技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種在第1基板(10)與第2基板(20)的凹部(20c)之間構(gòu)成有真空的氣密室(30)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，具有下述工序：準(zhǔn)備含有硅的所述第1及第2基板，對(duì)所述第1及第2基板進(jìn)行接合，進(jìn)行用于排出所述氣密室內(nèi)的氫氣(31)的加熱處理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共價(jià)鍵合。在所述加熱處理中，以1℃/sec以下的升溫速度進(jìn)行加熱，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分達(dá)到700℃以上而生成氫氣，以所述氫氣的擴(kuò)散距離達(dá)到所述氣密室的壁面與大氣之間的最短距離以上的方式調(diào)整加熱溫度及加熱時(shí)間，從而從所述氣密室排出所述氫氣。

技術(shù)研發(fā)人員：早川裕;與倉(cāng)久則
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社電裝
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.03
技術(shù)公布日：2017.09.26