本申請基于2015年2月16日提出的日本專利申請第2015-27738號及2015年12月11日提出的日本專利申請第2015-242400號，在此引用其記載內(nèi)容。

本公開涉及以在第1基板與第2基板之間構(gòu)成氣密室的方式接合第1基板和第2基板而成的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，作為在第1基板與第2基板之間構(gòu)成有氣密室的半導(dǎo)體裝置，提出了以下的半導(dǎo)體裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)。也就是說，在該半導(dǎo)體裝置中，在第1基板中形成有檢測角速度的傳感檢測部。此外，第2基板在與第1基板的一面中的傳感檢測部相對的部分中形成有凹部。而且，該第2基板以構(gòu)成用包含第1基板與凹部之間的空間密封傳感檢測部的氣密室的方式與第1基板接合。再者，將氣密室形成為真空壓。

這樣的半導(dǎo)體裝置按以下進(jìn)行制造。也就是說，首先，在第1基板中形成檢測角速度的傳感檢測部，同時在第2基板中形成凹部。然后，以氣密室構(gòu)成為用包含第1基板和凹部之間的空間密封傳感檢測部的方式，接合第1基板和第2基板，由此進(jìn)行制造。

可是，在第1基板和第2基板的接合中，已知通過在第1基板和第2基板的接合面形成oh基，使各接合面的oh基彼此共價鍵合來提高接合強度。但是，在這樣的接合方法中，盡管可提高第1基板和第2基板的接合強度，但是因oh基而在氣密室內(nèi)生成氫氣(即脫氣)，有因該氫氣而使氣密室的壓力高于所希望的壓力的問題。

為了解決該問題，考慮通過進(jìn)行加熱處理來提高氣密室內(nèi)的氫氣的擴散距離(即擴散系數(shù))，由此使氫氣在第1基板或第2基板內(nèi)擴散(即通過)而排到外部。但是，如果單純地進(jìn)行該加熱工序，則有時不能使氣密室內(nèi)的壓力達(dá)到所希望的壓力。也就是說，有時氣密室內(nèi)的壓力發(fā)生變動。

再者，這樣的問題不是只在密封傳感檢測部的氣密室中發(fā)生的問題，例如，在通過接合第1基板和第2基板來構(gòu)成氣密室、將該氣密室設(shè)定為基準(zhǔn)壓力室的壓力傳感器等中也同樣發(fā)生。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-187664號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的目的在于，提供一種能夠抑制氣密室內(nèi)的壓力變動的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

在本公開的方案中，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置具備：具有一面的第1基板；和具有一面及與所述一面成相反側(cè)的另一面、在所述一面?zhèn)刃纬砂疾?、該一面以與所述第1基板的一面相對的狀態(tài)與所述第1基板接合的第2基板，包含所述第1基板與所述第2基板的凹部之間的空間而構(gòu)成氣密室，所述氣密室形成為真空，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法具備以下工序：準(zhǔn)備含有硅的所述第1基板的工序；準(zhǔn)備在所述第2基板的所述一面上形成有所述凹部、并含有硅的所述第2基板的工序；以構(gòu)成所述氣密室的方式接合所述第1基板的一面和所述第2基板的一面的工序；進(jìn)行用于排出所述氣密室內(nèi)的氫氣的加熱處理的工序；在接合所述第1基板的一面和所述第2基板的一面之前，在所述第1基板的一面?zhèn)燃八龅?基板的包含凹部的壁面的一面?zhèn)壬蒾h基的工序。在接合所述第1基板的一面和所述第2基板的一面時，使生成于所述第1基板的一面上的oh基與生成于所述第2基板的一面上的oh基共價鍵合。在進(jìn)行所述加熱處理時，通過以1℃/sec以下的升溫速度將所述第1基板及所述第2基板中的生成有所述oh基的部分加熱達(dá)到700℃以上來生成氫氣，同時通過以所述氫氣的擴散距離達(dá)到構(gòu)成所述氣密室的壁面與暴露于大氣中的壁面之間的最短距離以上的方式調(diào)整加熱溫度及加熱時間，從而將所述氫氣從所述氣密室排出。

