本發(fā)明涉及一種防止晶圓Map圖移位的方法，屬于集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

對(duì)集成電路芯片的測(cè)試由測(cè)試系統(tǒng)和探針臺(tái)經(jīng)過精密對(duì)接共同完成，通過晶圓測(cè)試對(duì)所有芯片進(jìn)行分類：即失效的芯片和合格的芯片，為了滿足先進(jìn)的工藝和自動(dòng)化的要求，現(xiàn)在很少用墨點(diǎn)來區(qū)分芯片的好與壞，而是采用電子式Map圖，該Map圖是探針臺(tái)在測(cè)試過程中自動(dòng)生成的。Map圖不僅記錄著芯片的好與壞還記載著被測(cè)芯片的其它測(cè)試狀態(tài)信息；把測(cè)試過的晶圓和電子式Map圖同步傳遞到下一道工序，比如：把Map圖輸入，該工序的設(shè)備就能自動(dòng)完成操作，真正做到了生產(chǎn)線自動(dòng)化。但是在使用某型號(hào)探針臺(tái)進(jìn)行多site并行測(cè)試過程中用現(xiàn)有技術(shù)的方法Map圖常常發(fā)生移位；首先，說明一下什么是多site并行測(cè)試技術(shù)，是指在一臺(tái)測(cè)試機(jī)上可同時(shí)對(duì)多個(gè)集成電路芯片進(jìn)行全自動(dòng)檢測(cè)，通過專門設(shè)計(jì)制作的探針卡可以同時(shí)連接到多個(gè)芯片的引腳上，使得測(cè)試機(jī)可以同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試，并記錄多個(gè)芯片的測(cè)試結(jié)果，通過單位時(shí)間內(nèi)增加被測(cè)芯片的數(shù)量來提高測(cè)試機(jī)的吞吐率，減少測(cè)試機(jī)閑置資源，提高了測(cè)試設(shè)備的利用率，大大降低了能耗，減少了測(cè)試廠房的占地面積。其次，移位，是指芯片的位置坐標(biāo)是固定的，而完成測(cè)試給出的Map圖坐標(biāo)與實(shí)際結(jié)果發(fā)生的上下或者左右移位，給出的測(cè)試結(jié)果就會(huì)有偏差，比如：X120，Y132坐標(biāo)的site測(cè)試結(jié)果是壞的，移位之后給出的Map圖結(jié)果是該坐標(biāo)的site的測(cè)試結(jié)果是好的，就造成了合格芯片與失效芯片的誤判，為了防止多芯片并行測(cè)試過程中Map圖移位發(fā)生，如何解決多site并行測(cè)試過程中Map圖移位，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決多site并行測(cè)試過程中Map圖移位的發(fā)生，提供了一種防止晶圓map圖移位的方法。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：

1、在多site并行晶圓測(cè)試之前，做PTPA(探測(cè)器墊對(duì)齊)時(shí)，把探針臺(tái)的探卡找針方式選定為MANUAL SELECT(手動(dòng)選擇模式)；

2、所述發(fā)明是多site并行測(cè)試時(shí)，探針定位site(通常業(yè)內(nèi)人士指晶圓上的一個(gè)芯片位置為一個(gè)site.)選距離最遠(yuǎn)的兩個(gè)site為定位site。

3、進(jìn)一步的設(shè)定好這兩個(gè)定位site后，做pin align(探針與壓點(diǎn)對(duì)齊)時(shí)，若選的不是第一個(gè)site位置，探針臺(tái)設(shè)備的報(bào)警裝置就會(huì)報(bào)警，不會(huì)再進(jìn)行pin align動(dòng)作。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明：

圖1為本申請(qǐng)一實(shí)施提供的芯片壓點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本申請(qǐng)一實(shí)施提供的探針的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本申請(qǐng)一實(shí)施提供的PTPA自動(dòng)選擇模式找針定位的示意圖。

圖4為本申請(qǐng)一實(shí)施提供的PTPA自動(dòng)選擇模式定位錯(cuò)誤的示意圖。

圖5為本申請(qǐng)一實(shí)施提供的手動(dòng)選擇模式找針定位的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面就本發(fā)明將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述：在此，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋，但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

以安全芯片16site并行測(cè)試為例，芯片壓點(diǎn)與探針如圖1、2所示

1、探卡排列方式為8x2，如圖3所示；

2、在進(jìn)行PTPA時(shí)，建立程序時(shí)設(shè)定探卡上每根針的絕對(duì)位置，每根針的位置是根據(jù)單個(gè)芯片上的壓點(diǎn)來確定的，確保做測(cè)試時(shí)每根針會(huì)落在芯片相應(yīng)的壓點(diǎn)中間。

3、設(shè)備默認(rèn)的探卡找針方式為AUTO SELECT(自動(dòng)選擇模式)，程序會(huì)自動(dòng)設(shè)定兩個(gè)定位site，探針臺(tái)設(shè)備默認(rèn)的兩個(gè)定位site，第一點(diǎn)定位site5，第二點(diǎn)定位site9，如圖3所示；

4、以AUTO SELECT這種模式找針做PTPA的話，設(shè)備有可能把兩個(gè)定位site找錯(cuò)，第一點(diǎn)定位site6，第二點(diǎn)就會(huì)默認(rèn)定位site10，原因是定位距離相似，設(shè)備誤認(rèn)為是對(duì)的，如下圖4所示；

5、如果兩個(gè)定位site如圖4做完P(guān)TPA，生產(chǎn)測(cè)試時(shí)site1的左手邊不應(yīng)有針跡的地方會(huì)有針跡，而site8該有針跡的地方就不會(huì)有針跡，整個(gè)touchdown(探針扎在芯片壓點(diǎn)上，探針的運(yùn)行軌跡是扎下抬起為一個(gè)完整動(dòng)作)的針跡向左偏移一位，給出的Map圖就發(fā)生了移位，假如相鄰芯片恰巧是一個(gè)合格一個(gè)失效就發(fā)生了誤判，后果比較嚴(yán)重。

6、經(jīng)過多次試驗(yàn)把探卡找針方式定為MANUAL SELECT(手動(dòng)選擇模式)，選擇距離最遠(yuǎn)的兩個(gè)site作為定位點(diǎn)；本例選擇site1和site16為定位點(diǎn)(或者site8和site9)。如圖5所示；

7、設(shè)定好這兩個(gè)定位site后，做pin align時(shí)，若選錯(cuò)第一位置，選的不是黑色模塊(site1)位置處，探針臺(tái)設(shè)備的報(bào)警裝置就會(huì)報(bào)警，不會(huì)進(jìn)行pin align動(dòng)作。

8、進(jìn)行后續(xù)的正確處理動(dòng)作，防止了錯(cuò)誤的定位引起的Map圖移位。

此方法已經(jīng)用于大規(guī)模量產(chǎn)測(cè)試，提高了測(cè)試質(zhì)量。

探針排列4x4時(shí)，選擇site1和site16或者site4和site13；以此類推，上述實(shí)施例僅是為了方便說明，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。