與存儲單元的流通晶體管同樣驅(qū)動能力。在此情況下，參考單元的這兩個(gè)流通晶體管也可以被具有兩倍于存儲單元的流通晶體管驅(qū)動能力的驅(qū)動能力的一個(gè)流通晶體管所代替。在根據(jù)本發(fā)明的MRAM的情況中，與施加到存儲單元的MTJ層電流相同的電流施加到參考單元的每一個(gè)MTJ層。因此，參考單元的測量等效電阻值是在存儲單元的最大測量電阻和最小測量電阻之間的中間值。此外，即使應(yīng)用電壓變化，參考單元中的測量電壓VRef是在存儲單元中的最大測量電壓VCell，H和最小測量電壓VCell，L之間的中間值。因此，根據(jù)本發(fā)明的MRAM，能夠獲得充足的檢測裕量，并且能夠防止噪聲帶來的故障。
盡管已參照本發(fā)明的確定優(yōu)選實(shí)例表示和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員將理解的是，可在不背離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明宗旨和范圍的前提下對本發(fā)明進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的修改。
權(quán)利要求
1.一種磁隨機(jī)存取存儲器(RAM)，包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和當(dāng)讀取存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)時(shí)用作基準(zhǔn)的參考單元，其中參考單元包括彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層；及和彼此并聯(lián)連接的第一和第二晶體管，第一和第二晶體管分別串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層。
2.如權(quán)利要求1所述的磁RAM，其中第一和第二MTJ層中的一個(gè)具有存儲單元的MTJ層的最大電阻，另一個(gè)具有存儲單元的MTJ層的最小電阻。
3.一種磁隨機(jī)存取存儲器(RAM)，包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和當(dāng)讀取存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)時(shí)用作基準(zhǔn)的參考單元，其中參考單元包括彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層；及串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層的第一晶體管，并且所述第一晶體管的驅(qū)動能力是存儲單元的晶體管的驅(qū)動能力的兩倍。
4.如權(quán)利要求3所述的磁RAM，其中第一和第二MTJ層中的一個(gè)具有存儲單元的MTJ層的最大電阻，另一個(gè)具有存儲單元的MTJ層的最小電阻。
5.一種從磁隨機(jī)存取存儲器(RAM)中讀取數(shù)據(jù)的方法，其中磁隨機(jī)存取存儲器包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元；和參考單元，該參考單元具有彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及彼此并聯(lián)連接的第一和第二晶體管，第一和第二晶體管分別串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層，其中讀取電流IS施加到上述存儲單元，并且對應(yīng)于上述讀取電流兩倍的電流2IS施加到參考單元。
6.一種從磁隨機(jī)存取存儲器(RAM)中讀取數(shù)據(jù)的方法，其中磁隨機(jī)存取存儲器包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元；和參考單元，該參考單元具有彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層以及串聯(lián)連接到第一和第二MTJ層并且具有對應(yīng)于存儲單元的晶體管的兩倍驅(qū)動能力的第一晶體管，其中讀取電流IS施加到上述存儲單元，并且對應(yīng)于上述讀取電流兩倍的電流2IS施加到參考單元。
全文摘要
一種磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)以及從所述的MRAM中讀取數(shù)據(jù)的方法，該磁隨機(jī)存取存儲器包括具有一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)層的存儲單元和當(dāng)讀取存儲在存儲單元的數(shù)據(jù)時(shí)作為基準(zhǔn)的參考單元，其中參考單元包括彼此并聯(lián)連接的第一和第二MTJ層；和彼此并聯(lián)連接的第一和第二晶體管，第一和第二晶體管分別串聯(lián)到第一和第二MTJ層。所述的第一和第二晶體管也可以被一個(gè)具有對應(yīng)于存儲單元的晶體管兩倍驅(qū)動能力的晶體管所代替。此外，第一和第二晶體管與第一和第二MTJ層的位置也可以互換。
文檔編號G11C7/00GK1681040SQ20041007589
公開日2005年10月12日 申請日期2004年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月30日
發(fā)明者樸玩濬, 金泰完, 樸祥珍, 金大井, 李丞晙, 申炯淳 申請人:三星電子株式會社