根據(jù)上述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在第1基板及第2基板上形成oh基，將第1基板和第2基板接合后，以1℃/sec以下的升溫速度進(jìn)行加熱，使構(gòu)成氣密室的壁面達(dá)到700℃以上。由此，能夠使殘存在氣密室內(nèi)的oh基全部變換成氫氣。而且，由于以氫氣的擴散距離達(dá)到第2基板中的凹部的底面與該第2基板的另一面之間的距離以上的方式調(diào)整加熱溫度及加熱時間，所以能夠從氣密室中排出氫氣。因此，能夠?qū)饷苁覂?nèi)的壓力設(shè)定為所希望的壓力，能夠抑制氣密室內(nèi)的壓力變動。

此外，由于通過加熱處理使殘存于氣密室內(nèi)的oh基全部變換成氫氣，所以在半導(dǎo)體裝置的使用中等，能夠抑制氣密室內(nèi)生成氫氣、因該氫氣使氣密室內(nèi)的壓力發(fā)生變動的情況。

附圖說明

本公開的上述目的及其它目的、特征及優(yōu)點，通過參照附圖的下述詳細(xì)的說明將更明確。其附圖如下：

圖1是本公開的第1實施方式中的壓力傳感器的剖視圖。

圖2(a)～圖2(d)是表示圖1所示的壓力傳感器的制造工序的剖視圖。

圖3(a)～圖3(c)是表示接在圖2(d)之后的壓力傳感器的制造工序的剖視圖。

圖4是表示氫氣生成量與試料表面溫度的關(guān)系的圖示。

圖5是表示加熱溫度與氣密室內(nèi)的壓力的關(guān)系的圖示。

圖6是本公開的第2實施方式中的壓力傳感器的剖視圖。

圖7是本公開的其它實施方式中的壓力傳感器的剖視圖。

圖8是本公開的其它實施方式中的壓力傳感器的剖視圖。

圖9是本公開的其它實施方式中的壓力傳感器的剖視圖。

具體實施方式

(第1實施方式)

參照附圖對本公開的第1實施方式進(jìn)行說明。再者，本實施方式中，對在壓力傳感器的制造方法中應(yīng)用了本公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法的例子進(jìn)行說明。首先，對根據(jù)本實施方式的制造方法制造的壓力傳感器的構(gòu)成進(jìn)行說明。

如圖1所示的那樣，壓力傳感器具備具有一面10a及另一面10b的第1基板10。本實施方式中，第1基板10由依次層疊支持基板11、絕緣膜12、半導(dǎo)體層13而成的soi(silicononinsulator)基板構(gòu)成。而且，由半導(dǎo)體層13中的與絕緣膜12側(cè)成相反側(cè)的一面構(gòu)成第1基板10的一面10a，由支持基板11中的與絕緣膜12側(cè)成相反側(cè)的一面構(gòu)成第1基板10的另一面10b。再者，本實施方式中，支持基板11及半導(dǎo)體層13由硅基板等構(gòu)成，絕緣膜12由sio2或sin等構(gòu)成。

此外，在第1基板10中，通過從另一面10b形成凹部14而構(gòu)成膜部15。本實施方式中，凹部14以從第1基板10的另一面10b到達(dá)絕緣膜12的方式形成。因此，膜部15由位于凹部14的底面與第1基板10的一面10a之間的絕緣膜12及半導(dǎo)體層13構(gòu)成。

膜部15中，形成有4個計量電阻16(圖1中只圖示2個)，各計量電阻16以構(gòu)成電橋電路的方式通過未圖示的連接布線層適宜連接。本實施方式中，計量電阻16為通過在離子注入了雜質(zhì)后進(jìn)行熱處理而構(gòu)成的擴散層。再者，本實施方式中，將構(gòu)成計量電阻16的雜質(zhì)的表面濃度設(shè)定為1.0×10^-18～1.0×10^-21cm^-3，該計量電阻16相當(dāng)于本公開的擴散層。此外，雖未特別圖示，但在第1基板10中，還形成有與各計量電阻16適宜連接、同時經(jīng)由形成在第2基板20上的未圖示的貫通電極而與外部電路連接的引出布線層等。

