1.一種耐磨超疏水薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)金屬基體經(jīng)砂紙打磨至600目后，在乙醇中超聲10分鐘后取出，經(jīng)自來(lái)水、去離子水清洗烘干后放入60℃恒溫干燥箱內(nèi)待用；
2)量取乙醇50mL，0.2M NaNO3 50mL，混合后，加入正硅酸四乙酯5mL，溶液的pH調(diào)節(jié)在4.5，磁力攪拌12h后備用。
3)采用三電極體系在金屬基體上電沉積一層多孔結(jié)構(gòu)的SiO2薄膜，其中工作電極為金屬基體，Pt片、Ag/AgCl(飽和KCl)電極分別作為對(duì)電極和參比電極，施加的電位為-1.0V～-2.0V，電沉積時(shí)間為200～600s；
3)稱(chēng)取2g納米級(jí)SiO2粉末分散在100mL pH＝8的氨水溶液中，磁力攪拌1h后備用；在另一容器中加入5mL疏水性長(zhǎng)鏈硅烷分散在100mL乙醇中，磁力攪拌1h后備用，將后一溶液逐滴加入到前一溶液中，磁力攪拌6小時(shí)后形成均一的懸濁液，陳化4小時(shí)后，離心分離，得到的白色粉末在60℃烘箱中干燥，得到超疏水SiO2粉末；
4)稱(chēng)取質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％～10％的超疏水SiO2粉末分散到非極性有機(jī)溶劑中，超聲分散10min后，得到電泳液；
5)在直流電源上，采用兩電極體系在電泳液中進(jìn)行電泳沉積，以覆蓋了電沉積SiO2薄膜的金屬基體作為正極，Pt電極作為負(fù)極，兩電極間距35mm，電壓控制在5～80V，電泳時(shí)間控制在1～10min，電泳結(jié)束后，將樣品置于60℃的烘箱內(nèi)烘干，得到超疏水薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐磨超疏水薄膜的制備方法，其特征在于所述的金屬基體為鍍鋅鋼、鋁、鎂、鈦、不銹鋼、低碳鋼或其他導(dǎo)電金屬以及合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐磨超疏水薄膜的制備方法，其特征在于所述的用于制備超疏水納米二氧化硅粉末的疏水性長(zhǎng)鏈硅烷為十二烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷或含氯、氟等疏水性硅烷，如十八烷基三氯硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐磨超疏水薄膜的制備方法，其特征在于所述的電泳溶液的溶劑為正己烷、十六烷或者其他非極性有機(jī)溶劑。