而且，在這樣的第1基板10的一面10a上配置有第2基板20。本實施方式中，第2基板20具有貼合基板21、形成在該貼合基板21中的與第1基板10相對的一面21a側(cè)的絕緣膜22，一面20a由絕緣膜22中的與貼合基板21側(cè)成相反側(cè)的一面構(gòu)成。再者，貼合基板21由硅基板等構(gòu)成，絕緣膜22由sio2或sin等構(gòu)成。此外，第2基板20的另一面20b由貼合基板21中的與一面21a成相反側(cè)的另一面21b構(gòu)成。

在貼合基板21的一面21a上，在與計量電阻16相對的部分形成凹部21c，絕緣膜22也形成在凹部21c的壁面上。而且，在第2基板20中，在與計量電阻16相對的部分，形成有由形成在凹部21c的壁面上的絕緣膜22模制而成的凹部20c。盡管沒有特別限定，但是將凹部20c的平面形狀設(shè)定為正八角形，將通過中心的對角線的長度設(shè)定為350μm。此外，凹部20c以凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離達(dá)到10～200μm的方式構(gòu)成。

而且，第2基板20的一面20a(即絕緣膜22)與第1基板10的一面10a(即半導(dǎo)體層13)接合。由此，通過凹部20c在第1基板10與第2基板20之間形成氣密室30，將計量電阻16密封在該氣密室30中。本實施方式中，由于從氣密室30對膜部15中的一面10a側(cè)外加規(guī)定的壓力，所以該氣密室30作為基準(zhǔn)壓力室而發(fā)揮功能。

再者，本實施方式中，第1基板10和第2基板20如后述的那樣，通過使第1基板10及第2基板20中的接合面活性化進(jìn)行接合的所謂直接接合等進(jìn)行接合。此外，雖未特別圖示，但在第2基板20中形成有貫通孔，該貫通孔向第1基板10和第2基板20的層疊方向貫通，并使形成于第1基板10上的引出布線層露出，在該貫通孔內(nèi)形成有與引出布線層適宜地電連接、用于謀求與外部電路連接的貫通電極。

以上是本實施方式中的壓力傳感器的構(gòu)成。接著，參照圖2(a)～圖2(d)對上述壓力傳感器的制造方法進(jìn)行說明。

首先，如圖2(a)所示的那樣，準(zhǔn)備依次層疊支持基板11、絕緣膜12、半導(dǎo)體層13而成的第1基板10。然后，在一面10a上形成未圖示的掩模后，離子注入雜質(zhì)，同時進(jìn)行加熱處理使雜質(zhì)熱擴散，由此適宜形成計量電阻16、未圖示的連接布線層、引出布線層等。再者，該工序中的加熱處理例如通過將第1基板10在800～1100℃下加熱處理來進(jìn)行，以使雜質(zhì)熱擴散。

接著，在與上述圖2(a)不同的另一工序中，如圖2(b)所示的那樣，準(zhǔn)備貼合基板21，通過干法刻蝕等在貼合基板21的一面21a上形成凹部21c。然后，在基板21的一面21a上通過化學(xué)氣相沉積(即chemicalvapordeposition：cvd)法等形成絕緣膜22。由此，準(zhǔn)備形成有由絕緣膜22模制而成的上述凹部20c的第2基板20。

繼續(xù)，在真空中對第1基板10(半導(dǎo)體層13)和第2基板20(絕緣膜22)進(jìn)行接合。本實施方式中，首先，如圖2(c)所示的那樣，在第1基板10的一面10a側(cè)及第2基板20的一面20a側(cè)，生成oh基。

具體地講，將第1基板10及第2基板20配置在未圖示的容器內(nèi)，從第1基板10的一面10a(即半導(dǎo)體層13)側(cè)及第2基板20的一面20a(即絕緣膜22)側(cè)照射o2等離子、n2等離子、ar離子束等，將附著在接合面上的雜質(zhì)除去，同時使各接合面活性化。

再者，所謂使接合面活性化，是指露出在接合面的原子中的鍵合鍵的一部分失去鍵合對象的狀態(tài)。此外，在使接合面活性化時，因從第1基板10的一面10a側(cè)及第2基板20的一面20a側(cè)照射o2等離子等，所以第1基板10的一面10a中的與第2基板20接合的區(qū)域的靠內(nèi)邊緣側(cè)的區(qū)域、及第2基板20的凹部20c的壁面等也被活性化。

接著，例如通過從容器內(nèi)取出第1基板10及第2基板20并暴露在大氣中，從而在第1基板10的一面10a側(cè)及第2基板20的一面20a側(cè)生成oh基。

再者，由于oh基生成在第1基板10及第2基板20的被活性化的區(qū)域，所以也可形成在第1基板10的一面10a中的與第2基板20接合的區(qū)域的靠內(nèi)邊緣側(cè)的區(qū)域、及第2基板20的凹部20c的壁面等上。此外，在第1基板10及第2基板20的各一面10a、20a側(cè)生成oh基時，也可以取代從容器內(nèi)取出第1基板10及第2基板20，而通過例如向容器內(nèi)導(dǎo)入大氣來在第1基板10及第2基板20中生成oh基。

接著，如圖2(d)所示的那樣，采用適宜設(shè)在第1基板10及第2基板20上的對準(zhǔn)標(biāo)記等，進(jìn)行利用紅外顯微鏡等的對準(zhǔn)，通過在室溫～550℃的低溫下進(jìn)行接合的所謂直接接合，將第1基板10和第2基板20接合。本實施方式中，通過維持在300℃，同時向第1基板10和第2基板20的層疊方向外加18kn的加重來直接接合第1基板10和第2基板20。由此，以包括第1基板10與第2基板20的凹部20c之間的空間的方式構(gòu)成氣密室30，將計量電阻16密封在該氣密室30中。

再者，在該工序中，如以下的反應(yīng)式[f1]那樣，通過使生成在第1基板10的一面10a及第2基板20的一面20a上的oh基彼此共價鍵合而生成氫氣31。

2sioh→siosi+h2+o^－[f1]

也就是說，在圖2(d)的工序結(jié)束后，成為在氣密室30內(nèi)生成了氫氣31的狀態(tài)，成為氣密室30內(nèi)的壓力高于所希望的壓力的狀態(tài)。

接著，如圖3(a)所示的那樣，將進(jìn)行到圖2(d)的工序為止的壓力傳感器導(dǎo)入未圖示的退火裝置中進(jìn)行加熱處理。由此，第1基板10與第2基板20的接合中未用到的oh基、即第1基板10的一面10a中的與第2基板20接合的區(qū)域的靠內(nèi)邊緣側(cè)的區(qū)域中生成的oh基、以及第2基板20的凹部20c的壁面上生成的oh基彼此鍵合，生成水分子。

然后，如圖3(b)所示的那樣，通過繼續(xù)加熱，如以下的反應(yīng)式[f2]那樣，水分子與硅反應(yīng)，生成氧化膜(即變厚)，同時在氣密室30內(nèi)生成進(jìn)一步的氫氣31。

2h2o+si→sio2+2h2[f2]

這里，本發(fā)明者們對在si基板上生成oh基、將si基板加熱時起因于oh基的氫氣31的生成量進(jìn)行了實驗，得到圖4所示的實驗結(jié)果。再者，圖4是通過在照射o2等離子而生成oh基后進(jìn)行升溫脫氣分光(即熱解吸譜，thermaldesorptionspectrometry：tds)法而得到的實驗結(jié)果，將升溫速度設(shè)定為1℃/sec。此外，圖4中的試料表面溫度為oh基生成的表面溫度，圖4中的虛線所示的背景是實驗中使用的裝置所固有的噪音。

如圖4所示的那樣，在si基板上生成了oh基時，通過加熱使試料表面溫度提高而生成氫氣，但本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)：在將升溫速度設(shè)定為1℃/sec時，在700℃以上不生成氫氣。此外，雖然明確的原理不清楚，但已知在將升溫速度設(shè)定為小于1℃/sec時，氫氣生成量的最大量下的溫度向低溫側(cè)偏離，在將升溫速度設(shè)定為大于1℃/sec時，氫氣生成量的最大量下的溫度向高溫側(cè)偏離。也就是說，已知：在將升溫速度設(shè)定為小于1℃/sec時，不生成氫氣的溫度向低溫側(cè)偏離，在將升溫速度設(shè)定為大于1℃/sec時，不生成氫氣的溫度向高溫側(cè)偏離。另外，如圖4所示的那樣，本發(fā)明者們還發(fā)現(xiàn)：在變更等離子濕度時，氫氣生成量的最大量及最大量下的溫度發(fā)生變動，但不生成氫氣的溫度沒有變化。

因此，本實施方式中，將升溫速度設(shè)定為1℃/sec以下，以生成oh基的面達(dá)到700℃以上的方式進(jìn)行加熱。也就是說，以第1基板10的一面10a、第2基板20的一面20a、及凹部20c的壁面達(dá)到700℃以上的方式進(jìn)行加熱。由此，能夠?qū)D2(c)的工序中生成的oh基全部變換成氫氣31。

再者，圖3(b)示出了在圖2(c)的工序中生成了oh基的面達(dá)到700℃以上之前的狀態(tài)。此外，在圖2(d)的工序中，第1基板10及第2基板20的各接合面中生成的oh基彼此按上述反應(yīng)式[f1]的方式進(jìn)行反應(yīng)，但有時oh基的一部分殘存。因此，在圖3(b)的工序中，通過以第1基板10及第2基板20的接合面也達(dá)到700℃以上的方式進(jìn)行加熱，在圖2(d)的工序中存在未反應(yīng)的oh基的情況下，能夠?qū)⒃搊h基變換成氫氣31。

然后，如圖3(c)所示的那樣，維持加熱溫度(即700℃以上的溫度)，進(jìn)行將氣密室30內(nèi)發(fā)生的氫氣31從該氣密室30內(nèi)排到外部的排氣工序。

這里，對排氣工序進(jìn)行具體的說明。眾所周知，氫氣31的擴散距離與擴散系數(shù)(d)和加熱時間(t)成比例(即2(dt)^1/2)，擴散系數(shù)(d)與加熱溫度成比例。也就是說，氫氣31的擴散距離與加熱時間和加熱溫度成比例。

而且，本發(fā)明者們以使氫氣31在成為構(gòu)成氣密室30的壁面與暴露于大氣的壁面之間的最短距離的部分進(jìn)行擴散(即通過)而排出的方式，將該最短距離以上的距離設(shè)定為氫氣31的擴散距離，以該擴散距離達(dá)到固定的方式調(diào)整加熱溫度和加熱時間而進(jìn)行實驗，得到了圖5所示的實驗結(jié)果。再者，本實施方式中，成為構(gòu)成氣密室30的壁面與暴露于大氣的壁面之間的最短距離的部分，是凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的部分。此外，圖5是將氣密室30內(nèi)的體積設(shè)定為1.0×10^-3mm^-3、將凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離設(shè)定為10～200μm、將升溫速度設(shè)定為1℃/sec時的圖示。

得知：如圖5所示的那樣，由于將凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離以上的距離設(shè)定為擴散距離，擴散距離與d^1/2、t^1/2成比例，所以即使在以該擴散距離固定的方式調(diào)整加熱溫度(即擴散系數(shù))和加熱時間的情況下，例如在加熱溫度為600℃時，也不能使氣密室30內(nèi)的壓力充分減壓。也就是說，得知：在加熱溫度為600℃時，不能充分排出氣密室30內(nèi)的氫氣31。再者，如上述那樣，d為擴散系數(shù)，t為加熱時間。

推測這是因為，如上述那樣，在600℃時，沒有將oh基全部變換成氫氣31，因維持在600℃而繼續(xù)每次少量地生成氫氣31。再者，圖5中，在將加熱溫度設(shè)定為600℃時，通過將加熱時間設(shè)定為75小時這樣的長時間，從而使氫氣31的擴散距離成為凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離以上。

與此相對照，在將生成oh基的面加熱達(dá)到700℃以上的情況下，如圖4所示的那樣，能夠?qū)D2(c)中生成的oh基全部變換成氫氣31。因此，在排氣工序中，通過以擴散距離成為凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離以上的方式來調(diào)整加熱溫度及加熱時間，能夠從氣密室30排出在氣密室30內(nèi)發(fā)生的氫氣31，能夠使氣密室30內(nèi)的壓力保持在所希望的壓力。

再者，本實施方式中，如上述那樣，成為構(gòu)成氣密室30的壁面與暴露于大氣的壁面之間的最短距離的部分，是凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的部分。因此，圖3(c)中，示出氫氣31通過凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的部分而排出的狀況。但是，例如，在成為構(gòu)成氣密室30的壁面與暴露于大氣的壁面的最短距離的部分是第1基板10的一面10a與另一面10b之間的部分的情況下，氫氣31沿第1基板10的一面10a與另一面10b之間的部分?jǐn)U散而排出。

此外，因si的熔點為1412℃，優(yōu)選在低于1412℃的溫度下進(jìn)行加熱工序。而且，上述中，對將圖3(b)中生成oh基的面加熱達(dá)到700℃以上、圖3(c)中維持原狀溫度的例子進(jìn)行了說明，但在圖3(c)的排氣工序中，氫氣31的擴散距離與加熱溫度和加熱時間成正比例。因此，例如，也可以在圖3(b)的工序中在將生成oh基的面加熱達(dá)到700℃以上后，在圖3(c)的工序中降溫到600℃，并延長加熱時間，由此使擴散距離達(dá)到凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離以上。

然后，雖未特別圖示，但通過在第1基板10的另一面10b上形成掩膜，用干法刻蝕等形成凹部14而構(gòu)成膜部15，由此可制作上述圖1所示的壓力傳感器。

再者，上述中，對1個壓力傳感器的制造方法進(jìn)行了說明，但也可以準(zhǔn)備晶片狀的第1基板10和第2基板20，在以晶片狀的原狀進(jìn)行了上述各工序后將其刻模而分割成芯片單元。

如以上說明的那樣，本實施方式中，在第1基板10的一面10a側(cè)及第2基板20的一面20a側(cè)生成oh基，接合第1基板10和第2基板20。然后，將升溫速度設(shè)定為1℃/sec以下，以生成oh基的面達(dá)到700℃以上的方式進(jìn)行加熱。由此，能夠?qū)⒁蚪雍系?基板10和第2基板20而生成的oh基全部變換成氫氣31(參照圖4)。

然后，在排氣工序中，以氫氣31的擴散距離達(dá)到凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的距離以上的方式，調(diào)整加熱溫度及加熱時間。由此，能夠充分排出氣密室30內(nèi)的氫氣31，能夠形成將氣密室30內(nèi)充分減壓的狀態(tài)(即真空狀態(tài))。也就是說，能夠抑制氣密室30內(nèi)的壓力變動。

此外，由于通過加熱處理使殘存于氣密室30內(nèi)的oh基全部變換成氫氣，所以在半導(dǎo)體裝置的使用等中，能夠抑制在氣密室30內(nèi)生成氫氣、因該氫氣而使氣密室30內(nèi)的壓力發(fā)生變動。

(第2實施方式)

對本公開的第2實施方式進(jìn)行說明。本實施方式相對于第1實施方式變更了第1基板10的構(gòu)成，其它與第1實施方式相同，因此這里將說明省略。

本實施方式的壓力傳感器如圖6所示的那樣，第1基板10為在半導(dǎo)體層13上具有薄絕緣膜17的構(gòu)成。也就是說，第1基板10通過依次層疊支持基板11、絕緣膜12、半導(dǎo)體層13、薄絕緣膜17而構(gòu)成，一面10a由薄絕緣膜17中的與半導(dǎo)體層13側(cè)成相反側(cè)的一面構(gòu)成。此外，膜部15由位于凹部14的底面與第1基板10的一面10a之間的絕緣膜12、半導(dǎo)體層13、薄絕緣膜17構(gòu)成。

這樣的壓力傳感器可按以下制造。也就是說，首先，在上述圖2(a)的工序中，在形成計量電阻16等后，例如，通過熱氧化在半導(dǎo)體層13上形成薄絕緣膜17，構(gòu)成第1基板10。然后，進(jìn)行上述圖2(b)以后的工序，在進(jìn)行圖3(a)以后的加熱工序時，通過以在半導(dǎo)體層13上形成薄絕緣膜17的狀態(tài)進(jìn)行加熱處理，可制作上述壓力傳感器。

據(jù)此，以在半導(dǎo)體層13上形成有薄絕緣膜17的狀態(tài)進(jìn)行排氣工序。因此，在排氣工序時，通過薄絕緣膜17能夠抑制構(gòu)成計量電阻16的雜質(zhì)向氣密室30內(nèi)擴散的向外擴散(outdiffusion)，能夠抑制計量電阻16的特性變化。

再者，在通過上述圖2(c)的工序中說明的直接接合進(jìn)行薄絕緣膜17與絕緣膜22的接合時，如果薄絕緣膜17厚，則有時接合強度降低。因此，優(yōu)選以大約10nm以下的方式形成薄絕緣膜17。

(其它實施方式)

例如，上述第1、第2實施方式中，對在壓力傳感器的制造方法中應(yīng)用了本公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法的例子進(jìn)行了說明。但是，本公開也能在具有氣密室30、該氣密室30的壓力為真空狀態(tài)的多種半導(dǎo)體裝置的制造方法中應(yīng)用，也能在角速度傳感器等的制造方法中應(yīng)用。

此外，如圖7所示的那樣，也可以在只由貼合基板21構(gòu)成第2基板20的壓力傳感器的制造方法中應(yīng)用本公開。再者，在該壓力傳感器中，第2基板20的凹部20c由貼合基板21的凹部21c構(gòu)成，位于凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的部分只為貼合基板21。此外，圖1中，雖未特別圖示，但也可以形成為在凹部21c的壁面上不形成絕緣膜22的構(gòu)成。

而且，如圖8所示的那樣，也可以在只由支持基板11構(gòu)成第1基板10、同時將位于凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的貼合基板21及絕緣膜22設(shè)定為膜部15、在該膜部15中形成計量電阻16的壓力傳感器的制造方法中應(yīng)用本公開。另外，如圖9所示的那樣，作為圖8的變形例，也可以在由支持基板11及絕緣膜12構(gòu)成第1基板10、只由貼合基板21構(gòu)成第2基板20的壓力傳感器的制造方法中應(yīng)用本公開。再者，在該壓力傳感器中，與圖7所示的壓力傳感器同樣，第2基板20的凹部20c由貼合基板21的凹部21c構(gòu)成，位于凹部20c的底面與第2基板20的另一面20b之間的部分只為貼合基板21。

此外，在上述第1實施方式中，膜部15也可以只由半導(dǎo)體層13構(gòu)成。也就是說，也可以通過凹部14將絕緣膜12除去。同樣，在上述第2實施方式中，膜部15也可以由半導(dǎo)體層13及薄絕緣膜17構(gòu)成。

本公開根據(jù)實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)理解為本公開并不限定于所述實施例及結(jié)構(gòu)。本公開包含多種變形例及均等范圍內(nèi)的變形。而且，各種組合及方式、以及僅包含其中一要素、一要素以上或其以下的其它組合及方式都包含在本公開的范疇及思想范圍內(nèi)。